DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

LEOPOLDO PARRA REYNADA

RED TERCER MILENIO

AVISO LEGAL
Derechos Reservados 2012, por RED TERCER MILENIO S.C.
Viveros de Ass 96, Col. Viveros de la Loma, Tlalnepantla, C.P. 54080, Estado de Mxico.
Prohibida la reproduccin parcial o total por cualquier medio, sin la autorizacin por escrito del
titular de los derechos.
Datos para catalogacin bibliogrfica
Leopoldo Parra Reynada
Dispositivos electrnicos
ISBN 978-607-733-186-5
Primera edicin: 2013
Revisin pedaggica: Germn Adolfo Seelbach Gonzlez
Revisin editorial: Ma. Eugenia Buenda Lpez

DIRECTORIO

Brbara Jean Mair Rowberry

Directora General

Jess Andrs Carranza Castellanos

Director Corporativo de Administracin

Rafael Campos Hernndez

Director Acadmico Corporativo

Hctor Ral Gutirrez Zamora Ferreira

Director Corporativo de Finanzas

Luis Carlos Rangel Galvn

Director Corporativo de Mercadotecnia

Ximena Montes Edgar

Directora Corporativo de Expansin y Proyectos

NDICE
Introduccin

Objetivo general de aprendizaje

Mapa conceptual general

Unidad 1. Introduccin

Mapa conceptual

Introduccin

10

1.1 Antecedentes histricos

11

1.2 Aplicaciones

15

1.3 Conceptos bsicos

17

1.3.1 Seal elctrica

17

1.3.2 Transductor

18

1.3.3 Seal analgica

18

1.3.4 Seal digital

19

1.3.5 Acoplamiento

20

1.3.6 Amplificacin

21

1.3.7 Proceso de seal

21

Autoevaluacin

23

Unidad 2. Concepto de fsica de semiconductores

26

Mapa conceptual

27

Introduccin

28

2.1 Modelos de bandas

30

2.2 Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

34

2.3 Conduccin elctrica en semiconductores

38

2.4 Unin P-N y caractersticas asociadas: densidad de carga, campo

elctrico, potencial electroesttico, capacitancia y relacin I-V

40

2.5 Unin PIN

46

Autoevaluacin

48

Unidad 3. El diodo semiconductor y modelos

53

Mapa conceptual

54

Introduccin

55

3.1 Diodo semiconductor

56

3.2 Modelos: ideal, exponencial, de seal grande y de seal pequea

63

Autoevaluacin

70

Unidad 4. El transistor de efecto de campo (FET)

73

Mapa conceptual

74

Introduccin

75

4.1 Estructura, funcionamiento y curvas caractersticas de un FET

78

4.2 Modelos y polarizacin

82

4.3 El MOSFET como elemento de conmutacin

86

4.4 El amplificador bsico

90

4.5 Especificaciones de fabricante

92

Autoevaluacin

97

Unidad 5. El transistor bipolar de juntura (TBJ)

101

Mapa conceptual

102

Introduccin

103

5.1 Estructura, funcionamiento y curvas caractersticas

105

5.2 Modelos y polarizacin

109

5.3 El TBJ como inversor y compuertas lgicas

114

5.4 El amplificador bsico

117

5.5 Especificaciones del fabricante

120

Autoevaluacin

126

Unidad 6. El amplificador operacional

130

Mapa conceptual

131

Introduccin

134

6.1 Modelo ideal

134

6.2 Anlisis de circuitos lineales: inversor, no inversor, sumador, diferencial,

integrador, derivador, convertidores de voltaje a corriente y corriente a
voltaje

136

6.3 Anlisis de circuitos no lineales: el rectificador de precisin,

comparadores y amplificadores logartmicos

148
2

Autoevaluacin

145

Unidad 7: Reguladores de voltaje

160

Mapa conceptual

161

Introduccin

162

7.1 El regulador de aire

164

7.2 Reguladores integrados y especificaciones del fabricante

166

7.3 Fuente de poder

176

7.3.1 Fuente regulada simple positiva

180

7.3.2 Fuente regulada simple negativa

181

7.3.3 Fuente mltiple

181

7.3.4 Fuente regulada variable

182

7.3.5 Fuente simtrica

183

Autoevaluacin

186

Unidad 8: Otros dispositivos electrnicos

190

Mapa conceptual

191

Introduccin

192

8.1 Tubos al vaco

193

8.2 SCR, triac y diac

197

8.3 Dispositivos optoelectrnicos

205

8.3.1 Diodos emisores de luz o LED

205

8.3.2 Diodo lser

208

8.3.3 Fotodetectores

208

8.3.4 Optoacopladores

211

Autoevaluacin

217

Glosario

221

Bibliografa

225

INTRODUCCIN
Sera muy difcil imaginar qu sera del mundo actual si no existiera la
tecnologa electrnica. No habra televisores para disfrutar de programas
internacionales, ni radio para escuchar las noticias; para lograr la
comunicacin con familiares o
amigos, se usara un telfono
convencional, el telgrafo o el
correo

normal;

no

habra

reproductores MP3 para escuchar

msica; en fin, una gran parte del
trabajo, del entretenimiento, de los
medios
etctera,

de

comunicacin,

simplemente

no

existiran o seran remplazados

por alternativas incmodas y poco
accesibles.
Resulta evidente entonces que la electrnica ha revolucionado al
mundo, permitiendo la masificacin del entretenimiento, de la informacin,
de las comunicaciones, etctera, incluso est invadiendo campos en los que
hasta hace poco no se empleaban dispositivos electrnicos, como la
iluminacin,

el

control

de

aparatos

electrodomsticos, el manejo de grandes

cantidades

de

voltaje

corriente,

etctera.
Pero todo esto tuvo un inicio, y el
edificio de la electrnica en general
descansa sobre los cimientos de gran
cantidad de aos de investigacin y
desarrollo, que permitieron la elaboracin
de diversos componentes y dispositivos
bsicos, que constituyen los ladrillos
funcionales con los que est construido desde un reloj de cuarzo hasta la
computadora ms avanzada.

A lo largo de este libro se distinguir que, en realidad, estos

dispositivos son fciles de entender y de aplicar, y al concluir su lectura, se
tendrn las bases para enfrentar el diseo y construccin de circuitos ms
complejos y especializados.

OBJETIVO DE APRENDIZAJE GENERAL

Ofrecer una introduccin a los principios de la electrnica, a sus
fundamentos ms importantes, a los dispositivos bsicos, a sus aplicaciones
y a la manera de combinarlos para obtener el resultado esperado.

MAPA CONCEPTUAL

UNIDAD 1

INTRODUCCIN
OBJETIVO
El estudiante conocer los fundamentos bsicos de la tecnologa electrnica,
as como sus orgenes y principales ramas de aplicacin en la actualidad,
adems de los diferentes conceptos principales de la tcnica, como una
seal elctrica, un transductor, las diferencias entre seal analgica y digital,
etctera.

TEMARIO
1.1 ANTECEDENTES HISTRICOS
1.2 APLICACIONES
1.3 CONCEPTOS BSICOS
1.3.1 Seal elctrica
1.3.2 Transductor
1.3.3 Seal analgica
1.3.4 Seal digital
1.3.5 Acoplamiento
1.3.6 Amplificacin
1.3.7 Proceso de seal

MAPA CONCEPTUAL

INTRODUCCIN
Dice la sabidura popular: el viaje ms largo comienza por un primer paso;
y este refrn puede aplicarse perfectamente al desarrollo de la tecnologa
electrnica, que descansa sobre el trabajo de gran cantidad de
investigadores que, cada uno por su lado, contribuy con su grano de
arena para la edificacin de una tecnologa que ha revolucionado por
completo la forma de trabajar, de descansar, as como de comunicacin, de
diversin, etctera, de la mayora de las personas.
Los inicios de la electrnica fueron muy modestos, y seguramente
nadie imagin que se convertira en la industria multimillonaria que es
actualmente. Precisamente en esta primera unidad, se tratarn los primeros
pasos en el desarrollo de la tecnologa electrnica, y cmo fue
evolucionando hasta llegar a lo que se tiene en la actualidad. Adems, se
tratarn algunos conceptos bsicos fundamentales para la correcta
comprensin de los temas tratados en unidades posteriores, por lo que una
lectura cuidadosa es importante para entender adecuadamente los
conceptos que se describirn a lo largo del presente libro.

