Universidad de San Buenaventura Cali

Facultad de Ingeniera Electrnica

Electrnica Anloga
Laboratorio I
II periodo 2016

Reporte

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Juan Sebastian Mendez, 1145617

Andres Ortega, 1145876
Profesor: Guillermo Adolfo David Nuez

7 de agosto de 2016

Laboratorio I

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

ndice
1. Resumen

2. Objetivos
2.1. Objetivo general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2. Objetivo especfico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4
4
4

3. Lista de equipos

4. Lista de componentes

5. Resultados experimentales y anlisis de resultados

5.1. Caractersticas tcnicas del diodo semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.1. Terminales del diodo (grfico): . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.2. Proceso para determinar si el diodo est en buen estado o por el contrario est
daado: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2. Curva voltaje - corriente caracterstica del diodo semiconductor . . . . . . . . . . . .
5.3. Mtodo alterno para las curvas voltaje - corriente en los diodos . . . . . . . . . . . . .

6
6
6
6
7
10

6. Preguntas Complementarias

11

7. Conclusiones y recomendaciones

13

A. Anexos
15
A.1. Diodo Semiconductor 1N4004 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Facultad de Ingeniera Electrnica

2 de 18

Universidad de San Buenaventura Cali

Laboratorio I

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

ndice de figuras
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.

Simulacin Formas de ondas B/A . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Simulacin Corriente vs Voltaje del Diodo en Polarizacin Directa
(a). Simulacin Multisim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(b). Grfica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Grfica Polarizacin Directa (Practica) . . . . . . . . . . . . . . .
Montaje del circuito en Polarizacin inversa . . . . . . . . . . . .
Simulacin Corriente vs Voltaje del Diodo en Polarizacin Inversa
(a). Simulacin Multisim . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(b). Voltaje . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Montaje del circuito en polarizacin inversa . . . . . . . . . . . .
Simulacin Formas de ondas A y B independientemente . . . . . .
Practica del modo alterno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(a). Montaje Protoboard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(b). Vista en el Osciloscopio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Conexin puntas del osciloscopio . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Seal simulada y prctica B/A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(a). Simulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(b). Vista en el Osciloscopio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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6
7
7
7
8
8
9
9
9
9
10
10
10
10
11
11
11
11

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5
5
6
7
8

ndice de tablas
1.
2.
3.
4.
5.

Lista de equipos . . . . .
Lista de componentes . .
Especificaciones Tcnicas
Polarizacin Directa . .
Polarizacin Inversa . . .

Facultad de Ingeniera Electrnica

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Laboratorio I

1.

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Resumen

Resumen
En esta prctica de laboratorio se tratar el comportamiento del diodo semiconductor como
componente electrnica, ante polarizacin directa e inversa, para esto se estudiar grficas,
circuitos y hojas tcnicas de los componentes empleados.
Palabras clave: Diodos, Semiconductores, Curvas Caracteristicas, Comportamiento Fsico

2.
2.1.

Objetivos
Objetivo general

Experimentar el comportamiento de un diodo semiconductor ante la polarizacin directa e inversa

de sus terminales.

2.2.

Objetivo especfico
Determinar experimentalmente la curva voltaje corriente que caracteriza a un diodo semiconductor en particular.

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3.

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Lista de equipos
La lista de equipos utilizados en el experimento se muestra en la Tabla 3.
Tabla 1: Lista de equipos
Equipo
Fuente DC
Osciloscopio digital
Transformador de voltaje
Multmetro digital
Protoboard
Kit Herramientas
Manual ECG

4.

Sesin 1
Identificacin Cantidad Modelo
1
1
1
1
1
1
1

Lista de componentes
La lista de componentes utilizados en el experimento se muestra en la Tabla 2.
Tabla 2: Lista de componentes
Componente
Referencia
Diodo Semiconductor
1N4004
Transformador elctrico
Resistencia
Resistencia
-

Facultad de Ingeniera Electrnica

Valor nominal
0,7 V
120 v a 60Hz
100
3.3 K

5 de 18

Tolerancia
5
5

Potencia
3W
-

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Laboratorio I

5.

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Resultados experimentales y anlisis de resultados

5.1.

