Barrera interna de potencial[editar editar fuente]

Formacin de la zona de la barrera interna de potencial.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin,
zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga
espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas
p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso delsilicio y 0,3 V si los cristales son
de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.

Polarizacin directa de la unin P - N[editar editar fuente]

Polarizacin directa del diodo p-n.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa
a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

Polarizacin inversa de la unin P - N[editar editar fuente]

Polarizacin inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera.
A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga
elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que
han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y
una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominadacorriente inversa de
saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual,
como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que
en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los
cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la

superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con
lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente
inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.

Corriente de difusin
En un semiconductor donde tenemos portadores libres de carga(esto es,
gases de electrones y de huecos) tambin pueden darseprocesos de difusin
si la concentracin de portadores no es homo-gnea. No obstante, dado que
los portadores son partculas
cargadas
,existen algunas diferencias importantes con las situaciones descritas
FLML Apuntes de CF

124Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores

en el proceso anterior (que slo implicaban a partculas elctricamen-te
neutras).En primer lugar un ujo de partculas cargadas originar obvia-mente
una corriente elctrica, que se conoce como
corriente de difu-sin
. Por otra parte, si el origen de las inhomogeneidades de portado-res libres
proviene de una distribucin no uniforme de impurezas, de-bemos tener en
cuenta que stas se ionizan y permanecen bsicamenteinmviles mientras que
los electrones o huecos asociados a stas sonprcticamente libres. En este
caso, los procesos de difusin de por-tadores libres darn lugar a una
descompensacin espacial de la cargaelctrica que provocar la
aparicin deun campoelctricointerno
,
E
i
, quetiende a oponerse al propio proceso de difusin (es decir,el proceso
dedifusin acaba antes de que se haya homogenizado la concentracinde
carga)

e.