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LA MICROELECTRNICA Y EL SIGLO XX
TENDENCIAS FUTURAS
INTRODUCCIN7
Es, por lo tanto, una pregunta central de nuestro tiempo intentar responder
cundo ocurrir esta Sociedad de la Informacin.
SMALLER
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http://www.itapebi.com.uy/pdfs/1cni.PDF
8
Este artculo fue preparado para el Primer Congreso Nacional de Informtica,
Montevideo, 1997. Fue publicado en 1999 por la Oficina de Apuntes del CECEA como
Perspectivas y tendencias de la Informtica en el Uruguay.
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Moore relat muchas veces esta historia. Una las ltimas versiones se encuentra en
una entrevista en Business W eek, 23jun97, p. 66.
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Moore tena tres datos: saba la fecha del primer transistor plano sobre silicio;
los primeros circuitos integrados, en 1961, tenan solamente 4 transistores y
observaba que en el presente es decir
1965 haban alcanzado la enorme suma de 200 transistores. De all peg un
salto al vaco y adelant que la densidad de transistores pareca duplicarse
cada ao. Gordon Moore sera consecuente con esta idea y se convertira en
uno de los pioneros del smaller, faster, cheaper: pocos aos despus fundara
Intel Corporation y liderara la revolucin de los microprocesadores y las
memorias electrnicas. En 1975, con la experiencia acumulada por Intel,
analiz la tendencia de nuevo y se declar que el nmero de transistores se
duplicaba cada dos aos. La cifra generalmente aceptada actualmente es
intermedia: cada 18 meses se duplica el nmero de transistores de los chips.
Vale la pena sealar al pasar, como dato curioso porque no tiene importancia
de ningn tipo, que las dimensiones de las clulas son del orden de la micra.
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FASTER, CHEAPER
EL LMITE FSICO
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A pesar de la reconocida lnea econmica liberal de Business Week, nunca ha
sugerido esta interpretacin al fenmeno.
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Resulta claro de estas cifras que la electrnica es una de las ramas que ms
ha crecido en la historia de la humanidad si la comparamos, por ejemplo, con
otra rea de crecimiento vertiginoso como es la aviacin. Sin embargo, las
cifras empricas muestran lo que es conocido por dems que las
comunicaciones crecen todava ms que la electrnica.
Aplicando la Ley de Gordon Moore con las cifras del Cuadro 4 en el 2006 se
llegar a un transistor por tomo de silicio. Es claro que las tendencias
actuales predicen entonces una corta vida a la actual frentica revolucin de la
microlectrnica. Este resultado sorprendente contrasto con otra prediccin
alentadora. Si suponemos que el chip ltimo que se puede fabricar en silicio es
capaz de realizar una operacin, a la velocidad de la luz (el lmite fsico) entre
dos tomos del cristal, esto conduce a 3x1011 MIPS y este lmite se
alcanzara, segn la ecuacin emprica, ms all del 2020. Esto significa que el
chip ltimo se encuentra, posiblemente, a menos de una dcada del presente.
Muchos autores ya han advertido de este problema de los lmites fsicos de los
transistores. Keys [2] sostiene que al acercarse las reglas de diseo a 100
ngstroms (0,01 micras) empiezan los efectos cunticos. El lmite de
laboratorio posiblemente est en 30 ngstroms (0,003 micras) y se llegar a
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estos lmites hacia el 2003. Otros autores sostienen que el proceso ser ms
lento y que recin en el 2010 se llegar a 0,1 micras 11. Su propuesta de nueva
tecnologa consiste en reemplazar los transistores por islotes atmicos de 20
nanometros de largo (0,02 micras) que contienen unos 60 tomos de silicio de
largo, porque todava no se manifiestan en forma molesta las propiedades
cunticas. Algunos van ms lejos, en la Universidad de Minnesota anunciaron
recientemente la posibilidad de almacenar un nico electrn por vez [7] y esto
permitira llevar muy lejos el lmite fsico de aplicacin de la ley de Gordon
Moore.
11
Gary A. Franzier, de Texas Instruments, advierte que posiblemente se trabaje en esta
fecha con reglas menores y se estar al borde cuntico. Indica que ser necesaria una nueva
tecnologa. Business W eek, 1jul96, p. 53.
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1995 14 45
1996 18 59
1997 24 77
1998 31 100
1999 41 130
2000 53 169
2001 69 219
2002 90 285
2003 1173 371
2004 1525 482
2005 1983 626
2006 2578 814
2007 3351 1058
2008 4357 1376
2009 5664 1789
2010 7363 2325
Las cifras del Cuadro 5 suponen que las tendencias actuales, es decir las que
se han mantenido a lo largo de toda la revolucin de la microelectrnica, las
que predice la ley de Gordon Moore, se conservarn en los prximos diez
aos. Todo el mundo parece estar de acuerdo con esta hiptesis, ningn
analista espera un cambio importante en el futuro prximo. No obstante esto,
en general no se realiza una proyeccin de este tipo. Examinemos entonces la
proyeccin en sus diferentes hiptesis de futuro.
Tal como se mencion antes, cada nuevo chip exige una inversin doble del
anterior. Esta inversin debe ser amortizada con la venta de los chips. Si el
ritmo de venta decrece, el tiempo de amortizacin aumentar y por lo tanto, la
velocidad de cambio disminuir. Con las cifras que hemos manejado, en unos
pocos aos la industria de las computadoras deber frenarse en su ritmo de
crecimiento y, por lo tanto, cambiar mucho el estilo smaller, faster, cheaper.
Ocurrir entonces el cierre de la trada, al fracasar el cheaper, se frenar el
smaller y todo cambiar. Tal vez el aumento de precios de los ltimos chips
son una seal de que este proceso ya ha comenzado.
CONCLUSIONES
transistores de pelcula fina), por otra parte, es una pelcula que se deposita sobre
un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFTs es
como pantallas de cristal lquido o LCDs).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
MOSFET de empobrecimiento
de SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n. Se deposita una capa
de aluminio sobre el aislante de SiO 2 para formar el material de compuerta (G). El
desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET. El JFET se
controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No
existe dicha unin en el MOSFET enriquecimiento, y la capa de SiO 2 acta como
aislante. Para el MOSFET de canal n, una v GS negativa saca los electrones de la
regin del canal, empobrecindolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula.
Los valores positivos de vGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado
un aumento en la corriente de drenaje. MOSFET de enriquecimiento
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la
tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.