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CAPTULO 3

LA MEMORIA PRINCIPAL
La memoria principal 2

3.1. MEMORIA PRINCIPAL

3.1.1. INTRODUCCIN

Segn la Real Academia de la Lengua Espaola, se define memoria como


"Facultad psquica por medio de la cual se retiene y recuerda el pasado", segn
filsofos como Aristteles "la memoria es una facultad que espontnea y
naturalmente pone ante la mente lo pasado, (mnme que significa memoria); y
se llama anmnesis (reminiscencia), cuando hace eso mismo por medio de la
investigacin propia de la razn".

En informtica el trmino memoria define un componente que evoca a esta


misma facultad, la de retener informacin. En un sistema informtico existen
varios tipos de memorias, diferenciadas en ocasiones en funcin de para qu
son usadas y los elementos que la forman. En este captulo vamos a tratar la
llamada Memoria Principal o RAM.

3.1.2. MEMORIA PRINCIPAL EN LA ARQUITECTURA DE VON


NEUMANN

Ya estudibamos en el Captulo 1 los fundamentos de esta arquitectura.


Veamos como el principio de sta era el de "programa almacenado", todo
programa que se desee ejecutar deba estar previamente almacenado en lo que
denominaba "memoria principal". Las tres ideas en las que se fundamenta la
arquitectura de Von Neumann son:

En la memoria del ordenador se almacenan simultneamente datos e


instrucciones.
Se puede acceder a cualquier parte de esta memoria mediante una
"direccin de memoria".
La ejecucin de un programa se realiza de forma secuencial pasando
de una instruccin a la que sigue inmediatamente.

Figura 3.1. Arquitectura de Von Neumann.

La memoria principal es la encargada de almacenar el programa que se va a


ejecutar y la CPU, gracias a la Unidad de Control que emitir las seales
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oportunas y la Unidad Aritmtico-Lgica que realizar los clculos, ir tomando


de sta, instruccin a instruccin el programa y lo ir ejecutando.

Imaginad que decids escribir una carta en LibreOffice Writer. Para ello
localizis el icono de acceso directo a este programa, realizis doble clic sobre l
y en cuestin de segundos (depender del tipo de equipo que tengis) veris en
pantalla el editor de texto listo para que podis comenzar a usarlo.
Internamente y a grandes rasgos, qu sucede?:

El programa (los archivos necesarios para su ejecucin), son enviados


desde el disco duro (dispositivo de almacenamiento externo) donde
se guardaron tras la instalacin a la memoria principal.
A partir de ah, la CPU leer cada instruccin a ejecutar de la
memoria principal. Cmo hace esto (visto en el captulo 2)?

La Unidad de Control manda una seal para que se acceda a la


direccin que indique el contador de programa.
El contenido de esta posicin de memoria, una instruccin es enviado
al registro de instruccin.
A partir de ah, se decodifica dicha instruccin, se obtienen los datos
que van a intervenir en la operacin a realizar y se da orden de realizar
esta.
Finalmente el resultado es almacenado.

3.1.3. COMPOSICIN DE UNA MEMORIA

Cmo se disea una memoria?, De qu debe estar compuesta para que


consiga almacenar informacin? Cmo guardaremos los 1 y los O?

Una memoria puede ser diseada utilizando diferentes componentes como:

Biestables
Condensadores

3.1.3.1. BIESTABLES

Un biestable es el "circuito secuencial" ms pequeo. Podemos definir un


circuito secuencial como aquel cuyo valor de salida no solo depende de las
entradas sino adems de los valores de las salidas anteriores.

Un BIESTABLE es capaz de almacenar un bit, la mnima cantidad de


informacin mientras exista corriente elctrica. Si queremos almacenar varios
bits debemos usar varios biestables, para guardar un byte (8 bits) o palabra
precisaremos un grupo de 8 biestables.

Los biestables estn compuestos por puertas lgicas cuyas entradas se


"entrelazan" de algn modo con sus salidas. Existen varios tipos:

Biestables asncronos: Los cambios se producen en cualquier momento


en que cambien las entradas.
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Biestables sncronos: Los cambios se producen en funcin de los ciclos de


reloj.

RS es un tipo de biestable usado comnmente.

ACTIVIDAD 3.1

Puedes buscar en la web o bibliografa informacin, acerca de los biestables


JK y D e identificar brevemente qu puertas lgicas lo componen y cul es su
diagrama.

3.1.3.2. CONDENSADORES Y TRANSISTOR MOS

Otra tecnologa usada en la creacin de memorias es la que se basa en la


utilizacin de condensadores junto a un nico transistor de tipo MOS (uno solo
frente al conjunto necesario en memorias compuesta por biestables). Se
consiguen de este modo memorias ms pequeas, espacialmente ocupan
menos y son ms baratas, aunque poseen la desventaja de necesitar ser
"refrescadas" cada cierto tiempo para mantener el valor almacenado.

El condensador es el dispositivo elctrico que determina el valor del bit en


cada momento, si se encuentra cargado, es decir, posee una cantidad
determinada de corriente elctrica, el valor del bit ser 1, en caso contrario, su
estado equivale al valor cero.

Para conseguir que el condensador permanezca en un estado u otro, se


hace necesaria la utilizacin de un circuito de refresco.

3.1.4. JERARQUA DE MEMORIA

En un PC podemos distinguir diferentes tipos de memorias, cada una de


ellas destinadas a un fin concreto. En este tema profundizaremos en las
memorias RAM, memoria principal de Von Neumann, pero antes veamos toda la
jerarqua y sus caractersticas principales.

La siguiente imagen es muy representativa.

Figura 3.2. Jerarqua de memorias en un PC


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La figura muestra claramente la dependencia existente entre tiempo de


acceso, precio y capacidad. Cuanto mayor sea el tiempo de acceso a un dato en
la memoria, menor ser su precio y mayor su capacidad, esto se invierte
cuando se reduce el tiempo de acceso, memorias mejores y ms costosas, de
modo que tambin de menor capacidad.

Las memorias de los niveles ms altos suelen ser memorias constituidas por
biestables mientras que las dems sern memorias creadas a base de
condensadores u otro tipo de tecnologa como la usada en discos magnticos,
discos pticos o memorias slidas (memorias flash).

La figura muestra claramente una distincin entre memorias internas y


externas. Las primeras son memorias incluidas en algn componente interno o
son memorias internas sobre las que no tenemos control, es decir, el PC hace
uso de ellas mientras nosotros no podemos utilizarlas para almacenamiento de
ficheros (tienen una funcin bien definida en la que no entra el uso particular
del usuario, recordad la arquitectura de Von Neumann). Las segundas son
memorias de almacenamiento masivo, el usuario almacena la informacin que
desea en ellas.

