MATERIALES AISLANTES PROPIEDADES GENERALES Por T. W. Dakin 253. Definlclén de alslamlento eléctrico y dieléctrico, El aislamiento eléctrico con siste en un medio o material que, situado entre conductores a potenciales. distintos, sélo permite la circulacién a su través de una corriente pequefia o despreciable, en fase con Ia tensién aplicada. El término dieléctrico es casi sinénimo de aislamiento, el cual puede, ser considerado ‘como 1a aplicacion practica del dieléctrico. El dieléctrico per- fecto impediria la circulacién de corriente entre conductores. El vacfo perfecto (a bajas tensiones mecénicas entre superficies metélicas puras no contaminadas) es el tinico dieléctrico perfecto. EI valor de las resistividades de las sustancias que pueden considerarse aislantes oscila entre més de 10° Q-cm hasta alrededor de 10 Q-cm, segiin el uso y la tension aplicada. No existen mites bien definidos entre los aislantes de baja resistencia y los ' Bozormt, RM. «Ferromagnetisms; Princeton, N. J, D. Van Nostrand Company Inc, 1951, pag, 401. Propiedades de los materiales 4-127 semiconductores. Si el gradiente de potencial es pequefio y no existen problemas en relacién con el nivel de intensidad (si éste es menor que el que por calentamiento pro- vorase la destruccién del aislamiento) puede tolerarse un aislamiento de resistenci elativamente aja 234. Circulto equlvalente de un dieléctrico 0 alslamiento. Cualquier dieléctrico © ais- lamiento eléctrico se puede considerar como equivalente a una combinacién de conden- sadores y resistencias que reproducirian el comportamiento tensiOncorriente a una fre- cuencia, © instante determinados de aplicacién de la tension. En el caso de ciertos dieléctricos, el comportamiento no quedaria representado adecuadamente mediante sim- ples condensadores ¥ resistencias lincales. Més bien deben proponerse resistencias y con- Gensadores. con unas determinadas relaciones tensioncorriente o tension-carga no linea- les, a fin de reprocucir 1a caracteristica intensidad-tension del dieléctrico, En Ta figura 449 (suprimieado R, = 0) puede verse la representacién del circuito més imple equivalente a un dieléctrico que consiste en un condensador y una resistencia fen paralelo. El dieléctrico perfecto seria simplemente un condensador. Otra represen- tacién de un dieléctrico consiste en un condensador y una resistencia conectadas serie como se muestra en la figura 449 para Ry =", y aun otra mas que implica tanto a Ry como a Rp El comportamiento de un dieléctrico en ca. viene indicago por el diagrama vectorial (Ggura 450). El condensador dieléctrico perfecto presenta una corriente que esti des- fasada en adelanto respecto a la tensién en 90°, pero en el dieléctrico imperfecto, la corriente esté adelantada respecto de 1a tensidn, pero en menos de 90°. El angulo de fase del dieléctrico es 4, v la diferencia 90° —# 4, es el angulo de pérdidas. La mayorfa de mediciones de dieléctricos dan directamente la tangente del Angulo de pérdidas tan § (conocido como factor de disipacién) y la capacidad C. En la figura 44%, ton 8 = 26fCR, para Rp =, y para R, =0, tan = "/sr/CRp.Rs ; Rg, Tension Fig, #49. Circuito equive- Fig. $50. Retacion de fase com lente de un dieléctrico, rriente-tension en un dieléctrico, La potencia de ca. 0 pérdidas calorificas en el dieléctrico es VirfC tan 5 W, 0 bien VI sen 8 W, en la que sen 8 se conoce como factor de potencia. V es la tensién aplicada, Tes la intensidad total a través del dieléctrico y f es la frecuencia. De ahi puede infe- rise que la conduciancia en paralelo equivalente del dieléctrico, « (la inversa de la resis, tencia equivalente en paralelo p), es 2=fC tan & La conductividad en ca. es © = (6/9)fk tan 8 X 10 Tem = I/p (4-86) en la que & es Ia permitividad (0 constante dieléctrica relativa) y f es la frecuencia. Si bien en teorfa, Ia conductividad en c.a. aumenta proporcionalmente con Ia frecuencia, en la practica Se desvia de esta proporcionalidad, en tanto que k y tan 8 varian con la frecuencia. SF 295. Capactdad y permitividad o constante dleléctrica. La capacidad entre electrodos planos en el vacfo (despreciando la dispersion) es C= kA jt = 0,0884 x 10-141 farads (4-57) a que ty es la constante dicléctrica del vacfo, A es la superficie en centimetros cua: en Grados y 1 es la separacion entre placas en centimetros. ky vale 0,225 x 10-* F/in cuando 4'y f se expresan en pulgadas cuadradas y pulgadas respectivamente. Cuando el espacio entre electrodos esta leno de un dieléctrico, la capacidad es mayor fen virtud de las cargas que se establecen en las moléculas y Stomos del material y que atraen més carga hacia las placas del condensador para la misma tensién aplicada. Con un dieléctrico entre los electrodos, Ia capacidad viene dada por C= bhast (458) en la que K es la constante dieléctrica relativa del material. Las expresiones de la capa- cidad para varios otros casos que se ptesentan son: Qiks Conductores coaxiales: farads (4-89) Esferas concéntricas: farads (4-60) Conductores cilindricos paralelos: C= farads (461) srocosh (D/2i) En estas ecuaciones, L es la longitud de los conductores, rz y ri son los radios exterior ¢ interior y D es la separacién entre los centros de los conductores paralelos de radio r. ‘Cuando las dimensiones se expresan en centimetros, ky vale 0,086 F/cm.E| valor de & depende del ntimero de dtomos o moléculas por unidad de volumen y de In eapacidad de cada uno de ser polarizado (esto es, a presentar un desplazamiento eto de su carga en la direccion del gradiente de potencial aplicado). Los