Manual de Laboratorio

UniversidadAutnomadeBajaCalifornia
FACULTADDECIENCIASQUMICASEINGENIERA
IngenieroenElectrnica
Manualde
Laboratoriode
ElectrnicaAnalgica
Elabor:
Revisin:
JuanJessLpezGarca
Mayo2015
Comentariosysugerencias:
jjesuslg@uabc.edu.mx
NDICE
PREFACIO.................................................................................................................................................3
PrcticaNo.1....................................................................................................................................................5
CARACTERSTICASDELDIODOSEMICONDUCTOR..................................................................................5
Introduccin...............................................................................................................................................5
Procedimiento............................................................................................................................................7
Cuestionario...............................................................................................................................................9
PrcticaNo.2..................................................................................................................................................11
APLICACIONESCONDIODOS...............................................................................................................11
Introduccin.............................................................................................................................................11
Procedimiento..........................................................................................................................................12
Cuestionario.............................................................................................................................................16
PrcticaNo.3..................................................................................................................................................17
CARACTERSTICASDELTRANSISTORDEUNINBIPOLAR....................................................................17
Introduccin.............................................................................................................................................17
Procedimiento..........................................................................................................................................17
Cuestionario.............................................................................................................................................21
PrcticaNo.4..................................................................................................................................................22
APLICACIONESCONTRANSISTORDEUNINBIPOLAR.........................................................................22
Introduccin.............................................................................................................................................22
Procedimiento..........................................................................................................................................22
Cuestionario.............................................................................................................................................25
PrcticaNo.5..................................................................................................................................................26
CARACTERSTICASDELTRANSISTORDEEFECTODECAMPO................................................................26
Introduccin.............................................................................................................................................26
Procedimiento..........................................................................................................................................26
Cuestionario.............................................................................................................................................29
PrcticaNo.6..................................................................................................................................................30
APLICACIONESCONTRANSISTORDEEFECTODECAMPO....................................................................30
Introduccin.............................................................................................................................................30
Procedimiento..........................................................................................................................................31
Cuestionario.............................................................................................................................................33
PrcticaNo.7..................................................................................................................................................34
AMPLIFICADORDEVARIASETAPAS.....................................................................................................34
Introduccin.............................................................................................................................................34
Procedimiento..........................................................................................................................................35
Cuestionario.............................................................................................................................................39
ApndiceA......................................................................................................................................................40
OBTENCINDEPARMETROSDEDIODOS..........................................................................................40
ApndiceB......................................................................................................................................................41
OBTENCINDEPARMETROSDEJFET................................................................................................41
ApndiceC......................................................................................................................................................45
USODELPUERTOPARALELODELAPCCOMPATIBLECONIBM............................................................45
ApndiceD......................................................................................................................................................49
LaboratoriodeElectrnicaAnalgica
UABC
MEDICINDEVELOCIDAD,DIRECCINYPOSICINENELEJEDEUNMOTORROTATORIO.................49
NDICE
PREFACIO
EstemanualestdiseadoparaacompaaralcursodeElectrnicaAnalgicadelprogramadeestudiosde
IngenieroenElectrnica,delplan20092queseimparteenlaUniversidadAutnomadeBajaCalifornia,
paraellocontemplalostemasincluidosenelcontenidooficialdelcurso.
Pretendelograrunaprendizajesignificativoenlosestudiantesmedianteelusodetcnicas,herramientasy
experiencias de cursos previos que junto con los temas expuestos en clase, son suficientes tanto para
caracterizardispositivoselectrnicoscomoparacalcularyseleccionarloscomponentesquehaganoperar
adecuadamenteloscircuitoselectrnicosanalgicosseleccionados.
Especficamente,enlasprcticas1,3y5secaracterizandispositivoselectrnicos,paraellosecontempla
elarmadodeuncircuitoyunconjuntodepruebaselctricasalmismo;elseguimientodelasinstrucciones
permiteobtenerdatossuficientesyconvenientesparalacaracterizacin.Estasprcticastienendosfines;
elprimeroeslograrqueelalumnoreconozcalosdispositivosycorroborequeoperenconvenientemente,
y el segundo, es lograr que obtenga algunos parmetros relevantes del dispositivo los cules sern
necesariosparaelclculodecomponentesenlasprcticasdeaplicacinademslepermitiridentificary
compararesosmismosparmetrosconlosmostradosenlashojasdeespecificacindelosfabricantes.
Porotraparte,lasprcticas2,4,6y7sondeaplicaciones,lascules,aunquesencillas,sonampliamente
usadas en sistemas electrnicos comerciales; cada una de ellas contempla un circuito particular cuyas
especificacionesseomitenparapermitiralprofesorindicarlasyaportarflexibilidadyvariedad,aunasel
clculo de componentes debe apegarse al diagrama esquemtico, por lo que el alumno requiere usar
tantotcnicasdeanlisisdecircuitoscomolasecuacionesdescriptivasdelosdispositivoselectrnicos.
Casosespecialessonlasprcticas4y6yaquerequierenlainterconexinconuncircuitodigital,paraello
solosepresentaundiagramaabloquesdestecircuitoporloqueesdecisindelalumnoseleccionarel
tipodetecnologaausar.AunqueestecircuitodigitalnoespartedelcursodeElectrnicaAnalgica,su
usoloenriqueceycontribuyealaintegracindeconocimientosyaquesudiseoespartedelostemasdel
curso de Diseo Digital que se contempla a la par de ste; y aun en el caso de que el alumno no se
encontrasecursandodichaasignatura,sehacemsenfticoeltrabajoenequipoelculpuedeirmsall
delapropiamesadetrabajo.Estoplanteatambinlaoportunidadparaquealgunasprcticasdeambas
unidadesdeaprendizajeseancomunesloquepermitiraalosalumnosintegrarconocimientosyusarel
tiempodeformamseficiente.
Para las prcticas de aplicacin es necesario realizar los clculos y la eleccin de componentes
previamente al laboratorio, para esto se contemplan las horas de taller dentro de la misma unidad de
aprendizaje, aun as, es altamente probable que durante las pruebas operativas surjan imprevistos que
requieranajusteso,inclusive,reconsiderarlosdispositivosseleccionadosconloqueestoimplica,espor
ello que cada prctica contempla varias sesiones, las que basndose en experiencias previas de
aprendizaje con alumnos y la dificultad aparente de cada una, se sugiere que la prctica 2 sea de 2
sesiones, la 4 de 3 sesiones, la 6 de 2 sesiones y la 7 de 4 sesiones; mientras que para las prcticas de
caracterizacin(1,3y5)essuficiente1sesinparacadaunadeellas.
UABC
En cada prctica se indica la competencia que se busca alcance el alumno, una introduccin la cual
bsicamente es un breve contexto histrico relativo al dispositivo mismo al que se refiere el tema o al
desarrollotecnolgicodelaaplicacinmisma,unprocedimientoqueincluyeelprotocoloaseguirenlas
medicionesoconladescripcindelproblemaaresolver,lasespecificacionestcnicasalasquesedeben
apegarlosclculosylaspruebasoperativasparacorroborarelfuncionamientodelmismoy,porltimo,un
cuestionario con preguntas relativas al tema para ahondar en l o relacionadas a l, y otras para dar a
conoceralalumnolaexistenciadedispositivosintegradosquesolucionanengranmedidalaproblemtica
planteadaenlasprcticasdeaplicacin.
Espero que la estrategia de aprendizaje planteada en este manual, facilite a los alumnos visualizar los
alcances que tiene la electrnica analgica enlos equipos de uso comn y de sus grandes posibilidades
cuandosecompaginaconotrasreasdeconocimiento.
Atte.
JuanJessLpezGarca
PREFACIO
Ing.enElectrnica
PrcticaNo.1
CARACTERSTICASDELDIODOSEMICONDUCTOR
Alumno(s)/Fechas:
Elaboracin:
Entrega:
Competencia: Identificar las caractersticas primordiales de los diodos semiconductores aplicando las
tcnicasdemedicindevariableselctricasydecaracterizacindeparmetrosfsicos,para
reconocer aplicaciones y limitantes de uso de uniones rectificantes, de forma creativa,
ordenada,honestayresponsable.
Material: 1resistenciade470@Watt
1diodo(rectificadordegermanio)osimilar
1diodo1N4004(rectificadordesilicio)osimilar
1diodo(rectificadorschottky)osimilar
1diodo1N4394A(tnel)osimilar
1diodoemisordeluz(arseniurodegalio)osimilar
1diodo(reguladorzenerde2.7V)ocercano
Unmultmetroypuntasparamultmetro
Unafuentelinealdevoltajeypuntasparafuente
Unosciloscopioydospuntasparaosciloscopio
Ungeneradordefuncionesyunapuntaparagenerador
Tablillaparaconexiones(protoboard)
Unpardecablesconbananaycaimn
Introduccin
En 1919 el fsico ingls William Henry Eccles (18751966) acu el trmino diodo usando los vocablos
griegos di que significa dos y odos que significa camino para referirse a un dispositivo que permite la
conduccinelctricaenunasoladireccin,fenmenoconocidocomorectificacin;sinembargo,elorigen
deldiodoesmsantiguoaestafecha,dehechotienedosorgenes,cadaunoconsupropiahistoria.La
UABC
primeraesrelativaalosdiodosalvacoycomienzaen1873cuandoelcientficoinglsFrederickGuthrie
(18331886) descubre que un conductor cargado negativamente se descarga sobre otro positivo sin
necesidaddecontactofsicocuandoseleelevabalatemperaturahastaelrojovivoynoocurracuandose
cargabapositivamente.En1880elinventoryempresarioestadounidenseThomasAlvaEdison(18471931)
descubreelmismofenmenobuscandounaexplicacinyunamaneradeevitarqueelvidrioseahmeen
unodesusproductoselfocoincandescente;colocunaplacametlicadentrodeunabombillaalvaco,
aplicounvoltajepositivoalaplacayalencenderelfilamentodelabombillaobservquehabacorriente
elctricaentreplacayfilamento,encambio,silaplacasepolarizabanegativamentelacorrientecesaba,a
estefenmenoenelquehayconduccindeionesenunasoladireccinselellamefectoEdison.
Estos experimentos revelaron la existencia de iones negativos que se expulsan de un cuerpo cuando se
eleva su temperatura, fenmeno conocido como emisin termoinica (algunas veces tambin llamado
efectoEdison).
En1883Edisonsolicitalapatentedeundispositivoindicadoryreguladordevariacionesdevoltajebasado
enlaemisintermoinica,convirtindosesteenelprimerdispositivoelectrnicodelahistoria.En1904
el ingeniero y fsico ingls John Ambrose Fleming (18491945) trabajando para la Wireless Telegraphy,
fabricundispositivocondosterminalesque,usandoelefectotermoinico,convertacorrientealterna
endirectaelcualpatentcomoelementoparadetectarlaenvolventedeunaondaderadio;eldispositivo
fueconocidocomoVlvulaFleming.
Laotrahistoriaquecorreparalelacorrespondealosdiodossemiconductoresycomienzaen1833conel
cientfico ingls Michael Faraday (17911867) quien descubre que los cristales de sulfuro de plata,
reducan su resistencia elctrica al aumentar su temperatura, contrariamente a lo que ocurra en los
conductores,esteeventofueelprimerpasoaldescubrimientodelasemiconductividad.
En 1874, el fsico alemn Carl Ferdinand Braun (18501918) observ que cuando a un cristal de galena
(sulfurodeplomo)selehacacontactoconlapuntadeuncableconductormuydelgado,lacorrienteentre
el conductor y el cristal viajaba libremente solo en una direccin. En 1901 el cientfico indio Jagadish
ChandraBose(18581937)patentaunrectificadorbasadoenuncristalsemiconductorencontactoconun
hilo conductor y usado para detectar ondas de radio. Durante 1902 y 1906, el ingeniero elctrico
estadounidenseGreenleafWhittierPickard(18871956)deAmericanTelephoneandTelegraphprobtodo
tipodemineralesparafabricarrectificadoresllegandoalaconclusinqueelsilicioeraelmsconveniente.
Estos dispositivos tuvieron diferentes nombres: diodo de galena, diodo de punta de contacto, diodo de
cristalydiodobigotedegato.
En 1931 el matemtico ingls Alan Herries Wilson (19061995) publica la teora electrnica de los
semiconductores;apliclamecnicacunticaparaexplicarlaspropiedadesfsicasdelossemiconductores
ypropusoquelasemiconductividadsedebeaimpurezasenlaestructuradelcristal.En1938losfsicos
ruso Boris Davydov (1XXX19XX), el ingls Nevill Francis Mott (19051996) y el alemn Walter Hermann
Schottky(18861976),deformaindependientelleganalaconclusindequeelfenmenoderectificacin
se debe a la concentracin de electrones en la superficie del semiconductor formando una barrera
asimtrica.
En1939,elingenieroestadounidensesRussellShoemakerOhl(18981987)deBellTelephoneLaboratories
descubre en una muestra de silicio zonas diferenciadas formando una barrera, not que una tenia
UABC
impurezasdefsforoylaotraimpurezasdeboro,observqueenambosladosexistaconductividad,en
uno por exceso de electrones y en la otra por falta de ellos, su colega el qumico Jack Hall Scaff (1908
1980)desarrollelconceptodedopadodelsemiconductorparareferirsealasimpurezasqueagregabano
quitaban electrones y les llamaron regin n y regin p a las zonas dopadas con uno u otro tipo de
impureza. Ohl noto que entre ambas regiones exista una zona diferenciada la que posteriormente fue
llamadazonadevaciamientoodedeplexinosimplementezonapnyqueactuabacomounabarrerade
potencialqueevitabalaconduccin,lacualsevencasielpotencialpositivosecolocabaenlazonapyel
negativoenlan,yqueseincrementabasiseinvertalapolarizaci.
La unin semiconductora es el elemento primordial de la actual electrnica, la estructura bsica es