Detalles de cada uno de los niveles expuestos en la imagen:

Nivel 0: El nivel cero de memoria hace referencia a los registros ubicados


en la CPU. Estos registros suelen almacenar un solo bit. Lo forman biestables,
de forma que cuando se quieren almacenar palabras (conjuntos de 8 bits o n
bits) se agrupan un nmero determinado de estos biestables. Son el tipo de
memoria ms rpida (tiempos de acceso entre 0,25 ns y 0,5 ns) y almacenan
muy poca informacin.

Nivel 1: Memoria cache, conocida como L 1 , L2 y actualmente, en los


nuevos microprocesadores, un nuevo nivel de memoria, L3. Son de poca
capacidad, tiempos de acceso de hasta 10 ns y muy caras. Desde hace tiempo
se integran dentro del microprocesador.

Nivel 2: Este nivel se halla justo en la frontera entre memorias internas y


externas. Es la memoria conocida como RAM, memoria principal, que almacena
las instrucciones que se estn ejecutando en un preciso instante. Estas
memorias son rpidas, los tiempos de acceso son del orden de 30 ns a 200 ns.

Estn organizadas en grupos de bits denominados celdas, tambin


conocidos como palabras.

NOTA: Una palabra refiere el nmero de bits que se puede leer o escribir al
mismo tiempo, 8, 16, 32, 64, etc.

Nivel 3: Discos magnticos, unidades de almacenamiento masivo, con


tiempos de acceso ms elevados pero de mayor capacidad y menor precio. Hoy
da sin una memoria externa (disco duro), un ordenador no podra funcionar,
debido a los requisitos exigidos por los sistemas operativos actuales.
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Nivel 4: Dispositivos tambin de almacenamiento masivo, CD-ROM, DVD,


Blu-Ray, etc. Los tiempos que corren, la era del diseo digital, almacenamiento
fotogrfico, videos, obliga al uso de dispositivos de almacenamiento de este
tipo, adems de discos duros cada vez de mayor capacidad, del orden de Teras
y Petas.

NOTA: Se debe tener en cuenta "la propiedad de inclusin" cuando se habla de la


memoria en un PC. Existen diferentes tipos de memorias y una jerarqua bien definida. Este
principio dice algo as como que si un dato se encuentra en un nivel de la jerarqua, adems
se encuentra en todos los niveles inferiores a l.

En la fabricacin de un PC siempre se persigue conseguir el mejor rendimiento al menor


precio. Sabiendo que la memoria utilizada en los registros es ms rpida por qu no usar sta
para toda la memoria que se usa en un PC? La respuesta a esta pregunta ser claramente el
precio, un PC constituido exclusivamente con memoria a base de biestables sera demasiado caro,
valor incalculable, y a su vez ocupara mucho ms espacio. Segn lo explicado, para solventar el
excesivo precio y el tamao se crean memorias de diferentes tipos, memorias de mejores
rendimientos y que se encuentran en contacto ms directo con la CPU y deben ser, por lo tanto,
ms rpidas, y otras como las de almacenamiento masivo, ms lentas pero que solventan la
necesidad de almacenar informacin del usuario.

As, cuando la CPU precisa de un dato, localiza este en el disco duro, lo pasa a la memoria
RAM y de ah pasar a la cach y registros cada vez que sea necesario. Vemos que el dato con que
se est tratando en un instante concreto se encuentra en el registro, y a su vez, en la memoria
RAM y en el disco duro del PC.

Parece ser que las nuevas arquitecturas AMD empiezan a descartar esta forma de funcionar,
ya que es cierto que resulta algo absurdo mantener una informacin replicada en varios lugares a la
vez, ocupando espacio innecesario y ralentizando as el sistema.

3.1.5. MEMORIAS SRAM Y DRAM

Hemos estado hablando en apartados anteriores sobre memorias basadas


en biestables y memorias basadas en condensadores.

Podemos decir que las memorias basadas en biestables, usadas en memoria


cache, son tambin denominadas SRAM (Static Random Access Memory,
memoria esttica de acceso aleatorio).

Las memorias basadas en condensadores son sin embargo llamadas DRAM,


usadas en memoria principal. Estas siglas provienen de Dynamic Random
Access Memory, memoria dinmica de acceso aleatorio.

Estas siglas sern usadas en apartados posteriores con asiduidad.

3.1.6. CARACTERSTICAS DE LAS MEMORIAS

A continuacin, veamos las caractersticas que representan a una memoria:

Ciclo de reloj o velocidad de bus: Esta caracterstica tiene sentido en


memorias SDRAM, memorias sncronas, que realizan las funciones de lectura y
escritura en funcin de los ciclos de reloj del microprocesador. As, un ciclo de
reloj marca la pauta para realizar una operacin, cuanto menor sea mayor
nmero de operaciones se podrn realizar, es decir a mayor frecuencia mayor
nmero de operaciones. La velocidad de reloj se mide en MHz.
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Velocidad efectiva o MHz efectivos: Los ciclos de reloj que marcan los
tiempos para la ejecucin de operaciones se dividen en flancos, de subida y
bajada, la siguiente imagen lo muestra claramente:

Figura 3.3. Ciclos de reloj.

Existen memorias que utilizan todo el ciclo para realizar una operacin de
lectura o escritura, y otras utilizan uno de los flancos, pudindose utilizar el
segundo para realizar una nueva operacin.

As, si la velocidad de reloj de una memoria es 233 MHz, si esta aprovecha


ambos flancos la velocidad se ver multiplicada por dos, denominndose
velocidad efectiva o MHz efectivos.

Sabas que...
Existen nuevas unidades para medir la frecuencia de bus como los GT/s (Giga Transfer,
giga transferencias por segundo) y su unidad de transferencia equivale a 0,5 hz. Representan el
doble de Hz.

Ancho de banda: Esta caracterstica hace referencia al nmero de palabras


transferidas entre la memoria principal y la CPU en una unidad de tiempo,
normalmente se mide en MB/s.

Capacidad: Cantidad de informacin que es capaz de almacenar. Usa el


byte y sus equivalentes como unidad de medida. Hoy da, los mdulos de
memoria tienen capacidades del orden de GB (230 bytes)

Tiempo de acceso: Hablamos de tiempos de acceso de lectura y tiempos


de acceso de escritura. Representan el tiempo mximo que se tarda en leer una
posicin de memoria o escribir en ella.