valores de oscilan desde la unidad para el vacio a algo més de Ja unidad para gases a la presién atmosférica (ver el apartado 306 sobre Gases), de 2 a 8 para aislantes » Sélidos ¥ liguidos, 35 para el alcohol etiico y 91 para el agua pura y de 1000 a 1000 para los Tnateriales Cerdmicos a’ base de titanatos (Ver la tabla £33 para valores caracteristicos). ‘a constante dieléctriea relativa de los materiales no es constante con la temperatura, frécuencia y muchas otras condiciones y se la denomina mas apropiadamente permitivi- dad dicléetrica, Acidase al libro. de Smyth" para una discusién de a-rclacion entre k ya estructura molecular y a las tablas de von Hippel" y otras sobre materiales dialects os del MIT Laboratory for Insulation Research, La permitividsd de muchos liquidos ha sido tabulada en NBS Circ. 514. El «Handbook of Chemistry and Physics» (Chemical Rubber Enis: Co.) también incluye los valores correspondicntes a varios plasticos ‘otros mi . La permitividad de muchos plsticos, materiales ceramicos y vidrios varia segin su composicign, que frecuentemente cambia incluso en materiales nominalmente identicos,Tabla 455. Permitividad dicléctrica (constante dieléctrica relativa) gay nr ig plier alee sarees CaCO; (promedio) Foletiteno 23 = Bleue: Bao Renee 8 Eran naires ena Sumo cigen 280 ioe waus & paolo seb Hee acs feepcuraimcr ea in. be geet ea te Forsterit 626'3 By i rpm teal as 3B Pei i i * EL supraindice se refiere a la bibliografia, apartado 35. Fig, 432, Tipica dependencia de ta {Hh resistividad con la temperatura de 4 tet dieléetrico (Corning Glass T7H40). 90 aos OO eee cen la que Tes Ja temperatura absoluta y ¢, y B son constantes. En Ia figura 452 aparece Ia representacién de log + en funcién de 1/K. A menudo se observa que, a las tempera turas més bajas, cuando la resistividad es mayor, ésta se mantiene por debajo de los valores que la extrapolacién de Ia linea a temperaturas mis altas permitiria predecir Existen, por lo menos, dos razones posibles para ello: el efecto de Ia humedad absorbids y la contribucién de una corriente de polarizacién que disminaye muy lentamente. 291. Varlacién de las propledades del dieléctrico con Ia frecuencia. La permitividad de los dieléctricos invariablemente tiende a reducirse al aumentar la frecuencia, debido a a imposibilidad de que las cargas polarizantes se muevan con velocidad suficiente para poder seguir Ia creciente velocidad de alternancias del campo eléetrico. Esto se indica en Ia figura 453. La region de disminucién mas pronunciada de la permitividad se conoce como region de dispersion. A las menores frecuencias, la polarizacion de Ins st perficies de contacto iénicas es Ia que primero disminuye; a continuacién lo hacen las olarizaciones de las moléculas dipolares. Con algunos polimeros polares pueden presen: tarse dos o mas regiones de dispersion dipolares, debido a las diferentes partes de la rotacion molecular.itv, \—+ Dosplazamionto hacia Ins focsoncias elevadas al crocor fa'Yemperatura, a viscosldad menor (9 inversamneni) Factor do dlaipacién, 19 2 o} Frecuencia, eseala logaritnice = Fig, +53. Variacién caracteristica de las propiedades del dietéctrico con Ia frecuencia. La figura 453 es caracteristica de polimeros y liquidos, pero no de vidrios y materia les cerimicos. Ordinariamente, los. vidrios, materiales cerimicos y los cristales inorgs- nnicos presentan curvas permitividad-recuencia mucho mds planas que son parecidas a las indicadas para los polimeros no polares pero a un nivel superior, debido a su polari- zacién por desplazamiento Atomc-ion, que pueden seguir las alternancias del campo eléctrico normalmente hasta las frecuencias correspondientes al infrarrojo. La curva factor de disipacién-‘recuencia de la figura 453, indica el cfécte de la cor duccién por migracion idnica a. baja frecuencia. Presenta un maximo a una frecuencia correspondiente a la regién de dispersién de la permitividad. Normalmente este méximo est asociado con una rotacién molecular dipolar y se produce cuando la movilidad ‘Tabla 456, Resistividades superficiales de los alslamientos y efecto de Ia humedad (De R. F. Field)aa & aoa, peas | bm Ege Sen Meera | 2B ee it Sie Se ie decades Wee RIStee Clans, EB Rilglaceuea 5 ae : Seer iio | Bye 4 ene a re 3 ene i ae Se hn $3 a faa hex Feat eae dtc Bet ; felinsfrnailds ioe ; ee : ke i Bech, bapa see i Sao tian asm HH ao38 8 Wlcareae pity HEE % ltrs (pate EEE 3 LD) een 16 X 10 tee flees se8 ° ERIS Glee a ates Be 4 ca, ARP é 086 ios 6 Reais (2. sas aaiclrestreno’ $7 “| Ho K ie ¢ Peete decid ix § ilps a te iio| 38 ¥ 3 ke i iSe Tacia Bie Kilner ii devi] HEE 2 Ss WEE 18% ue s ae 8 18 : BEB # Fens" ian BEB i rotacional cs tal que la rotacién de la molécula puede mantencrse justamente con la frecuencia de la tension aplicada. En este momento se presenta su movimiento maximo fen fase con la tensién, contribuyendo de este modo a la corriente de conduccidn. A fre- cuencias mis bajas, el’ dipolo de la molécula puede girar mas ripidamente que el campo y contribuye mas a la permitividad. A frecuencias elevadas, no. puede moverse Jo sulk Gientemente rapido. Una regién de dispersion como ¢sia tambien puede producirse a causa de Ia migracién idnica y la. polarizacién de las superficies de contacto si éstas ‘estin muy préximas y si la frecuencia y la movilidad tienen los valores que se precisan. La regidn de frecuencias en la que tiene lugar la dispersién dipolar depende de la movilidad rotacional. En el caso de liquidos moviles. de baja viscosidad, oscila entre 100 y 10000 MHz. En Iiquidos viscosos. se produce en Ia regién de 1 2 10) MHz. En polimeros blandos puede producirse en la gama de audiofrecuencias y en los polimeros Tuy duros ¢§ probable que tenga lugar a frecuencia muy baja (en cuyo caso se confunde con las propiedades de c.c). Puesto que Ia viscosidad es afectada por la temperatura, ‘el aumento de tomperatara desplaza la dispersign a temperaturas. uperiores. 