conocida como diodo semiconductor y la ecuacin que describe su comportamiento elctrico fue
desarrolladaen1949porelfsicoestadounidenseWilliamBradfordShockleyJr.(19101989)lacuales:
Donde :
T Temperatura en la unin
VD Voltaje en el diodo
q
VD
nKT
I D Corriente a travs del diodo q Carga elctrica bsica

1
I D I o e
I o Corriente de fuga (inversa) n Constante de fabricacin
K Constante de Boltzman
Sisemidenlascaractersticaselctricasdeundiodoyseajustanalaecuacin,esposibledeterminarla
resistenciaelctrica,lacorrientedefuga,einclusive,laconstantedefabricacindeldispositivo.
Procedimiento
VerificacindelDispositivo
Use un multmetro analgico como hmetro o uno digital como probador de diodos y compruebe que
cadaunodelosdiodosseencuentraenbuenascondicionesidentificandonodo(A)yctodo(K);reporte
lasmediciones:
Diodo
Silicio
Germanio
ArseniurodeGalio
Schottky
Zener
Tunel
MedicinenPolarizacinDirecta
MedicinenPolarizacinInversa
CurvaCaracterstica
Armeelsiguientecircuitoparacadaunodelosdiodos;midavoltajeycorrienteeneldiodo(apliqueleyde
Ohmparadeterminarlacorrientemidiendoelvoltajeenlaresistencia)yllenelapartecorrespondientede
latablaparacadacaso.
470
ID
VD
UABC
E(V)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
+0.5
+1.0
+1.5
+2.0
+2.5
+3.0
+3.5
+4.0
+4.5
+5.0
Silicio
E(V)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
+0.5
+1.0
+1.5
+2.0
+2.5
+3.0
+3.5
+4.0
+4.5
+5.0
Schottky
VD(V)
ID(mA)
VD(V)
ID(mA)
E(V)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
+0.5
+1.0
+1.5
+2.0
+2.5
+3.0
+3.5
+4.0
+4.5
+5.0
Germanio
E(V)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
+0.5
+1.0
+1.5
+2.0
+2.5
+3.0
+3.5
+4.0
+4.5
+5.0
Zener
VD(V)
ID(mA)
VD(V)
ID(mA)
E(V)
VD(V)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
+0.5
+1.0
+1.5
+2.0
+2.5
+3.0
+3.5
+4.0
+4.5
+5.0
ArseniurodeGalio
E(V)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
+0.5
+1.0
+1.5
+2.0
+2.5
+3.0
+3.5
+4.0
+4.5
+5.0
Tunel
ID(mA)
VD(V)
ID(mA)
Grafiquelosdatosexperimentalescolocandoenelejexelvoltajeyenelejeylacorriente(VDvsID),use
escalas diferentes en cada cuadrante para abarcar la mayor rea posible; dibuje todas las curvas en la
mismagrfica(cadacurvadediferentecolor);elgrficomostrarlacurvacaractersticadecadadiodo.
Prctica1.CaractersticasdelDiodoSemiconductor
UABC
ElectrnicaAnalgica
TiempodeRecuperacinInverso
Armeelcircuitoparacadaunodelosdiodos(exceptotunelyzener)yelevegradualmentelafrecuenciaen
el generador de funciones hasta observar claramente el tiempo de transicin entre conduccin y no
conduccin,reporteeltiempoderecuperacininversaencadacaso.
onda
cuadrada
470
v (t ) 10Vp
t rr
Diodo
trr(seg)
Silicio
ArseniurodeGalio
Germanio
Schottky
Cuestionario
1. Apartirdelosdatosexperimentales,determineelvoltajedeumbral(Vu),laconstantedefabricacin
(n),ylacorrientedefuga(Io)delosdiodosdesilicio,germanio,arseniurodegalioyschottky(vaseel
UABC
ElectrnicaAnalgica
anlisismostradoenelapndiceA);serecomiendausarelprogramaMatlabylafuncinsemilogyque
incluye.
2. Use las curvas caractersticas de los diodos de silicio, germanio, arseniuro de galio y schottky para
calcularlaresistenciaesttica(Re),dinmica(rd),promedio(Rprom)yhmica(R)decadadiodoenel
puntodeoperacin(Q)localizadoanuevedcimaspartesdelaregindepolarizacindirectadedicha
curva.
3. Uselacurvacaractersticadeldiodozenerydeterminelaresistenciadinmica(rdz)yesttica(Rez)del
cododelareginzener.
4. Uselacurvacaractersticadeldiodotunelydetermineparalazonadeimpedancianegativaelvoltaje
pico (Vp), voltaje valle (Vv), corriente pico (Ip), corriente valle (Iv), y la resistencia dinmica (rdT) y
promedio(RpromT)paraelpuntodeoperacin(Q)queseencuentraexactamentealamitaddelazona
deimpedancianegativa.
5. Qu aparato est diseado para observar la curva caracterstica de un dispositivo? Describa en
trminosgeneraleslosajustesquerequiereparaobservarconvenientementelacurva.
Conclusiones
10
Ing.enElectrnica
PrcticaNo.2
APLICACIONESCONDIODOS
Alumno(s)/Fechas:
Elaboracin:
Entrega:
Competencia:Analizarcircuitostpicosqueempleandiodosaplicandolastcnicasdeanlisisdecircuitosy
las caractersticas de los diodos semiconductores, para el desarrollo de sistemas
electrnicosprototiposquecubrannecesidadestcnicasdeoperacinenformaordenaday
conapegoanormasdeseguridad.
Material:4diodosrectificadoresdesilicio
1resistenciade10K
1resistenciade1K
4capacitoresde0.1fd@12V.
2capacitoresde33fd@12V.
Osciloscopioypuntasparaosciloscopio
Multmetroypuntasparamultmetro
Fuentedevoltajeypuntasparafuente
Generadordefuncionesypuntasparagenerador
Adaptadordetomacorrientede3a2hilos(flotador)
Capacitor,diodozener,resistencia,transformadorypuentedediodosdelosvalores
requeridosparaeldiseodelafuentereguladadelltimopunto.
Introduccin
Losdiodossemiconductoressonlosdispositivosmscomnmenteusadosenlaindustriaelectrnica;sus
aplicacionessonvastas.Lamsbsicaescomorectificador(permitirelpasodelacorrienteenunasola
direccin)usadaenlosconvertidoresdeCAaCDdeprcticamentetodoslosaparatoselectrnicosqueno
operan con bateras, esta aplicacin naci en 1874 en el mismo momento en que el fsico alemn Carl
Prctica2.AplicacionesconDiodos
11
UABC
ElectrnicaAnalgica
FerdinandBraun(18501918)observquelacorrienteelctricaentreunconductoryuncristaldegalena
(sulfuro de plomo) viajaba libremente solo en una direccin, posteriormente en 1895 el ingeniero
electrotcnico polaco Karol Franciszek Pollak(18591928) describi un dispositivo para rectificar ambos
ladosdeunasealalterna,estructuraqueactualmenteconocemoscomopuentedediodos,en1897el
fsico alemn Leo Graetz(18561941)lo populariz al publicarlo en una revista especializada por lo que
tambin se le llama puente de Graetz. Otras aplicaciones incluyen la regulacin de voltaje empleando
diodos con el efecto de rompimiento elctrico descrito en 1934 por el fsico estadounidense Clarence
MelvinZener(19051993);tambinsontilesparafabricarosciladoresdealtafrecuenciaempleandoel
efecto tnel, fenmenodescubierto por los fsicos, el noruego Ivar Giaever(1929), el gals Brian David
Josephson(1940) y el japons Leo Esaki (1925), siendo este ltimo quien adems en 1957 diseo un
diodo para que ocurriera dicho fenmeno por lo tambin es conocido como diodo Esaki; otras
aplicacionesvandesdelosclsicosdetectoresdeenvolventeconlosqueseconstruanreceptoresdeA.M.
conlosantiguosdiodosdecristal(obigotedegato),hastallegaralosactualessintonizadorescontrolados
porvoltajebasadosendiodosvaricap.
Procedimiento
RectificadordeOndaydeOndaCompleta
Armecadaunodeloscircuitosmostrados,apliqueunasealsinusoidalconlascaractersticasindicadasy
reporte en la cartula del osciloscopio, las formas de onda de entrada y salida as como las escalas
empleadas.
v(t ) 10 V p
1 KHz
v(t ) 10 V p
1
1 KHz
1
12
UABC
ElectrnicaAnalgica
SujetadordeVoltaje
Armeelcircuito,reportelaformadeondadeentradaysalida.
0.1 Fd
v (t ) 5 Vp
1 KHz
MultiplicadordeVoltaje
Armeelcircuitomostradoyrealicelasmedicionescomoseindicaycompletelatablaasociada.
E
A
0.1 Fd
0.1 Fd
v(t ) 10 V p
1 KHz
0.1 Fd
0.1 Fd
B
D
F
UseunvoltmetrodeCDymidaelvoltajepromedioentrelospuntosindicados
Terminales
Voltajeterico
Voltajeexperimental
RecortadoresdeVoltaje
Armecadaunodeloscircuitos,reportelaformadeondadeentradaysalida.
13
UABC
ElectrnicaAnalgica
1
v(t ) 10 V p
v(t ) 10 V p
1 KHz
1 KHz
ConvertidordeC.A.aC.D.deOndaCompleta