Caractersticas tcnicas del diodo semiconductor

Referencia: 1N4004
Tabla 3: Especificaciones Tcnicas
Material de fabricacin
Silicio
Potencia de disipacin
3W
Voltaje inverso de ruptura
400
Corriente mxima en directa
1A
Temperatura de almacenamiento -55 a 175

5.1.1.

Terminales del diodo (grfico):

Figura 1: Simulacin Formas de ondas B/A

5.1.2.

Proceso para determinar si el diodo est en buen estado o por el contrario est
daado:

Para comprobar el buen funcionamiento de un diodo semiconductor es necesario hacer uso de

un multmetro, para hacer dos procedimientos opuestos, para esto hay que colocar el multmetro en
el selector para medir resistencias: El primer procedimiento consiste en colocar la punta del cable
rojo en el nodo del diodo ( regin sin franja) y la punta del cable negro en el ctodo (regin con
la franja), si la resistencia que se lee en la pantalla del multmetro es baja, significa que el diodo
funciona bien y circula corriente a travs de l, si la resistencia medida es muy alta, quiere decir
que el diodo est abierto. El segundo procedimiento consiste en colocar la punta del cable rojo en el
ctodo y el cable negro en el nodo (polarizacin inversa), si la resistencia que se lee en la pantalla
del multmetro es alta, significa que se encuentra en buen estado, pues un diodo en esta conexin no
conduce corriente y si la resistencia medida es muy baja, significa que el diodo est en corto, por lo
tanto no sirve.

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5.2.

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Curva voltaje - corriente caracterstica del diodo semiconductor

Para el montaje del circuito se necesitaba calcular una resistencia entre la fuente de voltaje y el
diodo, esto es porque se necesita limitar la corriente que, por este pasa, para esto, primero se escogi
un rango de voltaje que se iba a utilizar, este fue de 0V a 30 V, tambin que se usara el 30 % de la
corriente mxima en polarizacin directa del diodo, de lo cual salieron los siguientes clculos:
30
1 = 0,3A
100
V
30
R=
=
= 100
I
0,3

(1)

I=

(2)

Tabla 4: Polarizacin Directa

Simulacin
Voltaje
Corriente
710.699 mV 28.93 mA
788.723 mV 121.128 mA
823.183 mV 217.682 mA
846.541 mV 315.346 mA
864.769 mV 413.342 mA
926.56 mV 907.342 mA
945.287 mV
1.195 A
962.32 mV
1.304 A
978.151 mV
1.502 A
993.978 mV
1.701 A

Prctica
Voltaje Corriente
480 mV
120 uA
645 mV
3.89 mA
681 mV
9 mA
706 mV 12.54 mA
718 mV 17.75 mA
730 mV 22.13 mA
738 mV 26.68 mA
742 mV 31.84 mA
748 mV
37 mA
751 mV
43 mA

(a) Simulacin Multisim

(b) Grfica

Figura 2: Simulacin Corriente vs Voltaje del Diodo en Polarizacin Directa

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Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Figura 3: Grfica Polarizacin Directa (Practica)

Figura 4: Montaje del circuito en Polarizacin inversa

Tabla 5: Polarizacin Inversa
Simulacin
Voltaje
Corriente
1V
111,022 nA
0V
0A
-710.699 mV -28,93 mA
-788.723 mV -121,128 mA
-823,183 mV -217,682 mA
-846,541 mV -315,346 mA
-864,769 mV -413,523 mA
-926,58 mV -907,342 mA
-970,364 mV
-1,403 A
-1,007 V
-1,899 A

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Prctica
Voltaje Corriente
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

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Laboratorio I

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

(a) Simulacin Multisim

(b) Voltaje

Figura 5: Simulacin Corriente vs Voltaje del Diodo en Polarizacin Inversa

Figura 6: Montaje del circuito en polarizacin inversa

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5.3.

