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Transistor Como conmutador-ELO I PDF
Transistor Como conmutador-ELO I PDF
INTRODUCCIN
Rc IC
C Rc Rc
+V A
VE C
C C
R1
E
E E
R2 B VCE
a) b) c) d)
VE
+V tensin de entrada
0
to t1 t
corriente de colector
Propsitos
PXT2222A
grales. 100/300 15 20 200 60 35 250 300
NPN-(Philips)
Ptot= 1,25W
Propsitos
MPS3904
generales. 100/300 50 60 1000 200 110 1.200 180
NPN-(Philips)
Ptot= 500mW
tpdr = tpd,LH = tpd+ = Tiempo de retraso cuando la salida alcanza el 50% del
nivel al pasar del nivel bajo al alto.
Con lo cual la frecuencia mxima de utilizacin del transistor estar dada por:
fmx.=1/2 tpd
iC
i h fe 1 i (dB) = 20 log 1 = 0 dB
ib
Se deduce tambin que fT = hfe. f, llamado producto ganancia-ancho de banda.
Bibliografa:
MANDADO Enrique; Sistemas Electrnicos Digitales. Marcombo Boixareu Editores. Barcelona, 1991.
SCHILLING Donald, BELOVE Charles; Circuitos Electrnicos, discretos e integrados. Marcombo Boixareu
Editores. Barcelona, 1985.
BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis; Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Pearson Educacin. Mxico, 2003.