INFORME AMPLIFICADOR AUDIO

PRESENTADO A:
ING.
Ing. Fernando Pisso

PRESENTADO POR:
Pedro Felipe Sandoval Ceron
Jhon Hamilton Charo Orozco

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

UNIVERSIDAD DEL CAUCA
POPAYN

INTRODUCCION
En el presente informe se pretende disear e implementar dos circuitos
fundamentales para el correcto funcionamiento de un amplificador de
audio, estos son, el amplificador de voltaje y el amplificador de potencia,
como sus nombres lo indican, con el primero se obtiene una ganancia de
voltaje a la salida respecto del nivel de voltaje en la entrada, y con el
segundo, una ganancia de potencia en la salida respecto del nivel de
potencia en la entrada.

OBJETIVOS

Disear, analizar y comprender de manera eficiente la

implementacin del amplificador de audio con un parlante con
una resistividad igual a 8 ohm a 2 vatios.

Observar y analizar cada una de las etapas que tiene el diseo,

es decir el adaptador de impedancias, el preamplificador y el
amplificador de audio. teniendo en cuenta criterios de eficiencia
y distorsin.

Utilizar los conocimientos adquiridos en el curso de electrnica

bsica para fortalecer y aplicar los casos de amplificacin de
potencia y voltaje.

Utilizar los conocimientos adquiridos previamente en el curso de

electrnica bsica y las prcticas anteriores del laboratorio 1 de
electrnica para resolver inconvenientes.

Desarrollar las habilidades necesarias para abordar problemas

de sntesis, diseo e implementacin de sistemas analgicos.

Visualizar y desarrollar la habilidad

mediante etapas muy bien definidas,

diseo

de

sistemas

ESPECIFICACIONES:
Disear un circuito amplificador de potencia de audio el cual cuente con
una potencia de salida de 2W y con una carga equivalente aun parlante
de 4 ohm, tambin este circuito debe contar con 3 etapas de
funcionamiento que son respectivamente adaptador de impedancia, preamplificadora y amplificadora de potencia.

Para poder satisfacer las condiciones es necesario implementar transistores de

baja y alta potencia como los son los TIP 31 y el 2N2222 los cuales nos permitirn
una buena etapa de amplificacin tanto de alta y baja potencia.
A continuacin se presenta el diagrama de bloques en el cual se presentan las
etapas del funcionamiento de nuestro circuito.

MODULO 1: Adaptacin de impedancias, en esta etapa se busca es

aminorar las prdidas de potencia por reflexiones de carga y obtener la
mxima transferencia de potencia lo cual permite que el micrfono se
acople de la mejor forma a la etapa de pre-amplificacin
MODULO 2: Etapa de pre-amplificacin, en este mdulo se busca
aumentar el nivel de la seal actuando sobre la tensin de la seal de

entrada, con esto se logra obtener un nivel apropiado para el

funcionamiento de la etapa de amplificacin.
MODULO 3: Etapa amplificadora de potencia, en este mdulo se
aumenta el nivel de la seal de entrada incrementado su amplitud, con
esto se garantiza el nivel adecuado de potencia para que la carga
(parlante) funcione correctamente.
DISEO Y JUSTIFICACION DE CIRCUITO SELECCIONADO:
El circuito del que se hace uso para llevar a cabo la tarea de adaptacin de impedancia es la
configuracin en colector comn usando un transistor, como se ver a continuacin esta
configuracin resulta ser la ms apropiada ya que esta se caracteriza por una alta
impedancia de entrada muy alta, lo cual es muy deseable en un amplificador pues el
circuito que lo alimenta no debe entregarle mucha corriente (y as cargarlo) cuando le pase
la seal que de desea amplificar y una impedancia de salida baja.
Analicemos entonces el circuito:

Anlisis AC:

Vi

HIE
HFE.IB
R1
R2

22k

6.2k

RE

RL

V i=V b e +V e
V i=i b hi e + R L` i e

Donde R L` =R ER L

(1)

V i=i b hi e + ( ib + hf e ib ) R L` )

V i=i b ( hi e +( h f e + 1) R L`
Como:
Zb=

Vi
;
ib

Z b =hi e +( h f e + 1) R L ` (2)
Por lo que:
Z i= Z bR B

Con:
RB = R1R 2

Aqu podemos ver entonces que para que Z i obtenga una buena seal
de la fuente, este debe de ser al menos 10 veces mayor que la
impedancia interna de la fuente, por lo que debe de ser como mnimo.

