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Transistor de Unión Metal-Semiconductor

(MESFET)
Resumen- This paper amplificadores que la corriente se estabiliza por
presents the basic MESFET pueden operar hasta un efecto similar al JFET.
transistor characteristics, frecuencias de 60
structure and characteristic GHz, así como
curves, it operates at fairly
high frequencies with a high
circuitos digitales de
speed. It is built by gallium alta velocidad.
arsenide exceeds in many Curvas características
respects to silicon transistors.
Palabras Clave- Arseniuro
intensidad-voltaje del
de galio, Epitaxial, Drenador, MESFET
Mesfet. El funcionamiento del
MESFET es muy similar al Figura 2. Velocidad de
INTRODUCCIÓN Figura 1. Estructura de un del JFET. La capa epitaxial arrastre de los electrons en
MESFET. function del campo electrico,
Un MESFET es un semiconductora actúa como para el GaAs y el Si
transistor semiconductor el Los MESFET son un canal efectivo para los
cual fue propuesto por Mead construidos en su totalidad portadores, ya que está
en 1966, su funcionamiento con arseniuro de galio en limitado en su parte inferior
es conceptualmente similar lugar de silicio. Las ventajas por el sustrato semiaislante.
al JFET, desde un punto de de la utilización de este Si el canal es de tipo n, el
vista práctico puede operar elemento son varias: electrodo de puerta se
a frecuencias bastante altas, I. La movilidad polariza negativamente, con
en la región de las del arseniuro de lo cual se forma una región
microondas. A diferencias galio es cinco de carga espacial en el Figura 3. Curvas
de los JFET el electrodo de veces mayor a la semiconductor vacía de caracteristicas ID-VD de un
puerta está formado por una del silicio. portadores, que controla la MESFET, normalmente
II. La velocidad de anchura efectiva del canal. abierto.
unión metal-semiconductor
de ahí su nombre. arrastre máxima Asi mismo en el modo En el caso de los,
de los electrones normal de operación, la ESFET de Arseniuro de
por un campo fuente se conecta a tierra y galio, este de saturación de
DESARROLLO DE
eléctrico del el drenador a un potencial la corriente es debido en
CONTENIDOS
arseniuro de positivo. De esta forma la gran parte a la limitación de
galio es dos vece fuente inyecta electrones la velocidad de los
Estructura básica de un
mayor a la hacia el sumidero a través electrones en la región del
MESFET
velocidad del del canal formado por el canal próximo al drenador.
Los MESFET son silicio. semiconductor. Debido al diseño de los
semiconductores de alta III. Los MESFET se En la figura 2 se muestra MESFET, con una longitud
frecuencia los cuales a fabrican la variación de a intensidad de canal generalmente muy
diferencia de los JFET el depositando una ID en función del voltaje VD pequeña, el campo eléctrico
electrodo que se encuentra capa epitaxial de aplicado al drenador de un en la región del sumidero
en la puerta (G), está arseniuro de MESFET típico. puede alcanzar valores muy
formado por una unión- galio dopada Considerando VG=0. Para elevados cuando se aplican
semiconductor de tipo convenientemen pequeños valores de VD en tensiones de drenado
Schottky en lugar de una te sobre un canal semiconductor actúa suficientemente altas. Las
unión p-n, como se puede sustrato de como una resistencia puro, y velocidades de los electrones
apreciar en la figura 1. arseniuro de por tanto la relación ID-VD se sitúan a la derecha del
La estructura se galio con es tipo lineal. Cuando se máximo en la curva
completa con otros dos propiedades aplica un voltaje VD más correspondiente al arseniuro
electrodos metálicos semi-aislantes. elevado el canal de galio como se muestra en
depositados sobre la IV. La posibilidad semiconductor se hace cada la figura 3, alcanzando un
superficie del de puertas muy vez más positivo respectivo valor de saturación.
semiconductor, en sus cortas en los de la puerta por lo que la Si el potencial de puerta,
extremos, formando un dispositivos región de cada carga VG, se hace negativo la
contacto óhmico con el hacen que los espacial se hace región de carga espacial se
semiconductor. Unos de electrones progresivamente más ancha. ensancha y el canal
estos electrodos actúan de alcancen Esto implica una semiconductor se hace más
fuente o surtidor (S) y el velocidades disminución de la anchura estrecho. Por esto, la
otro de drenador o sumidero elevadas, lo que del canal y un aumento de corriente ID a través del
(D). [1] resulta en un su resistencia, lo cual da canal será menor cuanto
tiempo de lugar a una disminución de más negativo vea VG. La
transito muy la pendiente de la curva ID- ecuación
pequeño. VD. Cuando VD toma valores
Todas están superiores a una cierta
características hacen tensión critica o umbral.
posible el construir Necesaria para el Es tambien valida para
hoy en día estrangulamiento del canal, el MESFET, siendo Vp el
voltaje critico o umbral a REFERENCIAS
partir del cual de la [1] I. I. Escalona, Transistores de
corrinete se estabiliza por Efecto Campo (JFET, MESFET
efecto del estrangulamiento y MOSFET, Mexico, 2013.
del canal.
Cuando se requiere una
respuesta elevada a menudo
se recurre a dispositivos
MESFET diseñados para
que el canal se encuentre
cerrado cuando la tension
aplicado es cero. Sin
embargo, si se aplican
voltajes positivos con un
valor pequeño a la puerta la
region de carga espacial se
reduce dejando libre un
pequeño canal para la
corriente que pasa desde la
fuente al drenador. La
tenssion positiva aplicada a
la puerta nunca puede ser
superior a una pocas
decimas de coltio, ya que en
otro caso se perderian el
carácter bloqueante del
contacto y una cierta
fraccion de la corrinete a
traves del canal se perderia
por el propio contacto de
puerta. Las caracteristcas ID-
VD de estos dispositivos son
muy similares a las de canal
abierto, con la unica
diferecnia de que la
corriente aumenta al
aumentar VG, como se
observa en la figura. 4

Figura 4. Curvas
caracteristicas ID-VD de un
MESFET, normalmente
cerrado.

CONCLUSIONES
Los MESFET gracias a
que están construidos de
arseniuro de galio operan a
una alta frecuencia, gran
velocidad y mejor movilidad
de los electrones. En el
canal cerrado la corriente
aumenta al aumentar el
voltaje de gate.