298. Variacion de las propledades dieléctrieas con la temperatura, La tendencia de Ja permitividad y conductividad en ca. medida por el factor de disipacion, esta contro- Iada por las movilidades debidas a la migracion iénica y Ia rotacién molecular dipolar que aumentan al aumeniar la temperatura, Esta curva, que se indica en la figura 454, fs, en muchos aspectos, Ia imagen especular de la grafica de Ta frecuencia que se mues- tra en la figura 453, va que ambos efectos estin interrelacionados. La regién de los maximos del factor de disipacién y de la dispersién de I permitivic dad tiene lugar por debajo de la temperatura ambiente para liquidos viscosos.y aun inferior para liquidos muy’ fluidos. De hecho, los liquidos muy fluides pueden cristalizar antes de que sefialen Ia dispersicn, excepto a altas frecuencias. Con polimeros, el factor do disipacién maximo es probable que se produzea, a frecuencias industriales, a una femperatura proxima al punto de reblandctimicnto oa la temperatura del punto dePropiededes de los materiales 4-193 Xa) Desplazamionte. nacia ar Jo apatite ine Potimece voter Peas capecien qq ‘ocala ia da f | g 3 2 i meee Fig. 454 Variacion tipica en las propiedades de wn dielécineo con le femperatura. atransicién interna de segundo orden. Ordinariamente, puede establecerse una correlacién ‘entre Ia dispersin dieléctrica y Ia dispersién de tipo mecénico, a Ia tura para frecuencias comparables. 299. Dieléctricos compuestos. Las propiedades dieléctricas de los dieléctricos com- uestos son generalmente un promedio ponderado de los propiedades de los compo- nentes individuales, a no ser que exista interaccién, como por ejemplo, disolucién (en cl sentido opuesto al de mezcla) de un material en otro, © bien reaccién quimica de uno con otro. Las superficies de contacto creadas por Ia mezcla constituyen un factor espe- cial que a menudo puede conducir a un factor de disipacién mayor y a una menor resistividad como resultado de la concentracién de humedad y/o impurezas en la super~ ficie de contacto. Las propiedades en ca. de chapas de dos dieléctricos de constante dieléctrica ky y hy y de espesores 1, y f, colocados en serie estén relacionadas con Ins propiedades de los ‘materiales individuales mediante las relaciones de la capacidad y la impedancia en serie Id c= ihe (+00) (h/t) ke tan 4 + ky tan dy tana = (fd tena +h tone hy + kalt/te) (7) Andlogamente, as propiedades de los dieléctricos en paralclo son noe (i «i as) (4-08) tba tan tbat (4-00) oe thd, + Ubds Con tensiones de ce. constantes, las resistividades controlan Ia corriente. Con capas de dieléctrico de igual superficie en serie R= R HRT Ooh + ob) (470) Cuando Ios dieléctricos se conectan en paralelo y tienen el RR _ ant Bt Be” de + ody 300, Distribucién de potencial en los dieléctricos. El gradiente méximo de potencial cen los dieléctricos es de significacién critica en cuanto concierne a la perforacién, ya (en)4-134 Propledades de os materiales que Ia misma 0 el efecto corona se inician generalmente en Ia regi6n de gradiente més clevado. En una disposicién de conductores 0 electrodes de campo uniforme, el gra- diente maximo es simplemente la tensién aplicada dividida por la separacién minima. En campos divergentes, el gradiente debe obtenerse por cilculo (lo cual es posible fn ciertas disposiciones simples) o bien por representacién grifica del campo. ‘Un caso ordinario es el de geometria coaxial con radios interior y exterior Ry y Rs. EI gradiente a un radio r (en centimetros) con una tensién V aplicada viene dada por ecuacion v *-Taceey | fm) EI gradiente es maximo en r= R,, Existen autores que toman en consideracién otras Gisposiciones geométricas como Schwaiger y Sorensen’, Stratton’ y OllendorfP’ Cuando aparecen dieléctricos diferentes en setie, la mayor solicitacién con campos de ca. se produce en el material que posce la menor constante dicléctrica. Con fre- ‘cuencia, este material se perforara primero, a no ser que su rigidez dieléctrica sea mucho mayor Blk ase 7 rn Con campos de c.c., Ia solicitacién se distribuye de acuerdo con las resistividades de jos materiales, siendo mayor en el material de resistividad mayor. MOL. Rigider dietéctrica. Se define la rigidez dieléctrica de un material aislante, segin la ASA, como cl maximo gradiente de potencial que el material pucde resistir sin per- foracién. Se obtiene, para finalidades pricticas, dividiendo la tensién de perforacién por el espesor del material entre los electrodos de ensayo, prescindiendo del maximo gra- diente de tensiOn real. El valor obtenido dependerd del método y de las condiciones det ensayo. (473) Para que se produzca la perforacién se necesita no sélo campo eléctrico de suficiente intensidad, sino también una cant de humedad y posibles cambios quimicos producidos. bajo el campo. Para establecer correctamente la rigidez diekéctrica, dcben concretarse tan exacta- mente como sea posible condiciones tales como la forma y tamafo de la mucstra, método de ensayo, temperature, manera de eplicar Ia tensén y otras que pucdat influir. La rigides dicléctrica varia con el tiempo y Ia forma de aplicacién de la tensién, como se