10

1.1 ANTECEDENTES HISTRICOS

De manera estricta, y considerando el sentido amplio del trmino
electrnica como la ciencia de la manipulacin de seales elctricas, se
tiene que esta tecnologa es muy antigua. Se remonta a finales del siglo XIX,
cuando apenas se encontr que el tomo no era tan indivisible como se
haba pensado originalmente, y se fueron descubriendo sus tres partculas
ms importantes; a saber, protones, neutrones y electrones. Estos ltimos
llamaron la atencin de muchos
investigadores, quienes intentaron
aprovecharlos
aplicaciones,
considera

para

diversas

pero el que

el

primer

se

artilugio

electrnico de la historia, es el
tubo de Crookes, desarrollado en
William Crookes invent el que se considera el
primer artilugio electrnico de la historia: el tubo
que lleva su nombre. (Imgenes cortesa Museo de la
Ciencia).

1895

por

el

cientfico

ingls

William Crookes. Este tubo es una

especie

muy

primitiva

de

cinescopio, y precisamente aprovecha los electrones para crear una imagen

burda sobre una superficie recubierta de fsforo.
Dos aos despus, el cientfico alemn Karl F. Braun desarroll el
primer osciloscopio, adaptando un tubo de Crookes de modo que produjera
un haz delgado de electrones, y colocando placas de deflexin horizontal y
vertical, con lo que en la pantalla del tubo apareca un trazo equivalente a la
seal elctrica que se estuviera estudiando. La aparicin de este aparato fue
pieza clave para acelerar el desarrollo de la tecnologa electrnica, ya que
por primera vez se tena una forma confiable de observar el comportamiento
de ciertos fenmenos, a pesar de que ocurrieran a muy altas frecuencias.
Sin embargo, tanto el tubo de Crookes como el osciloscopio
aprovechan los electrones producidos por un electrodo, pero no los
manipulan en sentido estricto. El primer dispositivo electrnico que s
modifica el comportamiento de una seal elctrica aplicada, se produjo a raz
de una investigacin completamente distinta, y en un principio, ni siquiera se
apreci el potencial que tena.

11

En 1873, el investigador ingls Frederick Guthrie descubri que un

electrodo caliente cargado positivamente, poda descargarse si se le
acercaba una laminilla con polaridad negativa, pero no suceda lo mismo si
la laminilla tena polaridad positiva. Esto demostr que la corriente slo fluye
en una direccin; pero en ese momento no se encontr ninguna aplicacin
prctica para el fenmeno.
De

forma

independiente, en la dcada
de 1880, cuando Toms Alva
Edison

estaba

haciendo

investigaciones para mejorar

su bombilla, en uno de sus
experimentos

El efecto Edison sirvi como base para la

creacin del primer dispositivo electrnico: el
diodo rectificador. (Imagen cortesa Fundacin Edison).

laminilla
proximidad

coloc

metlica
del

en

una
la

filamento

incandescente, y encontr que cuando se aplicaba un voltaje positivo al

filamento y uno negativo a la laminilla, se estableca un flujo de corriente
entre ambos elementos, pero si el voltaje se inverta no pasaba nada. Edison
tampoco encontr aplicacin a este fenmeno, pero como buen comerciante
que era, lo patent y se olvid de l. Aos ms tarde, en 1904, un grupo de
investigadores de la compaa Marconi, comandado por John A. Fleming,
rescat este principio para la elaboracin del que se considera el primer
dispositivo electrnico de la historia: el diodo rectificador.
Este

dispositivo

se cre

con

el

objetivo de servir como pieza fundamental

en la recepcin y recuperacin de seales
de radio en amplitud modulada, ya que su
caracterstica de slo conducir en una
direccin y no en la opuesta, lo haca ideal
para recortar la seal de AM recibida, por lo
que bastaba colocar un filtro a su salida,

Diodo tradicional tpico de principios

del siglo XX. (Foto: Museo de la electrnica).

para recuperar la seal de audio transmitida.

Esto permiti la fabricacin de receptores de radio ms precisos, lo que le
dio un impulso muy importante a esta industria.
12

Tambin, a principios de siglo,

apareci

el

primer

dispositivo

electrnico de estado slido: el diodo

de cristal, desarrollado alrededor de
1906 con base en las investigaciones
hechas por Karl F. Braun con cristales
de un material denominado galena.
Radio de galena, muy popular durante el
primer cuarto del siglo XX. (Foto: Museo de
la radio).

Las radios de galena fueron muy

populares en el primer cuarto del siglo
XX, ya que no necesitaban fuente de

energa adicional para funcionar, recuperando la seal que llegaba a travs

de las ondas de radio, y con su misma energa alimentaban un altavoz
pequeo, normalmente en un audfono.
Sin embargo, un problema al que se
enfrentaban los productores de radio es que
la seal que se reciba en las antenas era de
muy baja intensidad, por lo que se requera
con urgencia, alguna forma de aumentar su
potencia. Los experimentos realizados con
los diodos de vaco demostraron que, si se
coloca una rejilla entre los electrodos del
mismo, y en esta rejilla se aplica una seal
de

Durante bastante tiempo, los triodos

fueron los amplificadores de seal por
excelencia. (Foto: Museo del tubo).

bajo nivel, a travs de los electrodos

principales
aparece

de

la

este

misma

dispositivo
seal,

pero

amplificada. As surgi el triodo,

inventado por Lee DeForest en
1907,
Portada de la revista Electronics,
donde se anuncia oficialmente el
desarrollo del transistor. (Foto: revista
Electronics).

considerado

el

primer

amplificador electrnico y que es la

base para una enorme cantidad de
circuitos,

que

incluso

en

la

actualidad se siguen utilizando.

13

Durante la primera mitad del siglo XX, los tubos de vaco (diodo,
triodo y dems variantes) dominaron la tecnologa electrnica, al grado que
las primeras computadoras estaban formadas por cientos o miles de estos
dispositivos; sin embargo, esto cambi radicalmente a partir de 1947,
cuando tres cientficos que trabajaban en los laboratorios Bell, Bardeen,
Shockley y Brattain, descubrieron el primer triodo de cristal, que despus
recibira el nombre de transistor. A partir de ese momento, la tecnologa
electrnica ha evolucionado a pasos agigantados, pasando de grandes y
estorbosos tubos de vaco, a componentes semiconductores discretos, luego
a los circuitos integrados, y finalmente a la situacin actual, donde existen
chips que incluyen en su interior cientos de millones de transistores
individuales, trabajando en conjunto para hacer ms cmoda la vida diaria,
tanto en el trabajo como en el entretenimiento.
En la actualidad, es difcil encontrar algn aparato o mecanismo que
no utilice algn tipo de dispositivo electrnico; ya sea en labores de control,
de rectificacin, en el encendido o apagado de seales, en el proceso de las
mismas, etc., la electrnica est invadiendo todas las ramas de la
tecnologa, como se describir a continuacin.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 1A
Responde las siguientes preguntas:
a) Quin invent el que se considera el primer artilugio electrnico de la
historia?
b) En qu consiste el efecto Edison?
c) Qu personaje invent el primer diodo rectificador?
d) De qu material se hacan los primeros diodos de cristal para los
receptores de radio?
e) Quin invent el triodo?
f) Cul fue la principal aplicacin de los triodos?
g) Cules cientficos desarrollaron el primer transistor?

14

1.2 APLICACIONES
En la actualidad, la tecnologa electrnica es tan popular, que es difcil llegar
a algn sitio en donde no se encuentren varios aparatos que la aprovechan
ampliamente para su funcionamiento. A continuacin se muestran algunos
ejemplos:

La electrnica est presente en prcticamente todos los aparatos que se utilizan de

forma cotidiana, tanto para el trabajo como para el entretenimiento.

En el hogar, la electrnica est detrs de dispositivos tan simples

como el reloj despertador, en una calculadora electrnica, en un receptor de
radio, en el reproductor de discos compactos, en el equipo de sonido, en el
televisor, en la computadora, en el telfono (ya sea fijo o mvil), incluso ya
invadi aplicaciones que tradicionalmente se controlaban con elementos
electromecnicos, como la lavadora de ropa, el refrigerador, la cafetera, los
ventiladores y el aire acondicionado, etc. En realidad, resulta difcil encontrar
algn sitio en el hogar donde no se apliquen circuitos electrnicos.
En la oficina, las tradicionales mquinas de escribir han sido
reemplazadas por computadoras e impresoras, las cuales tambin sirven
para llevar la contabilidad, mantener comunicacin con los amigos a travs
de correo electrnico o mensajera instantnea, compartir fotos y una amplia
variedad de usos. Tambin se puede encontrar electrnica en el reloj
15

checador de la entrada hasta en las lmparas fluorescentes que iluminan el

rea de trabajo. La calculadora, el interfono, el telfono sobre el escritorio, el
horno de microondas, la copiadora, en fin, prcticamente todos los aparatos
que se encuentran en una oficina moderna estn impulsados por circuitos
electrnicos.
Incluso al caminar
por la calle, difcilmente
se puede estar ajeno a la
electrnica

que

nos

rodea. Los semforos, los

Desde una lamparita de LED hasta la computadora
ms poderosa, requieren de componentes electrnicos
para funcionar. (Fotos: IBM y Victorinox).

anuncios

luminosos de

las tiendas, las lmparas

de

iluminacin

urbana

que se encienden automticamente al atardecer y se apagan cuando

amanece, los mltiples circuitos electrnicos que invaden los automviles
modernos, los sistemas de control del transporte pblico, los cajeros de los
bancos, las cajas registradoras de los comercios, las cmaras de seguridad,
el reloj de la esquina, todo eso est controlado por circuitos electrnicos.
Incluso, los aviones y aeronaves se

controlan mediante circuitos

electrnicos; y los satlites artificiales, de los cuales dependen en gran parte

las comodidades que tenemos, tampoco podran existir si no existiera esta
tecnologa.
Entonces, resulta obvio que la electrnica est por todos lados,
interactuando de forma sutil o directa con las personas, y permitindoles
realizar actividades que, de otra forma, seran mucho ms complejas,
tardadas o costosas.

