Estructura Geomtrica

Ing. Mara Luisa Espinoza Garca Urrutia

Escuela de Ingeniera Industrial

Defectos o imperfecciones cristalinas

Los

materiales cristalinos presentan imperfecciones que

afectan el comportamiento del material.

Mediante

el control de estas imperfecciones se pueden

obtener materiales ms resistentes, con mejor desempeo.

Los defectos pueden ser agregados de manera intencional

a fin de producir un conjunto deseado de propiedades
mecnicas y fsicas.

La

imperfecciones son responsables de ciertas

propiedades de los materiales: ductilidad de los metales,
comportamiento de los semiconductores, resistencia
mecnica de las aleaciones, color, etc.

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Defectos o imperfecciones cristalinas

Las imperfecciones de la red cristalina se clasifican
conforme a su geometra y forma:

Defectos puntuales o de dimensin cero.

Defectos de lnea o de una dimensin (dislocaciones).
Defectos de dos dimensiones: Lmites de grano interno
y de superficie.

Defectos macroscpicos o tridimensionales

Estos defectos pueden ocurrir de forma individual o
combinados.
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Defectos de punto
Vacante de red

Es el ms simple.
Lugar normalmente ocupado por
un tomo ahora ausente.

Se produce durante la solidificacin

y como consecuencia de las
vibraciones que desplazan los
tomos
de
sus
posiciones
reticulares normales.

Autointersticial

Defecto

producido
por
el
desplazamiento de un tomo de un
cristal a un lugar intersticial.

Producen distensiones grandes en

los tomos adyacentes.
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Defectos de punto: impurezas

Se presentan cuando se realiza una solucin slida, se adicionan tomos de soluto a un
material disolvente, mantenindose la estructura cristalina sin formar nuevas sustancias.

Impureza sustitucional
Los tomos de impurezas o soluto remplazan o
sustituyen a los tomos del disolvente.
Condiciones: Tamao (diferencia entre radios
atmicos menor al 15%).
Factor electroqumico, es decir pequea diferencia de
electronegatividades.
La estructura cristalina debe ser similar.
Valencia similar, el tomo de mayor valencia presenta
mayor tendencia a solubilizar que un metal de
valencia inferior.
Ej.: Aleacin de Cu y Zn

Impureza intersticial
Los tomos de impurezas llenan los vacos o los intersticios atmicos del disolvente.
Condiciones: Tamao, los dimetros atmicos de las impurezas son considerablemente
menores que los disolvente. Concentracin de los tomos intersticiales es bajo.
Ejemplo: Fe y C
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Ejercicio 1
1.

2.

3.

El cobre y el nquel satisfacen la primera y

segunda regla de Hume Rothery para
solubilidad completa?
El cobre y el nquel satisfacen la tercera y
cuarta regla de Hume Rothery para
solubilidad completa?
Compara las respuestas. Puedes predecir si
el Cu y el Ni presentan o no, solubilidad
completa o parcial?

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Unidades de concentracin de una solucin slida

Porcentaje en peso (%).

CA

Nmero de moles.

mD
N m ( D)
AD

Porcentaje atmico.

mA
x100
mA mB

N m ( D)
CD
x100
N m ( D) N m ( E )

mD= masa de D, AD = peso atmico de D

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Defectos de punto: impurezas

Defecto de Schottky
En cristales inicos los defectos
puntuales son ms complejos debido a
la necesidad de mantener su
neutralidad elctrica.
El defecto se produce cuando dos
iones opuestamente cargados faltan en
un cristal inico, crendose una
divacante aninica-catinica.