indica en la figura 455. Con impulsos de tensién unidireccionales, que presenten tiem- pos de elevacién inferiores & unos pocos microsegundos, existe un retraso de tiempo de la perforacién, lo cual da lugar a une aparente mayor rigidez para impulsos muy cortos. Al probar’ el aislamiento de chapas en aceite mineral, en gencral se ha obser- yado una mayor rigidez para impulsos de tiempo de clevacién lento y atin una rigides algo mayor para tensiones continuas, Ta ane ng Tm esa. of valcr io" crt) Fig. 485. Rigider dieiéctrica de un ta blero prensado de 08 mm, en aceite, ‘en funcion del tiempo de aplicacién de 1a tension.Propiededes de Jos materiales 4-135 onan T 0000] += 40000] Poliestirenc oh Ly Maes 520 = ‘ovinten Fs con 4000} 200, 34 6 BO 20 40 BO BOK BOTS Espeser, mm Fig. 456. Variacién en la resistencia a ta perforacién con el espesor. Tensién de ca. a 60 hertz, velocidad de elevacién 2kV/s. Con tensiones de ca., la rigidez aparente disminuye constantemente con el tiempo como resultado de las descargas por efecto corona” (en el medio junto al conductor ‘© borde del electrode), que penetran cl aislamiento sélido, Las descargas provienen de Ja perforacién del gas’ o Mquido antes que de la perforacién inmediata del sélido. La rigidez de larga duracién con tensién de ca, disminuye como se puede ver en la figu- ra_457, y se iguala (generalmente desviéndose) a la tension umbral de descarga por corona. En particular Ia mica, asi como otros materiales inorginicos, es més resistente f estas descargas. Las resinas organicas deben utilizarse con precaucién cuando el. gra- diente de tension de ca. es elevado y puede presentarse la descarga de corona. Si las descargas erosionan el aislamiento, el periodo de tiempo que tarda en producirse un fallo varia inversamente con la frecuencia aplicada. ya que el nimero de descargas por unidad de tiempo aumenta en proporcién casi directa a la frecuencia. A frecuen- clas superiores. el calentamiento por efecto corona y en el dieléctrico también, puede reducir el tiempo de fallo, Con tension de ca., bajo condiciones de corona, se ha cstablecide empiricamente tuna ley que, relaciona’el tiempo de fallo ¢ con Ia potencia inversa del gradiente E, 4=AE-*, vélida para una cicrta zona de gradientes. Se ha comprobado una depen- dencia similar para la larga duracién de los aislamientos de e.c. a gradientes mucho mayores, como los que se utilizan en los condensadores de c.c. aE Potiestreno 0 32140 mil Gh Frenette unbral de iF I LT isetearas ¢0, corer U 10 1 oe roo oO Fig. €57. Risidez dieléctrica en corriente alterna con 1a descarga de corona en el borde de la superficie det conductor.40198 Propiedades de fos materiales indica la diferencia entre materiales y la correlacién 0 su falta entre los ensayos. Con rellenos adecuados, algunas resinas sintéticas puede conseguirse que sean intrinseca- mente inmunes a la formacién de estas lineas de fuga. Algunas resinas como el meta- ccrilato de polimetilo y el dxido de polimetileno arden’ con llama bajo condiciones de arco. Puede consultarse a Mandeleorn y Sommerman® y Oliphant para referencias com- plementarias. 303. Envejecimiento térmico. Los materiales aislantes resinosos orgénicos en particu: lar, estén sujetos a grados variables de deterioro, debido al envejecimiento térmico que cconsiste en un proceso quimico que implica la descomposicisn 0 modificacién del ma- terial en tal extension, que puede que ya no cumpla adecuadamente la funcién prevista de aislamiento. Los efectos de envejecimiento se accleran generalmente al elevarse la temperatura, por lo que esta caracterislica se utiliza para realizar ensayos hasta el fallo © hasta un grado tal de deterioro que se considere peligroso. Estos ensayos se llevan a cabo a temperaturas apreciablemente superiores a las de funcionamiento normal, sila vida esperada se estima en varios aftos 0 mas, puesto que los ensayos acelerados tiles deben completarse razonablemente en menos de un ano. Frecuentemente, la vida ¢s influencisda por otros factores ambientales ademas de Ja temperatura. Entre ellos pueden citarse la presencia 0 ausencia de oxigeno, humedad ¥ electrolisis. Los esfuerzos mecanicos y eléctricos pueden reducir Ia vida estableciendo lun nivel requerido de comportamiento al que debe ajustarse el ais nivel es clevado, menor seri el deterioro necesario para que el a satisfacerlo, A veces se ensaya la vida de un aparato completo asf como muestras menores que impliquen un unico material de aisiamiento o bicn una combinacién simple de éstos en un modelo sencillo. Continuamente se estin desarrollando nuevos ensayos, pero existe ya una cierta normalizacion de los mismos en la IEEE y la ASTM e internacionalmente por la TEC. Es importante notar que, frecuentemente, a los materiales se les asignan valores nominales de temperatura basados en ensayos del material solo. A menudo, este material combinado con otros en un aparato 0 sistema, se comportard satisfactoriamente a tem- peraturas apreciablemente mayores. Reciprocamente, debido a Ia incompatibilidad con ‘otros materiales, puede no hacerlo a una temperatura tan elevada como si estuviera solo. Por esta razin, se considera conveniente realizar ensavos de trabajo funcionales de sistemas compleios. Estos también pueden acelerarse a temperaturas elevadas y en condiciones de exposicién ambiental, tales como humedad, vibracién, funcionamiento ciclico a temperatura fria, etc., introducidas con intermiten La base para el valor nominal de temperatura de aparatos y materiales se discute exhaustivamente en el IEEE Standards Publ. 1. Los ensayos para determinar los valo- res nominales se describen en el JEEE Publs. 