16

ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE 1B
a) Realiza un inventario rpido de todos los artculos que utilicen
circuitos electrnicos que tengas a tu alcance en este momento. No
olvides incluir el telfono celular, el reloj de cuarzo, el reproductor
MP3 y en general, cualquier objeto que use componentes
electrnicos para funcionar. Te sorprender la cantidad de
electrnica que tienes disponible cotidianamente sin darle mayor

importancia.
b) Repite lo anterior en la sala de tu casa, y trata de imaginar qu
pasara si no contaras con todos esos aparatos electrnicos.
c) Ahora imagina cmo sera el trabajo en una oficina sin equipo
electrnico. El objetivo es que consideres la importancia que tiene
la electrnica en el mundo moderno.
1.3 CONCEPTOS BSICOS
Antes de comenzar con el estudio de los dispositivos electrnicos
propiamente, es conveniente establecer ciertos conceptos bsicos, que se
utilizarn desde este momento para explicar el comportamiento de estos
elementos. Estos conceptos bsicos son de aplicacin general en el rea de
la electrnica, as que es muy importante comprenderlos perfectamente,
para que a su vez los conceptos derivados de ellos tambin queden lo ms
definidos posible.

1.3.1 Seal elctrica

As se denomina a un flujo de corriente elctrica o a la variacin de un
voltaje, a travs del cual se est
transmitiendo

algn

tipo

de

informacin o parmetro. Esto

significa que, por ejemplo, en
una

lnea

de

CA

(corriente

alterna) comn como la que llega

a los hogares, est circulando
electricidad,

pero

no

La caracterstica principal de una seal

elctrica, es que lleva aparejada cierta
informacin relevante, misma que se
desea aprovechar de una u otra forma.

se

considera seal elctrica, porque

no lleva una informacin aparejada; por el contrario, una seal de radio de
17

amplitud modulada s es una seal elctrica, ya que una vez que ha sido
captada y procesada, puede recuperarse de ella la informacin de audio
transmitida. Esto es lo que hace especiales a las seales elctricas: su
capacidad de transportar cierta informacin en ellas; y de ah surge la
necesidad darles un manejo especial para que la informacin viaje de un
punto a otro, se almacene, se despliegue de alguna forma, etc.

1.3.2 Transductor
Un transductor es un dispositivo capaz de tomar algn parmetro fsico en
uno de sus extremos, y expedir como salida una seal elctrica que, de
alguna forma u otra, representa al parmetro que se est monitoreando. Por
ejemplo,

un

termistor

dispositivo

es

electrnico

conductividad

vara

un
cuya

conforme

cambia la temperatura ambiente;

una fotocelda capta la luz que
incide sobre ella y produce a su
salida un voltaje equivalente a la
cantidad
micrfono

de

luz

recibida;

percibe

los

un

sutiles

cambios en la presin de aire que

provocan las ondas sonoras, y las
transforma

en

una

Ejemplos de transductores: de luz, de sonido, de

presin y de temperatura. (Banco de imgenes).

variacin

elctrica que represente fielmente a ese sonido; en resumen, un transductor

sirve para captar el fenmeno que se desea medir, y producir a su salida una
seal elctrica equivalente, misma que ya puede ser manejada como mejor
convenga.

1.3.3 Seal analgica

Una seal elctrica puede tomar varios aspectos, pero a grandes rasgos, se
pueden dividir estas seales en dos grandes grupos: seales analgicas y
seales digitales. Las seales analgicas se caracterizan porque siempre
estn presentes (esto es, son continuas en el tiempo), y pueden tomar un
nmero de valores infinito, dentro de sus rangos de operacin. Por ejemplo,
18

si se tiene un termistor
monitoreando
temperatura

la
de

cierta

regin, su voltaje de salida

siempre

est

presente,

indicando la temperatura
Una caracterstica fundamental de una seal
analgica es que es continua en el tiempo, y
puede tomar cualquier valor dentro de su rango de
operacin. (Foto: Superlux).

en ese preciso momento;

no importa si se toma la
lectura a cierta hora, o con

algunos segundos o minutos de retraso, siempre habr un voltaje a su salida

representando la temperatura detectada. Si se coloca un micrfono captando
los sonidos del ambiente, tambin se tendr siempre una salida, que puede
ser tan animada o tan aburrida como lo sea el sonido que capta el
dispositivo, pero siempre habr una salida que observar. No slo eso, una
seal anloga puede tomar cualquier valor dentro de su rango de operacin,
incluyendo valores fraccionarios. Esto significa que una seal anloga es la
representacin ms fiel del comportamiento de un fenmeno que se pueda
tener.

1.3.4 Seal digital

Debido

la

popularidad

del

procesamiento digital de seales, en la

actualidad

se

prefiere

transmitir,

almacenar, manejar y expedir una seal

en forma digital y no en forma analgica.
Una seal digital slo est presente en
momentos muy precisos, y slo puede
tomar un cierto nmero de valores,
determinados por la resolucin (en bits)
que se est manejando. Un ejemplo de
esto es el audio grabado en un disco
compacto, que se capt como una seal

En la actualidad, resulta ms conveniente

manejar las seales en forma digital, lo que
requiere un proceso de conversin.

analgica, pero despus se transform en una seal digital con una

frecuencia de muestreo de poco ms de 40KHz, y una resolucin de 16 bits,
19

para as ser grabada en la superficie del disco. Esto significa que al

momento de recuperar esta informacin, se captan los unos y ceros
almacenados en el CD, se procesan, se reconstruye la seal digital
primigenia, y a partir de ella se reproduce la seal anloga original, misma
que se enva hacia el amplificador de audio y hacia las bocinas. Resulta
indudable que en el proceso de transformar una seal de anloga a digital se
pierde parte de la informacin original, pero esta prdida se compensa por la
facilidad y precisin con que se puede almacenar y manejar una seal
digital.

1.3.5 Acoplamiento
As se llama a la forma como se transmite una seal elctrica de un punto a
otro. En la mayora de los casos, se tienen acoplamientos de tipo elctrico
directo,

esto

es,

los

electrones de un circuito
fluyen de forma directa
hacia el circuito siguiente,
a travs de conductores
Se llama acoplamiento al mtodo empleado para
enviar una seal de un punto a otro, y aunque el
ms comn es el elctrico, tambin existen
acoples magnticos, luminosos, etctera. (Fotos:
Toyo y Dow Corning).

colocados con ese fin; sin

embargo,

existen

otros

tipos de acoplamiento muy

empleados en tecnologa

electrnica, y se usan para garantizar la mejor transmisin de la informacin

que se desee manejar; por ejemplo:

Acoplamiento magntico: cuando una seal elctrica se convierte en

un flujo magntico, que a su vez induce una corriente elctrica en otra
parte del circuito. Para ello se usan los transformadores de
acoplamiento.

Acoplamiento ptico: una seal elctrica se convierte en un flujo

luminoso, que es captado por un sensor especial, y vuelto a convertir
en seal elctrica. Es el caso tpico de las transmisiones a travs de
fibra ptica.

20

Acoplamiento piezoelctrico: una seal elctrica se convierte en una

serie de vibraciones mecnicas inducidas en un cristal piezoelctrico,
para que unas terminales en el otro extremo capten esas vibraciones
y las conviertan nuevamente en seal elctrica. Es el principio de
funcionamiento de los filtros cermicos, muy usados en prcticamente
todas las aplicaciones que usen ondas de radio para transmitir
informacin.
Como estos ejemplos, hay algunos otros tipos de acoplamiento entre

circuitos que se describirn ms adelante conforme sea necesario.

