ELECTRNICA INDUSTRIAL

Transistor Unijuntura (UJT)

Transistor Unijuntura Programable (PUT)

6 B ELECTRNICA
2011

E.E.T N 460 Guillermo Lehmann

Departamento de Electrnica

ELECTRNICA INDUSTRIAL

1. TRANSISTOR UNIJUTURA (UJT)

Se trata de un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales,
denominados base 1 (B1) y base 2 (B2), se sita una resistencia semiconductora (tipo n)
denominada resistencia interbase RBB, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 K. En un punto
determinado de esta resistencia, se difunde una zona p que forma una juntura p-n (diodo) que
se conecta al tercer terminal, denominado emisor (E). En la figura 1.1 siguiente grafico se
observa la caracterstica tensin-corriente del emisor respecto a la base 1 (B1) y tambin su
smbolo.

Figura 1.1.- (a) Caracterstica tensin-corriente del terminal Emisor-Base 1. (b) Smbolo.
La polarizacin se realiza aplicando una tensin positiva a la base B2 (VBB 5 a 30 Volt). La
mxima tensin aplicada, esta limitada por la disipacin del UJT. El UJT se dispara cuando la
juntura p-n se polariza directamente. Si la tensin del emisor (VE) es menor a VC, circula por la
juntura una corriente inversa denominada IEBO. Cuando la tensin del emisor supera a la
tensin VC, la juntura se polariza directamente y la corriente del emisor se hace positiva,
inyectando portadores minoritarios en la porcin de la resistencia RBB, comprendida entre el
diodo y la Base-1 (B1), haciendo que este tramo aumente drsticamente su conductividad y
disminuya su resistencia elctrica. En esta situacin, la tensin del emisor disminuye cuando la
corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa), dado que la tensin VC disminuye
al disminuir R1. El la grafica V-I este fenmeno comienza en el punto VP-IP.. La corriente
queda limitada solamente por la resistencia R1 y por la de la fuente de tensin que polariza al
emisor (se produce un pulso de corriente). En la figura 1.2 se observa el circuito elctrico
equivalente.

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Figura 1.2- Circuito elctrico equivalente

La tensin VE, para producir el disparo o sea VP, vale:

R1
VP =
R1 + R2

VBB + VD = VBB + VD

=
R
+
R
1
2

se denomina relacin intrnseca y tiene un valor en particular para cada UJT.

La relacin intrnseca toma valores tpicos que van de 0,45 a 0,82. La VBB, se denomina
tensin nter bsica y es la tensin que se aplica entre las bases B1 y B2. La VD es la
tensin umbral de polarizacin directa de la juntura p-n, cuyo valor es aproximadamente de
0,56 Volt a 25 C y disminuye en aprox. 2 mV/C. Cuando IE aumenta, VE disminuye (zona de
caracterstica negativa) hasta un valor dado por IV-VV, donde nuevamente comienza aumentar.
Si al dispositivo lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV, el valor de R1 retoma
su valor original. Si la tensin de emisor se mantiene constante y mayor que VV, R1 se
mantiene en su valor bajo y no se reestablece. En la aplicacin, la tensin de disparo VE= VP,
se debe mantener constante, pero como varia con la temperatura, debido al valor de VD, resulta
entonces necesario compensar esta variacin. El procedimiento es colocar una resistencia de
carbn en la base B2 que tiene un coeficiente de variacin positivo, para contrarrestar el
coeficiente negativo de la juntura p-n. La figura 1.3 muestra el circuito:

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Figura 1.3.- Circuito que contrarresta el coeficiente negativo de la juntura p-n

1.1. OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT

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El transistor unijuntura se lo utiliza como oscilador de relajacin, para generar pulsos de

disparo. El circuito trabaja de la siguiente forma. El capacitor, conectado entre el emisor y la
base B1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dada por el
producto de C E R E . Cuando se llega al valor de la tensin de disparo "V P " el capacitor se
descarga a travs del emisor, rpidamente, dado por la constante de descarga de
C E (R1 + RB1 ) . Cuando se llega al valor VE = VV , el emisor se bloquea, parando la descarga
del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga.
Para calcular el perodo de los pulsos, partimos de la tensin de carga del condensador:
t
VC = VCC 1 e RC

Para nuestro caso el tiempo T1 lo calculamos para

VCC ' = VCC VV y VC = VP .