Z i m i n=2.2 k

Por lo que:
Z i=

2.7k

Para cumplir con esto o Z b o R B asignamos un valor a una de estas dos

encontrando la impedancia restante en funcin de este valor asignado,
as tenemos:
RB =4.8 k

(3)

4.8 k Z b=2.7 k
4.8 k * Z b
=2.7 k
4.8 k + Z b

De donde:
Z b =6.17 k

(4)

Igualemos ahora las expresiones equivalente (2) y (4):

6.17 k =( h f e + 1) * R L`
Donde se ha despreciado el trmino hi e debido a que es una resistencia
que en la gran mayora de los casos es muy pequea por lo que se
puede ignorar frente al trmino (hf e +1 ) , debido a que se har uso del
transistor 2n2222, su ganancia es conocida y es igual a 200, por lo que:
6.17 k =201 * R L`
R L` =26.86

(5)

Igualando ahora (1) y (5) se tiene:

30.70 =

RE* RL
RE+ RL

Por lo que asignando un valor a cualquiera de las resistencias del lado

derecho de la igualdad se encuentra la otra, daremos entonces un valor
a la resistencia de emisor dada por:

R E=6.2 k

Por lo que:
R L=30.86

Encontremos ahora las resistencias de entrada del transistor R1 y R 2 de la

ecuacin (3), as:
4.8 k =

R1 * R 2
R 1+ R 2

Asignando a R1 un valor y se encuentra R2 :

R1=6.2 k
R2 =21.3 k

El valor del capacitor se encuentra de la ecuacin en la cual se utiliza la

frecuencia ms baja para ser procesada de manera efectiva por el
amplificador.

C1 =

1
1
=
=257.86 F
2 f R L 2 * 20 * 30.86

C 1=220 F

Anlisis DC.
El circuito equivalente bajo el anlisis DC es el que se muestra a
continuacin:

R1(2)

R1
6.2k

Q1
2N2222

R2
22k

R3
6.2k

22 . k
* 12 V 0.7 V I E * 6.2 k =0
22 k+ 6.2 k
I E =1.4 m A
12 V V C E ( 1.4 m A * 6.2 k ) =0

V C E =3.34 V

AMPLIFICADOR DE VOLTAJE
Para lograr esta ganancia de voltaje que se requiere en esta etapa del
amplificador de audio, se hace uso del transistor en su configuracin en
emisor comn, en la cual la seal de entrada se aplica a la base, y se
observa la salida en el colector del transistor, un esquema de este
podra ser el que se muestra a continuacin:

R6(2)

R6
R4

470

C4

47k
Vi

C2

202uF

Q2
2N2222

22u

C3
RL

12k

R5

1u

R7
100

Donde Vin es el voltaje voltaje de salida de la etapa anterior

(adaptadora de impedancia) y la resistencia Rin es la resistencia de
emisor de dicha etapa, esto lo tendremos en cuenta a la hora de disear
nuestro circuito amplificador de voltaje.

DISEO Y JUSTIFICACION DEL A. DE VOLTAJE

Anlisis DC.
Bajo anlisis DC el circuito a analizar es:

R4(2)

R6

R4

470

47k

Q2
2N2222
12k

R7

R5

100

Por LVK
Malla B-E
R2
V V B EI E R E =0
R 2 + R1 C C

..(1)

Malla C-E
Tenemos en cuenta que IC=IE
V C C I C ( R C + R E )V C E=0

(2)

Anlisis AC.
Para analizar el circuito en seal alterna el circuito equivalente hibrido
es:

Vi

HIE
HFE.IB
R1
47k

R2
12k

R7=RC
1 Ohm

R6 =RE

Como esta etapa est conectada a la salida de la etapa anterior, la cual

corresponde a la adaptadora de impedancia, donde su salida se obtena
en el emisor, as entonces Ri n es la resistencia de emisor del adaptador
de impedancia:
Ri n=6.2 k

Por LVK:
V i n=i b hi e +i b ( h f e + 1 ) R E

De donde:
V in
=Z b
ib

Z b =hi e +( h f e + 1) R E

(3)