1.3.6 Amplificacin
Casi siempre, cuando se obtiene una seal elctrica de un transductor, sta
resulta demasiado dbil como para aplicarse directamente a otros circuitos.
Esto implica que uno de los primeros bloques que deber encontrar en su
camino

esta

seal

es

un

amplificador, que como su

nombre lo indica, toma a su
entrada una seal con una
magnitud

muy

dbil,

la

expide a su salida sin haber

cambiado

en

absoluto

su

forma, pero aumentando su

voltaje,

su

corriente,

su

Un amplificador es capaz de tomar una seal con una

magnitud muy dbil a su entrada, y expedirla como una
seal fuerte y de la amplitud adecuada para su manejo
posterior. (Foto: Superlux).

potencia o lo que sea necesario para su posterior manejo. La amplificacin

de seales fue uno de los principales retos que se tuvieron en los inicios de
la electrnica, y hasta la fecha sigue siendo una de las aplicaciones ms
utilizadas en los mbitos ms diversos.

1.3.7 Proceso de seal

Se ha mencionado bastante el trmino manejo de seal; pero qu
significa este manejo? Una vez que se tiene una seal representando un
fenmeno, por lo general es necesario modificarla de alguna forma para
hacerla ms adecuada para lo que se requiera; por ejemplo, en el caso de
21

un micrfono, si se desea
captar el audio del ambiente,
y sabiendo que el

odo

humano slo capta sonidos

entre los 20 y los 20,000 Hz,
sera conveniente aplicar un
Se denomina proceso de seal a todas las
transformaciones que se aplican a una seal
original, para que a partir de ella, se obtenga el
resultado deseado.

filtrado a la seal resultante

para

eliminar

cualquier

sonido por debajo de 20 y

por arriba de 20,000 Hz, ya que de todos modos casi nadie puede
escucharlos. Cuando se recibe una seal de radio AM, se debe sintonizar
por medio de un proceso de heterodinacin, luego se filtra para obtener slo
la seal de la estacin deseada, se recorta la mitad de la seal y se aplican
una serie de filtros paso-bajos, para finalmente recuperar la seal de audio
transmitida. Pues bien, a todos estos pasos que hay desde la obtencin
inicial de una seal elctrica y su aprovechamiento final, se denominan
proceso de seal, y este proceso puede ser tan simple o tan complejo
como lo amerite el caso en particular.
Estos son los conceptos bsicos que se deben considerar al estudiar
los dispositivos electrnicos; conviene tenerlos presentes, porque se
mencionarn constantemente de aqu en adelante.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 1C
a) Cul es la principal caracterstica que distingue a una seal
elctrica?
b) Qu es un transductor y para qu sirve?
c) Define una seal analgica:
d) Define una seal digital:
e) Por qu se acostumbra convertir una seal de analgica a digital?
f) Qu es el acoplamiento de seales?
g) Indica tres ejemplos de acoplamientos de seales:
h) Por qu se necesita la amplificacin de seales?
i) A qu se llama proceso de seal?
22

AUTOEVALUACIN
1. Cul fue el primer artilugio electrnico y quin lo invent?

2. Quin invent el primer dispositivo electrnico, y en qu efecto se

bas?

3. Menciona el nombre

del primer dispositivo

de

amplificacin

electrnica, y quin fue su creador:

4. Quines inventaron el primer transistor?

5. Qu es una seal elctrica, y cul es su principal caracterstica?

6. Qu es un transductor?

7. Define una seal analgica y una seal digital:

8. Por qu en la actualidad se prefiere convertir las seales analgicas

en seales digitales?

9. Qu es el acoplamiento de seal? Menciona dos ejemplos:

10. A qu se llama proceso de seal?

23

RESPUESTAS
1. El tubo de Crookes, inventado por William Crookes.

2. John A. Fleming desarroll el diodo, basado en el efecto Edison.

3. El triodo, inventado por Lee DeForest.

4. Brattain, Bardeen y Shockley.

5. Es un flujo elctrico que lleva aparejado consigo cierta informacin

necesaria para el usuario.

6. Es un dispositivo que transforma un fenmeno fsico en una seal

elctrica.

7. Las seales analgicas estn presentes todo el tiempo y pueden

tomar cualquier valor dentro de su rango de operacin, mientras que
las seales digitales slo estn presentes en momentos especficos, y
pueden

tomar

nicamente

ciertos

valores

predeterminados,

dependiendo del nmero de bits empleado.

8. Porque el proceso digital de seales ha mostrado muchas ventajas

sobre el proceso anlogo de las mismas.

9. Es el mtodo que se usa para transmitir una seal de un circuito a

otro.

Existen

acoplamientos

elctricos,

magnticos,

pticos,

piezoelctricos, etc.

10. A toda transformacin que se aplica a una seal, desde su punto de

entrada a un circuito hasta la obtencin del resultado deseado.

24

RESPUESTAS A LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

Actividad de aprendizaje 1A:
a) El cientfico ingls William Crookes.
b) Si se coloca una laminilla metlica en la cercana de un filamento
incandescente, y se aplica un voltaje negativo a esa laminilla, habr
flujo de electrones entre el filamento y la laminilla, pero si se aplica un
voltaje positivo, no existir flujo.
c) John A. Fleming.
d) De galena.
e) Lee DeForest.
f) Como amplificador electrnico de seales.
g) Brattain, Bardeen y Shockley.

Actividad de aprendizaje 1C:

a) Que lleva aparejada cierta informacin til para el usuario.
b) Es un dispositivo que toma algn fenmeno fsico (temperatura,
sonido, presin, etc.) y lo convierte en una seal elctrica a su salida.
c) Es aquella que es continua en el tiempo y que puede tomar cualquier
valor posible dentro de su rango de operacin.
d) Es aquella que slo est presente en momentos muy especficos, y
slo puede tomar cierto nmero predefinido de valores, dependiendo
del nmero de bits empleado.
e) Porque el proceso digital de seales ha demostrado ser ms efectivo,
veloz, flexible y econmico que el procesamiento analgico.
f) Es la transmisin de una seal de un circuito a otro, procurando
siempre que esa seal se reciba de la mejor forma posible.
g) Elctrico, magntico, luminoso, piezoelctrico, etc.
h) Porque muchas veces, la seal original tiene una magnitud muy
pequea, lo que implica que se necesita ampliar para poderla manejar
adecuadamente.
i) A todas las transformaciones que se aplican a una seal, desde su
inicio hasta obtener el resultado final deseado.

25

UNIDAD 2

CONCEPTO DE FSICA DE SEMICONDUCTORES

OBJETIVO
El estudiante comprender el concepto de semiconductor y los principios
fsicos que existen detrs de su comportamiento elctrico, analizando sus
propiedades bsicas, la forma como conducen, y cmo se obtienen los
semiconductores P y N, y as tener los cimientos necesarios para el posterior
estudio de los principales dispositivos electrnicos.

TEMARIO
2.1 MODELOS DE BANDAS
2.2 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
2.3 CONDUCCIN ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES
2.4 UNIN P-N

Y CARACTERSTICAS ASOCIADAS: DENSIDAD DE CARGA, CAMPO

ELCTRICO, POTENCIAL ELECTROESTTICO, CAPACITANCIA Y RELACIN I-V

2.5 UNIN PIN

26

MAPA CONCEPTUAL

27

INTRODUCCIN
Antes de comenzar con el estudio detallado de los dispositivos electrnicos,
es conveniente conocer el material del que estn hechos y sus peculiares
propiedades elctricas, sin las
cuales la electrnica tal y como
se conoce no existira. Se trata
de

los

materiales

semiconductores, que son pieza

clave en el desarrollo de diodos,
transistores, circuitos integrados
y dems componentes que se
utilizan
Los materiales semiconductores son pieza
clave para el desarrollo de la tecnologa
electrnica. (Foto: DHD galleries).

en

los

modernos

circuitos electrnicos. Qu son y

cules son las propiedades de

los principales semiconductores, es lo que se describir en esta unidad.

Por qu es importante estudiar el comportamiento de los
semiconductores? Precisamente, porque es debido a las propiedades fsicas
tan particulares que tienen estos materiales, que se pueden construir
dispositivos

diminutos

amplificadores,

que

funcionen

como

interruptores

de

paso,

rectificadores,

sensores, indicadores, etctera. Los

dispositivos semiconductores marcan
un cambio en el desarrollo de la
electrnica, ya que antes de ellos
prcticamente todo se tena que hacer
con

voluminosas,

frgiles

poco

eficientes vlvulas de vaco o bulbos, lo

que

limitaba

seriamente

las

aplicaciones en que podan utilizarse

estos elementos. Con los dispositivos
semiconductores, ahora esos bulbos

Antes del desarrollo de los dispositivos

semiconductores, la electrnica se basaba
casi en su totalidad en vlvulas de vaco o
bulbos. (Foto: National).

han sido sustituidos por pequesimos transistores o circuitos integrados, y

28

esto ha permitido que la electrnica invada prcticamente todas las

actividades

humanas,

desde

el

trabajo

ms

complejo

hasta

el

entretenimiento.
Para comprender de forma adecuada cmo es que los dispositivos
electrnicos pueden hacer todo lo que realizan, es necesario profundizar en
el mundo de las propiedades fsicas de la materia, entender cmo se lleva a
cabo la conduccin elctrica, y qu es lo que hace tan especiales a los
materiales conocidos como semiconductores.

