Estructura Geométrica.

INGENIERA
NombreDEdelMATERIALES
Programa
INGENIERA MECNICA
Estructura
Geomtrica
Ing. Lucio Antonio Llontop Mendoza.

lllontop@usat.edu.pe
Ponente / Docente
Facultad / Escuela / Programa
Estructura de un material
Macroestructura
Microestructura
Arreglo Atmico
Estructura atmica
Unin de tomos:
Clasificacin, propiedades y comportamiento
Ponente / Docente
Estado Slido
Cristalinos
Amorfos
Ponente / Docente
Niveles de arreglo
atmico
Sin Orden. En el caso de los gases como el argn, los tomos no tienen orden y
llenan de manera aleatoria el espacio en el cual esta confinado el gas.
Orden de Corto Alcance. Un material muestra un arreglo de corto alcance si el

arreglo espacial de los tomos se extiende solo en los vecinos de dicho tomo. Las
cermicas y los polmeros que tienen solo este orden corto alcance, son materiales
amorfos y a menudo tiene propiedades fsicas nicas.
Orden de Largo Alcance. Los metales, semiconductores, muchos materiales

cermicos e incluso algunos polmeros tienen una estructura cristalina en la cual los
tomos muestran tanto un orden de corto y largo alcance , el arreglo atmico
especial se repite a lo largo de todo el material se extiende por todo el material.
Los tomos forman un patrn repetitivo regular en forma de rejilla o de red
(conjunto de puntos ).
Ponente / Docente
Niveles de arreglo
atmico
Sin orden Orden de corto alcance
Orden de corto alcance Orden de largo alcance
Ponente / Docente
Niveles de arreglo atmico
Ponente / Docente
Materiales cristalinos y
amorfos
Cristalinos
-Regularidad externa. Se aprecian planos y ngulos diedros
en su configuracin, dando origen a formas polidricas ms
o menos complejas.
-Cierta irregularidad sistemtica en las propiedades,

variables segn la direccin que se considere en el cristal.
Amorfos
-Presenta irregularidad externa.
-Presenta independencia de propiedades con respecto a

las direcciones que se pudieran considerar.
Ponente / Docente
Materiales cristalinos y
amorfos
SiO2
Ponente / Docente
Anisotropa - Isotropa
Anisotropa: El material no presenta
idntico comportamiento ante agentes
externos en cualquiera de las direcciones
que se observe. Tpico en la estructura
cristalina.
Anisotropa - Isotropa
Isotropa: El material presenta idnticas propiedades en
cualquier direccin que se considere. Tpico en la estructura
amorfa.
Estructura cristalina
Apilamiento simtrico de tomos en el espacio llamado red cristalina y es
propio de cada elemento.
Constante reticular o parmetro de red: distancia entre dos tomos
consecutivos.
Constante reticular + tipo de red= estructura cristalina.
Elemento ms pequeo representativo: malla o clula estructural.
Ponente / Docente
Celda unitaria
Parmetros de red:
- Aristas a, b, c
-ngulos a, b, g

1 nm 10 m 10 cm 10 A
-9 -7

1 A 0,1 nm 10 -10 m 10 -8 cm
Ponente / Docente
Nmeros de tomos por
celda
Ponente / Docente
Nmeros de tomos por
celda
Ponente / Docente
Nmero de tomos Equivalentes por Celda
Si consideramos que cada punto de la red coincide con un
tomo, cada tipo de celda tendr un nmero de tomos que
se contarn de la siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de
tomo, ya que ese tomo es compartido por 8 celdas que
constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con
de tomo, ya ese tomo es compartido por 2 celdas que
constituyen la red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1
tomo.
Ponente / Docente
Nmero de tomos Equivalentes por
Celda
Ponente / Docente
Nmero de tomos Equivalentes por
Celda
Ponente / Docente
Ejercicio
Calcule la cantidad de tomos por celda en el
sistema cristalino cbico.
Cbico simple Cbico centrado en el Cbico centrado en las