Armeelcircuito;reportelaformadeondadesalidasincarga,indiqueelvoltajepico,promedioyderizo;
apliquelacarga,indiquedenuevoelvoltajepico,promedioyderizo;determineelfactorderegulacin.
v (t ) 10 Vp
60 Hz
33 Fd
Vsincargaterico
Vsincargaexperimental
Vconcargaterico
Vconcargaexperimental
Vpico
Vprom
Vrizo
FuentedeVoltajeDual
UseelvoltmetrodeC.D.ymidaelvoltajeentrelospuntosAyBmanteniendolaterminalnegativadel
multmetroenlaterminalcomn.ReporteelvoltajetotalC.
14
UABC
ElectrnicaAnalgica
v (t ) 10 Vp
60 Hz
33 Fd
comn
33 Fd
Voltajeterico
Voltajeexperimental
FuentedeVoltajeReguladaconZener
Diseeunafuentereguladade2.7V@100mAcomolamostradadetalformaqueelfactor
deregulacinseamenoral25%.
Rs
127 Vca 10%
Vz
RL
60 Hz
Use el voltmetro de C.D. y compruebe que VL sea constante para diferentes RL incluida la resistencia
mnimadediseo( RL min V plena carga I L plena c arg a )yllenelatablasiguiente.
RL()
10K
1K
2RLmn=
3/2RLmn=
RLmn=
VL(V)
IL(mA)
Useosciloscopioyobserveelvoltajedesalida,reporte:formadeonda,voltajespico,promedioyderizo,
ascomoelfactorderegulacintericosyexperimentalesdelafuentesincarga(sc)yaplenacarga(pc).
Terico(sc)
Experimental(sc)
Terico(pc)
Experimental(pc)
Vpico
Vprom
Vrizo
F.R.
15
UABC
ElectrnicaAnalgica
Cuestionario
1. Describaunejemplorealenunaparatocomercialenelqueseutiliceelcircuito:
a) rectificadordeondacompleta
b) sujetadordevoltaje
c) multiplicadordevoltaje
d) recortadordevoltaje
2. Queesyqueusostieneuninversorensistemaselctricosdepotencia
3. Queesyqueusostieneunconvertidorde:
a) C.D.aC.A.
b) C.D.aC.D.
4. Porqufuenecesarioflotarelosciloscopio(oelgeneradordefunciones)enlosexperimentosdonde
seutilizaelpuentedediodos?
5. Qucambiosrequierenloselementosdelafuentedelltimopuntoparaaumentarelfactorde
regulacin?
Conclusiones
16
Ing.enElectrnica
PrcticaNo.3
CARACTERSTICASDELTRANSISTORDEUNINBIPOLAR
Alumno(s)/Fechas:
Elaboracin:
Entrega:
Competencia: Identificar las caractersticas primordiales de los transistores bipolares aplicando las
tcnicas de medicin de variables elctricas y de caracterizacin de parmetros fsicos,
para reconocer aplicaciones y limitantes en el uso de transistores bipolares, en forma
ordenada,responsable,honestayactitudcreativa.
Material: 1resistenciade100K
2resistenciasde1K
1transistor2N2222(osimilarBJTtipoNPN)
Fuentedevoltaje
Introduccin
El transistor bipolar ha sido uno de los dispositivos electrnicos ms importantes de la industria
electrnica;paraeldiseodecircuitosesnecesarioconocerlosparmetroselctricosquelocaracterizan,
stascaractersticasestncontenidasenlashojasdeespecificacionesquebrindaelfabricanteopueden
determinarsemediantepruebaselctricas.
Procedimiento
Verificacindeldispositivo
Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales (base, emisor y
colector);useunmultmetroanalgicocomohmetroounodigitalcomoprobadordediodosyreporte
Prctica3.CaractersticasdelTransistordeUninBipolar
17
UABC
ElectrnicaAnalgica
las mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente); verifique los resultados
comprobndolosconlaconfiguracinindicadaenlashojasdeespecificacindelfabricante.
Terminales
BaseEmisor
BaseColector
ColectorEmisor
CurvaCaractersticaBaseEmisor
Armeelcircuito;coloqueVbbaceroyajusteVcchastatenerunvoltajeVce=1V,midaVbeeIb(apliqueleyde
ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); para cada nuevo valor de Vbb reajuste Vcc para
mantenerVce=1Vycompletelatabla.
Vcc
1
100
Vce
Vbb
Ib
Vbe
Vbb(Volts)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Vce=1V
Vbe(Volts)
Ib(A)
AjustedenuevoVbba0yrepitaelprocedimientomanteniendoVce=3V,luegoparaVce=5Vyporltimo
paraVce=7V.
Vbb(Volts)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Vce=3V
Vbe(Volts)
Ib(A)
Vbe(Volts)
Ib(A)
Vbb(Volts)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Vce=5V
Vbe(Volts)
Ib(A)
Vbb(Volts)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
18
UABC
ElectrnicaAnalgica
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Vce=7V
GrafiqueVbevsIb(las4curvascondiferentecolorenelmismogrfico).
CurvaCaractersticaColectorEmisor
Armeelcircuito;coloqueVcca+12VoltsyajusteVbbhastatenerunacorrientedebaseIb=3A(apliqueley
deOhmmidiendoelvoltajeenlaresistenciadebase);ajusteVccaceroycompletelatabla.
19
Vcc
Ic
Vcc(Volts)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib=3A
100
Vce
Vbb
Ib
1
Vce(Volts)
Ic(mA)
AjustedenuevoVccen+12VoltsyrepitaelprocedimientoparaIb=7A,8Ay12A.
Vcc(Volts)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib=7A
Vce(Volts)
Ic(mA)
Vcc(Volts)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib=8A
Vce(Volts)
Ic(mA)
Vce(Volts)
Ic(mA)
GrafiqueVcevsIc(las4curvascondiferentecolor
enelmismogrfico).
Vcc(Volts)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib=12A
20
UABC
ElectrnicaAnalgica
Cuestionario
1. Use grficos de V vs I o hfe vs f segn corresponda e indique los siguientes parmetros de forma
geomtrica:
e) VEarly
a) hFE
c) fT
b) hfe
d) f
2. Apartirdelascurvascaractersticasobtenidasdeterminehie,hre,hfe,hoe, , yhFEparaelpuntode
operacinQ(4.5V,2.5mA).
3. Dibuje el modelo hbrido (parmetros h) equivalente para pequea seal y bajas frecuencias de ste
transistorparaelpuntodeoperacinQ(4.5V,2.5mA).
4. Escriba las ecuaciones que determinan los parmetros hbridos de colector comn (hic, hrc, hfc, hoc) y
basecomn(hib,hrb,hfb,hob)sisetienenlosdeemisorcomn(hie,hre,hfe,hoe).
Conclusiones
21
Ing.enElectrnica
PrcticaNo.4
APLICACIONESCONTRANSISTORDEUNINBIPOLAR
Alumno(s)/Fechas:
Elaboracin:
Entrega:
Competencia:Analizar circuitos tpicos que emplean transistores de unin bipolar aplicando las tcnicas de anlisis
de circuitos y las caractersticas de los transistores bipolares, para el desarrollo de sistemas
electrnicos prototipos que cubran necesidades tcnicas de operacin en forma ordenada, con apego
a estndares y normas de seguridad.
Material:Multmetroypuntasparamultmetro
Fuentelinealdevoltajeypuntasparafuente
Osciloscopioyunpardepuntasparaosciloscopio
MotordeCD,transistores,diodos,condensadores,resistencias,CIlineales,CIdigitales,sistema
de desarrollo digital, computadora personal (vase apndice C), compilador, etc, necesarios
paraeldiseodelsistemadecontroldemotor.
Introduccin
El transistor bipolar de unin fue durante mucho tiempo el dispositivo ms importante de la industria
electrnica, su gama de aplicaciones abarca desde fuentes de alimentacin hasta el tratamiento de
sealesanalgicasydiscretaspasandoporfuncionescomoelacoplamiento,laamplificacinyelfiltrado,
tanto para pequea seal como para aquellas que portan gran cantidad de energa. Una de las
aplicacionesmscomunesdeltransistorescomointerruptor,aunquesencilla,daunaampliaperspectiva
desuscapacidades.
Procedimiento
AstableconAnchodePulsoAjustable,LgicadeControl,PuenteHyFuentedeVoltajeSerie
Diseeeinterconectelossiguientescircuitos:
Prctica4.AplicacionesconTransistordeUninBipolar
22
UABC
ElectrnicaAnalgica
a) uncircuitopuenteHbasadoentransistoresbipolaresdiscretos(hardwarefijo)comoelmostrado
eneldiagrama,paramanejarunmotordeCDdeentre9Vy15Vycorrientedearranqueconocida
(mdala en caso de desconocerla); seleccione los transistores por la disipacin de potencia
requeridayconsidereelusodedisipadoresdecalorencasodequelosclculosasloindiquen;
b) multivibrador astable (basado en hardware fijo, hardware reconfigurable, softwarehardware,

