Actividad 2

INVESTIGACION
DE
SEMICONDUCTO
NDIC

RES

Nombre: Ricardo Antonio Martnez Regalado

Matricula: 10150

Fecha: 26 de febrero de 2017

 Introduccin.....................................................................................2
1.- Tipos de semiconductores. Y caractersticas fsicas y elctricas.....2
2.- Estructura atmica de semiconductores (silicio y germanio)............3
2.1 Silicio.............................................................................................3
2.2 Germanio......................................................................................3
3.- Caractersticas bsicas de los semiconductores intrnsecos...........4
4.- Describir la relacin entre estructura atmica y conductividad
elctrica de semiconductores intrnsecos..............................................5
5.- Describir caractersticas bsicas de los semiconductores
extrnsecos y el concepto de dopaje.....................................................5
6.- Describir la relacin entre estructura electrnica y conductibilidad
elctrica de los materiales extrnsecos..................................................6
7.- Semiconductores extrnsecos Tipo N y P.........................................6
8.- Unin PN..........................................................................................7
9.- Propiedades bsicas de los semiconductores y su unin PN..........7
9.1 Unin PN. Barrera De Potencial. Diodo........................................7
10.- Describir las estructuras bsicas de unin PN...............................8
11.- Describir el concepto de sper conductibilidad...............................8
12.- Tipos y caractersticas fsicas de los
materiales superconductores.................................................................8
13.- Estructura cristalina de los sper conductores...............................9
Conclusin.............................................................................................9
Bibliografas.........................................................................................10
Anexos.................................................................................................10

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Introduccin
La elaboracin de esta investigacin s para que las personas sepan ms sobre los
semiconductores que se utilizan en la industria para que puedan diferenciarlos y
utilizarlos adecuadamente. Tambin con esta finalidad en la carrera de
mecatrnica uno sabra que materiales estar utilizando adecuadamente para los
proyectos que se realizaran con materiales electrnicos.

1.- Tipos de semiconductores. Y caractersticas fsicas y

elctricas
Conduccin Intrnseca: Un elemento tetravalente (grupo IV), si comparte todos sus
electrones es un aislante perfecto y no contribuye a la conductividad elctrica, esto
ocurre a la temperatura del cero absoluto (no hay movimiento trmico).

Conduccin Extrnseca: Cuando a una cristal de cualquier elemento (por ejemplo

el Silicio (Si)) le introducimos un tomo distinto pero que sea pentavalente (por
ejemplo Antimonio (Sb)) sobra un electrn que no es necesario para producir los
enlaces en la estructura cristalina.

A esta forma de conduccin se le llama de tipo N y a la impurificacin del cristal

con el dador se le denomina dopar el cristal. Cuando se dopa el Si con un tomo
trivalente, por ejemplo el Aluminio (Al) el proceso es anlogo. Aqu hay un puesto
vacante que puede ser ocupado por un electrn con lo que resulta un hueco. Al
tomo introducido (Al) se le llama aceptor y al mecanismo de conduccin, debido
a los huecos se le llama de tipo P. De lo dicho anteriormente podemos deducir
que el tipo de conduccin depende de los portadores de cargas libres que se
encuentran y no del cristal, este en conjunto permanecer neutro. Efecto Hall: Da
una confirmacin experimental de la conductividad en los semiconductores a la
vez que permite medir el tipo de carga de los portadores y su concentracin. De su
experimento segn varios parmetros nos da informacin sobre el tipo de
semiconductor que es. (Articulo enviado por: Juan Tapia Rodriguez, Email:
Prefiere anonimato)

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 2.- Estructura atmica de semiconductores (silicio y germanio)

2.1 Silicio
El tomo de silicio posee catorce electrones. De stos, los cuatro ms alejados del
ncleo son los electrones de valencia que participan en los enlaces con otros
tomos. El silicio es, por tanto, un tomo tetravalente.

El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un mono cristal

cuya estructura cristalina se denomina de diamante. Se utiliza en aleaciones, en la
preparacin de las siliconas, en la industria de la cermica tcnica y, debido a que
es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial en la
industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de
obleas o chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran
variedad de circuitos electrnicos. Cada tomo de silicio est unido a otros cuatro
mediante enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos tomos que
comparten dos electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por
un tomo diferente.