(CS) cuerpo (BCC) caras (FCC)
Ponente / Docente
Ejercicio:
Un metal cristaliza en la red cbica centrada en las
caras. Si su radio atmico es 1.38 . Cuntos
tomos existirn en 1 cm3?
Ponente / Docente
Sistemas cristalinos
Ponente / Docente
Ponente / Docente
Ponente / Docente
Sistema cbico
Nmero de tomos
Ponente / Docente
Parmetros de red y
radio
Ponente / Docente
Parmetros de red (CC)
Ponente / Docente
Parmetros de red (CCC)
Ponente / Docente
Nmero de coordinacin
Nmero de tomos vecinos ms cercanos.
C. Simple C. Cuerpo
Ponente / Docente
Ejercicio
El cobre tiene una estructura cbica centrada en la
cara y un radio atmico de 1,278 A. Calcular su
densidad.
Ponente / Docente
Ejercicio
Un clip pesa 0,59 g y es de hierro BCC. Calcule:
a) La cantidad de celdas unitarias en el clip
b) La cantidad de tomos de hierro en el clip a0 = 2,866
Masa atmica = 55,847 g/mol.
Densidad = 7,87 g/cm3.
Un mineral que contiene un metal X contiene un 0,5% gramos

de este metal. Si este es Cbico Simple. Calcule:
a) La cantidad de celdas unitarias del metal X.
b) La cantidad de tomos del metal en el mineral a0 =1,786.
Masa atmica = 196,876 g/mol.
Densidad metal= 0.317 lb/pulg3
Ponente / Docente
compactos
Ponente / Docente
Ejercicio:
1.- Calcule el factor de empaquetamiento para la celda

cs.
cc.
cbica centrada en el cuerpo.
4.- Quin tiene mayor factor de empaquetamiento?.
Ponente / Docente
Hexagonal Compacto
Ponente / Docente
Caractersticas
Ponente / Docente
Polimorfismo (Alotropismo)
Ponente / Docente
Ejercicios
Determinar la densidad del hierro CC, que tiene un parmetro de red de
0.2866nm.
La celda elemental del cromo es cbica centrada en el cuerpo (BCC), su masa
molecular es 52,1 y su densidad 7,19 g/cm3. Calcular: a) masa de un tomo,
b) nmero de tomos en un miligramo, c) nmero de tomos y de moles por
m3, d) masa de una celda unidad, e) Nmero de celdas en un gramo de metal,
f) volumen y arista de la celda unidad, g) factor de empaquetamiento
atmico.
El aluminio cristaliza en una red FCC con un parmetro de red de 4,049 .
Siendo su peso atmico 26,97 g/ mol y su densidad 2,7 g/ cm3 . Calcule:
Masa de la celda unidad.
Nmero de celdas unidad contenidas en 1,5 g
Nmero de tomos en 1,75 g
Tamao atmico.
Ponente / Docente
Estructura Amorfa
No tiene cadenas repetitivas en el patrn de sus cristales
(monocristales).
Se incluyen los gases, lquidos y vidrios.
Gases: Su estructura se reduce a molculas individuales.
PV=nRT.
Lquidos: Tienen una estructura de corto rango en que las
distancias interatmicas entre los primeros vecinos son casi
uniformes.
Vidrio: Considerados lquidos sper enfriados y son mono
cristalinos.
Ponente / Docente
Defectos o imperfecciones
cristalinas
Los materiales cristalinos presentan imperfecciones que
afectan el comportamiento del material.
Mediante el control de estas imperfecciones se pueden
obtener materiales ms resistentes, con mejor desempeo,
etc.
Los defectos pueden ser agregados de manera intencional a
fin de producir un conjunto deseado de propiedades
mecnicas y fsicas.
Ponente / Docente
Defectos o Imperfecciones Cristalinas
La imperfecciones son responsables de ciertas