firmwareocombinacionesdeellos)conunafrecuenciade1KHz,yciclotilajustableentre~0y
~100%.Elajustedebehacerseatravsdeunpotencimetro,botonespulsadores(pushbutton)o
escribiendodirectamenteelciclotilmedianteuntecladoconectadoalsistema;
c) circuito de control (basado en hardware fijo, hardware reconfigurable, softwarehardware,

firmware o combinaciones entre ellos) con 3 entradas de manera que cumpla las siguientes
condiciones:
A2
0
0
1
1
A1
0
1
0
1
A0
Q
Q
Q
Q
S1(n+1)
0
0
Q
S1(n)
S0(n+1)
0
Q
0
S0(n)
Operacin
Motorparado
Girodextrgirodelejedelmotor
Girolevgirodelejedelmotor
Lacondicinoriginalsemantiene
los cambios deben realizarse con interruptores elctricos tipo DIP (DIPswitch) o directamente
medianteuntecladoconectadoalsistemay,
d) unafuentedevoltajetiposerieparaalimentarelcircuitodigitalapartirdelafuentequesurteal
motor, de tal forma que la alimentacin sea nica; debe disearse usando regulador zener con
resistenciaytransistoryconsiderandoelusodedisipadorencasodequeelclculodegeneracin
decalorasloindique.
23
UABC
ElectrnicaAnalgica
VCC
ajuste de
ciclo til
Rv
Astable con
ciclo de
trabajo
ajustable
VM
VM
Rn
Rn
Motor DC
VCC
Ru
Ru
VCC
A0
A1
A2
Rp
Rp
S1
Control de
salida del
Astable
I M max
S0
VM
VCC
hardware fijo o
Rs
hardware reconfigurable o
Vz
software-hardware o
firmware o
combinaciones
fuente de voltaje tipo serie
Compruebe la operacin del conjunto, reportando la forma y caractersticas de la seal S1 y S0 si A2=0,

A1=1yelciclotilseajustaa:
a) 75%
c) 25%
b) 50%
d) 0%
S1yS0
S1yS0
24
UABC
S1yS0
ElectrnicaAnalgica
S1yS0
Cuestionario
1. Qu ventajas presenta la fuente de voltaje regulada con diodo zener y transistor con respecto a la
fuentedelaprctica#2?.
2. Dibujeyexpliqueelfuncionamientodelcircuitoreguladordevoltajeparalelo(conzenerytransistor),
hagaunatablaconunacolumnadeventajasyotradedesventajasconrespectoalreguladordevoltaje
serie.
3. Enlisteenformadecolumnas,lasventajasydesventajasquetendracolocaroptoacopladoresentreel
circuitodigitaldecontrolyelpuenteH(terminalesparacontroldedireccinyvelocidad).
4. Expliquelaraznparacolocar:
a) uncondensadorenparaleloalasterminalesdeunmotordecd.
b) undiodorectificadorencontrasentidoalflujodecorrienteentrecolectoryemisordelos
transistoresconectadosalmotor.
5. Investiguelaexistenciade3diferentescircuitosintegradospuenteHcomerciales;hagaunatablacon4
columnas donde indique: cdigo del fabricante, caractersticas tcnicas primordiales, diagrama
elctricointernoylafiguraycdigodelencapsulado.
Conclusiones
25
Ing.enElectrnica
PrcticaNo.5
CARACTERSTICASDELTRANSISTORDEEFECTODECAMPO
Alumno(s)/Fechas:
Elaboracin:
Entrega:
Competencia: Identificar las caractersticas primordiales de los transistores unipolares aplicando las
tcnicasdemedicindevariableselctricasydecaracterizacindeparmetrosfsicos,para
reconoceraplicacionesylimitantesenelusodetransistoresdeefectodecampo,enforma
ordenada,responsable,honestayactitudcreativa.
Material: 2resistenciasde10K
1resistenciade1K
1transistor2N5457(osimilarJFETChN)
Introduccin
Los transistores del tipo FET se han convertido en la herramienta ms dctil en el diseo de circuitos
analgicosydigitalesdebidoasusnotablescaractersticaselctricasquelepermitenunbajoconsumode
potenciayaltosnivelesdeintegracin.
Procedimiento
Verificacindeldispositivo
Compruebequeeltransistorseencuentraenbuenestadoidentificandolasterminales(compuerta,fuente
ydrenaje);useunmultmetroanalgicocomohmetroounodigitalcomoprobadordediodosyreporte
las mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente); verifique los resultados
comprobndolosconlaconfiguracinindicadaenlashojasdeespecificacindelfabricante.
Prctica5.CaractersticasdelTransistordeEfectodeCampo
26
UABC
ElectrnicaAnalgica
Terminales
CompuertaFuente
CompuertaDrenaje
DrenajeFuente
CurvaCaracterstica
Armeelcircuito;coloqueVDDen+10Volts,vareVGGparatenerelvoltajecompuertafuenteVGS=0;llevea
ceroVDDyllenelatabla.
VDD
ID
10
VDD(V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS=0V
1
D
VDS
S
VGG
10
VGS
VDS(V)
ID(mA)
RepitaelprocedimientousandoVGS= 0.5, 1y 1.5Volts.GrafiqueVDSvsID(las4curvascondiferente

