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Facultad de Ingeniera
Ingeniera en Electrnica
Proyecto terminal
Alumno:
Ortiz Plata Leopoldo
Junio, 2016
1
ndice general.
Introduccin4
Captulo 1. Electrnica de potencia...5
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.4.1.
1.4.2.
1.4.3.
1.4.4.
1.5
Introduccin.
1.2
Todos los sistemas elctricos de potencia muestran una estructura bsica similar
formada por tres bloques: el circuito de potencia el circuito de disparo y bloqueo y
el circuito de control como se muestra en la figura 1.1.
Figura 1.1.
El circuito
de potencia comprende los dispositivos de potencia de
semiconductores agrupados formando las diferentes topologas correspondientes
a cada tipo de convertidor. Los circuitos de potencia son los encargados de actuar
sobre la energa elctrica presente a la entrada del sistema para convertir la
energa elctrica, con la forma deseada disponible en la salida.
El circuito de control se encarga de, controlar el proceso de la conversin de
energa. Este control se realiza comparando la salida del sistema con la salida
deseada, y a partir del resultado, generando las seales necesarias para disparar
y bloquear los semiconductores de potencia de forma adecuada.
Los circuitos de disparo y bloqueo se encargan de dar las seales provenientes de
los circuitos de control los niveles de tensin y corrientes adecuados para poder
disparar y bloquear los semiconductores de potencia, adems de proporcionar el
aislamiento galvnico necesario entre la etapa de potencia y la de control.
1.3
Convertidores de potencia.
Estas cuatro formas de conversin de energa son realizadas con los puentes
convertidores electrnicos de la figura 1.3. Estos puentes se pueden utilizar para
acoplar sistemas de corriente continua y alterna, as como para alimentar,
conectar y desconectar cargas en ambos sistemas de alimentacin.
1.4
El apagado de esta componente se realiza cuando la corriente cruce por cero (iD
= 0) lo cual origina la restitucin de la barrera de potencial en la juntura PN. En la
figura 1.5a, se presenta la curva de tensin corriente del diodo, esta caracterstica
depende de la temperatura de operacin de la componente.
En la grfica se puede observar que la componentes no comienza a conducir
corriente hasta que la tensin entre sus terminales no es mayor a la tensin de
ruptura (vak vto), generalmente esta informacin as como el inverso de la
pendiente de curva en la zona de conduccin (RD) son suministrados por el
fabricante en la hoja de datos del dispositivo. Debido a que la tensin de ruptura
de los diodo es inferior al 0,1% de la tensin en conduccin se puede idealizar la
curva caracterstica de la componente mostrada en la figura 4.5a, para los fines de
anlisis y consideraciones del efecto sobre la carga y red de alimentacin, a la
caracterstica que se muestra en la figura 1.5b.
1.4.2. Tiristor
El Tiristor o SCR est conformado por tres junturas NP en serie, este dispositivo
reemplazo a los tiratrones y posee controlo de encendido a travs del suministro
de un pulso de corriente en el orden de los 20mA en la compuerta de disparo o
gate, adicionalmente requiere polarizacin nodo ctodo positiva (v ak > 0). Su
apagado al igual que los diodos depende de que la corriente cruce por cero. En la
figura 1.6, se presenta su simbologa, terminales y esquema como semiconductor.
Adicionalmente, en la figura 1.7 se presenta la forma de construir un tiristor a partir
de dos transistores BJT (PNP y NPN).
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1.4.3 MOSFET
Los MOSFET ms utilizados en electrnica de potencia son los canal N, su
smbolo se presenta en la figura 1.9, al igual que los transistores BJT su operacin
se reduce a interruptor electrnico, es decir, en corte y saturacin. La ventaja de
este dispositivo en relacin con el BJT es su polarizacin en tensin y alta
impedancia de entrada. En la figura 1.10a, se presenta la caracterstica de
operacin de los MOSFET en funcin de la tensin gate source.
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1.4.4 IGBT.
Los transistores de compuerta aislada o IGBT combinan las caractersticas de los
MOSFET de alta impedancia de entrada y polarizacin en tensin con la baja
impedancia de salida de los BJT lo que origina una alta ganancia de corriente.
Esta componente se construye colocando en cascada un MOSFET que polariza
un par de BJT, su smbolo y esquema interno se presenta en la figura 1.11.
1.5
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15
Figura 2.3. Formas de onda para modulacin de onda cuadrada con 180 de
conduccin.
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/3 t<2 /3
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mf =
fportadora
freferencia
La seal de salida del PWM posee la misma frecuencia fundamental que la onda
de referencia y armnicas en y alrededor de los mltiplos del ndice de
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ma=
Vpico refrencia
Vpico portadora
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Capacitor Snubber.
Cs
Iltf
2.Vcd
Resistencia mnima.
Rs
VD
IL
Resistencia mxima.
Rs<
Ton(min)
3 Cs
Donde TON (min) es el mnimo tiempo de encendido. Esto quiere decir que R S debe
ser pequeo para lograr una rpida descarga de CS.
Tj-TA=PAVE (RJ
+R
CS
+R
SA
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Dnde:
PAVE: Representa la potencia de prdida disipada en cada semiconductor.
RJC: Representa la resistencia trmica entre la juntura y la carcasa del
semiconductor.
RCS: Resistencia trmica entre la carcasa del semiconductor y el disipador de
calor.
RSA: Resistencia trmica entre el disipador y el ambiente.
TJ: Representa la temperatura de la juntura del semiconductor.
TC: Representa la temperatura de la de la carcasa.
TS: Representa la temperatura del disipador.
TA: Representa la temperatura ambiente
La resistencia RSA no depende del semiconductor, sino del tipo de disipador a
usar, por tanto es una cantidad que depende del material, el pulimiento de su
superficie, el tamao y la diferencia de temperatura entre el disipador y la
temperatura ambiente.
destruyan antes que otras partes valiosas del convertidor o antes que se
produzcan incendios o explosiones.
Las condiciones a tener en cuenta en la seleccin del fusible son:
1. Irms-fusible Irms-IGBT
2. I2t fusible I2t IGBT
3. Varco-fusible Irms-IGBT
Se puede observar que para esta seleccin de fusible las condiciones se cumplen.
3.6
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Referencias bibliogrficas.
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