29

2.1 MODELOS DE BANDAS

Una de las propiedades fsicas intrnsecas de todo material, es su
conductividad elctrica; y es bien sabido que bsicamente, los materiales se
dividen en dos grandes grupos, dependiendo de su capacidad para
transportar

no

energa

elctrica. Se tienen as por un

lado a los conductores, que son
materiales capaces de transmitir
sin

problemas

la

corriente

elctrica con mnimas prdidas;

y en el extremo opuesto estn
los aislantes, cuya capacidad de
En un cable elctrico se combinan conductores
y aislantes para transportar la electricidad de
forma segura. (Foto: Sheng Hua Wire).

conducir electricidad es casi

nula. Casi todos los materiales

en la naturaleza pueden clasificarse en uno u otro grupo, pero existen

algunos cuyo comportamiento no est tan definido, as que resulta un poco
difcil ubicarlos como un conductor o como un aislante.
As est por ejemplo el carbono; desde que se comenzaron a hacer
experimentos con la electricidad, se encontr que ciertas variedades de
carbono, como el grafito, presentaban algunos comportamientos curiosos,
como tener distinta conductividad elctrica dependiendo de en qu sentido
circulara la corriente. Tiempo despus se encontr que el grafito en realidad
est formado por una serie de capas superpuestas, y que la electricidad flua
distinto si corra en el sentido de las capas o si trataba de pasar a travs de
ellas. Por este comportamiento, se considera al carbono como el primer
material de conductividad variable conocido, pero no fue el nico.
A finales del siglo XIX se hicieron importantes descubrimientos en el
rea de la electricidad, y entre ellos estn las investigaciones de W. Smith,
que en 1873 descubri que la conductividad elctrica del silicio variaba si se
le aplicaba una iluminacin intensa; esto significa que el material conduca
mejor si estaba iluminado que si estaba a la sombra, lo cual result muy
curioso si se compara con el resto de los metales, que conducen bien sin
importar las condiciones de iluminacin.

30

Poco tiempo despus, en

1874,

Karl

descubre

Ferdinand

que

cuando

metales

hacen

algunos

materiales,

galena,

conducan

Braun
ciertos

contacto

con

como
de

la

forma

distinta si se polarizaban en un
sentido o en otro; surgen as los
primeros

diodos

de

galena,

usados extensivamente en los

Las curiosas propiedades de la galena

sirvieron para elaborar los primeros diodos
rectificadores de cristal. (Foto: Fabre minerals).

primeros receptores de radio, y que se consideran por algunos el primer

dispositivo semiconductor; sin embargo, en realidad aqu se estaban
aprovechando algunas propiedades de la galena sin comprender muy bien
qu estaba sucediendo, as que estrictamente, an no se llega al primer
dispositivo semiconductor.
Uno de los estudios ms importantes sobre estos materiales, lo
realiz E. H. Hall en la dcada de 1930, cuando descubre que ciertos
elementos, como el germanio y el silicio, tienen una cantidad muy baja de
portadores

elctricos,

pero

que

eso

poda

modificarse

cambiando

ligeramente las condiciones del material, por ejemplo, incrementando su

temperatura externa. Esto origin diversos estudios sobre esos elementos, lo
que

finalmente

result

en

el

descubrimiento

de

sus

propiedades

semiconductoras, y su aprovechamiento para el desarrollo de la electrnica.

Por

qu

el

germanio

el

silicio

se

comportan

como

semiconductores? En primer lugar, se debe mencionar que los materiales

metlicos, que en su mayora son excelentes conductores, tienen algo en

El germanio y el silicio fueron los primeros elementos que demostraron propiedades

semiconductoras. (Fotos: Wikimedia).

31

comn entre ellos: las rbitas de valencia de sus tomos tienen muy pocos
electrones libres, lo que permite que un incremento en el potencial elctrico
externo fcilmente haga que estos electrones comiencen a saltar de tomo
en tomo, establecindose una corriente elctrica. Conviene recordar de los
cursos de qumica que, para que un elemento se considere como estable,
en su rbita de valencia debe tener 8 electrones; si se tienen unos cuantos
(entre 1 y 2), estos electrones fcilmente pueden saltar al tomo colindante,
y es esta propiedad de que sus electrones viajen fcilmente, lo que distingue
a los buenos conductores elctricos.
En el caso del germanio y el silicio, existe una situacin muy peculiar:
cada uno tiene 4 electrones en su
rbita

de

tericamente
convertirlos

valencia,

lo

tendra
en

que
que

aceptables

conductores elctricos; el problema

es que ambos materiales de forma
natural tratan de acomodarse en
cristales, lo que significa que cada
tomo se rodea de otros 4 iguales,

Al crear cristales, los tomos de silicio

comparten sus electrones con los
adyacentes, logrando una estructura muy
estable.

y aparece un fenmeno interesante: los tomos colindantes comparten sus

electrones de modo que, vindolos de forma instantnea, cada uno parece
tener 8 electrones en su rbita de valencia, lo que le da una gran estabilidad
a la estructura, evitando que los electrones salten de forma espontnea de
un tomo a otro, e impidiendo casi por completo la circulacin de
electricidad; sin embargo, bajo ciertas condiciones esto puede reducirse o
eliminarse, haciendo que el material comience a conducir.
Este fenmeno puede explicarse por medio del concepto de bandas
de energa, segn el cual un material puede clasificarse dependiendo del
nmero de electrones libres que tenga disponibles para el transporte de
electricidad. Por ejemplo, los aislantes poseen muy escasos electrones
libres, lo que hace que la circulacin de corriente elctrica a travs de ellos
sea casi nula. Los semiconductores poseen una mayor cantidad de
electrones libres, y esta cantidad puede variar por influencias externas, como
aadir otros elementos, la presencia de luz o calor, etctera, esto quiere
32

decir que los semiconductores pueden funcionar como aislantes o como

conductores,

dependiendo

de

factores

adicionales.

Finalmente,

los

conductores poseen una gran cantidad de electrones libres, lo que facilita la

circulacin de corriente en ellos.

El concepto de bandas de energa permite reconocer a simple vista si un material es

aislante, semiconductor o conductor. Los primeros poseen una banda prohibida muy
amplia, en los segundos esta zona se ha reducido bastante, y en los conductores
desaparece por completo.

Esta situacin puede representarse por medio de un grfico con tres

bandas, como se muestra en la figura anexa: se tiene una banda de
conduccin, una banda prohibida y una banda de valencia. Se puede
observar que los aislantes tienen bandas de conduccin y de valencia
reducidas, separadas por una muy amplia zona prohibida; esto significa que
se necesitara una tensin muy alta para hacer que este material entrara en
su modo de conduccin, as que para fines prcticos, impide el flujo de
corriente elctrica.
Los semiconductores, por su parte, poseen amplias bandas de
conduccin y valencia, separadas por una zona prohibida muy reducida; esto
implica que a estos materiales no se les dificulta saltar de modo conductor
a modo aislante, dependiendo de distintos factores internos y/o externos. Si
se habla de los materiales semiconductores ms conocidos, es decir, el
germanio y el silicio, el primero tiene una banda prohibida de apenas 0.7eV,
mientras que el segundo tiene una banda prohibida de 1.1eV, lo que significa
que basta con aplicar cierto voltaje o reunir algunas caractersticas
especiales, para que el material entre en estado de conduccin.
33

Finalmente, los conductores poseen bandas muy amplias de

conduccin y valencia, tan grandes que se superponen entre s, eliminando
la zona prohibida; esto significa que en un conductor no se necesita
prcticamente de ningn esfuerzo para hacer que el material conduzca la
electricidad. Este modelo de las bandas de energa, permite visualizar de
forma rpida y directa si un material es aislante, conductor o semiconductor.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2A
a) Cul fue el primer elemento de conductividad variable conocido?
b) Cul es el primer indicio sobre la semiconductividad del silicio?
c) Cuntos electrones posee el silicio y el germanio en su rbita de
valencia?
d) Qu sucede cuando estos materiales forman cristales?
e) Cules son las tres bandas de energa que maneja el modelo de
bandas?
f) De qu valor es la banda prohibida del silicio? y del germanio?

2.2 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS

Sabiendo que el silicio es uno de los elementos ms comunes en el planeta,
y que los investigadores que sentaron las bases para el desarrollo de la
tecnologa elctrica y electrnica experimentaron con toda clase de
materiales, incluso los ms exticos, cmo fue que las propiedades
semiconductoras de este elemento no
se

descubrieron

antes?