Defecto de Frenkel
Efecto creado cuando un catin se desplaza a un hueco intersticial en un cristal
inico, creando una vacante catinica en la posicin primitiva del ion.
La presencia de estos defectos en cristales inicos aumenta su conductividad
elctrica

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Ejercicio 2
En la siguiente tabla se dan el radio atmico, la estructura cristalina, la
electronegatividad y la valencia ms comn de varios elementos. Para los no metlicos
slo se ha indicado el radio atmico. Indicar cules de estos elementos pueden formar
con el Ni:
Una disolucin slida sustitucional con solubilidad total.
Una disolucin slida sustitucional con solubilidad parcial.
Una disolucin slida intersticial.
Elemento

Radio
atmico (nm)

Estructura
cristalina

Electronegatividad

Valencia

Ni

0,1246

FCC

1,8

2+

0,071

0,046

0,060

Ag

0,1445

FCC

1,9

1+

Al

0,1431

FCC

1,5

3+

Co

0,1253

HC

1,8

2+

Cr

0,1249

BCC

1,6

3+

Fe

0,1241

BCC

1,8

2+

Pt

0,1387

FCC

2,2

2+

Zn

0,1332

HC

1,6

2+

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Ejercicios 3
1. Cul es la composicin en % atmico, de una aleacin que contiene
98 g de estao y 65 g de plomo?
2. Cul es la composicin en % atmico, de una aleacin que contiene
99,7 lbm de Cu y 102 lbm de Zn y 2,1 lbm de Pb?
3. Cul es la composicin, en porcentaje atmico, de una aleacin que
contiene 97 % de Fe y 3 % de Si en peso?
4. El Ni forma una disolucin slida sustitucional con el cobre. Calcular
el nmero de tomos de Ni por cm3 en una aleacin Cu-Ni que
contiene 1,0 % de Ni y 99, 0 % de Cu en peso. Las densidades del Ni
y Cu puros son de 8,90 y 8,93 g/cm3, respectivamente.

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Defectos de lnea: Dislocaciones

Son defectos producidos en slidos cristalinos. Dan lugar a una distorsin
de la red centrada en torno de una lnea.
Se crean :
Durante la solidificacin de los slidos cristalinos
Por deformacin plstica del slido cristalino.
Los principales tipos de dislocaciones son:
Tipo de Cua o Borde
Tipo helicoidal o Tornillo

Mezcla

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Defectos de lnea: Dislocaciones

Tipo de Cua o Borde

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Defectos de lnea: Dislocaciones

Dislocacin Helicoidal o Tornillo
Se crea en un cristal perfecto por
aplicacin de esfuerzos de
cizalladura (corte).
Estos esfuerzos introducen en la
red una regin de distorsin en
forma de espiral o rampa helicoidal
que los planos atmicos trazan
alrededor de la lnea de dislocacin.
En torno a la dislocacin helicoidal
se crea una regin de tensin de
cizalla en la que se almacena
energa.
El deslizamiento o vector de
Burgers de la dislocacin helicoidal
es paralelo a la lnea de dislocacin.
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Defectos de lnea: Dislocaciones

Dislocacin Mixta

La mayor parte de
las dislocaciones de los
cristales son una mezcla de
ambas, tienen componentes
de cua y helicoidal.

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Defectos de lnea: Dislocaciones

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Defectos de dos dimensiones

Son defectos interfaciales que se dan en materiales
policristalinos.
Son lmites que separan granos o cristales de
diferentes orientaciones.
En los metales los lmites de grano se crean durante la
solidificacin, cuando los cristales se han formado a
partir de diferentes ncleos que crecen
simultneamente, juntndose unos a otros.
Su forma viene determinada por las restricciones
impuestas por el crecimiento de los granos ms
prximos.
Las agrupaciones de celdas que comienzan a
solidificar, crecen tridimensionalmente hasta toparse
unas con otras, deteniendo el crecimiento. Esto
produce zonas en las cuales la red cristalina est
ordenada llamadas granos y zonas denominadas
lmites de grano o fronteras de grano, en donde no
existe orden alguno.
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Defectos de dos dimensiones

Los defectos superficiales incluyen
superficies externas, lmites de grano,
lmites de macla, y lmites de fase.
La superficie externa representa el
lmite de la estructura cristalina, donde
termina.
Los lmites de grano separa los
pequeos granos o cristales que
tienen diferentes orientaciones
cristalogrficas.
Lmites de macla, lmite de grano a
travs del cual existe una simetra de
red especular. Pueden se mecnica o
de recocido

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Defectos de dos dimensiones

a) Lmite de grano

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b) Lmite de macla

c) Lmite de fase

Defectos tridimensionales

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