1C, 1D, 1E. sario considerar no sélo las exigencias de tipo eléctrico nes mecinicas y ambientales de la aplicacién. El fallo mecinico a menudo conduce al fallo eléctrico y el fallo mecénico es frecuentemente Ia causa primaria del fallo de un aislamiento envejecido. Las propiedades iniciales de un aislamiento, frecuentemente son mas que adecuadas para un fin determinado, pero los efectos de envejecimiento y los ambientales pueden degradar rapidamente el aislamiento hasta alcanzar el punto de fallo. Por lo tanto, debe considerarse de igual importancia la estabilidad térmica y la ambiental. Deben tenerse en cuenta de un modo particular los efectos de la humedad y de la contaminaciéa superficial por el polvo si es probable que se presenten. Moses describe Ia aplicacion del aislamiento a bordo de barcos y a maquinaria ro- tatoria. Tackson® lo hace para aparatos diversos. Un libro de referencia” cuyo autor es Clark incluye las propiedades de una gran variedad de materiales y sus caracteris- ticas de aplicacién. Las referencias que deben consultarse para detalles adicionales son: Las ASTM ‘Standards on Insulating Materials” continuamente son revisadas y cada dos afios se publica una recopilacién de los ensayos y normas eléctricas en un nico volumen. ‘Progress in Dielectrics» revisa lo publicado al respecto®. La publicacion anual «Digest of Literature on Dielectrics» es una fuente de referencia en forma clasificada de los articulos publicados cada afc. «Reports of the Annual Nacional Research Council Con- ference on Electrical Insulation» y los informes de 1a publicacién aproximadamente bienal NEMAIEEE «Electrical Insulation Conferences que ofrecen colecciones de ar- ticulos acerca de los descubrimientos recientes.GASES AISLANTES Por T. W. DAKIN M6, Fropledades generaies de Jos gases. Un gas es un mesio delétricg altamente compresible, generalmente de baja conductividad y cuya constante dieléctrica es. s6lo ligeramente superior a la unidad, excepto a presiones clevadas. En campos eléctricos intensos, el gas puede legar a ser’conductor como resultado de la ionizacion por choque de las moléculas del gas con los electrones acelerados por el campo y a través de Procesos secundarios que producen una descarga parcial (efecto corona) o una descarga 4-140 Propiedades de los materiales completa. Aquellas condiciones que ionizan las moléculas del gas, tales como las tempe- raturas muy elevadas y la radiacién ionizante (rayos ultravioleta, rayos X, rayos gamma, electrones de gran velocidad y los iones, como las particulas alfa) también darén lugar fa cierto grado de conduccion en el g2s. La densidad del gas d (gramos por litro) aumenta con la presién p (torr o milime- tros de mercurio) y con el peso molecular M y disminuye al aumentar la temperatura absoluta T (grades centfgrados + 273), de acuerdo con la relacién Mw Ra es (475) ‘La relacién anterior tan sélo es aplicable exactamente a gases ideales, pero es aproxi- madamente correcta para la mayoria de gases ordinarios. Para valores exactos, deben consultarse las tablas y utilizarse ecuaciones mas exactas como la ecuacion de Van der Waals", Si ei gas es un vapor en equilibrio con un liquido 0 sélido, la presién sera la presién de vapor del liquido o del sdlido. El logaritmo de la presién varia sogin —AH/RT, en Ta que AH es el calor de vaporizacion en calorias por ‘mol y Res la constante del’ gas ideal. 1.98 cal/(mol) (°C). Esta relacion también es aplicable a todos los gases atmos- féricos ordinarios a bajas temperaturas, por debajo de los puntos de licuacién, 307, Propiedades dieléctricas con campos eléctricos pequefios. Constante dieléctrica. La constante dieléctica k de los gases es una funcién de la polarizabilidad eléctrica mo- lecular y de la densidad del gas. Es independiente de los campos eléctrico y magnético, ‘excepto cuando esta presente un numero significativo de jones. En Ia tabla 458 aparecen los valores de la constante dieléctrica de algunos gases ordinarios a presién atmosfé- rica y 20°C. Puede calcularse' el aumento por encima de la unidad (k—1) aproximac mente, suponiendo que varia proporcionalmente a,la presién y en proporcién inversa a Ia temperatura Kelvin. 1.000836 He 1eoee7 s i ee Conduccién. Puede suponerse que la conductividad de un gas molecular puro a tensiones eléctricas moderadas y a temperaturas asimismo moderadas, exento de cuales- quiera efectos ionizantes tales como radiaciones, es précticamente nula,La radiacién jonizante estimula la conduccién en“el gas en considerable extension, segtin la cantidad absorbida y ol volumen de gas sometido a tensidn’. La energia de la radiacion debe superar, directa o indirectamente, la energfa de ionizacién de las moléculas del gas y producit de este modo un par idnico (ordinariamente un electrén ¥ un jon positiva). La enersia de, jonizacion umbyal es del orden de 10 2.25 elecronvolts (e¥)/molécula para los gases ordinarios, 10,86 eV para el alcohol metilico, 12,2 para el oxigeno, 155 para el nitrogeno y 245 para el helio). Para fotoionizacién, tan sélo es eficaz directamente la luz ultravioleta de longitud de onda muy corta, ya que 10 eV corresponden a un fotén de radiacién ultravioleta de 1240 A de longitud de onda, Puesto que Ia funcion de trabajo fotocléctrica de las superficies metdlicas es mucho menor (de 2. 