colorenelmismogrfico).
VDD(V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS=0.5V
VDS(V)
ID(mA)
VDD(V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS=1.0V
VDS(V)
ID(mA)
VDD(V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS=1.5V
VDS(V)
ID(mA)
27
UABC
ElectrnicaAnalgica
CurvadeTransferencia
Empleando el mismo circuito, coloque VDD en +10 Volts y vare VGG hasta lograr el voltaje compuerta
fuenteindicado,llenelatablayobtengalacurvadetransferenciagraficandoVGSvsID.
VGS(Volts)
0
0.5
1.0
1.5
ID(mA)
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
28
UABC
Cuestionario
ElectrnicaAnalgica
1. A partir de las curvas caractersticas obtenidas determine IDSS y Vpo (utilice alguno de los mtodos
indicadosenelapndiceB).
2. Apartirdelascurvascaractersticasobtenidas determinegmyrdsydibujeelmodeloequivalentedel
transistorparapequeasealybajasfrecuenciasenelpuntodeoperacinID=IDSS
3. Por qu el trmino IGFET es ms conveniente que el trmino MOSFET para nombrar este tipo de
transistores?
4. HagaunatablacomparativacondoscolumnasconlasventajasydesventajasdelosFETrespectoalos
BJT.
5. Hagaunatablacomparativacondoscolumnasendondeseindiquenlasventajasydesventajasdelos
FETrespectoalosIGBT.
6. Elaboreunatablade4columnasquecontengasmbolo,ecuacindescriptoraycurvacaracterstica,de
lossiguientestiposdetransistores:
e) MOSFETCHNdeEmpobrecimiento
a) JFETCHN
b) JFETCHP
f) MOSFETCHPdeEnriquecimiento
c) MESFET
g) MOSFETCHPdeEmpobrecimiento
d) MOSFETCHNdeEnriquecimiento
h) CMOSFET
Conclusiones
29
Ing.enElectrnica
PrcticaNo.6
APLICACIONESCONTRANSISTORDEEFECTODECAMPO
Alumno(s)/Fechas:
Elaboracin:
Entrega:
Competencia: Analizar circuitos tpicos que emplean transistores de efecto de campo aplicando las
tcnicasdeanlisisdecircuitosylascaractersticasdelostransistoresunipolares,parael
desarrollo de sistemas electrnicos prototipos que cubran necesidades tcnicas de
operacinenformaordenada,conapegoaestndaresynormasdeseguridad.
Material:1resistenciade10K
1resistenciade4.7K
1resistenciade1K
1resistenciade100
2transistoresMOSFETparapequeasealdecaractersticasconocidas
1transistorMOSFETparagransealdecaractersticasconocidas
Osciloscopioypuntasparaosciloscopio
Foco,diodos,condensadores,resistencias,CIlineales,CIdigitales,sistemadedesarrollodigital,
computadorapersonal(vaseapndiceC),compilador,etc,necesariosparalosdiseos.
Introduccin
EltransistordeefectodecampoposeeaplicacionestanverstilescomolasdelBJTperodebidoasubajo
consumo de energa para operar, un mayor grado de integracin y laposibilidad de permitirel paso de
corrienteenambossentidos,loconvierteneneldispositivomsimportantedelaindustriaelectrnica.
Prctica6.AplicacionesconTransistordeEfectodeCampo
30
UABC
ElectrnicaAnalgica
Procedimiento
FuentedeCorrienteenEspejo
Utilice dos transistores idnticos (recomendable usar transistores en circuito integrado), calcule Rf para
queenRLcircule1mA.AlimentelafuenteusandoVDD=15V.CompruebefuentevariandoRL,completela
tabla.
V DD
Rf
RL
T1
RL()
0
100
1K
4.7K
10K
RLmx=
VGS
VDS1
VDS2
VL
IL
T2
Controldeintensidadluminosa
Disee un circuito astable con ciclo de trabajo ajustable (basado en hardware fijo, hardware
reconfigurable, softwarehardware, firmware o combinaciones entre ellos) y un circuito manejador de
potencia con IGFET para variar la intensidad luminosa de una lmpara incandescente de automvil con
consumodepotencia7Watts.
Lafrecuenciadeoscilacindebeserf0=100Hz,elciclotildebepoderajustarsedesdecuandomenos
10%yhastacuandomenos90%;lasalidadelosciladordebeencenderyapagaruntransistorconectado
al foco, el diseo debe corroborar que la disipacin de potencia quede dentro de la zona de operacin
segura(SOA)deltransistoryencasocontrarioagregareldisipadorcorrespondiente.
Alimentetodoelcircuitoconunasolafuente,paraellodiseeunafuentedevoltajeseriecomolaindicada
enlaprcticaNo.4deestemismomanual.
31
UABC
ElectrnicaAnalgica
VDD
VCC
Rv
ajuste de
ciclo til
Astable con
ciclo de
trabajo
ajustable
LAMPARA
RG
Compruebe la operacin del conjunto, reportando la forma y caractersticas de la seal de salida del
Astable(Q)ydeldrenajedelIGFETsielciclotilseajustaa:
a) ~100%
c) 50%
b) 75%
d) 25%
QyD
QyD
QyD
32
UABC
ElectrnicaAnalgica
QyD
OBSERVACIN:Mantengaalimentadoelcircuito,desconectelacompuertadelFETdelcircuitodigital(Q)y
conctela a tierra, observe el foco; desconecte una vez mas la compuerta del FET
peroahoramantngalasinconectaryobserveelfenmenoentreeltransistoryelfoco
(preguntanmero4delcuestionario).
Cuestionario
1. Investigue 2 sistemas electrnicos o circuitos integrados comerciales que hagan uso de fuentes de
corrienteensufuncionamiento.
2. Haga una tabla comparativa con tres columnas con las ventajas y desventajas entre las fuentes de
corriente:
a) Espejo
b) Wilson
c) Widlar
3. Indique3formascomnmenteusadasparaevitareldaopordescargaelectrostticaenunMOSFET.
4. SilosFETrequierennicamentevoltajeenlacompuertaparaoperar,expliquedetalladamenteporqu
fue necesario entonces, colocar una resistencia entre compuerta y tierra al utilizarlo como
interruptor.
Conclusiones
33
Ing.enElectrnica
PrcticaNo.7
AMPLIFICADORDEVARIASETAPAS
Alumno(s)/Fechas:
Elaboracin:
Entrega:
Competencia:Disearycaracterizaruncircuitoamplificadorlinealdevariasetapasaplicandolastcnicas
deanlisisdecircuitos,elmodeladodetransistoresydemedicindevariableselctricas,
para desarrollar sistemas amplificadores en el rango de la audiofrecuencia y la
radiofrecuencia en forma ordenada, actitud creativa, atendiendo necesidades de
operatividadyenapegoanormasyestndares.
Material: 1bocinade8@5W(oms)oemuleusandounaresistenciadepotencia
9resistenciasdelvalorrequerido
5capacitoresdelvalorrequerido
1transistorJFETparapequeasealdecaractersticasconocidas
1transistorBJTparapequeasealdecaractersticasconocidas
2transistoresBJTcomplementariosparagransealdecaractersticasconocidas
2disipadoresdecalorconlaresistenciatrmicarequeridaparalostransistoresdepotencia
Fuentelinealdevoltajedualyunpardepuntasparafuente
Generadordefuncionesypuntasparagenerador
Osciloscopioyunpardepuntasparaosciloscopio
Introduccin
El transistor bipolar configurado como emisorcomn es el tipo de amplificador ms comnmente
empleadodebidoasusfavorablescaractersticasdegananciaenvoltaje(Av),impedanciadeentrada(Zi),
impedanciadesalida(Zo)yanchodebanda(BW)ajustablesdentrodeampliosrangosdeoperacin;sin
embargo,enocasiones,lascaractersticasdelacargaalaquedebealimentarodelgeneradordelquese
Prctica7.Amplificadordevariasetapas
34
UABC
ElectrnicaAnalgica
alimentasonextremosasporloquesucorrectaoperacinrequieredeetapasextrasquemejorenaunms
estascaractersticas.
Procedimiento
Especificaciones
Disee un amplificador de tres etapas para el rango de la audiofrecuencia (20 Hz a 20 KHz), estable a
variacionesdetemperaturaymximaexcursinsimtrica,cadaetapaacopladacapacitivamenteentresiy
alimentadasusandoVDD=VCC=V,detalformaquelasetapassean:
1. Preamplificador basado en un JFET en configuracin FC que posea una ganancia en voltaje

