INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

CENTRO DE ESTUDIOS CIENTFICOS Y TECNOLGICOS

JUAN DE DIOS BTIZ PAREDES

CARRERA DE TCNICO EN SISTEMAS DIGITALES

ASIGNATURA: Electrnica Digital

No DE PRCTICA: 1

NOMBRE DE LA PRCTICA: Memorias de Acceso Aleatorio.

NOMBRE DEL ALUMNO:

TURNO: Matutino GRUPO: No. DE BOLETA:

OBJETIVO

El alumno construir un circuito que permita leer y escribir datos en una memoria de acceso aleatorio con
base en los ciclos de lectura y escritura.

MARCO TERICO

RAM es el acrnimo ingls de Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio memoria de acceso
directo). Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede tanto leer como escribir informacin.
Es una memoria voltil, es decir, pierde su contenido al desconectar la energa elctrica. Se utiliza
normalmente como memoria temporal para almacenar resultados intermedios y datos similares no
permanentes. Se dicen "de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes accesos son
independientes entre s. La memoria esta organizada en posiciones de n bits en donde se puede escribir
(almacenar) o leer un dato. La forma de acceder a las posiciones es a travs de la direccin de memoria que es
nmero generalmente expresado en hexadecimal. La memoria RAM esttica o SRAM se construye utilizando
celdas basadas en flip-flops tipo D bipolares o MOS. La memoria dinmica o DRAM recibe este nombre porque
en forma peridica debe llevarse a cabo una regeneracin de la informacin almacenada o de lo contrario se
perder.

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MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR EQUIPO A EMPLEAR

CANTIDAD DESCRIPCIN CANTIDAD DESCRIPCIN

1 6116 CI MEMORIA RAM 1 Multimetro digital de 3.5 digitos.
ESTATICA 2KX8
1 74LS04 1 Fuente regulada de 5V.
1 74LS244 1 Manual tcnico de especificaciones.
1 74LS393
1 NE555
1 Resistor de 1K
22 Resistores de 330
1 Capacitor de 220F a 16V.
1 Capacitor de 0.1F
2 Push Buttons
1 DIP Switch de ocho
interruptores.
12 LEDs

DESARROLLO

1. Construya el circuito del diagrama anexo.

2. Aplique una tensin de 5V. Nota: En el diagrama se indican separadamente las tensiones de
polarizacin de los CIs, no olvide energizarlos.
3. Los LEDs D7 a D0 son los indicadores de los datos y los LEDs A3 a A0 los de direccin.
4. El circuito de memoria se encuentra en modo de lectura (ya que no se tiene pulsado el push button de
escritura), por lo que a travs de los LEDs de datos se muestra la palabra de memoria seleccionada por
la direccin de memoria.
5. Para observar los datos almacenados en la memoria, pulse el push button S2, ya que as el contador
proporcionara una nueva direccin. Por cada pulsacin de S2 se accede a la siguiente posicin de
memoria.
6. Registre en la tabla el contenido (datos de la memoria) de las localidades de memoria.

Direccin (A3-A0) DATO(D7-D0)

(0000)2
(0001)2
(0010)2
(0011)2
(0100)2
(0101)2

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(0110)2
(0111)2
(1000)2
(1001)2
(1010)2
(1011)2
(1100)2
(1101)2
(1110)2
(1111)2

7. Para escribir un dato en la memoria se debe seleccionar la localidad donde se almacenara, observe los
LEDs indicadores de direccin para que pueda seleccionar la localidad. El DIP switch S1 proporcionar
la palabra de memoria pero esta no se observar en los LEDs indicadores de datos hasta que se
presione el push button S3. Mueva los interruptores de acuerdo con el dato que se quiera escribir.
Pulse el push button S3 para escribir el dato en la memoria.
8. Almacene los siguientes datos en la memoria.

Direccin (A3-A0) DATO(D7-D0)

(0000)2 0x15
(0001)2 0x23
(0010)2 0xFF
(0011)2 0x32
(0100)2 0x01
(0101)2 0x84
(0110)2 0xAA
(0111)2 0x10
(1000)2 0x63
(1001)2 0x3B
(1010)2 0xA0
(1011)2 0x7E
(1100)2 0x80
(1101)2 0x02
(1110)2 0x04
(1111)2 0x08

CONCLUSIONES

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 74LS244-->20=Vcc ; 10=GND
6116-------->24=Vcc ; 12=GND
74LS04---->14=Vcc; 7=GND
74LS393--->14=Vcc; 7=GND +5 V
NE555-----> 8=Vcc; 1=GND

R
U1 U4A 330
+5 V 21
WE 20 2 1
OE 18
CE
R 19 SW PUSHBUTTON
330 A10 22 74LS04
A9 23 ESCRIBIR
U2
2 18 17 A8 1
4 1A1 1Y 1 16 16 D7 A7 2
6 1A2 1Y 2 14 15 D6 A6 3
8 1A3 1Y 3 12 14 D5 A5 4
11 1A4 1Y 4 9 13 D4 A4 5
13 2A1 2Y 1 7 11 D3 A3 6
15 2A2 2Y 2 5 10 D2 A2 7
17 2A3 2Y 3 3 9 D1 A1 8
2A4 2Y 4 D0 A0
1
19 1G 6116
2G U3A
74LS244 6 2
5 QD CLR
4 QC
3 QB 1
QA A

+5 V 74LS393
+5 V

8
7
6
5
4
3
2
1
D7 D0 A3 A0
S1 +5 V
R
SW DIP-8 330 4

Pgina 4
D7 D0
R

R R 2 3 R
TR Q

9
10
11
12
13
14
15
16
330 330 1K
7
0.1 microF DIS
C1 5 6
CV THR 220 microF

SW PUSHBUTTON C2
U5
DIRECCIN NE555
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