Latencia CAS: Tiempo transcurrido desde que se solicita un dato hasta que
el primer bit de ste es transferido. Este dato es bastante importante ya que
puede ser determinante En ocasiones, memorias rpidas con latencias elevadas
son "ms lentas" que otras de menor nmero de MHz.

Figura 3.4. Esquema de memoria


principal.
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En ella, se muestran diferentes tableros, cada uno de ellos divididos en filas


y columnas que conforman las celdas donde se almacena un dato. La latencia
CAS hace referencia al tiempo transcurrido en alcanzar una celda, sin embargo
existen algunas operaciones que producen retardos anteriormente.

Antes de alcanzar una celda, es preciso activar el tablero donde se


encuentra esta, esto se realiza mediante el envo de una seal de activacin que
provoca una latencia ACTIVE.

Posteriormente, se debe indicar la fila donde se ubica el dato. Para ello, se


manda una nueva seal que ralentiza nuevamente la lectura o escritura, esta
latencia se denomina RAS.

Resumiendo: cuando se desea leer o escribir un dato, primero se enva una


seal de activacin de tablero (latencia ACTIVE), posteriormente una seal de
indicacin de fila (latencia RAS) y finalmente, una seal de indicacin de
columna o celda concreta (latencia CAS). Estas latencias representan ciclos de
reloj necesarios para el envo de todas estas seales.

Adems existe una cuarta latencia, PRECHARGE para desactivacin de


tablero activo.

Segn lo explicado y para entender por qu las latencias son propiedades


tcnicas a tener en cuenta, vamos a representar un ejemplo. Imaginemos dos
memorias, con diferentes velocidades, una de ellas de 133 MHz y otra de 200
MHz, con las latencias respectivas de 2-2-2-5 y 3-2-2-5 (CAS-RAS-PRECHARGE-
ACTIVE).

NOTA: En la memoria de 133


MHz, al ser ms lenta, los ciclos son
ms "anchos". Normalmente, las
latencias se definen con valores
exactos, 2, 3, 2.5, etc., se redondea.
Sin embargo las seales no duran
exactamente ese nmero de ciclos,
suelen terminar un poco antes del
lmite establecido y los fabricantes
dejan un margen mnimo de error. En
la imagen se observa esto mismo a
travs de una lnea de color azul que
pretende indicar dnde acaba
exactamente la operacin CAS.
Ambas memorias utilizan la misma
lnea de tiempo, por lo que el
Figura 3.5. Esquema de sucesin de ciclos a desperdicio en la memoria de mayor
lo largo del tiempo. nmero de ciclos tambin es mayor.

Si queremos calcular el tiempo en segundo que tarda en realizarse una


operacin, partimos de:
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1 Hz = 1/Tiempo; Tiempo = 1/Hz

133 MHz = 1/Tiempo; Tiempo = 1/133.000.000 = 7,5 * 10-9 s = 7,5 ns

200 MHz = 1/Tiempo; Tiempo = 1/200.000.000 = 5 * 10-9 s = 5 ns

Estas dos operaciones nos dice el tiempo necesario para realizar una
operacin que dura un ciclo, o mejor dicho, "el tiempo que tarda un ciclo"
en producirse; as, si la latencia CAS es 2 estamos diciendo que la memoria de
133 MHz tarda 7,5 ns * 2 = 15 ns en enviar la seal CAS y la de 200 MHz unos
10 ns. Ahora bien, cuando debemos acceder a una celda, si esta no es la
primera para llegar a ella es preciso pasar por las anteriores y si el dato se
encuentra en la celda 100 de una fila, los 15 ns o 10 ns deben multiplicarse por
100.

Supongamos que queremos acceder a la primera celda, de la primera fila


del primer tablero, qu tiempo tardaremos en el acceso?

Memoria de 133 MHz, latencias 2-2-2-5:

(7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 5) = 82,5 ns

Memoria de 200 MHz, latencias 3-2-2-5:

(5 ns*3)(5 ns*2)+(5 ns*2)(5 ns*5)=6Ons

En esta situacin, se evidencia que la segunda de las memorias, es


indudablemente la ms rpida.

Ahora supongamos que en lugar de acceder a la primera celda queremos


leer o escribir el ltimo dato de la primera fila, supongamos tableros de 100
filas y 100 columnas o celdas por fila. Veamos qu ocurre.

Memoria de 133 MHz, latencias 2-2-2-5:

[100 * (7,5 ns * 2)] + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 5) = 1567,5


ns

Memoria de 200 MHz, latencias 3-2-2-5:

[100 * (5 ns * 3)] + (5 ns * 2) + (5 ns * 2) + (5 ns * 5) = 1545,5 ns

Vemos que en casos extremos, la memoria de 200 MHz no es mucho ms


rpida que la de 133 MHz, si en lugar de 3 ciclos de latencia hubieran sido 4 en
la memoria de 200 MHz:

Memoria de 133 MHz, latencias 2-2-2-5:

[100 * (7,5 ns * 2)] + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 2) + (7,5 ns * 5) = 1567,5


ns

Memoria de 200 MHz, latencias 4-2-2-5:

[100 * (5 ns * 4)] + (5 ns * 2) + (5 ns * 2) + (5 ns * 5) = 2045 ns


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Claramente observamos que no solo los Hz indican lo veloz que puede ser
una memoria, existen caractersticas como las latencias que se deben tener
muy en cuenta.

NOTA: Cuando comparemos memorias de igual velocidad, nos


declinaremos por aquellas que tengan menores valores de latencia, por
ejemplo en memorias de 233 MHz, si una presenta latencias 3-2-2-5 y otra
2-2-2-5 ser ms veloz la segunda de ellas. Sobre todo ser la latencia
CAS la que determinar la eficiencia.

Voltaje: Todo mdulo de memoria necesitar un voltaje para poder


funcionar, cuanto mayor sea ste, mayor consumo y ms calor, sin embargo
mejor ser el rendimiento del dispositivo.

El voltaje nominal puede superarse en cierta cantidad, realizndose lo que


se denomina overcloking, esto conlleva lo que se expresa en el prrafo
anterior, mayor consumo y mayor calor, que requiere sistemas de refrigeracin
ms sofisticados (por ejemplo sistemas de refrigeracin lquida).