6 eV, por ejemplo, Ia del cobre es de 4 eV aproximadamente), la radiacion ultra- violeta’ de mayor longitud de onda, presente de ordinario, es eficaz para desalojar clectrones de una superficic conductora negativa. Estos clectrones desalojados del eétodo dan la conductividad aparente del gas. La radiacién de alia energia procedente de la desintegracién nuclear es una fuente comin de jonizacién en los gases. Las fuentes mucleares producen ordinariamente radia clones gamma con una energia del orden de 10° eV. Al pasar a través de un gas de baja densidad s6lo es absorbida una pequefia cantidad. Un flujo de 1 R/h produce pares iGnicos correspandientes a una corriente de saturacion (segmento @-b de la figu- ra. 458) de 0,925 x 10-" Avem de aire a la presién de 1 atmdsfera, si todos los iones originados son captados en los clectrodos. El efecto es proporcianal al flujo y a la densidad del gas. ‘Aun gradiente de potencial inferior a aproximadamente 100 Vem, parte de los jones formades se recombinaran antes de ser captados y Ia corriente sera concordante- * Lee supraindices se refieron a Ia bibliografia, apertado 18, Propiededes de los materiales antat ‘mente menor (segmento oa de Ia figura 4-58). Si todos los jones formados son captados, mayores. gradientes no aumentan la corriente. Una corriente muy pequefia, del orden 10% Afom® de aire, es aribuble a los rayos césmicos y a Ia radiactividad natural ‘Los clectrones (rayos beta) producen mucha més ionizacién en igual Iongitud de trayectoria que los rayos gamma, debido a que son frenados por los choques y pierden su energia més répidamente. Anélogamente, las particulas alfa mas lentas (miicleos de helio. positives) producen una ionizacién muy densa en el aire en una corta extension. Por ejemplo, una particula alfa de 3 millones de eV (MeV) tiene un recorrido en el aire de 1.7 em y origina un total de 68% 10° pares iGnicos. Una particula beta de Ia misma energia s6lo origina 49 pares iGnicos/em y tiene un recorrido de 13 m. La conductividad inducida térmicamente se produce en los gases a temperaturas muy altas, como resultado de la ionizacién por choaue entre, moléculas del gas de muy gran velocidad, Esta, ionizacin puede calcularse a partir de la ecuacién de Saha’ si 436 conoce la energia de ionisacién. Esta conductividad, cn cl aire, s6lo liega a set signifi cativa por encima de 200°C. La introduccién de dtomos «sembrados» como sodio y pote sio que poseen energias de ionizacién reducidas, se ha utilizado en los generadores MHD ‘magnetohidrodindmicos para aumentar sustancialmente la conductividad del gas a. temperaturas elevadas. Las reacciones quimicas que tienen lugar en las llamas. tam- bién originan cantidades significativas de iones y éstos pueden transportar corrientes, ‘A temperaturas crecientes por encima de 600°C, se ha comprobado que la emision termoidnica de electrones desde las superficies conductoras negativas produce corrien- tes significativas comparadas con los niveles tipicos de aislamiento cléctrico. El orden de magnitud de este efecto puede calcularse mediante la ecuacién de Richardson‘ de la emisién termoiénica.‘Ya que 1a velocidad de produccién de jones, mediante los diferentes procedimientos mencionados anteriormente 3 limitada, la corriente en cl seno del gas no obedece a la ley de Ohm, a no ser que la velocidad de captacién de jones en los clectrodos sea pequefia comparada con la velocidad de produccién de estos iones, como en Ia parte inicial del segmento oa de la figura 458. Perteracidn Fig, $58. Variacién de ta corriente ‘com la tensién en un gas ligeramen- te fonizado. Tae 308, Disrupeién dieléctrica. Campos uniformes. La disrupeién dieléctrica de los gases es el resultado de la multiplicacién exponencial de electrones libres inducida por el campo eléctrico aplicado. Ello queda indicado por el segmento be de a figura 458. Ge neraimente se supone que la iniciacion de la disrupcién s6lo precisa un electron. Sin embargo, si antes de la disrupcién s6lo hay pocos clectrones, no ¢s. posible fécilmente medi Ja tendencia de la corriente indicada en la figura 458. $i la disrupcién se realiza tentre los electrodes metilicos, la chispa se convierte de un modo extremadamente rapido en un arco e implica una copiosa emision de electrones desde el metal catddico y, si se permite que circule la corriente necesaria, se produce la vaporizacién del metal de los clectrodes. En Ja tabla 459 puede verse la rigidez dieléctrica de gases tipicos. ‘Tabla 499. Rigidenes dieléctricas relatives de los gates '= 25 mm de separacién) Aire cas Ns cite o Ges iy (iP telco a che No heEn campos eléctricos uniformes, la disrupcién se produce a una tensién critica que es funcién del producto de la presion p y la separacién d (ley de Paschen), como se ilustra en Ia figura 459 para diversos gases. La relacién indicada entre la ‘tension y el producto ped es aplicable a temperatura constante (20°C en este caso). Seria més exacio considerar el producto densidad del gas-separacin, puesto que a rigidez dieléctrica varia con la temperatura tan sélo cn la medida en que ésta afecta a la densidad del gas. Notese que el campo eléctrico correspondiente a la disrup- cién disminuye al sumentar la separacién. Esto es caracteristico de todos los gases y fs debido al hecho de que antes de que se produzca Ia disrupcion debe tener lugar una Vote (otesces) atatm, mits) Fig. #59. Dependencia espaciado-presién de la rigides dieléctrica de tos gases (curvas de Paschen). minima cantidad de multiplicacién de electrones. Un tinico electrén acelerado por el ‘campo crea una avalancha que crece exponencialmente como e, en la que d ¢s la spa: racion yz es el coeficiente