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Mtodo alterno para las curvas voltaje - corriente en los diodos

Figura 7: Simulacin Formas de ondas A y B independientemente

(a) Montaje Protoboard

(b) Vista en el Osciloscopio

Figura 8: Practica del modo alterno

La corriente transformada, sigue siendo alterna pero reducida en su magnitud, cuando llega al
diodo se polariza directamente pues los valores de la tensin instantnea son positivos y mayores
a la tensin del umbral. En el momento en que la tensin cambia de positiva a negativa, el diodo
queda polarizado negativamente, por lo tanto, no habr un flujo de corriente. Por esta razn se ve
semicrculos en la pantalla del osciloscopio los negativos (azules) se forman opuestamente cuando
hay valores negativos.
El botn B/A o X/Y nos permite presentar seales en funcin del tiempo, con ello, lo que se
consigue es ver la relacin que puede existir entre dos canales en el osciloscopio. En este caso muestra
la relacin entre la tensin y la corriente del diodo, cuando hay una corriente alterna, esto modifica
la grfica y la muestra de manera contraria a la curva que conocemos.

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Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Figura 9: Conexin puntas del osciloscopio

(a) Simulacin

(b) Vista en el Osciloscopio

Figura 10: Seal simulada y prctica B/A

6.

Preguntas Complementarias

1. Por qu se dice que el diodo es un dispositivo no lineal?

Esta es la curva caracterstica del diodo (un diodo se comporta de esa forma), a diferencia
de la resistencia, que es un componente donde sus valores crecen en la misma proporcin sin
importar la direccin que lleve. Como no es una lnea recta, al diodo se le llama .Elemento No
Lineal" "Dispositivo No Lineal". Estos tipos de diodos tienen una tensin umbral, despus de
este lmite, la corriente empieza a crecer o a disminuir de manera drstica dependiendo de la
polarizacin. Si se aumenta mucho la corriente, el diodo podra romperse, si la tensin inversa
aumenta mucho, puede ocurrir una ruptura en el diodo.
2. Qu diferencias presenta un diodo de germanio versus un diodo de silicio en cuanto a sus
curvas caractersticas de voltaje - corriente?
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Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

La tensin umbral es diferente, el diodo de silicio tiene un voltaje de polarizacin directo

de 0,7 voltios, los diodos de germanio tienen una tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios.
Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio
son ms frecuentes que los diodos de germanio. Aunque los diodos de germanio raramente se
emplean en diseos nuevos, se pueden encontrar todava en circuitos especiales o en equipos
antiguos.
3. Qu funcin realiza el botn B/A en un osciloscopio? Para que puede servir?
Muchos osciloscopios no solo nos permiten presentar seales en funcin del tiempo (amplitud vs tiempo o Y-T) sino que tambin nos permiten representar unas seales en funcin de
otras (B-A). Con ello, lo que conseguimos es ver la relacin que puede existir entre dos canales
del osciloscopio. Esta configuracin produce unos patrones llamados figuras de Lissajous (en
honor al fsico francs Jules Antoine Lissajous) que es la representacin de una funcin en funcin de otra. Estas figuras son de especial inters para hacer anlisis de fase entre dos seales,
pero, tambin tiene una utilidad muy interesante de cara a poder mostrar la relacin entre la
tensin y la corriente (I-V) de un componente.

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7.

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Conclusiones y recomendaciones

1. Se realiz los clculos propicios para el montaje de un circuito que facilitara la observacin de la
curva voltaje corriente de un diodo semiconductor en polarizacin directa e inversa, probando
primero en una simulacin una resistencia pequea de 10 teniendo corrientes que pasan la
corriente mxima en polarizacin directa y su comportamiento, y una resistencia mayor de 100
que fue la correcta para medir en un laboratorio donde si no se mide bien esta resistencia,
podra tener consecuencias irreversibles en el funcionamiento de los componentes por el flujo
de corriente.
2. Podemos encontrar para cada diodo semiconductor una ficha tcnica, conteniendo mucha informacin muy til sobre corrientes y voltajes mximos, temperatura de funcionamiento y
material de fabricacin.
3. Cuando se trata de medir el circuito en polarizacin inversa en el laboratorio, no es posible
encontrar los mismos resultados que en la simulacin porque los valores son muy pequeos
tendiendo a cero y no siendo perceptibles en el multmetro.
4. El diodo tiene la capacidad de rectificar seales alternas, por su naturaleza de polarizacin,
permitiendo que pasen unas seales y las otras no, como se pudo ver en el modo alterno de la
curva voltaje corriente del diodo.

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Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Referencias

[Datateca, 2016] http://datateca.unad.edu.co/contenidos/203532/exelearning/Modulo/leccin4diodosdesilicioyge

consultado el 30 de julio del 2016.