Si

bien

algunos fenmenos relacionados si

fueron encontrados (como el hecho de
que conduce mejor en presencia de luz
que en su ausencia), la verdad es que
el silicio metlico es un elemento difcil
de localizar en la naturaleza, ya que
normalmente

est

combinado

con

otros elementos para formar distintas

A pesar de ser uno de los elementos ms

abundantes en el planeta, el silicio
normalmente est mezclado con otros
elementos. (Foto: Pacific Agregates).

sustancias, de las cuales la ms

34

abundante es la arena comn.

Adems, las propiedades semiconductoras del silicio se manifiestan
en plenitud cuando est en forma
cristalina, pero incluso cuando el
silicio se separa y se refina,
normalmente forma micro-cristales
que se mezclan entre s para crear
una masa algo amorfa, donde no
se
El silicio metlico normal (en lingotes) se
comporta ligeramente distinto al silicio
monocristalizado (en cilindros). (Foto: China
Rectifier).

manifiestan

al

100%

las

curiosas propiedades elctricas de

este material. Fue hasta que se
comenz

experimentar

con

silicio fabricado artificialmente en

forma de un cristal uniforme y continuo, que las caractersticas especiales de
este elemento salieron a la luz.
Entonces se concluye que existen dos tipos de semiconductores
segn si se encuentran o no en forma natural: los semiconductores
intrnsecos son materiales que por s mismos tienen propiedades
semiconductoras. El silicio y el germanio son buenos ejemplos, aunque el
efecto semiconductor no sea tan pronunciado debido al crecimiento
desordenado de sus cristales en forma natural. Esto significa que en una
barra de silicio o germanio puro, si se aplica un voltaje entre sus extremos, lo
ms probable es que s circule una corriente elctrica, la cual depender de
factores como la temperatura externa, si hay una fuente luminosa cerca,
etctera. Por tanto, y en forma general, un semiconductor intrnseco es aquel
material que, tal y como se encuentra en la naturaleza, puede comportarse
como aislante o como conductor, dependiendo de las caractersticas de la
prueba.
Estos materiales por s mismos ya representan un gran avance en el
manejo de la energa elctrica, pero su propia naturaleza poco predecible los
hace no muy convenientes al tratar de construir dispositivos que presenten
siempre el mismo comportamiento ante casi cualquier circunstancia. Es por
ello que se desarrollaron los semiconductores extrnsecos, que son
materiales a los cuales se les obliga a comportarse como semiconductores
35

por medios externos, el ms comn de ellos es la adicin de pequeas

cantidades de impurezas de otros elementos.

Fragmento de la tabla peridica de los elementos. Se puede observar que tanto el silicio
como el germanio poseen cuatro electrones en su rbita de valencia, mientras que el
boro o el indio tienen tres, y el fsforo y el arsnico poseen cinco.

Por ejemplo, para fabricar los transistores y circuitos integrados

modernos, se utilizan cristales de silicio de enorme pureza, al grado que se
considera que los residuos no deseados en estos cristales equivaldran a
menos de una cucharada de sal mezclada con un vagn de ferrocarril lleno
de azcar; sin embargo, y como ya se mencion, el silicio cristalino no es un
buen conductor elctrico, as que durante el proceso de fabricacin de los
dispositivos electrnicos se aaden algunas impurezas de elementos como
el arsnico o el boro, para que el material resultante se comporte de forma
muy especfica.
Si se consulta la tabla peridica de los elementos, se puede observar
que el boro posee slo tres
electrones

en

su

valencia,

mientras

rbita

de

que

el

arsnico posee cinco electrones.

Cuando

se

mezclan

estos

tomos en la estructura cristalina

del silicio, como se observa en el
primer caso, queda un hueco
que fcilmente puede atraer a un
electrn

adyacente,

haciendo

Al aadir impurezas de boro a la estructura del

silicio, queda un hueco en la rbita de
valencia del primero, y se convierte en un
portador elctrico positivo.

36

que circule corriente al momento en que ese hueco comienza a pasar de

un tomo al contiguo conforme es atrado por algn campo elctrico externo.
Debido a que este hueco implica la ausencia de un electrn, para fines
prcticos se considera que es una carga positiva, y al silicio al que se la han
aadido impurezas de boro se le conoce entonces como semiconductor tipo
P.
Por su parte, si ahora se aaden impurezas de arsnico, al tener ste
cinco electrones en su rbita
de valencia, esto significa
que al entrar a la estructura
cristalina

del

silicio,

un

electrn queda volando, y

fcilmente se le puede hacer
circular de tomo en tomo,
Al aadir impurezas de arsnico, ahora queda
volando un electrn en la rbita de valencia, que
se convierte en un portador elctrico negativo.

para

establecer

una

corriente elctrica. Debido a

que en este material se

puede decir que hay un electrn que sobra, al silicio con impurezas de
arsnico se le conoce como semiconductor tipo N, debido a la carga
negativa de los electrones sobrantes.
Este tipo de materiales que son diseados por el ser humano, no se
encuentran de forma natural en el planeta, sino que son elaborados por
medio de complejos procesos industriales; de ah su nombre de
semiconductores extrnsecos, ya que sus propiedades semiconductoras han
sido potenciadas debido a la intervencin humana. En la prctica, todos los
dispositivos electrnicos estn elaborados con semiconductores extrnsecos,
ya que la adicin de cantidades controladas de impurezas externas le da al
silicio (o al germanio, u otras sustancias semiconductoras) propiedades muy
particulares, que se aprovechan para la construccin de un simple diodo
hasta el ms avanzado circuito integrado.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2B
a) Qu es un semiconductor intrnseco?

37

b) A qu se le llama semiconductor extrnseco?

c) Cules son los semiconductores ms usados en la electrnica
moderna?
d) Qu elementos se utilizan regularmente como impurezas para
fabricar semiconductores?
e) Cul es la caracterstica que hace especiales a estos elementos?

2.3 CONDUCCIN ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES

Ahora que se conoce la estructura de un cristal de silicio al que se le han
aadido impurezas de otros elementos (a este proceso se le denomina
dopado), ha llegado el momento de identificar cmo se establece una
corriente elctrica dentro de un semiconductor de este tipo. En la figura
anexa se muestra un cristal de silicio con una impureza de arsnico, lo que
implica que se trata de un material tipo N. Es evidente que en el tomo de
arsnico, uno de sus electrones no establece un enlace molecular con los
tomos adyacentes, as que se puede considerar que se trata de un electrn
libre, con poca atraccin a su tomo original, por lo que basta con un
pequeo impulso externo para obligarlo a salir de esa posicin, y empezar a
viajar a travs del material.

Al aplicar un voltaje externo a un material semiconductor tipo N, se establece una

Ese impulso externo generalmente aparece en forma de una

diferencia de potencial (un voltaje externo aplicado), con lo cual el electrn
es rechazado por el extremo negativo del voltaje y atrado por el positivo,
con lo que comienza a saltar de tomo en tomo de la estructura cristalina,
pero como en cada tomo que llega sigue teniendo el papel de electrn
38

libre, es difcil que pueda mantenerse demasiado tiempo en una posicin,

as que contina su viaje hasta alcanzar el extremo positivo del voltaje
aplicado. Una vez que sucede esto, se podra pensar que el material se
queda sin electrones libres y se tendra que convertir en un aislante, pero
como la fuente de voltaje por lo general est inyectando ms electrones al
material, entonces se establece un flujo constante de corriente, aunque la
magnitud de ese flujo estar limitada por factores como el porcentaje de
dopado, la temperatura del material, la iluminacin externa, etctera.
Si el material es tipo P, esto es, un cristal de silicio con impurezas de
boro, entonces se tiene lo que se muestra en la figura adyacente: es obvio
aqu que en la posicin del tomo de boro se tiene una situacin no estable
donde slo se tienen siete electrones en la rbita de valencia; y como ya se
mencion, para lograr la estabilidad es necesario que hayan ocho electrones
en esta rbita; esto significa que en este tomo existe un hueco en esa
rbita.

Si se tiene un material tipo P, la situacin es similar, pero lo que circulan son los
huecos, convertidos en portadores de carga positiva.

En condiciones normales, no habra circulacin de corriente, pero

cuando se aplica un estmulo externo en forma de un voltaje, entonces el
tomo de boro trata de robar un electrn a los tomos contiguos, para
lograr la estabilidad en su rbita de valencia; pero este robo a su vez deja
con siete electrones al tomo afectado, el cual tambin tratar de arrebatarle
un electrn al que sigue, y as sucesivamente; establecindose una
circulacin de huecos que viajan desde el extremo positivo hacia el
negativo del voltaje aplicado. De ah la denominacin de material tipo N o
material tipo P: en el tipo N, los portadores de electricidad son los
39

electrones negativos, mientras que en el tipo P los portadores son los

huecos positivos. Se debe tener esto en cuenta, ya que resulta muy
importante para comprender el principio de operacin de los dispositivos
semiconductores.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2C
a) Menciona la caracterstica de los materiales semiconductores tipo N:
b) Seala las caractersticas de los materiales semiconductores tipo P:
c) Cmo

se

establece

una

corriente

elctrica

dentro

de

un

semiconductor N?
d) Cmo se denominan los portadores elctricos en un semiconductor
tipo P?