ACTIVIDAD 3.2

Haz un pequeo estudio sobre las siguientes memorias teniendo en


cuenta solo su velocidad de bus y latencias como se ha visto en este apartado:
Memoria Kingston a 1600 MHz con latencias de 9-9-9-9 y Memoria Corsair a
800 MHz a 5-5-5-18.

3.2. TIPOS DE MEMORIAS

Podemos clasificar a las memorias atendiendo a diferentes aspectos, uno de


ellos es a la peculiaridad de si estas son de solo lectura o lectura y escritura.

MEMORIAS DE SOLO LECTURA

Son memorias que se escriben una sola vez (aunque en memorias


modernas es posible el borrado y reescritura de informacin). En ausencia de
electricidad no pierden los datos. Conocida como memoria ROM, aunque en los
siguientes apartados veremos diferentes tipos:

ROM
PROM
EPROM
EEPROM

MEMORIAS DE LECTURA Y ESCRITURA

Son memorias que se pueden leer y escribir pero cuando cesa la corriente
elctrica la informacin contenida en ellas desparece, podemos decir que estas
memorias se resetean, se ponen a cero, cuando cesa la corriente elctrica.
Hablaremos de este tipo de memorias con detenimiento en los siguientes
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apartados, son las conocidas memorias RAM (memoria principal), y podemos


distinguir principalmente entre:

SRAM
DRAM

3.2.1. MEMORIAS DE SOLO LECTURA

En este apartado vamos a repasar brevemente las caractersticas principales


de las memorias de solo lectura, recordando que son memorias que se escriben
una vez (excepciones en memorias modernas que pueden ser reescritas aunque
no con la facilidad que se escribe en una memorias de lectura/escritura), NO
son voltiles (la informacin no desaparece al desconectar la alimentacin
elctrica) y se suelen caracterizar por el modo en el que son escritas.

3.2.1.1. ROM (Read-Only Memory)

Son las memorias de slo lectura ms antiguas. Son programadas en el


proceso de fabricacin. La programacin en la fabricacin indica que los datos
se encuentran codificados en el propio circuito que forma la memoria.

Las memorias ROM son baratas y se usan sobre todo para el firmware del
dispositivo (tambin se usan memorias posteriores, EPROM, etc.) Podemos decir
que el firmware es un bloque de instrucciones, programa de propsito
especfico, que se almacena en memorias de slo lectura y que establece el
funcionamiento de los circuitos elctricos que forman el dispositivo. Controla el
hardware estableciendo caractersticas concretas.

3.2.1.2. PROM (Programmable Read-Only Memory)

Memorias de solo lectura programables por el usuario una sola vez. Utilizan
tecnologa MOS y al igual que las memorias ROM son baratas.

Pero, qu quiere decir que son programables por el usuario? Bien, este tipo
de memorias, antes de ser programadas, estn formadas por una malla de
fusibles, que se "quemarn" segn se crea oportuno para establecer un bit de
valor cero o uno.

El programador utilizar un dispositivo especializado que incluye un software


que permitir al usuario disear el circuito concreto. Posteriormente, este
aparato, utilizando la plantilla creada quemar los fusibles. Es de solo escritura
una vez se quema los fusibles, estos no pueden ser sustituidos.

Este tipo de memoria es bastante frgil, se debe tener especial precaucin


con la existencia de electricidad esttica, ya que puede provocar que fusibles se
"quemen" involuntariamente.

3.2.1.3. EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)

Son memorias de solo lectura que pueden borrarse y volver a escribirse. Se


requieren dispositivos especficos para ello.
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Las memorias EPORM son escritas elctricamente. Estn constituidas por


celdas de FAMOS o "transistores de puertas flotantes", que vienen de fbrica sin
carga, caracterstica que equivale a 1 lgico en cada una de estas celdas. Para
cambiar este valor se aplica voltaje, corriente elctrica.

Cuando se quieren volver a programar son borradas y posteriormente


escritas. El borrado se realiza utilizando luz ultravioleta. Las memorias EPROM
tienen una pequea ventanita de cuarzo por la que se pasar la luz ultravioleta.
Los fotones de la luz ultravioleta excitarn los electrones de las celdas de modo
que conseguirn que estas se descarguen, las resetearn.

Figura 3.6. Ventana de cuarzo de una


memoria EPROM

3.2.1.4. EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)

Memorias de solo lectura que pueden ser escritas y borradas elctricamente.


En el apartado anterior estudibamos las memorias EPROM, que igualmente
podan ser borradas y escritas pero usaban mtodos distintos para ambos fines
(escritas elctricamente, borradas a travs de luz ultravioleta), en el caso de las
memorias EEPROM podemos realizar ambas operaciones elctricamente y se
puede realizar borrado parcial de informacin.

Sus celdas tienen estructura SAMOS que proviene de la estructura FAMOS


de las memorias EPROM aadindole una segunda puerta.

3.2.2. MEMORIAS DE LECTURA Y ESCRITURA

Memorias voltiles, que pierden su informacin una vez desaparece el


suministro elctrico pero que pueden ser ledas y escritas tantas veces como
sea necesario. Son conocidas como memoria RAM.

Adems de ser memorias de lectura/escritura y voltiles, podemos resaltar


otra de sus caractersticas ms importantes y es que son memorias de acceso
aleatorio, es decir, cualquier celda puede ser leda o escrita en cualquier orden,
sin tener en cuenta cul fue la celda leda o escrita en el proceso anterior.

Segn la tecnologa usada podemos hablar de:

Memoria SRAM
Memoria DRAM
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3.2.2.1. SRAM (Static Random Access Memory)

Memoria RAM esttica. Se denomina as en funcin a la tecnologa que usan,


ya que estn construidas a base de biestables. Ya estudibamos en otros
apartados que el uso de biestables configuraban memorias ms rpidas (ya que
no necesitan nada especial para mantener la informacin), que ocupaban mayor
espacio y bastante caras, por eso eran usadas sobre todo como memoria cache,
en pocas cantidades.

Dentro de la categora de memorias RAM esttica, podemos encontrar:

Sync SRAM (Synchronous Static Random Access Memory)


PB SRAM (Pipeline Burst Static Random Access)

3.2.2.2. DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Denominadas memorias RAM dinmicas por la necesidad que presentan de


ser refrescadas continuamente, dada la tecnologa usada en su fabricacin.

Tiene ciertas ventajas sobre las memorias SRAM, tanto en relacin al coste,
son ms baratas, y en relacin al tamao que ocupan, recordamos las
memorias SRAM constituidas por biestables, que a su vez precisan de varios
transistores, mientras las memorias estudiadas en este apartado solo usan un
condensador y un transistor MOS por cada celda.