T1

VC = (VCC VV ) 1 e RE C E

Despejando el tiempo

T1 obtenemos:
V VV
T1 = RE C E ln CC

VCC VP

El tiempo de descarga T2 es difcil de calcular por la variacin que sufre la resistencia de

descarga a travs de

R1 y RB1 . Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 empricamente es:

T2 (2 + 5 C ) VEsat

Donde

VEsat es el valor dado en las caractersticas del UJT para I E = 50mA . No obstante

en las aplicaciones para disparo de tiristores, resulta

calculamos como:

T1 >> T2 por lo cual el perodo lo

T = T1 + T2 T1
La expresin para el perodo se puede simplificar si hacemos

VV 0

VCC
T = RE C E ln

VCC VP
Por otra parte como

VP = VCC reemplazando:

VCC
1
T = RE C E ln
= RE C E ln

1
VCC VCC
Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646, el valor de la
relacin intrnseca es = 0,63 , entonces reemplazando tenemos:

T = RE C E

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Las condiciones de diseo para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no son muy
rigurosas. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 . En algunas aplicaciones su
valor podr estar entre 2000 y 3000 . Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1,
este tendr que tener un valor tal que la tensin continua producida por la corriente interbase,
no tome un valor superior a la del disparo del tiristor.
La resistencia RE debe ser de un valor comprendido entre 3K y 3M, para permitir que el
circuito oscile. Si es muy grande, es posible que no llegue a la tensin de disparo. Si es muy
chica, el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva (saturacin) y no
vuelve a bloquearse.

2. TRANSISTOR UNIJUTURA PROGRAMABLE (PUT)

Este dispositivo, tiene un comportamiento similar al UJT, con la diferencia que la relacin
intrnseca se puede programar, mediante un divisor resistivo. A pesar de llamarse
transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el terminal de puerta (G) se toma del lado
del nodo en lugar del de ctodo (base del transistor PNP). En la figura 2.1 se observa su
estructura interna y su smbolo:

Figura 2.1.- (a) Estructura interna de un transistor PUT. (b) Smbolo

La prxima figura (2.2) muestra la caracterstica tensin-corriente de los terminales nodoctodo para un determinado valor de RT y VT.

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Figura 2.2.- Caracterstica Tensin-Corriente de un PUT

La forma tpica de polarizar al PUT, es la que se muestra en el circuito (a) de la figura 2.3. El
circuito (b) se obtiene aplicando Thevenin en el terminal de compuerta.

Figura 2.3.- (a) Circuito tpico de polarizacin. (b) Circuito equivalente aplicando Thevenin en el
terminal de compuerta
En el circuito de la figura 2.3 (b) tenemos que:

RT =

R1 RP
R1 + R P

VT =

VGG RP
R1 + RP

Para una VT determinada y mientras VAA < VT, la corriente de nodo IA es prcticamente
despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si VAA > VT en una cantidad "Vp", se
produce una inyeccin de portadores de carga por el diodo formado por el terminal del nodo y
compuerta, dando comienzo a la realimentacin interna que provoca el estado de conduccin
del PUT entre el nodo y el ctodo. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensin VAA de

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manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle IV (mnima de
mantenimiento), el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo, de manera similar al UJT.
En forma similar al UJT, el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajacin,
sincronizado con la frecuencia de red. Sintetizando, el PUT puede reemplazar al UJT en los
circuitos de disparo que hemos analizado, conectando el terminal de nodo del PUT con el
terminal que corresponde al emisor del UJT y el ctodo del PUT, con el terminal base 2 del
UJT. Se deber agregar un divisor resistivo, para programar la relacin intrnseca .

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