Tambin tenemos que:

Z i n=( R1R 2 )Z b

(4)

Adems, la ganancia de voltaje estar dada por:

A v=

Vo
h f e ib R c
=
V i n ib hi e +i b ( 1+ hf e ) R E

( h f e R c)
hi e +( 1+hf e) RE

Si consideramos que generalmente el trmino ( 1+h f e) R E es mucho mayor

que hi e , estos es hi e ( 1+h f e ) R E , se obtiene:

A v=

h f e RC
( hf e +1 ) R E

(5)

Ahora, si queremos una buena seal de entrada, y que gran parte, si no

toda sea procesada por el amplificador de voltaje, deberemos de tener
una impedancia de entrada mucho mayor que Rin , es decir:
Z i n 6.2 k

Por lo que damos un valor adecuado a esta impedancia:

Z i n=10 k

(6)

Para obtener esto, de la ecuacin (4), encontraremos valores adecuados

para R1 y R2 , de tal forma que su paralelo me de aproximadamente 10k
, y posteriormente, analizaremos las condiciones para Z b , de tal forma
que esta sea mucho mayor que este valor, y as el paralelo sea bastante
cercano a los 10k que es el valor que se quiere obtener, por lo tanto:
Si R2 =12 k
R1 Podra ser:
R1=47 k

Si queremos una seal de salida, sin demasiada distorsin , damos un

valor a la ganancia, estos es , A v =15 , observando tambin que dicha
ganancia de la ecuacin (5) es inversamente proporcional a la
resistencia de emisor R E , asignamos a esta un valor pequeo, y en
funcin de este valor y la ganancia se obtiene RC , por tanto de (5):
A v ( h f e + 1 ) R E =RC

Si R E=100

RC470

Si analizamos el punto de operacin bajo el cual se encuentra el

transistor, de la ecuaciones (1) y (2) se obtiene:
I C Q =17.4 m A
V C E Q =2.08 V

DISEO Y JUSTIFICACION A. DE POTENCIA

Para el diseo del amplificador de potencia, se escogi el clase B en
cuasimetria-complementaria, debido a que este tipo de amplificador de
potencia presenta una eficiencia elevada en comparacin con otros
tipos y adems la potencia que disipan en muy baja, esto debido a que
los transistores se encuentra polarizados en el corte, estos es I C Q =0 , el
esquema del circuito es el siguiente:
vcc

R8
20k

220u

Q3
TIP31

C4
R10

C6

2.6k
470uF

C5

Q4
TIP32

220u

R13

R9
20k
4R

Nuestro diseo lo haremos en base a unos parmetros bien definidos los

cuales son:
PL =2 W

R L=4

Es posible demostrar que PL ma x esta dada por:

2

PL m a x =

( ICm RL)
2

De donde:
I C m =1 A

Calculo de R10 y R9 =R 8 :

Para hallar valores adecuados para estas resistencias se hace R9 y

R10 mucho menores que R L ,, estos es R10 , R 9 R L , esto con el fin de

minimizar las prdidas de la seal as:

R L=4

Calculo de R10 :

Suponemos un valor de20K para R9=R8

R10 =

2 R9 V B E
V C C 2 V B E

R10=2.6 K

Por lo que:
A i=

R2
= 39.37
R2
+ 2 RL
B

Calculo de C6 :

Este capacitor se encarga de garantizar la unin de las bases de

los transistores T 3 y T 4 , dicho capacitor es opcional, esto quiere
decir que es quitarlo del circuito no afectara gravemente el
funcionamiento de este, su valor est dado por:

C6 =

1
1
=
=1989 f
2 f ( R l ) 2 * 20 * 4

C6 =2200 F

La frecuencia f de la voz humana esta en el rango de 20hz a

20khz tomamos como referencia la frecuencia mas baja 20hz,
para que proceda de manera efectiva el amplificador.

CARACTERSTICAS DE LOS ELEMENTOS.