La desventaja se encuentra en la necesidad de refresco. Al estar formada


por condensadores cargados elctricamente y teniendo en cuenta que stos
pierden paulatinamente su carga, es preciso que sean cargados cada cierto
tiempo utilizando para ello un pequeo circuito de refresco que debe estar
incorporado en el mismo mdulo de memoria. El refresco consiste en leer el
dato y reescribirlo y se realiza cada 1 o 2 milisegundos. Esto produce un paro
en las operaciones propias de la memoria, consiguiendo que sean ms lentas
que las memorias SRAM.

Las memorias DRAM son usadas para la memoria principal o lo que


denominamos RAM.

FPM (Fast Page Mode)

Son memorias totalmente desfasadas.

En las memorias FPM la seal RAS, o indicadora de final de fila, se emita


una nica vez mantenindose activa y tan solo era necesaria la seal CAS para
bsqueda concreta del dato.

EDO (Extended Data Out) y su sucesor BEDO

Este tipo de memoria fue usada en los primeros Pentium y Pentium MMX.
Son parecidas a las FPM, con la ventaja de estar ajustadas de forma que
pueden iniciar un nuevo ciclo de acceso a memoria antes de que haya
terminado la salida de los datos del ciclo anterior.
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Estn obsoletas. Las sucesoras a estas memorias eran las memorias BEDO,
que aparecen en el mercado un poco tarde, casi al tiempo que las memorias
SDRAM que son las que han sido realmente aceptadas.

SDRAM (Synchronous DRAM)

Memorias DRAM sncronas, funcionan en sincronizacin con el reloj del


microprocesador. Una de las caractersticas principales a tener en cuenta es la
velocidad de bus. Es usual denominar estas memorias como PC66, PC100,
PC133, etc., siendo el nmero el que indica la velocidad de bus.

Son memorias que utilizan slo unos de los flancos de cada ciclo, el flanco
de subida, para realizar las operaciones de memoria.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

En este tipo de memorias SDRAM se aprovechan ambos flancos para realizar


las operaciones de lectura y escritura, con lo que la velocidad de operacin se
ve duplicada. Hablamos aqu de velocidad fsica y velocidad efectiva, indicando
la velocidad fsica, la velocidad real segn los ciclos de reloj y la velocidad
efectiva duplica esta debido al doble aprovechamiento de cada ciclo.

Para que se entienda el concepto de velocidad fsica y efectiva diremos que


una memoria DDR400 tiene una velocidad fsica de 200, es decir, 200 MHz o
200 millones de operaciones de acceso a memoria en un segundo. Como se
aprovecha el doble cada ciclo, la velocidad efectiva de esta memoria sera de
400 MHz, o 400 millones de operaciones en un segundo.

Este tipo de memoria se denominan con la nomenclatura "DDR"+nmero


(es la velocidad efectiva), aunque a veces podemos encontrar la nomenclatura
habitual de las SDRAM, por ejemplo, PC200 para las DDR100; o incluso la
nomenclatura PC+ (ancho de banda), por ejemplo PC3200 para las DDR400.

El bus de datos de las memorias DDR es de 64 bits, es decir 8 bytes.

DDR400 --> 200 MHz x 2, si el ancho de bus es de 64 bits, 8 bytes tenemos


8 x 200 x 2 1600 MB/s x 2 3200 MB/s.

Las memorias DDR precisan de un voltaje inferior a las anteriores para su


buen funcionamiento, adems, su formato fsico (mdulo) incluye mayor
nmero de conectores (184).

NOMBRE VELOCIDAD FSICA ANCHO DE BANDA


DDR200/PC1600 100 MHz 1699 MB/s
DDR266/PC2100 133 MHz 2128 MB/s
DDR333/PC2700 166 MHz 2656 MB/s
DDR400/PC3200 200 MHz 3200 MB/s

RDRAM (Rambus DRAM)


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Ms concretamente se denomina DRDRAM (Direct Rambus DRAM). Es una


memoria propietaria, propiedad de la empresa Rambus Inc., de forma que
cualquier otra empresa debe pagar a esta para poder construir este tipo de
memorias.

Este tipo de memorias fueron introducidas en el ao 1999, con el chipset de


intel i820, en placas para Pentium III. Pretendan ser las memorias "exclusivas"
de los pronto comercializados Pentium IV. Posean un bus de datos inferior a las
DDR, de 16 a 32 bits como mucho, pero velocidad de bus fsica ms elevadas,
400 MHz fsicos, en total 800 MHz efectivos. Este sistema parece dar mejor
resultado, aunque se reduce el nmero de lneas de datos en paralelo, as como
posibles interferencias entre ellas, el aumento de velocidad de bus hace que el
ancho de banda sea mayor.

Tenan una desventaja, las latencias eran altas.

Sin embargo, aunque prometan bastante, no llegaron a tener demasiado


xito. Uno de los motivos fundamentales fue el excesivo precio, debido a que
los fabricantes deban pagar royalties a Rambus Inc. para poder construirlas y
surgieron ciertos problemas en el proceso de fabricacin que elevaron
considerablemente los precios.

Por otro lado, Intel haba firmado un acuerdo de exclusividad, de forma que
no permitan a ningn otro fabricante realizar chipset con soporte para RDRAM,
cosa que enfad bastante al resto de empresas.

Fue entonces cuando surge la DDR-SDRAM, estndar apoyado por todos los
fabricantes a excepcin de Intel (en primer momento), esto cambia cuando se
da cuenta de que este tipo de RAM, muy asequible, tena mucho mayor xito
que la Rambus.

DDR2 SDRAM, DDR-II o DDR-2

Evolucin de las DDR. Mejoran sus caractersticas principales:

Mayores velocidades de reloj, hasta 533 MHz fsicos, con velocidad


efectiva de 1066 MHz.
Menor voltaje, 1.8 v, en su antecesora era de 2.5 voltios.
El encapsulado del chip esta mejorado.
Las latencias son ms elevadas.