2.4 UNIN

P-N Y CARACTERSTICAS ASOCIADAS: DENSIDAD DE CARGA, CAMPO

ELCTRICO, POTENCIAL ELECTROESTTICO, CAPACITANCIA Y RELACIN I-V

Si ya se tienen dos materiales semiconductores distintos, uno tipo P y otro

tipo N, qu sucede si se juntan? Se forma lo que se conoce como una
unin P-N, y esta zona donde hacen contacto ambos materiales posee
caractersticas muy particulares, que se describirn enseguida.

Cuando se une un cristal P con un cristal N, en el punto de unin se crea, desde el

material N, un flujo natural de electrones que tratan de llenar los huecos del material P,

En la figura anexa se presenta un diagrama simplificado de lo que

sucede en una zona de unin P-N; es importante recordar que el material P
tiene exceso de huecos o cargas positivas disponibles, mientras que el N
40

tiene un exceso de electrones o cargas negativas. En condiciones de

reposo, y dado que un cristal con huecos trata naturalmente de atraer a
electrones libres para cubrir esos huecos, algunos de los electrones del
cristal N pasan al P, logrndose un equilibrio de potencial en esa zona de
contacto, que recibe el nombre de zona de transicin, en la cual no habr
portadores libres, y que para fines prcticos se comporta como una delgada
capa aislante. Esta capa es tan amplia como lo sea el dopado de los
materiales N y P (a mayor dopado, ms amplia ser la zona de transicin),
pero llega un momento en que se alcanza el equilibrio y ya no existe ms
traslado de cargas de un cristal al otro.
Sin embargo, aqu se presenta un problema: esos huecos y
electrones que viajaron hacia el material contiguo, dejaron en sus
respectivos cristales ncleos con exceso o falta de protones (esto es,
tomos ionizados), lo que significa que aparece una pequea diferencia de
potencial (un voltaje) en esa zona de transicin. Este campo elctrico se
opone a la difusin de los electrones y huecos en el material adyacente, y es
lo que impide que todos los huecos libres del material P se vayan al cristal N
y viceversa. Esto significa que en una unin P-N en reposo, se tiene una
capa amplia de material P aun con sus portadores positivos intactos, luego
aparece la capa de transicin neutra, que impide el viaje de nuevos
electrones o huecos hacia el material adyacente, y finalmente se tiene una
capa de material N con sus electrones libres listos para comenzar a
transportar carga. Este equilibrio se consigue cuando el campo elctrico
provocado por los tomos ionizados en los cristales, es suficiente para
impedir el traslado de ms electrones o huecos de un cristal a otro; esto es,
la densidad de carga en las zonas de contacto P y N se contraponen entre
s, creando una zona de no conduccin.

41

Cuando se alcanza el punto de equilibrio, los electrones que viajaron hacia el cristal
P dejaron iones positivos en el cristal N, y los tomos que aceptaron los electrones
en P se convirtieron en iones negativos. Esto crea un campo elctrico que impide el
flujo de ms electrones de N a P.

Qu sucede si se desea hacer circular una corriente a travs de la

unin PN? Para lograrlo, es necesario eliminar la condicin de reposo y
aplicar un estmulo externo que movilice a los portadores de carga internos,
siendo generalmente este estmulo un voltaje aplicado entre los extremos P
y N del material. Para lograr que los huecos del material P y los electrones
del material N salten la zona de transicin, es necesario aplicar un voltaje
mnimo, ligeramente superior al campo elctrico formado por los tomos
ionizados de esa zona intermedia. Este voltaje vara dependiendo del
material semiconductor empleado; por ejemplo, para el germanio es de
aproximadamente 0.3 voltios, mientras que para el silicio es de alrededor de
0.7 voltios; mientras no se alcance ese voltaje entre los extremos P y N, el
material no podr entrar en conduccin; y este voltaje no se puede aplicar en
cualquier direccin, tiene que conectarse el extremo positivo de la fuente
hacia el cristal P y el negativo hacia el N, ya que de lo contrario el material
tampoco dejar fluir la corriente elctrica.

42

Si se aplica un voltaje externo a la unin PN, con la polaridad mostrada en la figura, el

potencial positivo empuja a los huecos hacia el cristal N, mientras el potencial negativo
hace lo mismo con los electrones hacia el cristal P, eliminando la zona de transicin y
estableciendo una corriente elctrica.

Cuando se aplica un voltaje de modo que el extremo positivo de la

fuente vaya a P y el negativo a N, se produce el fenmeno ilustrado en la
figura anexa: el potencial positivo de la fuente empuja a los huecos del
material P hacia el material N, y el potencial negativo aplicado a N empuja
a los electrones hacia el material P; si el voltaje es suficiente como para
romper el campo creado en la zona de transicin, se establecer un flujo
de huecos desde P hacia N y un flujo de electrones de N hacia P, con lo que
la corriente elctrica podr fluir desde el extremo positivo hacia el negativo
de la fuente externa, establecindose un circuito elctrico.
Qu ocurre si se invierte la polaridad del voltaje aplicado? En la
figura anexa se muestra qu sucede si se aplica el extremo negativo de la
fuente al cristal P y el positivo al N; los huecos del material P sern atrados
por el potencial negativo de la fuente, y los electrones lo sern por el
extremo positivo, pero una vez que los huecos y electrones se concentren en
los extremos del cristal, ya no habr ms portadores en el resto del material
para llevar carga de un extremo a otro, y la zona de transicin no conductora
en la unin PN crecer de forma considerable. Esto significa que si se
polariza en este sentido una unin PN, no existir circulacin de corriente
dentro del material, ya que todos los portadores de carga se concentran en
sus extremos y no fluyen de un lado a otro.

43

Si se polariza la unin PN en sentido contrario, el potencial positivo atrae a los

electrones del cristal N, mientras el potencial negativo atrae a los huecos del material P,
creando una zona de transicin muy amplia, y evitando la circulacin de corriente en el
material.

Este comportamiento puede representarse en una grfica de voltaje

aplicado contra corriente circulando (grfica I-V), la cual se muestra
enseguida. Se tienen aqu las grficas ideal y real: se puede observar que en
la ideal no importa el valor del voltaje negativo aplicado, la unin PN nunca
conducir, mientras que basta que el voltaje sea ligeramente positivo, para
que la unin entre en conduccin de forma ilimitada.

Curva ideal

Curva real

El comportamiento de una unin de semiconductores PN puede graficarse como se

muestra: en el eje horizontal se tiene el voltaje aplicado, y en el vertical la corriente que
circula por el dispositivo. El comportamiento ideal sera como se muestra a la izquierda,
con cero conduccin para voltajes negativos, y conduccin infinita sin prdida de voltaje
para polarizacin positiva. El comportamiento real se muestra a la derecha, con una
conduccin mnima para polarizacin negativa hasta que se llega al voltaje de ruptura,
cuando el dispositivo comienza a conducir; mientras que en el lado positivo se requiere
de una pequea polarizacin para que la unin deje circular la corriente.

En la realidad, el comportamiento es ligeramente distinto: en la zona

negativa, por lo general una unin PN s permite cierta circulacin de
44

corriente, pero es tan pequea, que para fines prcticos se considera

despreciable; sin embargo, si el voltaje aplicado es demasiado alto, ocurre
un fenmeno llamado avalancha, en el cual los portadores internos de la
unin PN comienzan a circular rompiendo el potencial opuesto de la zona de
transicin. Esto normalmente implicara la destruccin del material, aunque
el

fenmeno

de

avalancha

tambin

puede

aprovecharse

dopando

cuidadosamente los materiales P y N.

En el extremo positivo del voltaje aplicado, se puede observar que la
unin PN no comienza a conducir de inmediato, sino que es necesario
aplicar un voltaje de polarizacin capaz de cancelar el campo elctrico
intrnseco de la zona de transicin. Una vez alcanzado este voltaje, el
material comienza a conducir, pero entre ms corriente conduce, mayor
voltaje se necesita para mantener ese flujo.
De este modo, se tienen un par de comportamientos muy peculiares
de una unin PN: puede funcionar como un interruptor que slo deje pasar
corriente cuando el voltaje aplicado sea en un cierto sentido, bloquendola
cuando se polarice en sentido contrario; esto es, sirve para rectificar un
voltaje a su entrada. Por otra parte, la imagen de un par de capas metlicas
con carga elctrica, separadas por una zona aislante, recuerda de inmediato
la estructura bsica de un condensador, y de hecho, las uniones PN tambin
poseen una capacitancia intrnseca, la cual se puede aprovechar para
ciertos dispositivos. Todo esto se detallar en la siguiente unidad al describir
a los diodos.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2D
a) Qu sucede cuando se unen un material P y un material N?
b) Cmo se le denomina a la zona de no conduccin entre ambos
materiales?
c) Qu es lo que impide que los electrones del material N sigan viajando
hacia el material P?
d) Qu ocurre si se aplica un voltaje positivo al cristal P y uno negativo al
cristal N?
e) Qu sucede cuando se invierte la polaridad?

