Está en la página 1de 6

PAPERS

Laboratorio 2, Transistores

Mateo, Espinosa Fajardo, Cristian, Gmez Garca


e-mail: maespinosa@academia.usbbog.edu.co
e-mail: crgomez@academia.usbbog.edu.co

Universidad de San Buenaventura, Bogot, Colombia

Resumen: off point Q analyze and saturation of the transistor when t


he elements are modficados in retrofitting, thisprocedure
En este laboratorio se busca determinar el will take
comportamiento que presenta un transistor al tener una place with an ac of 10 mv signal to determine these same
seal DC y AC, posterior a eso se busca obtener el factors.
comportamiento de la seal que este transmite cuando se
usan ambos voltajes y se realiza su analisis posterior.
INTRODUCCIN
De esta manera se podra determinar cada uno de los
El presente informe tiene como fin presentar el
voltajes en base, colector y emisor del transistor
comportamiento que tiene el transistor 2N3904 cuando es
correspondiente, como sus valores en corriente. Asi
aplicada una seal DC y AC, de esta manera observar el
mismo se podra obtener el comportamiento de la seal
comportamiento que este contiene en su punto Q de
cuando se varia la frecuencia de entrada que se le aplica
saturacion y corte al paso del circuito. Con esto saber la
al transistor para determinar la ganancia correspondiente
ganancia que mantiene y saber el comportamiento grafico
que tiene el transistor al variar estos factores.
que este contiene al modifcar la frecuencia.
Finalmente al tener cada uno de estos valores en los dos
circuitos se analizara el punto Q de corte y saturacion del 1. PROCEDIMIENTO
transistor cuando los elementos son modficados en el
montaje posterior, este procedimiento se realizara con una 1.1 Circuito polarizacin fija
seal ac de 10 mv para determinar estos mismos factores. Se realiza el montaje con el transistor 2N3904 y un
voltaje Vcc=12, con este se busca determinar el valor de
Abstract voltaje de base emisor y colector aplicando una seal AC
de 100mV.
This laboratory aims to determine the behaviour that pres
ents a transistor having DC and AC signal, back to that se Tabla 1. Tabla de valores de las mediciones realizadas
eks to obtain the behaviour of the signal that it transmits para el circuito 1.
when both voltages are used and its subsequent analysis i
s carried out.

In this way you can determine each of the voltages in bas


e, collector and emitter corresponding transistor, as their
values in current. So it is you
can get the behavior ofthe signal when is varies the input
frequency that is applied to the transistor to determine the
corresponding gain that has the transistor by varying thes
e factors.

Finally to have each of these values in the two circuits the


cut-

Tabla 2: Resultados Voltajes y corrientes en base,


emisor y colector.

Journal information 1
PAPERS Running head.

Imagen 1. Circuito 1

Imagen 4: Resultado Osciloscopio con 100 KHz

Imagen 2: Resultado Osciloscopio con 100 Hz 1.2 Circuito Polarizacin en divisor de voltaje
Se realiza el montaje del circuito esta usando tres
capacitores y variando el valor de las resistencias
correspondientes y usando Vcc= 22V, de esta manera
tambien se busca saber el valor de la ganancia y el
comportamiento que maneja el transistor en este caso.

Imagen 3: Resultado osciloscopio con 10 KHz

Journal information 2
PAPERS Running head.

Tabla 3. Valores de las mediciones realizadas para el Imagen 6: Resultado osciloscopio para 100 Hz
circuito 2.

Imagen 7. Resultados osciloscopio para 10 KHz

Tabla 4. Valores obtenidos de corriente y voltaje


para emisor, base y colector.

Imagen 8. Resultados osciloscopio para 100 KHz


Imagen 5. Circuito 2.

PUNTO 3

Previo a esto se realiza el calculo para punto de


saturacin y corte en el transistor, teniendo esto
nos dan los siguientes valores:

Journal information 3
Running head. PAPERS

2. CONCLUSIONES

Se puede determinar el valor de corte y


saturacion del transistor realizando la
comparacion de valores teoricos y
practicos en el circuito.
Se tuvo en cuenta la variacion de
resistencias en cada uno de los montajes
para lograr cumplir el objetivos de corte
y saturacion del circuito.

3. BIBLIOGRAFIA

1. http://ocw.um.es/ingenierias/tecnolo
gia-y-sistemas-electronicos/material-
de-clase-1/tema-3.-transistores-de-
union-bipolar-bjt.pdf
2. http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/ar
chivos/polarizacion-transistor.pdf

4 Journal information
PAPERS Running head.

Journal information 5
Running head. PAPERS

THE AUTHORS

Author Name Author Name

First author biography text...


Second author biography text...

6 Journal information

También podría gustarte