[Profesor Molina, 2016] http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/diodos/lab/curso/curso.h

consultado el 30 de julio del 2016.
[Lizarraga Blog, 2016] https://lizarragablog.wordpress.com/2014/03/26/practica-2-diodoscaracteristicas-y-funcionamiento/ . Consultado el 31 de julio del 2016
[NTE Semiconductors , 1997] Master Replacement Guide, U.S., Asian and European Part Numbers.
Includes technical information.
[Electrofunltd, 2016] http://blog.electrofunltd.com/2015/02/introduccion-los-osciloscopios-modoxy.html . Consultado el 07 de Agosto del 2016

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A.
A.1.

Curvas de polarizacin del diodo semiconductor

Anexos
Diodo Semiconductor 1N4004

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15 de 18

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1N4001 - 1N4007
General-Purpose Rectifiers
Features
Low Forward Voltage Drop
High Surge Current Capability

DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE

Ordering Information
Part Number

Top Mark

Package

Packing Method

1N4001

1N4001

DO-204AL (DO-41)

Tape and Reel

1N4002

1N4002

DO-204AL (DO-41)

Tape and Reel

1N4003

1N4003

DO-204AL (DO-41)

Tape and Reel

1N4004

1N4004

DO-204AL (DO-41)

Tape and Reel

1N4005

1N4005

DO-204AL (DO-41)

Tape and Reel

1N4006

1N4006

DO-204AL (DO-41)

Tape and Reel

1N4007

1N4007

DO-204AL (DO-41)

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25C unless otherwise noted.

Value
Symbol

Parameter

1N
4001

1N
4002

1N
4003

1N
4004

1N
4005

1N
4006

1N
4007

Unit

50

100

200

400

600

800

1000

VRRM

Peak Repetitive Reverse Voltage

IF(AV)

Average Rectified Forward Current

.375 " Lead Length at TA = 75C

1.0

IFSM

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

30

I2t

Rating for Fusing (t < 8.3 ms)

3.7

A2sec

TSTG

Storage Temperature Range

-55 to +175

Operating Junction Temperature

-55 to +175

TJ

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4001 - 1N4007 Rev. 1.1.0

www.fairchildsemi.com

1N4001 - 1N4007 General-Purpose Rectifiers

November 2014

Values are at TA = 25C unless otherwise noted.

Symbol
PD
RJA

Parameter

Value

Unit

Power Dissipation

3.0

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

50

C/W

Value

Unit

Electrical Characteristics
Values are at TA = 25C unless otherwise noted.

Symbol

Parameter

Conditions

VF

Forward Voltage

IF = 1.0 A

1.1

Irr

Maximum Full Load Reverse Current,

Full Cycle

TA = 75C

30

IR

Reverse Current at Rated VR

TA = 25C

5.0

TA = 100C

50

CT

Total Capacitance

VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz

15

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4001 - 1N4007 Rev. 1.1.0

A
pF

www.fairchildsemi.com
2

1N4001 - 1N4007 General-Purpose Rectifiers

Thermal Characteristics

20
10

1.4

FORWARD CURRENT (A)

FORWARD CURRENT (A)

1.6

1.2
1
0.8

SINGLE PHASE
HALF WAVE
60HZ
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
.375" 9.0 mm LEAD
LENGTHS

0.6
0.4
0.2
0

20

40
60
80 100 120 140
AMBIENT TEMPERATURE ( C)

4
2
1
0.4
0.2
0.1
0.02

160

0.01
0.6

180

0.8
1
1.2
FORWARD VOLTAGE (V)

1.4

Figure 2. Forward Characteristics

1000

30
REVERSE CURRENT ( A)

FORWARD SURGE CURRENT (A) pk

Figure 1. Forward Current Derating Curve

24
18
12
6
0

T J = 25C
S
Pulse Width = 300
2% Duty Cycle

0.04

4 6 8 10
20
40 60
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

TJ = 150C

10
TJ = 100C

1
0.1
0.01

100

Figure 3. Non-Repetitive Surge Current

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4001 - 1N4007 Rev. 1.1.0

100

T J = 25C

20
40
60
80
100 120
RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

140

Figure 4. Reverse Characteristics

www.fairchildsemi.com
3

1N4001 - 1N4007 General-Purpose Rectifiers

Typical Performance Characteristics