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DE ARMADURA
El electroimn hace vascular la armadura al ser excitada, cerrando los contactos dependiendo
de si es normalmente abierto o normalmente cerrado.
DE NCLEO MVIL
Tienen un mbolo en lugar de la armadura. Se utiliza un solenoide para cerrar los contactos. Se
suele aplicar cuando hay que manejar grandes intensidades.
La resistencia
Al conectar una batera a un material conductor, una determinada cantidad de corriente fluir a
travs de dicho material. Esta corriente depende de la tensin de la batera, de las dimensiones
de la muestra y de la conductividad del propio material. Las resistencia se emplean para
controlar la corriente en los circuitos electrnicos. Se elaboran con mezclas de carbono,
lminas metlicas o hilo de resistencia, y disponen de dos cables de conexin.
Es un componente pasivo, es decir no genera intensidad ni tensin en un circuito. Su
comportamiento se rige por la ley de Ohm.
Ley de Ohm:
La corriente fluye por un circuito elctrico siguiendo varias leyes definidas. La ley bsica del
flujo de la corriente es la ley de Ohm, as llamada en honor a su descubridor, el fsico alemn
Georg Ohm. Segn la ley de Ohm, la cantidad de corriente que fluye por un circuito formado
por resistencias puras es directamente proporcional a la fuerza electromotriz aplicada al
circuito, e inversamente proporcional a la resistencia total del circuito.
Esta ley suele expresarse mediante la frmula I = V/R, siendo I la intensidad de corriente en
amperios, V la fuerza electromotriz en voltios y R la resistencia en ohmios. La ley de Ohm se
aplica a todos los circuitos elctricos, tanto a los de corriente continua (CC) como a los de
corriente alterna (CA), aunque para el anlisis de circuitos complejos y circuitos de CA deben
emplearse principios adicionales que incluyen inductancias y capacitancias.
Donde:
2. De pelcula de carbn.
El proceso de fabricacin es el mismo que el anterior pero la tira es una pelcula metlica. Los
metales ms utilizados son Cromo, Molibdeno, Wlfram y Titanio. Son resistencias muy
estables y fiables.
4. Bobinadas.
Tienen enrolladas sobre un cilindro cermico, un hilo o cinta de una determinada resistividad.
Se utilizan las aleaciones de Ni-Cr-Al y para una mayor precisin las de Ni-Cr.
Disipan grandes potencias. Los modelos ms importantes son : Cementados, vitrificados y
esmaltados.
5. Variables
Los condensadores
Es un componente electrnico que almacena cargas elctricas para utilizarlas en un circuito en
el momento adecuado.
Est compuesto, bsicamente, por un par de armaduras separadas por un material aislante
denominado dielctrico. La capacidad de un condensador consiste en almacenar mayor o
menor nmero de cargas cuando est sometido a tensin.
Condensador bsico :
De mica
Son condensadores estables que pueden soportar tensiones altas, ya que la rigidez dielctrica
que presenta es muy elevada. Sobre todo se emplean en circuitos de alta frecuencia. Se
utilizan en gamas de capacidades comprendidas entre 5pf y 100000pF. La gama de tensiones
para las que se fabrican suelen ser altas (hasta 7500v). Se estn sustituyendo por los de vidrio,
de parecidas propiedades y ms barato.
Condensadores variables
Constan de un grupo de armaduras mviles, de tal forma que al girar sobre un eje se aumenta
o reduce la superficie de las armaduras metlicas enfrentadas, varindose con ello la
capacidad.
El dielctrico empleado suele ser el aire, aunque tambin se incluye mica o plstico.
Condensadores ajustables
Denominados tambin trimmers, los tipos ms utilizados son los de mica, aire y cermica.
Capacitor Electrolitico
A diferencia de los capacitores comunes, los capacitores electrolticos se han desarrollado para
lograr grandes capacidades en dimensiones fsicas reducidas.
Este capacitor se logra con un dielctrico especial. La capacidad de un capacitor tiene frmula:
C = EA / d
donde:
- A = superficie
- d = separacin de placas
- E = constante dielctrica
Si el valor de la constante dielctrica (E) aumenta, tambin aumenta la capacitancia del
capacitor.
Este dielctrico es un electrolito constituido por xido de aluminio impregnado en un papel
absorbente.
Cuando se fabrica el capacitor electroltico, se arrollan dos lminas de aluminio, separadas por
El capacitor electroltico es un elemento polarizado, por lo que sus terminales no pueden ser
invertidas. Generalmente el signo de polaridad viene indicado en el cuerpo del capacitor.
El inconveniente que tienen estos capacitores es que el voltaje permitido entre sus terminales
no es muy alto. Si fuera necesario cambiar este capacitor, se debe buscar uno de la misma
capacidad y con un voltaje igual o mayor al del capacitor daado, pero...