45

f) Para qu sirve la grfica I-V?

2.5 UNIN PIN

Es importante tambin mencionar un tipo de unin muy particular, que fue la
que se utiliz cuando comenzaron a producirse los primeros dispositivos
electrnicos semiconductores comerciales; se trata de la unin PIN, que son
las siglas de P-intrnseco-N, y que significa que se tiene un material que
posee una zona P en un extremo, una zona N en el opuesto, pero en su
centro se tiene una delgada capa de material que no es ni P ni N, sino que
es cristal sin dopaje o intrnseco (I). Este tipo de uniones fueron comunes al
principio de la electrnica, ya que el proceso de fabricacin implicaba hacer
delgadas lminas de silicio o germanio, y colocarlas en una cmara donde
se aplicaba vapor de arsnico o boro para inducir las impurezas, pero esto
provocaba que a veces se creara precisamente una estructura P-I-N, en
lugar de una unin PN estricta. A continuacin se indican las caractersticas
especiales de este tipo de unin.
En la figura anexa
se muestra: un material
con una capa de cristal
tipo

P,

una

capa

de

material sin dopar, y una

capa de material N. En
este caso, se produce un
Cuando se elabora un dispositivo con una capa de
material N y otra de material P, divididas por una
delgada capa de material intrnseco (I), se tiene lo que
se conoce como unin PIN, la cual posee
propiedades especiales.

fenmeno

similar

al

explicado en la unin PN,

de huecos viajando hacia
el material N y electrones

viajando hacia el P, pero en este caso, al tener una capa de cristal sin dopar
entre ambos tipos de material, la zona de transicin se hace mucho ms
amplia. Esto crea una concentracin de cargas elctricas en los extremos de
la unin, la cual se encuentra en estado inestable, dispuesta a saltar ante
cualquier estmulo externo.
ste puede darse de distintas formas: un aumento en la temperatura
o, de forma ms comn, una exposicin a una luz brillante. Cuando sucede
46

esto, los portadores internos de los materiales P y N se incrementan y tratan

de alcanzarse uno al otro, pero al existir una zona de transicin tan amplia,
no pueden viajar de forma directa
a travs de la unin P-I-N; pero
qu ocurre si se coloca un
conductor

externo

entre

los

materiales P y N?, suceder que

los huecos de P tratarn de llegar
a N a travs de ese conductor, lo
mismo que los electrones de N

Las caractersticas tan especiales de la unin

PIN permiten por ejemplo que se utilice como
generador de voltaje a travs de la luz solar
(fotocelda), entre otros usos.

tratarn de alcanzar a P. Esto

significa que se establece una corriente elctrica entre ambos, producida por
la excitacin que provoca la exposicin a la luz de la unin P-I-N; y este es
precisamente el principio bsico de operacin de las fotoceldas. Este
fenmeno tambin se aprovecha en algunos otros dispositivos electrnicos.
De este modo, el estudio de los materiales semiconductores y su
funcionamiento interno resulta fundamental para comprender cmo trabajan
los distintos dispositivos electrnicos, lo cual se describir a partir de la
siguiente unidad.

ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE 2E
a) Qu significado tienen las siglas PIN?
b) Por qu eran comunes estas estructuras en los primeros procesos
de fabricacin de semiconductores?
c) Qu sucede si se da una excitacin externa a una unin PIN?
d) Por qu es necesario colocar un conductor externo entre los
extremos P y N de esta estructura?
e) Cmo se le llama al dispositivo semiconductor que convierte la luz
en electricidad?

47

AUTOEVALUACIN
1. Por qu se le denominan semiconductores a los materiales base
para la electrnica?

2. Cul fue el primer semiconductor descubierto?

3. Qu es el modelo de bandas de energa?

4. Cules son los elementos ms empleados en la electrnica

moderna?

5. Menciona la diferencia entre un semiconductor intrnseco y uno

extrnseco:
6. Menciona las caractersticas especiales de los materiales tipo P y
tipo N:

7. Qu sucede cuando se une un material P con uno N?

8. Qu ocurre si se aplica un voltaje (+) en el extremo P y uno (-) en el

extremo N?

9. Qu pasa si se invierte la polaridad?

10. Qu tiene de especial la unin PIN y para qu puede servir?

48

RESPUESTAS
1. Porque pueden comportarse como conductores o como aislantes,
dependiendo de caractersticas internas y externas.

2. El silicio.

3. Es un modo de visualizar rpidamente si un material es aislante,

semiconductor o conductor, trazando sus bandas de conduccin,
prohibida y valencia.

4. El silicio y el germanio.

5. El intrnseco se encuentra en la naturaleza tal cual es, y el extrnseco

requiere de manipulacin humana para potenciar sus propiedades
semiconductoras.

6. En los materiales tipo N, por el elemento usado como dopaje se

tienen algunos electrones libres, mientras que en el material P, por
falta de electrones, se tienen huecos; ambos tipos de portadores son
capaces de transportar corriente elctrica, si se dan las condiciones
adecuadas.

7. Se establece un intercambio de electrones desde N hacia P hasta

alcanzar una condicin de equilibrio.

8. El campo elctrico entre (x) y (-) obliga a los portadores dentro de los
cristales a desplazarse, estableciendo una corriente elctrica.

9. El campo elctrico tiende a concentrar a los portadores de los

cristales en sus extremos, impidiendo el flujo de corriente.

49

10. Que puede usarse para convertir alguna excitacin externa en

energa, como en el caso de las fotoceldas.

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RESPUESTAS A LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

Actividad de aprendizaje 2A:
a) El carbono o grafito.
b) Que conduce mejor cuando est iluminado que en la oscuridad.
c) Cuatro electrones.
d) Comparten sus electrones con los tomos adyacentes logrando
estabilidad atmica.
e) Banda de conduccin, banda prohibida y banda de valencia.
f) Silicio: 1.1 eV; germanio: 0.7eV

Actividad de aprendizaje 2B:

a) Es aquel que tiene propiedades semiconductoras tal y como se
encuentra en la naturaleza.
b) Son aquellos producidos de forma artificial, esto es, que necesitan de
algn proceso industrial adicional para potenciar sus propiedades
semiconductoras.
c) Los semiconductores extrnsecos.
d) Boro, indio, fsforo y arsnico.
e) Los dos primeros slo tienen tres electrones en su rbita de valencia,
y los dos segundos poseen cinco electrones

Actividad de aprendizaje 2C:

a) Que debido a sus impurezas, poseen electrones algunos libres en sus
rbitas de valencia.
b) Que debido a sus impurezas, tienen huecos o electrones faltantes
en sus rbitas de valencia.
c) Los electrones libres comienzan a circular de un tomo al siguiente,
impulsados por un voltaje externo.
d) Los portadores positivos reciben el nombre de huecos, porque
implican la ausencia de un electrn.

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Actividad de aprendizaje 2D:

a) Los electrones libres de N comienzan a viajar a P, hasta lograr una
condicin de equilibrio.
b) Zona de transicin.
c) El campo elctrico formado por los iones de los tomos que aceptaron
o cedieron un electrn.
d) El potencial positivo empuja los huecos de P hacia N, mientras que el
potencial negativo empuja a los electrones de N hacia P,
establecindose una corriente elctrica dentro del material.
e) Los huecos de P son atrados por el potencial negativo, mientras que
los electrones de N son atrados por el potencial positivo,
concentrndose ambas cargas en los extremos, y creando una zona
de no conduccin entre ambos cristales.
f) Para ver de forma rpida el comportamiento de una unin P-N cuando
se vara el voltaje aplicado entre sus extremos.

Actividad de aprendizaje 2E:

a) Material P Material Intrnseco Material N
b) Porque originalmente se aplicaban gases de boro y arsnico a
delgadas laminillas de silicio o germanio, dopando ambas caras y
quedando una ligera capa sin dopar al centro.
c) Los huecos de P y los electrones de N tratan de alcanzar el material
contrario, pero no pueden hacerlo por la presencia de la capa I.
d) Para que los portadores de carga de P y N puedan alcanzar al cristal
contrario.
e) Fotocelda.

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