de ionizacién de Townsend (ntimero de electrones formado or colision por centimetro), que aumenta répidamente al aumentar el campo eléctrico, A espacios mis pequefios, « y el campo deben alcanzar niveles superiores, a fin de produ: cir multiplicacion suficiente. Realmente, se ha encontrado que el valor de sd correspon- diente a la perforacién en aire a la presin atmosférica aumenta desde aproximadamente 1 para separaciones del orden de 10” cm (10 yam) hasta 45 para separaciones de 10 em. EI grado de multiplicacion requerido depende del niimero de electrones secundarios formados por avalancha, que a su vez inician otras avalanchas. Con separaciones mayo. res, las avalanchas llegan a ser tan grandes que provocen una distorsion del campo de a carga espacial y la descarga inicial de disrupcién. En la tabla 440 se incluye la rigidez dieléctrica del aire para separaciones de gran- des esferas, elegida del IEEE Standard $ (revision del AIEE Standard 4). Estos valores ‘s0 utilizan como tensiones estindar, pero también indican la tendencia a disminuir de Ia tensién disruptive al aumentar 1a separacién. También indican que la rigidez con im- pulsos es casi idéntica a Ia rigidez de cresta a 6) hertz para separaciones menores, pero ‘€5 un poco mayor para grandes separaciones. La rigidez en cc. positiva (terminal alto) 3 Ia misma que la rigidez de impulso positivo. Los valores, superiores al de eresta a © hertz, para las mayores separaciones son debidos a la ligera asimetria del campo atribuible al plano del terreno. S08. “Etecto de la densidad del aire sobre ln rglder dleéctricn. La, presén y Ta tem Deratura (moderada) afectan a Ja rgider dieléctrca tan sélo en la meta en que afectan a la densidad del gas de acuerdo con la ley de Paschen (figura 459). La IEEE Standard 4 establece los factores de correccion para el efecto relativo de ia presién sobre la ‘separacion critica entre esferas (ver la tabla 461). ‘La rigidex dieléctrica de los gases puede incrementarse notablemente aumentando Ia presién (y por consiguiente la densidad). A presiones moderadas, el aumento de rigidez ¢e5 algo menor que el valor proporcional a la presién. A presiones superiores, el aumento Uega-a ser apreciablemente menor que el valor proporcional a lz presién, como sePropiedades de los materiales 4.145 en las que 4 es Ia densidad del sire relativa a Ia que posee a presién. 4312. “Descargas por efecto corona en las superficies de los aisladores. Ha sido de- mostrado por varios investigadores que el umbral del gradiente de tension de descarga sobre 0 entre superficies de aisladores, ¢s el mismo que entre electrodes metélicos'. Por Jo tanto, la tension umbral para estas descargas puede calcularse mediante las rela. ciones de la capacidad-dieléctrico en serie para separaciones interiores de formas sim ples, como separaciones planas y coaxiales, superficies aisladas del conductor, cavidades esféricas, etc. La tension de inicio del efecto corona ¢n el borde del conductor de una barrera ‘solida depende de la concentracion de campo ciéctrico y, generalmente, de la relacién entre el espesor de la barrera y su constante dieléctrica, pero no del material de la barrera", excepto en el caso de que sea capaz de absorber una pelicula de agua. Cua quier pelicula de agua 0 conductora absorbida, cleva la tension de umbral corona reduciendo Ia concentracién del campo en el borde del conductor sobre la superficie. ‘A veces es posible aplicar una sobretension a estas separaciones considerablemente antes de la primera descarga y la tensién sobreimpulso puede ser inferior a la tension apropiada, debido a la concentracién de Ia carga superficial. Con tensiones de c.a., ‘se presenian descargas de impulsos positivas y negativas regularmente cada semiciclo, pero con tensién de c.c. In primera descarga deposita una carga superficial sobre la ‘superficie del aislador que debe eliminarse, antes de que pueda producirse otra descarga, Por lo tanto, el efecto corona sobre o entre las superficies de los aisladores es muy intermitente con tensiones de ce. permanentes pero se producen descargas cunndo la tensidn aumenta o disminuye. Cy 1 atmbsfera de 313, Disrupel6n a alta frecuencia. La létrica en ye edo Higeramente (de un € a un 10% 2 600 hilohert2) al aumen ue el intervalo de tiempo de-un semiciclo sea aprotimadamente el mismo que el tiempo de transita, primero de’ los iones positivos v después de los electrones a tras de la Sseparacién™. ‘A estas frecueneias criticas (10° y 10° hertz) se han observado pequetios miximos. Por encima de la frecuencia critica, én In separacién se produce la ionizacisn acumulativa, con Io que ta. tensién de disrupcién disminuve bruscamente. A estas eleva- das frecuencias, la tensién disruptiva es establecida por cl equilibrio entre la, produceién ae electrones por ionizacién, debida a colisiones las pérdidas por difusién por las paredes 0 lectrodos 314. Disrupelon en vacio. Cuando Ia presion y la densidad de un gas en un sistema son tan redueidas que el camino libre medio de los elcetrodos es mucho mayor que In Separacién entre conductores, In multiplicacién de clectrones mediante ionizacién por Choque de las moléculas. gaseosas no puede producirse. Esto tiene higar a presiones marcadamente inferiores a los minimos de Paschen indicados en la figura $59. En ausencia de ionizacién gascosa directa, la disrupcidn puede producirse, a gradien- tes clevados, por causa de Ios electrodos. Aunque el mecanismo exacto de Ia disrupcion fn vaclo no’ ha sido determinado, existen fendmenos que pueden conducir a la disrup- ‘én. Uno de ellos es la emisign de campo catédica gue puede acentuarse por la resencia de imperfecciones en el eitodo, 0 sobre st superficie, lo cual aumenta el gra- Giente local, o incluso por el calentamiento debido a la elevada densidad de corriente.5 separaco ‘ee porcetona Trump) Fig. 461. Tensién de perforacion de espacios en los que se ha practicado el vacio, (Los niimeros corresponden 4@ los de ta bibliografia, apartado 318.) 