e impedancia de entrada Zi K para alimentar una carga la cual es la
Avpreamp
impedanciadeentradadelemisorcomnZiEC.
2. AmplificadorbasadoenBJTenconfiguracinECcongananciadevoltajeAvamp=cuya
cargaeslaimpedanciadeentradadelaetapadepotenciapushpull(ZiPushPull).
3. Etapa de salida clase B en configuracin PushPull para alimentar una carga RL= _8_ a una
potencia 5Wrms;calculeladisipacinrequeridaparaquelaetapaoperecorrectamentehasta
unatemperaturaambienteTAmax=Ceincluyaeldisipadordecalorrequeridosilosclculos
loindican.
VDD
VCC
VCC
RC
RBU
RD
TP4
Co
TP5
TP6
Cm
TP2
TP3
altavoz
Ci
TP1
vi
R E1
RBD
RG
RS
preamplificador
CS
RE 2
amplificador
de voltaje
VCC
CE
amplificador
de corriente
CircuitosdePolarizacin
Usando el voltmetro de C.D. verifique que los circuitos de polarizacin tengan los puntos de operacin
establecidoseneldiseoycorregirsifueranecesario.
35
UABC
ElectrnicaAnalgica
Terico
Experimental
VG
Preamplificador
VS
IDQ
VDSQ
VB
Amplificador
VE
ICQ
VCEQ
VB
VE
EtapadePotencia
ICQ1
VCEQ1
ICQ2
VCEQ2
Amplificacin
Apliqueunasealsinusoidalde50mVppaunafrecuenciaintermedia(serecomiendaseisoctavasarribade
ladecorteinferior);useelosciloscopioyverifiquequelaamplificacintotal(AV)sealacorrectamidiendo
elvoltajeenlaresistenciadecarga.Reportelamximagananciadesuamplificador(AVmax)colocandoCE
enparaleloaRE1+RE2.
Terico
Experimental
vg
vL
AV
AVmax
@f=KHz
Reportelasformasdeondaencadaunodelospuntosdepruebaindicadosenelesquema.
TP1
TP3
TP2
TP4
36
TP5
TP6
RespuestaalafrecuenciadeAv,Ai,ZieZo
Coloque una resistencia (Rs) de magnitud similar a la Zi terica, entre el generador y la entrada al
amplificador para formar un divisor de voltaje entre Rs y Zi. El siguiente esquema muestra el modelo
tericoequivalenteafrecuenciasmediasformadoentregenerador,amplificadorycarga:
v g vi
RS
Zo
v g vi
RS
vi
vg
AV vi
Zi
vo
vL
RL
RL
vL
Generador
Amplificador
Carga
La impedancia de entrada Zi se obtiene a partir de la ecuacin del divisor de voltaje entre vg y vi, la
impedanciadesalidaZoseobtienedeldivisordevoltajeentrevo(sincarga)yvL(concarga).
Ajuste la frecuencia en el generador por debajo de la frecuencia de corte inferior del diseo (se
recomienda dos octavas menos), mida los voltajes de entrada y salida y determine las ganancias del
amplificador;repitaelprocedimientoelevandolafrecuenciaporoctavasodcadas,detalformaquese
tomen ms lecturas alrededor de las frecuencias de corte inferior y superior y llene las primeras cinco
columnasdelatabla.
Frecuencia
(Hz)
5
Voltajedeentrada
antesdeRS
(vg)
desp.deRS
(vi)
Voltajedesalida
sinRL
(vo)
conRL
(vL)
Gananciaen
Voltaje(Av)
Gananciaen
Corriente(Ai)
Impedanciade
Entrada(Zi)
Impedanciade
Salida(Zo)
37
UABC
ElectrnicaAnalgica
GrafiqueenescalasemilogartmicafvsAvyfvsAi;ambascurvasenmismogrficocondiferentecolor:
DistorsindelAmplificador
Ajusteelvoltajedeentradaalamplificadorhastalograrenlacargaunasinusoidedevoltajepicoiguala
VCC/2 y 100 Hz. Use un Analizador de Espectros o un osciloscopio digital con Transformada Rpida de
38
UABC
ElectrnicaAnalgica
Fourier (FFT) o un Analizador de Calidad de Potenciay reporte el espectro a la entraday a la salida del
amplificador.
Espectroenlaentrada
Espectroenlasalida
Determineladistorsinarmnicatotal(THD)queprovocaelamplificadormidiendolasamplitudesdelas
armnicasquegenera,paraestouselaecuacindedistorsinarmnicatotal:
A
%THD 1
A0
A2 A3
100% =
A0 A0
Cuestionario
1. Determine la frecuencia de corte inferior, superior y ancho de banda del amplificador a partir del
grficoderespuestaenfrecuencia.
2. Lafrecuenciadecorteinferiordependedeloscondensadoresdeacoplamiento,explique.
3. Lafrecuenciadecortesuperiordependedelascapacitanciasdelasunionesdelostransistores;useun
modelodealtafrecuenciaydetermnelademaneraanaltica;comprelaconlaexperimental.
4. Lafrecuenciadecortesuperiorsereducesiseagregacapacitanciaenlasunionesdelostransistores,
enculdelasunioneselefectoesmsnotorioparalaconfiguracinemisorcomn?Explique.
5. Queserequiereagregaralaetapadesalidaparaquepuedaoperarconunasolafuentedevoltaje?
Explique.
6. Los transistores del arreglo pushpull provocan el fenmeno llamado distorsin de cruce por cero,
expliqueelfenmenoeindiquedosdiferentesformasparareducirlo.
7. Haga una tabla comparativa con una columna de ventajas y una de desventajas entre las
configuracionesEC,BCyCC.
8. Haga una tabla comparativa con una columna de ventajas y una de desventajas entre las
configuracionesFCyEC.
Conclusiones
39
ApndiceA
OBTENCINDEPARMETROSDEDIODOS
Un mtodo alternativo para determinar algunos de los parmetros del diodo semiconductor usando los
resultadosexperimentaleseselsiguiente:sealaecuacincaractersticadeldiodo
q VD
I D I o e nKT 1
VD
si VD 0 entonceslaexponencialcrecerpidamenteyeltrmino e nKT 1 .
Unabuenaaproximacines
q
VD
nKT
,
I D Io e
Seaplicanlogaritmosenambosladosdelaecuacinyseobtiene
q
InI D
VD InI o y mx b
nKT
Ecuacin de una lnearecta si VD es la variableindependiente ( x ), In I D la variable dependiente ( y ),
lapendientedelarecta( m )y In I o eselcruceconeleje y .Porloquesigraficamos VD vs I D

nKT
enescalalinealobtendremoselprimergrfico,perosilohacemosenescalasemilogartmicaseobtendr
elsegundogrfico.
mA
Amp
10 -2
10 -3
10 -4
10 -5
I D
I D q
VD nKT
VD
V
rd D
I D
10 -6
I D
2
10 -7
Io
VD
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Vu
0.7
0.8
0.9
10 -9
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Delprimergrficosedeterminan rd , R e , R prom y Vu mientrasquedelsegundoseobtienelacorrientede

fuga ( I o ) y la constante de fabricacin ( n ), para esto, se obtiene la pendiente del grfico, se asignan
valoresa q , K y T ysedespeja n delaecuacin.
ApndiceA.ObtencindeParmetrosdeDiodos
40
ApndiceB
OBTENCINDEPARMETROSDEJFET
LaecuacinquedescribeelcomportamientodeuntransistorJFETes:
n
V
I D I DSS 1 GS
V
po
delacualseobservaquelosparmetrosquecaracterizanaltransistorson:
a) IDSS.Corrientemximaquepuedeatravesarelcanal.
b) Vpo.Voltajedeoclusinvoltajeentrecompuertayfuentequecierracompletamenteelcanal.
c) n. Factor de fabricacin, que aunque laecuacin que describe el comportamiento es cuadrtica
(n=2),estoesuncasoideal,enlarealidadnpuedeserunvalorcomprendidoentre1.9y2.5
(tpicamente).
Algunosmtodosparadeterminarexperimentalmentealgunooalgunosdelosparmetrossepresentana
continuacin.
1.Mtododelfabricante.
Es un mtodo prctico para obtener el voltaje de oclusin, considera que el canal se encuentra
completamentecerradocuandoalelevarelvoltajecompuertafuente,lacorrientededrenajecaea
tansolo10A,estoes:
V po VGS I D 10 A
Paraobtenerelparmetroexperimentalmente,seincrementalentamenteVGShastaquelacorrientede
drenajecaea10A,enesepuntoseconsideraqueelvoltajeVGSaplicadoeselvoltajedeoclusin.
2.MtododeRichman.
SealaecuacincaractersticaidealdelJFET:
2
V
I D I DSS 1 GS
V po
Manipulandoalgebraicamentelaecuacinydespejando:
I D DSS VGS I DSS

V po

y
m
x b
Yaquelaecuacinesladeunalnearectasignificaquesigraficamos VGS vs I D obtenemosunacurva

caractersticaconvencionaldeunJFET,perosigraficamos VGS vs I D seobtieneunalnearectaenla
quelapendienteyloscrucesconlosejesdeterminanlosparmetrosdelJFET,estosemuestraenlas
siguientesgrficas:
ApndiceB.ObtencindeParmetrosdeJFET
41
UABC
ElectrnicaAnalgica
ID
ID
I DSS
I DSS
V po
VGS
V po
VGS
Aunque en ambos grficos se determinan V po e I DSS , el segundo grfico es mas preciso ya que los
crucesconlosejesseobtienenextrapolandolneasrectas.
3.MtododeSevin.
Mtodoparadeterminarelvoltajedeoclusin,consideralaecuacincaractersticadelJFETideal:
V
I D I DSS 1 GS
V
po
yenelcasoparticulardequeIDseaun10%deIDSS( I D 0.1 I DSS )entonces:
VGS
1
V
po
0 .1
Locualsecumplesi V po 1.462 VGS .