propiedades de los materiales:
- Ductilidad de los metales

- Comportamiento de los semiconductores
- Resistencia mecnica de las aleaciones
- Color del zafiro, etc.
Ponente / Docente
Defectos o imperfecciones cristalinas
Las imperfecciones de la red cristalina se clasifican conforme a su
geometra y forma:
Defectos puntuales de dimensin cero.
Defectos de lnea o de una dimensin (dislocaciones).
Defectos de dos dimensiones: Lmites de grano interno y de
superficie
Estos defectos pueden ocurrir de forma individual o combinados.
Ponente / Docente
Defectos de punto
Vacante de red
Es el ms simple.
Lugar normalmente ocupado por
un tomo ahora ausente.
Se produce durante la
solidificacin y como consecuencia
de las vibraciones que desplazan
los tomos de sus posiciones
reticulares normales.
Autointersticial
Defecto producido por el
desplazamiento de un tomo de
un cristal a un lugar intersticial.
Producen distensiones grandes en
los tomos adyacentes.
Ponente / Docente
Defectos de punto: impurezas
Se presentan cuando se realiza una solucin slida, se adicionan tomos de soluto a un
material disolvente, mantenindose la estructura cristalina sin formar nuevas sustancias.
Impureza sustitucional
- Los tomos de impurezas o soluto remplazan o sustituyen
a los tomos del disolvente.
- Condiciones: Tamao (diferencia entre radios atmicos
menor al 15%. Factor electroqumico, es decir pequea
diferencia de electronegatividades. Valencia similar, el
tomo de mayor valencia presenta mayor tendencia a
solubilizar que un metal de valencia inferior. La estructura
cristalina debe ser similar. Ejm: Aleacin de Cu y Zn
Impureza intersticial
- Los tomos de impurezas llenan los vacos o los intersticios atmicos del disolvente.
- Condiciones: Tamao, los dimetros atmicos de las impurezas son considerablemente
menores que los disolvente. Concentracin de los tomos intersticiales es bajo.
- Ejemplo: Fe y C
Ponente / Docente
Unidades de concentracin de
una solucin slida
Porcentaje en peso (%). mA
CA x100
mA mB
m' D
Nmero de moles. N m ( D)
AD
N m ( D)
Porcentaje atmico. C 'D x100
N m ( D) N m ( E )
mD= masa de D, AD = peso atmico de D

Defectos de punto:
impurezas
Defecto de Schottky
En cristales inicos los defectos puntuales son ms

complejos debido a la necesidad de mantener su
neutralidad elctrica.
El defecto se produce cuando dos iones
opuestamente cargados faltan en un cristal inico,
crendose una divacante aninica-catinica.
Defecto de Frenkel
Efecto creado cuando un catin se desplaza a un hueco intersticial en un cristal inico,

creando una vacante catinica en la posicin primitiva del ion. La presencia de estos
defectos en cristales inicos aumenta su conductividad elctrica
Ponente / Docente
Defectos de lnea:
Dislocaciones
Son defectos producidos en slidos cristalinos. Dan lugar a una distorsin de la
red centrada en torno de una lnea.
Se crean :
Durante la solidificacin de los slidos cristalinos
Por deformacin plstica del slido cristalino.
Los principales tipos de dislocaciones son:

Tipo de Cua o Borde
Tipo helicoidal o Tornillo
Mezcla
Ponente / Docente
Defectos de lnea: Dislocaciones
Dislocacin de cua o Borde
Se crea en un cristal por la insercin de un semiplano
adicional de tomos, generando una T.
Plano de
Una T invertida indica una dislocacin de cua desplazamiento
positiva; una T derecha indica una dislocacin de
cua negativa.
La distancia de desplazamiento de los tomos en
torno a una dislocacin se denomina deslizamiento o
vector b de Burgers. Es perpendicular a la lnea de
Vector b de Burgers
dislocacin de cua.
Las dislocaciones son defectos que desequilibran la
regin. En la regin distorsionada se almacena
energa. Compresin
La dislocacin de cua tiene una zona de esfuerzo

de compresin donde se encuentra el semiplano Tensin
adicional de tomos y tiene una regin de esfuerzo de

tensin por debajo del semiplano de tomos.
Circuito de Burgers
Ponente / Docente
Defectos de lnea:
Dislocaciones
Dislocacin Helicoidal o Tornillo
Se crea en un cristal perfecto por aplicacin