Capacitor: Un condensador es un dispositivo pasivo,
utilizado en electricidad y electrnica, capaz de almacenar
energa sustentando un campo elctrico. Est formado por
un par de superficies conductoras, generalmente en forma
de lminas o placas, en situacin de influencia total (esto es,
que todas las lneas de campo elctrico que parten de una
van a parar a la otra) separadas por un material dielctrico o
por el vaco. Las placas, sometidas a una diferencia de
potencial, adquieren una determinada carga elctrica,
positiva en una de ellas y negativa en la otra, siendo nula la
variacin de carga total.
Aunque desde el punto de vista fsico un condensador no
almacena carga ni corriente elctrica, sino simplemente energa
mecnica latente; al ser introducido en un circuito se comporta en
la prctica como un elemento "capaz" de almacenar la energa
elctrica que recibe durante el periodo de carga, la misma energa
que cede despus durante el periodo de descarga.
La carga almacenada en una de las placas es proporcional a la
diferencia de potencial entre esta placa y la otra, siendo la
constante de proporcionalidad la llamada capacidad o
capacitancia. En el Sistema internacional de unidades se mide en
Faradios (F), siendo 1 faradio la capacidad de un condensador en
el que, sometidas sus armaduras a una d.d.p. de 1 voltio, estas
adquieren una carga elctrica de 1 culombio.
Transistor
amplificador

(TIP31): Es un transistor
NPN de Silicio
de potencia, estos operan con voltajes

pequeos
intensas.

pueden

admitir

corrientes

relativamente

Transistor (2N2222): tambin identificado como PN2222, es

un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general. Sirve
tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin.
Puede amplificar pequeas corrientes a tensiones pequeas o
medias; por lo tanto, slo puede tratar potencias bajas (no
mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias
medianamente altas. Las hojas de especificaciones sealan como
valores mximos garantizados 500 miliamperios, 50 voltios de
tensin de colector, y hasta 500 milivatios de potencia. La
frecuencia de transicin es de 250 a 300 MHz, lo que permite
utilizarlo en aplicaciones de radio de alta frecuencia (hasta 300
MHz). La beta (factor de amplificacin, hFe) del transistor es de
por lo menos 100; valores de 150 son tpicos.

Transistor (tip32): Es un transistor PNP con caractersticas

similares al tip31.

DIAGRAMA ELECTRICO TOTAL

TABLA DE VALORES OBTENIDOS EN LAS RESISTENCIAS

RESISTENCI
A
VOLTAJE (v)
CORRIENTE
(mA)

R1

R2

R3

R4

R5

R6

R7

R8

R9

R10

2.68
0.41

9.32
0.41

8.7
1.41

9.96
0.2

1.96
0.15

6.18
12.2
5

1.31
12.9
8

5.36
0.26

5.40
0.27

1.14
O.17

TABLA DE VALORES OBTENIDOS EN LAS TRANSISTORES

ELEMEN
TO
VOLTAJE

VB
E
0.6

POTENCI
A (mw)

Q1
VC
E
3.2
4

QI
4.57

VB
C
2.7
1

VB
E
0.6
4

Q2
VC
E
4.5
5

Q2
59.05

VB
C
4.7
7

VB
E
0.5
8

Q3
VC
E
7.9
8

Q3
28.7

VB
C
7.4
3

VB
E
0.5
5

Q4
VC
E
3.4
2

Q4
26.25

VB
C
3.9
5

CONCLUCIONES

Se puede concluir que en para el diseo de un amplificador

de voltaje y potencia es necesario tener en cuenta una serie
de consideraciones para su correcto funcionamiento,
finalmente destacar la importancia de este tipo de circuitos
elctricos debido a su amplio uso en una gran gama de
aplicaciones entra las que se encuentran amplificadores de
voz, televisores, reproductores de CD y video

Siempre es vital el asegurarse que los elementos estn en buen estado y

trabajando con los valores, los cuales esta uno desarrollando el trabajo
terico.

Probar los instrumentos a usar, ya sean los propios o los suministrados en

el laboratorio, para evitar malos resultados que no conciernan al trabajo de
uno.

Tener siempre presente los elementos a usar y sus valores, y de esa

manera no producir daos por una mala conexin o un valor errneo.

Los circuitos es muy difcil que funcionen a la primera opcin por lo que es
muy necesario el perseverar y mantener el tesn para trabajar en el circuito

Un montaje organizado garantiza la disminucin en la distorsin y facilita

encontrar errores en el montaje del circuito.