EnstemtodoserequiereconocerpreviamenteIDSS;experimentalmenteseincrementalentamente
VGShastaqueIDsereduzcaa1/10deIDSS,enesepuntoseconsideraqueVpoes1.46veceselvoltajeVGS
aplicado,estoes;
Vpo=1.462VGS.
4.MtododeMiddlebrook.
Estemtodoasumequelaecuacincaractersticanoesnecesariamentecuadrticaporloqueelfactor
nesunparmetrodesconocidoaligualqueIDSSyVPO,estoes:
V
I D I DSS 1 GS
V
po
42
UABC
ElectrnicaAnalgica
Derivando parcialmente ID con respecto a VGS se obtiene el parmetro conocido como

transconductanciamutua(gm):
I D
gm
VGS
I
n DSS
VPO
I
n D
VPO
VGS
1
VPO
VGS
1
VPO
n 1
Ymanipulandoalgebraicamente:
V
ID 1
VGS PO
gm n
n
y m x b
Estaeslaecuacindeunalnearecta,algraficarlaseobtienelosiguiente:
ID
gm
V po
n
1
n
V po
VGS
Ntesequeesnecesariomedirvariosparmetros,ID,VGSygm,paramedirsteltimoparmetrose
requiereunexperimentomaselaborado,unoposibleesutilizarelcircuitoamplificadorsiguiente:
43
UABC
ElectrnicaAnalgica
VDD
ID
C1
RD
C2
vo
R1
vi
VGG
R2
VGS
Sepuededemostrarquelagananciaenvoltajeparapequeasealsedaporlaecuacin:
v
AV o R D g m
vi
Sedebeintroducirunapequeasealyaadirlasmedicionesdelasealdeentrada(vi)ydesalida
(vo),porloquegmestardadapor:
1 vo
g m
R D vi
MedidoparacadapuntodeIDyVGSseleccionado.
44
ApndiceC
USODELPUERTOPARALELODELAPCCOMPATIBLECONIBM
A lo largo de la historia de la computadora personal compatible con IBM, se le han incluido puertos
genricosdeentrada/salida,algunossonohansido:
COM(RS232)
USB
GPIB(IEEE488)
Video(SVGA,VGA,SVideo,etc.)
Firewire(IEEE1394)
Audio
SCSI
IrDA
PS2
MODEM
LPT
Ethernet
Joystick
Wireless
AunqueunpuertodeE/StienecomofuncincomunicaralaPCconotrosdispositivos,algunostransmiten
yrecibensealesdeusotanparticularqueelhardwareconelquesecomunicanesdeusoespecficotales
elcasodelospuertosdesonidoparaaltavocesymicrfonos,elMODEMparalalneatelefnicaolosde
videoparamonitores.
Dentro de los puertos ms verstiles, la mayora reciben y transmiten informacin en forma serial
utilizandoespecificacionesfsicas,elctricasylgicasparticulares,parausarlosserequierereproducirel
protocolodecomunicacinporloqueesnecesarioelusodeelementosinteligentesenambosextremos
delacomunicacin.
Uncasoparticulareselpuertoparalelo(LPT),supropsitooriginalfuelacomunicacinconlaimpresora,
sinembargodebidoalafacilidaddeusoylaversatilidadqueelmanejodelneasenparalelorepresenta,
suusoseextendiatodotipodeequipoelectrnico(escner,ratn,teclado,reproductordediscos,disco
duro,proyector,mdem,equipodemedicionescomoosciloscopiosypolmetros,etc.).Elestndardela
interfazutilizalgicaynivelesdevoltajecompatiblesconcircuitosTTL,laconexinfsicaenlaPCesun
conectorDB25(tpicamentehembra),elconectorrealmentecontiene3diferentespuertosfsicosquese
accedenatravsderegistros:
i)
Datos.8bitsunidireccionalesdesalida,ladireccinfsicaparaaccederalfrecuentementees
la0x378(direccinbase),larelacinentrelasterminalesdelconectorylosbitsdelbyte
aenviarsemuestranenlatabla.
Bits
Terminal
ii)
D7
9
D6 D5 D 4 D3 D 2 D1 D0 Direccin
8
Base+0
Estado.5bitsunidireccionalesdeentrada,cuyadireccinfsicaparaleerestpicamente0x379
(direccinbase+1),larelacinentreterminalesybitsdelbyteledosemuestranenla
tabla,obsrvesequeelbitmssignificativoestinvertido(siserecibeun0seleeun1
yviceversa)ylostresmenossignificativosnoestnconectadosaterminalesfsicas.
Bits
S7
S6
S5
S4
ApndiceC.UsodelPuertoParalelodelaPCcompatibleconIBM
S3
S2
S1
S 0 Direccin
45
UABC
ElectrnicaAnalgica
Terminal
11
10
12
13
15
Base+1
Deespecialinterseslaterminal10,yaqueelflancodesubidaendichaterminal(S6)
puededispararunainterrupcindehardware(tpicamentelaIRQ7delcontroladorde
interrupcioneselcualtieneasociadoelvectordeinterrupcin0x0F)siempreycuando
elbitC4delregistrodecontrol(siguienteregistro)estpuestoa"1"yelcontrolador
deinterrupcionestengahabilitadadichaIRQ.
iii)
Control. 4 bits bidireccionales (entradasalida) cuya direccin fsica para leer o escribir
tpicamentees0x37A(direccinbase+2),larelacinentreterminalesybitsdelbyte
(enviado o recibido) se muestra en la tabla, obsrvese que los bits 0, 1 y 3 estn
invertidosylos4bitsmssignificativosnoestnconectadosfsicamente.
Bits
Terminal
C7
C6
C5
C 4 C3 C 2
17
16
C1 C 0 Direccin
14
Base+2
SiC3=1elregistropuedeleersealesexternas;siC4=1elpulsoporlaterminal10
(S6delregistrodeestado)pasaalcontroladordeinterrupciones.
Lasterminales18a25sonretornosdecorrienteparalasanterioresterminalesperonosoncomunes,por
ejemplo, la terminal 20 cierra el circuito nicamente para las terminales 5 y 6 (D3 y D4 del registro de
datos),parafacilitarelusosesugiereconectarlosterminales18a25almismopuntodetierra.
AcontinuacinsemuestraunaposibleconexinentreelpuertodelaPCyelementoselectrnicospara
realizarpruebasdeoperacin:
VCC
Conector DB 25
(Puerto Paralelo de la PC)
2.2
13
25
12
24
11
23
10
22
9
21
8
20
7
19
6
18
5
17
4
16
3
15
2
14
1
LSB
Lineas de Estado
MSB
470
MSB
Lineas de Datos
LSB
470
MSB
Lineas de Control
LSB
Parainterconectarelpuertoconfacilidadaunatablilladeconexiones(protoboard)serecomiendausar
cableplanode25pinesconellargodeseado(nomasde3m),unconectorDB25macho(plug)para
cableplano(conexinalaPC)yunconectortipoDIPde25pinesparacableplano(conexinal
protoboard),sinosecuentaconsteltimo,sepuedesustituirporunconectorIDChembrade25vas
paracableplano;otraopcinesusardosconectoresDB25machosparacableplanounoencada
470
46
UABC
ElectrnicaAnalgica
extremodelcableyunconectorDB25hembra(jack)parawirewrap(entorchado).Debeninsertarselos
conectoresparacableplanoencadaextremodelcableusandolaherramientadepresinespecfica.
NOTA:Porconvencin,lalnearojaenelcableplanoindicaelprimerpin,porloqueantesdeinsertarlos
conectoresverifiquequedichalneacoincidaconelpin1decadaunodeellos.
Tal es el grado de sencillez y versatilidad que el puerto posee que el estndar original ha sufrido
modificacionesparahacerlomseficiente,versionesactualesseindicanacontinuacin:
b. SPP (Standard Parallel Port) o Normal. Es el original, su uso y configuracin es el previamente