de esfuerzos de cizalladura (corte).
Estos esfuerzos introducen en la red una
regin de distorsin en forma de espiral o
rampa helicoidal que los planos atmicos
trazan alrededor de la lnea de dislocacin.
En torno a la dislocacin helicoidal se crea
una regin de tensin de cizalla en la que
se almacena energa.
El deslizamiento o vector de Burgers de la
dislocacin helicoidal es paralelo a la lnea
de dislocacin.
Ponente / Docente
Defectos de lnea: Dislocaciones
Dislocacin Mixta
La mayor parte de las

dislocaciones de los
cristales son una mezcla
de ambas, tienen
componentes de cua y
helicoidal.
Ponente / Docente
Defectos de dos
dimensiones
Son defectos interfaciales que se dan en materiales
policristalinos.
Son lmites que separan granos o cristales de diferentes
orientaciones.
En los metales los lmites de grano se crean durante la
solidificacin, cuando los cristales se han formado a partir de
diferentes ncleos que crecen simultneamente, juntndose
unos a otros.
Su forma viene determinada por las restricciones impuestas
por el crecimiento de los granos ms prximos.
Las agrupaciones de celdas que comienzan a solidificar, crecen
tridimensionalmente hasta toparse unas con otras,
deteniendo el crecimiento. Esto produce zonas en las cuales la
red cristalina est ordenada llamadas granos y zonas
denominadas lmites de grano o fronteras de grano, en donde
no existe orden alguno.
Ponente / Docente
Defectos de dos
dimensiones
Los defectos superficiales incluyen superficies
externas, lmites de grano, lmites de macla,
defectos de apilamiento y lmites de fase.
La superficie externa representa el lmite de la
estructura cristalina, donde termina.
Los lmites de grano separa los pequeos granos
o cristales que tienen diferentes orientaciones
cristalogrficas.
Lmites de macla, lmite de grano a travs del cual
existe una simetra de red especular. Pueden se
mecnica o de recocido
Ponente / Docente
Ejercicios
En la siguiente tabla se dan el radio atmico, la estructura cristalina, la electronegatividad y
la valencia ms comn de varios elementos. Para los no metlicos slo se ha indicado el
radio atmico. Indicar cules de estos elementos pueden formar con el Ni:
a)Una disolucin slida sustitucional con solubilidad total.
b)Una disolucin slida sustitucional con solubilidad parcial.
c)Una disolucin slida intersticial.
Ponente / Docente
Ejercicios:
Cul es la composicin en % atmico, de una aleacin que contiene 98 g
de estao y 65 g de plomo?
Cul es la composicin en % atmico, de una aleacin que contiene 99,7
lbm de Cu y 102 lbm de Zn y 2,1 lbm de Pb?
Cul es la composicin, en porcentaje atmico, de una aleacin que
contiene 97 % de Fe y 3 % de Si en peso?
El Ni forma una disolucin slida sustitucional con el cobre. Calcular el
nmero de tomos de Ni por cm3 en una aleacin Cu-Ni que contiene 1,0 %
de Ni y 99, 0 % de Cu en peso. Las densidades del Zn y Cu puros son de 7,13
y 8,93 g/cm3, respectivamente.
Ponente / Docente

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Ing. Lucio Antonio Llontop Mendoza.

Orden de Corto Alcance. Un material muestra un arreglo de corto alcance si el

Orden de Largo Alcance. Los metales, semiconductores, muchos materiales

Sin orden Orden de corto alcance

Orden de corto alcance Orden de largo alcance

-Cierta irregularidad sistemtica en las propiedades,

-Presenta independencia de propiedades con respecto a

Cbico simple Cbico centrado en el Cbico centrado en las

Un mineral que contiene un metal X contiene un 0,5% gramos

1.- Calcule el factor de empaquetamiento para la celda

La imperfecciones son responsables de ciertas

- Ductilidad de los metales

mD= masa de D, AD = peso atmico de D

En cristales inicos los defectos puntuales son ms

Efecto creado cuando un catin se desplaza a un hueco intersticial en un cristal inico,

Los principales tipos de dislocaciones son:

La dislocacin de cua tiene una zona de esfuerzo

adicional de tomos y tiene una regin de esfuerzo de

Se crea en un cristal perfecto por aplicacin

La mayor parte de las

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