Resulta muy engorroso trabajar con la representacin cristalina tridimensional. Por

ello suele recurrirse a un esquema bidimensional, denominado modelo de enlaces,
en el que se representa la caracterstica esencial de la estructura cristalina: cada
tomo est unido a cuatro tomos vecinos mediante enlaces covalentes. En este
modelo cada tomo dedica sus cuatro electrones de valencia a constituir cuatro
enlaces covalentes.

2.2 Germanio
El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el
plomo; se parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados
orgnicos como el tetraetilo de germanio y el tetrafenilo de germanio.

Se encuentra en pequeas cantidades en yacimientos de plata, cobre y cinc, as

como en el mineral germanita, que contiene un 8% de germanio. El elemento y
sus compuestos tienen numerosas aplicaciones. Los cristales de germanio
convenientemente tratados tienen la propiedad de rectificar o permitir el paso de la
corriente elctrica en un solo sentido.

Su uso es en semiconductores y transistores. En forma de mono cristales para la

fabricacin de elementos pticos (lentes, prismas y ventanas) para espectroscopia
infrarroja: Espectroscopios, detectores de infrarrojos. El alto ndice de refraccin
del xido de germanio lo hace til para la fabricacin de lentes gran angular de
cmaras fotogrficas y objetivos de microscopio.

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 3.- Caractersticas bsicas de los semiconductores intrnsecos
Un material semiconductor hecho slo de un nico tipo de tomo, se
denomina semiconductor intrnseco.

Los ms empleados histricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo

ste ltimo el ms empleado (por ser mucho ms abundante y poder trabajar a
temperaturas mayores que el germanio).

Cada tomo de un semiconductor tiene 4 electrones

en su rbita externa (electrones de valencia), que comparte con los tomos
adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta manera cada tomo posee 8
electrones en su capa ms externa., formando una red cristalina, en la que la
unin entre los electrones y sus tomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha
red, los electrones no se desplazan fcilmente, y el material en
circunstancias normales se comporta como un aislante.

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4.- Describir la relacin entre estructura atmica y conductividad
elctrica de semiconductores intrnsecos
Al aumentar la temperatura, los electrones ganan energa, por lo que algunos
pueden separarse del enlace e intervenir en la conduccin elctrica. De esta
manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su
conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia
absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse
a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos
electrones, se le somete al potencial elctrico, como por ejemplo de una pila, se
dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal
de silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que
provocara una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conduccin

elctrica a travs de un semiconductor es el resultado del movimiento de
electrones (de carga negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones
opuestas al conectarse a un generador. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencial se producen dos corrientes elctricas: una debida al movimiento de los
electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos,
originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo
positivo de la pila (ctodo), mientras que los huecos pueden considerarse como
portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila, llamado
nodo (hay que considerar que por el conductor exterior slo circulan los
electrones que dan lugar a la corriente elctrica; los huecos slo existen en el
seno del cristal semiconductor).

5.- Describir caractersticas bsicas de los semiconductores

extrnsecos y el concepto de dopaje

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional

de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin
referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las
impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como
un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.

El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las

capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeo. Cuando se
agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada
100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando

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se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces
se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

6.- Describir la relacin entre estructura electrnica y

conductibilidad elctrica de los materiales extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se obtienen mediante un proceso conocido
como dopaje y que consiste en la introduccin de impurezas (dopantes) de forma
controlada en semiconductores intrnsecos. En funcin del dopante utilizado se
puede obtener semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores tipo N
(negativos).

7.- Semiconductores extrnsecos Tipo N y P

Semiconductores extrnsecos tipo N

Los semiconductores extrnsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adicin de

dopantes con ms valencias que el semiconductor intrnseco de partida. En el
caso del silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes, por
ejemplo, fsforo. En cada tomo de fsforo quedar un electrn sin formar
enlace. Este electrn puede saltar a la banda de conduccin, pero no deja ningn
hueco, por lo que se dice que estos dopantes son donadores de electrones y
quedarn ms cargas negativas (electrones) en la banda de conduccin que
positivas (huecos) en la banda de valencia.

La conductividad del material aumenta enormemente, hasta 24100 aadiendo tan

slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio. En la siguiente imagen
podemos ver un esquema de este tipo de semiconductores:

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 8.- Unin PN
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y
transistores. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente
de silicio (Si), aunque tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N
segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar
cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn
otro metal o compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar
fotovoltaica.

9.- Propiedades bsicas de los semiconductores y su unin PN

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un
aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en
el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla
peridica se indican en la tabla adjunta.