NOMBRE VELOCIDAD FSICA ANCHO DE BANDA


DDR2-400/ PC2-3200 200 MHz 3200 MB/s
DDR2-533/ PC2-4300 266 MHz 4256 MB/s
DDR2-667/ PC2-5300 333 MHz 5328 MB/s
DDR2-800/ PC2-6400 400 MHz 6400 MB/s
DDR2-1066/ PC2-8500 533 MHz 8528 MB/s

DDR3 SDRAM, DDR-III, DDR-3

Nueva mejora. Las novedades que aporta son las siguientes:


La memoria principal 16

Las velocidades fsicas superan los 400 MHz, de 400 a 1066 MHz.
Se sigue reduciendo el voltaje, de 1.8 y a 1.5 v en las DDR3.
Los mdulos son de mayor capacidad. Normalmente se recomienda
un mdulo de mayor capacidad a varios mdulos de capacidad
inferior. Cuanto menor sea el nmero de bancos de memorias
ocupados mayor garanta de mejor rendimiento del sistema.
Las latencias siguen creciendo.

Algunos mdulos contienen sensor de temperatura. Para mdulos de


servidores este sensor es obligatorio.

NOMBRE VELOCIDAD FSICA ANCHO DE BANDA


DDR3-800/ PC3-6400 400 MHz 6400 MB/s
DDR3-1066/ PC3-8500 533 MHz 8528 MB/s
DDR3-1333/ PC3-10600 667 MHz 10672 MB/s
DDR3-1600/ PC3-12800 800 MHz 12800 MB/s
DDR3-2000/ PC3-16000 1000 MHz 16000 MB/s
DDR3-2133/ PC3-17000 1066 MHz 17056 MB/s
DDR3-2400/PC3-19200 1200 MHz 19200 MB/s

MEMORIAS DDR4 SDRAM

Se prevea que para 2013 (estn en fase de produccin an) se comenzaran


a comercializar las nuevas memorias DDR4, evolucin de las actuales DDR3.
Actualmente, se esperan para el 2014, junto con chipsets y placas compatibles.
En 2015, probablemente, sern standard.

Segn parece, las velocidades efectivas de estas memorias podran oscilar


de 2133 MHz a 4266 MHz. Igualmente se disminuye el voltaje a 1.2 y, 1.1 v e
incluso 1.05 v.

NOTA: Aunque es frecuente ver referencias y equipos con memoria


DDR5, realmente no existe como tal. Se refiere a un tipo de memorias que
usan fabricantes de tarjetas grficas (Nvidia), y que son Gddr5. Es una
memoria de video especfica.

Las especificaciones de todas las memorias, pueden consultarse en la


JDEC (Join Electron Device Engineering Council) en su pgina web
WWW.JEDEC.COM

XDR DRAM y XDR2

Tipo de memoria comercializada en la actualidad. Posee un ancho de bus


estrecho, de 16 o 32 bits, consiguindose velocidades de hasta 7,2 GHz. El
ancho de banda es de 28,8 GB/s por mdulo. Proceden de la empresa Rambus
Inc.

Eran (o son) las usadas actualmente en las consolas PlayStation 3, y parece


ser que tambin en la PS4 y estn por encima de las memorias usadas en pcs.
La memoria principal 17

OTROS TIPOS DE MEMORIAS

MRAM o RAM magnetorresistiva. Son memorias actualmente en


estudio aunque realmente fueron desarrolladas en los 90. Son
memorias no voltiles que utilizan magnetismo en lugar de
electricidad para almacenar bits.
PRAM o RAM de cambio de fase. Son memorias no voltiles que
usan vidrio calcgeno, configurable en dos posibles estados, cristalino
y amorfo por medio del uso de calor (estos dos estados establecern
el O y 1 lgicos).
Z-RAM o RAM. Memorias sin condensadores, muy rpidas y densas
pero que precisara de una remodelacin de las fbricas actuales de
memorias actuales, algo poco probable.

3.3. MDULOS DE MEMORIA

Podemos decir que un mdulo de memoria es un circuito impreso


rectangular al que se sueldan los diferentes chips de memoria.

Estos mdulos se conectan a la placa base a travs de una ranura llamada


"banco de memoria" o "ranura de memoria". A su vez, las lneas de circuito de
cada mdulo finalizan en algn pin (conector del mdulo), que servir a este
para el intercambio de informacin con la placa a travs de la ranura
anteriormente mencionada.

Sabas que...
En placas antiguas, como las de los 80286, los chips de memoria estaban soldados en la propia
placa.

Bsicamente encontramos tres tipos de mdulos:

Mdulos SIMM (Single In-line Memory Module)


Mdulos DIMM (Double In-line Memory Module)
Mdulos RIMM (Rambus In-line Memory Module)

Los mdulos de memoria poseen una muesca significativa que hacen que
solo se puedan colocar de un modo concreto en el banco de memoria
correspondiente.

La siguiente tabla muestra los tipos de mdulos junto al tipo de memoria


que contienen y el nmero de pines.

TIPO DE MDULO N DE PINES ANCHO DEL BUS (Bits) TIPO DE MEMORIA


SIMM 30 8 DRAM o FPM
SIMM 72 32 FPM o EDO
DIMM 168 64 SDRAM
DIMM 184 64 DDR
La memoria principal 18

DIMM 240 64 DDR2 o DDR3


RIMM 184 16 RDRAM
RIMM 232 32 RDRAM

NOTA: Cuando instalamos nuevos mdulos de memoria en nuestro PC,


debemos tener especial cuidado. Es importante que los mdulos que se
coloquen tengan las mismas caractersticas, incluso, si es posible, sean del
mismo fabricante para poder aprovechar estos al mximo.

En caso de instalar mdulos de caractersticas diferentes, no debemos


extraarnos de que la memoria corra a la velocidad de la ms lenta o que en
alguna ocasin no sea detectado alguno de los mdulos. La regla es que el
sistema se adaptar a las caractersticas de la memoria ms lenta. Por ejemplo,
si instalamos un mdulo DDR400 y otro DDR333, ambas trabajarn a 333 MHz.

Figura 3.7. Mdulos DIMM DDR3. Con y sin disipador: Fuente Kingston.

3.3.1. MDULOS PARA PORTTILES

La memoria usada en un porttil es igual a la usada en un PC de escritorio,


sin embargo, por su reducido espacio, los mdulos de memoria usados en estos
dispositivos deben ser igualmente de menor tamao. Distinguimos los
siguientes tipos de mdulos:

SO-DIMM
SO-RIMM
Micro-DIMM o MDIMM

NOTA: Los primeros porttiles, de dimensiones considerables, podan


usar mdulos de memoria DIMM como cualquier ordenador de sobremesa.

Los mdulos SO-DIMM son los ms usuales. SO-RIMM son mdulos de


memoria RDRAM, no usados en demasa, al igual que los mdulos Micro-DIMM o
MDIMM. Tienen 100, 144 o 200 pines (diferencias en las hendiduras gua).
La memoria principal 19

100 pines 140 pines 200 pines

Figura 3.8. Mdulos de memoria SO-DIMM.