No se recomienda utilizar un capacitor de voltaje (dato de fabrica) muy superior al daado pues,
un capacitor que recibe un voltaje mucho menor que para la que fue diseado, siente que no
estuvo polarizado en corriente continua y la capa de xido de aluminio disminuye hasta que el
elemento falla.
Nota: Este tipo de capacitores deben de utilizarse lo antes posible despus de su fabricacin.
Si el perodo de almacenamiento antes de usarlo es muy largo, al no recibir voltaje, se empieza
a daar (se reduce la capa de xido de aluminio). Es conveniente tomar en cuenta siempre la
fecha de fabricacin.
EL DIODO
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocan en 1874, cuando se observ
la conduccin en un sentido en cristales de sulfuro, 25 aos ms tarde se emple el rectificador
de cristales de galena para la deteccin de ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se
desarroll el primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de
Germanio.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un
voltaje constante.
En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente
para que funcione en la zona operativa
Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe
tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que
circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p
son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa
las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L
es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa.
Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa
que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la
capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de,
por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin
de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos
y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la
de otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los
valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente
asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la
regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los
electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i.
En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea.
Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la
resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia
modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR
en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita,
mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la
capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la
inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
Diodos Varactores (Varicap)
Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o
sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo
de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est
polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una
regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de
agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la
regin sin carga se determina mediante:
CT = E (A/Wd)
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin P-N y
Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de
agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT
con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap se
limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de
transicin se determina en forma aproximada mediante:
CT = K / (VT + VR)n
donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin
El diodo tnel
En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un
grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una
caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo
casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente
de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle,
desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero
luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna
manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los
fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para
las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es
la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin
El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductoromn pero tiene
algunas caractersticas que hacen imposible su utilizacin en aplicaciones de potencia.
Estas son:
- El diodo Schottky tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo (en sentido de
la flecha).
Esta caracterstica no permiten que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de
rectificacin (por ejemplo fuentes de alimentacin) en que la cantidad de corriente que tienen
que conducir en sentido directo es bastante grande.
- El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).
El proceso de rectificacin antes mensionado tambin requiere que la tensin inversa que tiene
que soportar el diodo sea grande.
Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos de alta
velocidad como en computadoras, donde se necesitan grandes velocidades de conmutacin y
su poca cada de voltaje en directo ausa poco gasto de energa.
El transistor
transistor
bipolar:
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio
silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada
caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor:
El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia
de
uso
general.
bajas (no mayores de medio vatio). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas.
22
ejemplares
de
este
transistor
ningn
circuito
integrado.
Las hojas de especificaciones sealan como valores mximos garantizados 500 miliamperios,
50 voltios de tensin de colector, y hasta 500 milivatios de potencia. La frecuencia de transicin
es de 250 a 300 MHz, lo que permite utilizarlo en aplicaciones de radio de alta frecuencia
(hasta 300 MHz). La beta (factor de amplificacin, hFe) del transistor es de por lo menos 100;
valores
de
150
son
tpicos.
El 2N2222 es fabricado en diferentes formatos, los ms comunes son los TO-92, TO-18, SOT23,
SOT-223.
usarse
como
reemplazo
del
2N2222
en
caso
de
seales
pequeas.
de
1w
es
slo
para
aplicaciones
entre
50
100
mhz.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y
emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de
transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una
cantidad
Este
mayor
factor
se
sta,
llama
en
(beta)
un
factor
es
un
que
dato
se
propio
llama
de
amplificacin.
cada
transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib
(corriente
que
pasa
Ic
por
la
patilla
base).
Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en
un
caso
entra
al
transistor
en
el
otro
caso
sale
de
l,
viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc),
pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.
Transistor
Darlington:
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de
corriente.
Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Ver
la
figura.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
por
la
Entonces
corriente
de
analizando
Ecuacin
del
primer
Ecuacin
del
segundo
base).
el
transistor
es:
transistor
es:
IE1
IE2
grfico:
=
=
IB1
IB2
(1),
(2)
Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente de
base
El
del
transistor
transistor
T2.
Entonces
comn
IE1
con
IB2
(3)
la
identificacin
de
Transistor
las
Darlington
patillas
con
identificacin
la
de
patillas
Entonces
utilizando
IE2
las
su
la
ecuacin
estructura
(2)
IB2
la
ecuacin
=
interna
(3)
se
obtiene:
IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene la ecuacin
final
IE2
de
ganancia
del
transistor
Darlington.
IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un
transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( la ganancias se
multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor
Darlington y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 =
10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.
Muy
muy
pequeas.
importante:
La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta
de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios)
y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).