definido. El tiempo de acceso es de 6 ciclos del ducto de expansin ISA y se accede 4 veces para
completar el protocolo de escritura por lo que si el ducto opera a 8.33 MHz entonces la tasa de
transferencia solo es 347 KBytes/segundo (todava sin considerar el tiempo de ejecucin que
requiereelcdigo).
c. PS/2oSimpleBidireccional.AparecienelmodeloPS/2deIBM,suscaractersticassonlasmismas
delaversinnormalexceptoqueelregistrodedatosesbidireccional,paraestosemanipulaelbit5
delregistrodecontrol(siC5=0esdesalidaysiC5=1esdeentrada)aunquealgunospuertosla
funcinseejecutaconelbit7.
d. EPP(EnhancedParallelPort).EsunPuertobidireccionalcontiempodeaccesode1ciclodelducto
deexpansinISA(latasadetransferenciapuedeserde1.3MBytes/segundoysiposeecapacidadde
recortedelciclopuedellegara2.7MBytes/segundo),eldireccionamientoesmasrpido,paraello
leeendireccionesfsicasdiferentesalaqueescribe(direccinbase+3hastadireccinbase+7).
e. ECP (Extended Capabilities Port). Similar al EPP pero agrega solo 3 registros extras (direccin
base+0x400hastadireccinbase+0x402)ademsdecontarconaccesodirectoamemoria(DMA)y
descompresinautomticadedatosdeentrada(protocolodecompresinECP).
SielpuertopuedeconfigurarsecomoEPP+ECPentoncesesunpuertoECPqueemulaunEPP,estetipode
puertoeselmsflexibleyaquepuedeemularalosanteriores.
Elaccesoalpuertodependedelsistemaoperativoinstaladoenelsistemayellenguajedeprogramacina
usar; si el sistema operativo (SO) hace uso del modo protegido que ofrece el microprocesador (OS/2,
WindowsNT,2000,XP,VistaycualquieradelasdistribucionesyversionesdeLinux),entonceslalectura
escrituradirectaalpuertoestinactiva(elSOabortaelprogramaoejecutasolovirtualmente);unaopcin
paramanipularpuertosesagregarunmanejadordedispositivosconaccesoenmodokernelo,programar
usandolasfuncionesdelSO(peticionesalsistema),estodependedelcompiladorotraductorausar.
En el caso de tener disponible el microprocesador operando en modo real las instrucciones tpicas para
accesoalpuertoson:
Ensamblador
;Envaeldatobinario01010101alospines2al9(registrodedatos)delconectorDB25
movdx,0378h
;EnelregistroDXdelmicroprocesadorseespecificaelpuertoaacceder
moval,55h
;EnelregistroALdelmicroprocesadorsecolocaeldatoaenviar
outdx,al
;Seescribeunbyteenelpuerto0378h
47
UABC
ElectrnicaAnalgica
;LeeeldatobinarioqueapareceenlospinesdelregistrodeestadodelconectorDB25
movdx,0379h
;EnelregistroDXdelmicroprocesadorseespecificaelpuertoaaccesar
inal,dx
; Lee un byte del puerto 0379h y se transfiere a la memoria acumulador
dentrodelmicroprocesador(registroAL).
outportb(0x0378,0x55);
/*Envaeldatobinario01010101alospines2al9(registro
dedatos)delconectorDB25*/
estado=inportb(0x0379);
/*Leeeldatobinarioqueapareceenlospinesdelregistro
deestadodelconectorDB25*/
UnposiblearregloparacontrolarlavelocidadydireccindeunmotordeCDusandoelpuertoparalelode
unaPCeselsiguientecircuito:
425364758697081920314253
11
1 1 1 1 1 2 2 21212121
Vm
Vm
Rn
Rn
Motor DC
Rp
Rp
Vcc
RC
RD
Conector DB-25
En el eje del motor debe adaptarse un encoder de tipo digital (vase apndice D) y un optoacoplador
formadoporLEDyFototransistor,deformatalquealgirarelmotorlaszonasclarasdelencoderpermitan
el paso de luz y el fototransistor se sature, y al paso por la zona oscura del encoder, la ausencia de luz
permita que el fototransistor se corte, la frecuencia de estos pulsos es directamente proporcional a la
velocidaddegirodelmotor.
48
ApndiceD
MEDICIN DE VELOCIDAD, DIRECCIN Y POSICIN EN EL EJE DE UN MOTOR

ROTATORIO
Existen varios mtodos para medicin de las caractersticas del giro de un motor rotatorio, algunas se
presentanacontinuacin:
1. Tacogenerador.Ensuformamassimple,esundnamocuyoejeseencuentraacoplado(directamente
o a travs de engranaje) al eje del motor al que se desea medir la velocidad, al girar este ltimo,
arrastra al eje del tacogenerador produciendo entre sus terminales una seal elctrica cuyo signo y
magnituddependendeladireccinylavelocidadrespectivamente.Taldispositivodebeposeerpoca
friccin y alta linealidad por lo que su construccin es muy particular, aun as posee umbrales y
mximosdevelocidad,(pordebajoyporarribadeelloslasealquegeneraesirreal),estoleimpide
medir velocidades de giro muy bajas o muy altas, aunque puede mejorarse con el uso de una
transmisinbasadaenengranes.Otrasdesventajasdeltacogeneradoresqueprovocaunacargaextra
sobre el motor, que reduce el torque til; con este sistema no es posible determinar la posicin
angulardeleje.
2. Encoder digital. Es un elemento que consta de una parte fija cercana al eje del motor y una parte
mvilacopladaalejemismo,algirar,lapartemvilconmutaperidicamenteunelementoestablecido
en la parte fija produciendo un pulso, estos pulsos se cuentan durante un intervalo de tiempo
especficoelculsetraducetpicamentearevolucionesporminuto(r.p.m.).
Laconmutacinpuederealizarsemedianteimpactoporelementosmecnicos,variacionesdecampo
magntico, variaciones de campo elctrico o variaciones de intensidad luminosa, este ltimo es el
utilizado en la mayora de las aplicaciones; la parte mvil consta de una rueda con zonas opacas y
transparentes,lapartefijaesunoptoacoplador(unemisordeluz,tpicamenteunLEDinfrarrojoyun
receptordeluz,tpicamenteunfototransistor,separadosunacortadistancia);elemisormantieneuna
luzconstante,algirarlaruedaentreemisoryreceptor,seproducenpulsosdeluzqueseconviertena
pulsos elctricos en el receptor. Los pulsos pasan a un circuito digital configurado por hardware o
software,elcualtraducelacantidaddepulsosduranteuntiempoespecficoavelocidaddegiro.
Unnicooptoacopladorysurespectivaruedaproduceuntrendepulsostilnicamenteparamedirla
velocidad de giro, un par de optoacopladores con sus respectivas ruedas y zonas opacas y
transparentesdiferentementeespaciadassirveparamedirvelocidad,direcciny,encasodeparodel
motor,posicindeleje(cuatroposibles,entre0y90,entre90y180,entre180y270yentre270
y360).Conungrupode8optoacopladorescadaunoconsurespectivarueda,podraestablecersela
posicinangularconlaprecisinde360/256=1.4.
AlgunosposiblesruedasparaencodersemuestranenlafiguraAd1.
ApndiceD.MedicindeVelocidad,DireccinyPosicinenelEjedeunMotorRotatorio
49
UABC
ElectrnicaAnalgica
a)
b)
c)
d)
e)
fig.Ad1.Ruedastpicasparaencoderdigital.
a)decimal(pulsoscada10),b)sexagesimal(pulsoscada30),c)grayde4bits,d)cuadraturaye)2bits.
3. Encoderanalgico.Esunelementoqueconstadeunapartefijacercanaalejedelmotoryunamvil
acoplada al eje del mismo, la parte mvil tpicamente es un imn permanente, la parte fija es un
circuito integrado con un sensor tpicamente de efecto Hall; al girar el imn permanente arrastrado
por el eje del motor, el sensor de efecto Hall modifica sus propiedades las cules dependen de la
velocidadydireccin,elelementoincluyeloscircuitosnecesariosparatraducirlosefectosenelsensor
envelocidad,direccinyposicin.Elenvoescomnmentemedianteunacomunicacinserialporlo
querequieredeunsistemadigitalconfiguradoporsoftwareparafacilitareluso.
ApndiceD.MedicindeVelocidad,DireccinyPosicinenelEjedeunMotorRotatorio
50

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UniversidadAutnomadeBajaCalifornia

La unin semiconductora es el elemento primordial de la actual electrnica, la estructura bsica es

I D Corriente a travs del diodo q Carga elctrica bsica

I o Corriente de fuga (inversa) n Constante de fabricacin

b) multivibrador astable (basado en hardware fijo, hardware reconfigurable, softwarehardware,

c) circuito de control (basado en hardware fijo, hardware reconfigurable, softwarehardware,

fuente de voltaje tipo serie

Compruebe la operacin del conjunto, reportando la forma y caractersticas de la seal S1 y S0 si A2=0,

RepitaelprocedimientousandoVGS= 0.5, 1y 1.5Volts.GrafiqueVDSvsID(las4curvascondiferente

1. Preamplificador basado en un JFET en configuracin FC que posea una ganancia en voltaje

lapendientedelarecta( m )y In I o eselcruceconeleje y .Porloquesigraficamos VD vs I D

Delprimergrficosedeterminan rd , R e , R prom y Vu mientrasquedelsegundoseobtienelacorrientede

I D DSS VGS I DSS

Yaquelaecuacinesladeunalnearectasignificaquesigraficamos VGS vs I D obtenemosunacurva

yenelcasoparticulardequeIDseaun10%deIDSS( I D 0.1 I DSS )entonces:

Locualsecumplesi V po 1.462 VGS .

Derivando parcialmente ID con respecto a VGS se obtiene el parmetro conocido como

b. SPP (Standard Parallel Port) o Normal. Es el original, su uso y configuracin es el previamente

MEDICIN DE VELOCIDAD, DIRECCIN Y POSICIN EN EL EJE DE UN MOTOR

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