9.1 Unin PN. Barrera De Potencial. Diodo

Supongamos que se dispone de un mono cristal de silicio puro, dividido en dos
zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con
impurezas de tipo P y la otra de tipo N La zona P tiene un exceso de huecos, y se
obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina La zona N dispone
de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V. En ambos casos se
tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios
rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por
cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni
campos elctricos internos

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El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas
la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P.

Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la

regin de la zona P cercana a la unin:

El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una

carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era
nula.

Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga

positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa.

10.- Describir las estructuras bsicas de unin PN

La unin P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unin
P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unin de los
dos materiales porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo
que se aplica al material tipo P repele los huecos y estos cruzan la unin hacia el
material tipo N, y as cada hueco encuentra un electrn y de esta forma las cargas
se neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unin hacia el material tipo P
y sucede lo mismo, los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados
por ms electrones y huecos que entran en la unin P-N. Entonces si se aplica el
voltaje positivo al material tipo P y el voltaje negativo al tipo N la corriente fluye y
es lo que nosotros llamamos polarizacin directa. Cuando invertimos este voltaje
los huecos y electrones son atrados a cada terminal y se alejan de la unin, lo
que hace que las partculas cargadas no puedan pasar la unin y de esta forma el
flujo de corriente se anula, esto es lo que conocemos como polarizacin inversa.
Esta propiedad de dejar pasar o bloquear la corriente en un semiconductor de
unin P-N no solo se usa en los diodos sino tambin en los transistores.

11.- Describir el concepto de sper conductibilidad

Se denomina superconductividad a la capacidad intrnseca que poseen ciertos
materiales para conducir corriente elctrica sin resistencia ni prdida
de energa en determinadas condiciones. Fue descubierto por el fsico
neerlands Heike Kamerlingh Onnes el 8 de abril de 1911 en Leiden.

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 12.- Tipos y caractersticas fsicas de los materiales
superconductores
Los superconductores se suelen clasificar atendiendo a distintos criterios, que
pueden estar relacionados con su comportamiento fsico, la comprensin que
tenemos de ellos, dependiendo del coste econmico para utilizarlos o el material
de que estn hechos.

Comportamiento fsico

Superconductores de tipo I: son los que tienen un nico campo

magntico crtico Hc, y pasan bruscamente del estado superconductor al
normal.

Superconductores de tipo II: son aquellos en los que se pueden

considerar dos campos magnticos crticos, Hc1 y Hc2, estando plenamente en
el estado superconductor para un campo magntico externo por debajo
de Hc1 y en el estado normal por encima de Hc2, hallndose en un estado mixto
cuando el campo magntico se halla entre ambos.

13.- Estructura cristalina de los sper conductores

Una vez que se produjo el descubrimiento de esta nueva familia de compuestos, la
pregunta que nos surge es: Por qu estos nuevos compuestos superconductores
son mejores que los otros? Lamentablemente, este interrogante est an lejos
de ser resuelto en su totalidad.

Todos los estudios apuntan a que la respuesta a esta pregunta la debemos buscar
en las estructuras cristalinas. Las estructuras de estos xidos mixtos
superconductores son muy diferentes a las de la mayora de los superconductores
clsicos, que son generalmente elementos metlicos y aleaciones.

Estos compuestos cristalizan en forma de lminas de tomos de distinta

naturaleza; en todos estos xidos mixtos encontramos una caracterstica comn:
un retculo planear de tomos de cobre y oxigeno que le confiere las propiedades
superconductoras al cristal.

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 Conclusin
El finalizar este proyecto uno entiende ms sobre los semiconductores, su uso y
como se constituyen internamente, con esto uno puede saber cmo estar
utilizando adecuadamente para su manejo en circuitos electrnicos u otro trabajo
donde ocupe semiconductores, tambin se aprende a diferenciar los diferentes
tipos de semiconductores que ah para manejarlos cada uno como se
corresponde.

Bibliografas

http://www.arqhys.com/construccion/semiconductores-tipos.html

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/sili.html

http://pelandintecno.blogspot.mx/2014/04/semiconductores-intrinsecos-y.html

https://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

https://curiosoando.com/que-es-un-semiconductor-extrinseco

https://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN

http://fisicadesemiconductores.blogspot.mx/p/union-pn.html

https://es.wikipedia.org/wiki/Clasificaci%C3%B3n_de_los_superconductores

http://superconductoresaltatemperatura.blogspot.mx/

Anexos

Proyectos realizados con semiconductores

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