3.3.2. MDULOS DE MEMORIA REGISTERED O BUFFERED

Para evitar prdidas de estabilidad, existen mdulos de memoria


denominados Registered o Buffered que incluyen chips adicionales, registros o
buffers. La inclusin de estos elementos y su utilizacin provocan una prdida
de un ciclo de reloj por cada operacin a realizar en la memoria, sin embargo,
consiguen estabilidad.

Suelen usarse en ordenadores donde la prdida de rendimiento o estabilidad


pueden provocar imprevistos grabes, como es el caso de equipos servidores.
Son mdulos ms caros que los de PC de escritorio, vistos anteriormente, y no
pueden ser usados en todos los equipos o placas base.

NOTA: Se recomienda tener el menor nmero de mdulos de memoria posibles


y no tender a ocupar todos los bancos de memoria.

ACTIVIDAD 3.3

Otros tipos de mdulos similares son: mdulos FB-DIMM, mdulos con


paridad y mdulos con ECC. Busca informacin en la Web.

3.4. ENCAPSULADO DE LOS CHIPS DE MEMORIAS INCLUIDOS EN LOS


MDULOS

Los mdulos de memoria son el soporte de la memoria en s, que se


encuentra encapsulada en unos chips que han ido evolucionando a lo largo del
tiempo. Desde la poca en la que nos encontrbamos placas repletas de
"cucarachas de memoria" soldadas en el mismo soporte hasta ahora, el
encapsulado de la memoria ha cambiado satisfactoriamente. Los mas usuales
son los siguientes:

DIP (Dual In line Package): Las denominadas


cucarachas. Vemos un chip rectangular provisto de
unas pequeas patas (contactos) que se soldaban
directamente a la placa base. Hoy da se encuentran
totalmente en desuso.
La memoria principal 20

SOJ (Small Outline J-lead): Denominados as por


la forma de J de los contactos. Esta forma permite
que sean montados directamente en el mdulo.
Estn igualmente en desuso.
TSOP (Thin Small Outline Package): Este tipo de
chip dispone de unas patillas que se curvan en sus
extremos hacia fuera, al contrario que los SOJ,
permitiendo chips ms finos. Muy usados, de hecho
en la actualidad se siguen usando.
TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package): Es
una versin de TSOP pero ms reducida. Es muy
usado cuando es necesario incluir mucha memoria
en poco espacio. Son muy pequeos, de 3 a 6 mm.
BGA, FBGA, Tiny/Micro BGA o CSP: Este es el
ms usado actualmente en mdulo de memoria
DDR3 y DDR2. Cada chip se encuentra "colocado" en
la superficie del mdulo sin la necesidad de incluir
patas como en los casos anteriores. Los chips se
adosan a la superficie del mdulo mediante una
rejilla rectangular de contactos esfricos llamada Ball
Grid Array (como en los procesadores con socket
LGA). Este nuevo formato permite conseguir chips
ms pequeos y que se calienten menos.

3.5. DUAL CHANNEL Y TRIPLE CHANNEL

Aunque estos son conceptos que se incluyen entre las caractersticas de las
placas base, vamos a explicar el concepto ya que se hayan relacionados con la
memoria principal del PC.

Hoy da es normal observar en las caractersticas de una placa que "soporta


dual channel o triple channel" y las indicaciones para conseguirlos.

Esto no es ms que la utilizacin de dos (dual channel) o tres (triple


channel) mdulos de memoria del mismo fabricante y mismas caractersticas
(importante las latencias exactamente iguales) consiguiendo as aumentar el
ancho de banda, duplicando o triplicando este, ya que se hacen accesos
simultneos a los dos o tres mdulos.

3.6. APLICACIN DE LOS CONCEPTOS TERICOS

Como en el captulo dedicado a la CPU y microprocesadores, en este


debemos dar uso a todos los conceptos tericos vistos. Es decir, tras leer este
captulo debemos poder afrontar con seguridad la eleccin de un mdulo de
memoria RAM entre varios modelos, consiguiendo que este se ajuste a nuestras
necesidades, sean cuales sean.

Existen muchos fabricantes de memoria RAM: OCZ, Corsair, Kingston, etc.


Vamos a escoger dos mdulos de memoria de dos fabricantes para realizar una
breve comparativa.
La memoria principal 21

Modelo Kingston 2GB (1x2GB) DDR3 1600MHz CL9 DIMM y modelo OCZ
DDR3 PC3- 10666 SPECIAL OPS EDITION *EOL. En primer lugar, en cada
modelo vienen dadas la mayora de las propiedades de la memoria, si no fuera
as accederamos a los sitios web de ambos fabricantes, como haremos
posteriormente para completar las caractersticas que faltan.

Kingston 2GB (1x2GB) DDR3 1600MHz CL9 DIMM


Fabricante Capacidad Tipo de Velocidad Ciclos latencia Tipo de
memoria efectiva/fsica CAS (CL) y V. mdulo
Kingston 2GB, 1 mdulo DDR3 1600 MHz/800 MHz 9, 1.65 v. DIMM

OCZ DDR3 PC3-10666 SPECIAL OPS EDITION *EOL


Fabricante Capacidad Tipo de Velocidad Ciclos latencia Tipo de
memoria efectiva/fsica CAS (CL) y V. mdulo
OCZ --- DDR3 --- --- DIMM

Accedemos a la web de Kingston (www.kingston.com) y OCZ


(www.ocztechnology.com) para completar la segunda tabla. Adems, an
debemos saber el ancho de banda (ver la tabla del apartado anterior DDR3
SDRAM, DDR-III, DDR-3) y los valores de latencias.

En el sitio web de Kingston, para acceder al modelo debemos:

1. Colocar el cursor sobre el men memoria situado en la parte superior


izda. y hacer clic en Memoria HyperX.

2. Veremos BLU, GENESIS y PREDATOR. Clic en BLU y en su edicin


normal DDR3.

3. En la lista encontraremos el modelo. Hacer clic en PDF de las hojas de


especificaciones. Esto nos mostrar un documento PDF con las caractersticas
de este modelo.

Para OCZ, podemos entrar en su pgina y buscar en artculos obsoletos, ya


que ha dejado de fabricar memorias hace tiempo. Cada vez se encuentra menos
informacin almacenada, pero en LEGACY, podremos encontrar an informacin
de las memorias EOL (End of life). En caso contrario, podemos buscar por
internet, por ejemplo la siguiente review:

http://aphnetworks.com/reviews/ocz_special_ops_pc3_10666_2x2gb/9

Vemos que:

Kingston:

Ancho de banda: 12800 MB/s


Latencias: 9-9-9-27

OCZ:

Capacidad: 2 GB en 2 mdulos de 1 GB (dual channel)


Ancho de banda: 10666 MB/s
La memoria principal 22

Latencias: 9-9-9-20.

Con la informacin en la mano, comenzamos a realizar nuestra comparativa


teniendo en cuenta las caractersticas en este orden:

1. Velocidad fsica/Latencias.

2. Capacidad.

3. Ancho de banda.

4. Tecnologa usada (Aunque normalmente la velocidad o el ancho de banda


ya indican la misma).

El considerar el mdulo de memoria es irrelevante, ya que hoy da el


mdulo usado es DIMM, si lo desea el lector puede incluir el precio o el
fabricante como datos tambin importantes a tener en cuenta.

1. Kingston (800 MHz/9-9-9-27) OCZ (667 MHz/9-9-9-20).

La velocidad de la primera es notablemente mayor y la latencia CAS es igual


en ambas, de forma que Kingston gana.

2. Kingston (2 GB en 1 nico mdulo) -- OCZ (2 GB en 2 mdulos).

La capacidad es igual en ambas, en principio podramos escoger cualquiera


de las dos, pero siempre aconsejamos menor nmero de mdulos y mayor
capacidad, as Kingston gana por segunda vez.

3. Kingston (12800 MB/s) OCZ (10666 MB/s) Tambin mayor en el modelo


Kingston escogido. Kingston gana de nuevo.

4. Kingston (DDR3) OCZ (DDR3) Igual en ambas.

Si observamos en todas las caractersticas nos hemos decantado por el


modelo Kingston

De los modelos proporcionados, el fabricado por Kingston presenta mejores


prestaciones y sera el mejor de ambos.

NOTA: Hemos comparado dos mdulos de RAM sin atender que estas se
van a ensamblar a un PC. Si estuviramos en la tesitura de escoger memoria
para un 1 microprocesador o placa concreta, los tipos soportados por ambos
componentes y sus caractersticas sera lo primero que deberamos tener en
cuenta.

COMPRUEBA TU APRENDIZAJE

1. Qu jerarqua de memoria sigue un PC? Explica brevemente en cada


nivel el tipo de memoria que lo forma.

2. Qu diferencia una memoria SRAM de una DRAM?


La memoria principal 23

3. Qu es el ancho de banda? Y la latencia?

4. Qu tipos de memorias internas existen? Qu caractersticas definen


una memoria EPROM?

5. Qu informacin se proporciona cuando se dice que he adquirido una


memoria DDR400?

6. Tengo una memoria DDR200 con latencias 2-2-2-5 y otra memoria


DDR200 con latencias 3-2-2-5, Cul me proporciona mejores prestaciones?
Justifica tu respuesta. Y si en lugar de DDR200 3-2-2-5 la segunda hubiera
sido DDR 266 3-2-2-5?

7. Qu mejoras presenta la memoria DDR3?

8. Qu es un mdulo de memoria? Qu tipo es el ms usado actualmente?


Qu tipo de memoria incluye?

9. Qu caractersticas tiene el encapsulado de chip tipo FBGA?

10. Qu entiendes por dual y triple channel?

ACTIVIDADES DE AMPLIACIN

1. Realiza un esquema del captulo.

2. Rellena la siguiente tabla con los modelos de memoria RAM que quieras:

Modelo
Velocidad fsica
Velocidad efectiva
Latencias
Capacidad
Ancho de banda
Tipo de memoria
Voltaje
Fabricante
Tipo de encapsulado de
cada chip de memoria
Tipo de mdulo/n
contactos
Precio

3. Realiza una comparativa minuciosa de las memorias del ejercicio 2. Cul


presenta mejores prestaciones? Desarrolla un documento donde expliques todo
el proceso que has seguido.

4. Qu puedo deducir de esta informacin: 16G (8GB 2Rx8 1G x 64-Bit x 2


pcs.) DDR3-1600 CL10 240-Pin DIMM Kit?

5. Compara memorias de diferentes fabricantes y mismo nivel, ejemplo


DDR, DDR2, etc. Qu fabricante es mejor? Justifica tu respuesta. Desarrolla un
La memoria principal 24

documento bien formado donde muestres los modelos analizados y tu


respuesta.

6. En el captulo anterior vimos la CPU y el microprocesador. A estas alturas,


podras decirme, qu procesador y qu memoria debera comprar si slo voy a
usar mi PC para acceder a la web, ver el correo electrnico y realizacin de
tareas ofimticas? justifica tu respuesta. Desarrolla un documento en el que
expliques tu decisin.

7. Ahora soy arquitecto, y trabajo con software de diseo tcnico


(autoCAD), de renderizacin y creacin de texturas (3D Studio) y software de
aplicacin de tipo acceso a internet y al correo electrnico. Qu procesador y
memoria me recomiendas que compre?

8. Estamos tratando en todo momento con PC, microprocesadores y


memorias que utilizamos en los ordenadores ms distendidos en los hogares.
Pero qu podemos decir de los Apple, qu procesadores usaban y qu
memorias? Crea una lista ordenada cronolgicamente mostrando los diversos
modelos de Apple, indicando microprocesador que usaban y memoria principal
(caractersticas de cada componente).

9.MEMORIA KIT 12 GB (3X4 GB) DDR3 1600 CL9 CORSAIR VENGEANCE.


Qu es? Y las caractersticas de sta: Kingston 2GB, 800MHz, DDR2, NON-ECC,
DIMM, 2048 MB.

10. Tengo un porttil HP Pavilion dv6000, quiero mejorarlo y para ello he


pensado en cambiar la memoria. Qu mdulo o mdulos tengo que comprar y
con qu caractersticas?

11. Localiza informacin en la web (ya sean noticias, comunicados, artculos


en revistas tecnolgicas) que hable sobre las nuevas DDR4. Redacta un
documento donde expliques las mejoras que van a presentar ante las DDR3.

12. En qu consiste el dual o triple channel? Busca informacin en la web o


bibliografa y redacta un documento donde expliques cul es el funcionamiento,
cmo deben ser los mdulos de memoria y si se aprecia una notablemente
mejora en el rendimiento cuando se usan.