4.146 Propiedades de los materiales Se han observado corrientes de emisién catédica permanentes, las cuales pucden condu- cir a la disrupein a gradientes elevados, Otro. proceso, que’ también es. probable que Se presente, es un proceso de degeneracién catodo-dnode de particulas elementales. Los lectrones chocen con el dnodo con la suficiente enorgia para ercar fotones ¢ jones Positives que regresan al cétodo para generar mas electrones e iones, etc. ‘Con separaciones mayores, Ia perforacién parece que sea controlada por Ia tensién total mas que por el gradiente. ‘La tension de disrupcin aumenta aproximadamente ‘en proporeién a la rafz cuadrada de la separacion. Un mecanismo que puede contribuir, junto con otros aspectos de la disrupcién en vacio, es Ia hipstesis de aglutinacién de Cranberg, 1a cual supone que una particula microscdpica constituida por muchos stomos es acelerada por el campo desde un electrodo al otro, adquiriendo 1a suficiente energia Cinética para vaporizarse a si misma y a algunos 4tomos del electrodo cuando choca ‘con él. E} vapor formado por este impacto lleva, de inmediato, a Ia disrupcién mediante lun proceso de descarga a través del gas. La figura 461 indica el margen de tensiones de disrupcién en vacio, exirafdas de un trabajo de Hawley". La disrupcién en vacio es muy sensible a las particulas residuales de materia sobre los electrodos o en el sistema, Frecuentemente, los valores de la disrupcin inicial son bastante bajos en sistemas nue- vos por lo que los electrodes pueden «acondicionarse» a niveles de disrupeién mds elevados, provocando disrupciones repetidas cn el sistema mediante descargas de co- rrientes Timitadas. Los aisladores soporte entre electrodos en el vacio pueden reducir la tensién de dis- rupeidn_muy por debajo del nivel de disrupcién en separaciones libres". Se ha com. ‘comprobado que el contorneamiento de estos aisladores en el vacio es iniciado en el contacto entre el aislador y cl cétodo. Si esta regién esté apantaliada del campo y al aislador se Ie da una forma adecuada, pueden conseguirse valores de la tensién mucho mavores. 2.3 GASES DIELECTRICOS. Algunos materiales gaseosos son aisiantes y que en presencia de campos eléctricos elevados pueden convertirse en materiales conductores, esta condicion de conduccién es conocida como descarga. El aislante gaseoso de mas amplio uso es el aire, y se encuentran en sistemas de transmisién de alta, media y baja tension. Ademas existen otros gases de distintas caracteristicas y propiedades eléctricas, que cumplen de manera diferente con su propésito. Estos elementos gaseosos naturales 0 elementos con combinaciones quimicas exactas, son usados para aislar dispositivos eléctricos encapsulados.Gases de uso comtin en ingenieria de alta tension: ¥ Didxido de carbono (CO2). ¥_ Nitrégeno (No) ¥ Hexafloruro de azufre (SF). v Aire. El oxigeno en el aire y el fldor en el hexafloruro de azufre, son importantes porque atrapan facilmente electrones libres, que son los agentes que inician una ruptura dieléctrica 2.3.1 AIRE EI aire (seco) es un aislante y los elementos que lo componen también pueden ser considerados de la misma forma. La composicion porcentual del aire es: 2.3.1.1 PROPIEDADES DEL AIRE + Peso Molecular: 28.95 g/mol > Punto de fusién (Punto de congelacién incipiente): -213.4 °C. > Fase liquida Densidad del liquido (1.013 bar en el punto de ebullicién) : 875 kg/m? Punto de ebullicion: -194.5 °C Calor latente de vaporizaci6n (1.013 bar): 198.7 ku/kg > Punto Critico ‘Temperatura Critica: -140.5 °C Presién Critica: 37.71 bar. Conductividad Térmica (1.013 bar y 0 °C (32 °F)): 23.94 mW/(mk).2.3.2 DIOXIDO DE CARBONO EI dioxido de carbono es un gas, resultante de la combinacion de dos cuerpos simples ¥ El carbono. ¥ Eloxigeno. EI CO; es un gas de olor ligeramente picante, incoloro y mas pesado que el aire, no es esencial para la vida, se solidifica a temperatura de -78,5°C, formando nieve carbénica. Los gases que son aplicables para equipos de potencia eléctrica, benignos para el medioambiente son requeridos por tener un minimo de toxicidad, bajo efecto de calentamiento global, bajo dafio de capa de ozono y permanecer gaseoso a bajas temperaturas, esas son las propiedades que tienen los gases como CO2, H2, Nz, O2, y sus mezclas. EI COz es requerido por tener adecuado aislamiento, capacidad de extinguir el arco eléctrico, estabilidad quimica, no es inflamable, no explota. El CO2 puede ser usado en equipos de potencia, puesto que, la cantidad que se usa en estos, asi como su contaminacién, es despreciable comparando con las emisiones globales. 2.3.2.1 PROPIEDADES DEL DIOXIDO DE CARBONO COz, > Peso Molecular: 44.01 g/mol > Fase Sélida Calor latente de fusién (1,013 bares): 196.104 ki/kg. Densidad del sdlido: 1562 kgim* > Punto Critico Temperatura Critica: 31 °C. Presién Critica: 73.825 bar. Densidad Critica: 464 kg/m. Conduetividad Térmica (1.013 bar y 0 °C (32 °F)) : 14.65 mw/(mk) 2.3.3 NITROGENO, Es un gas inerte con numerosas aplicaciones industriales, puede licuarse enfriandolo a -196°C. EI nitrégeno bajo la forma gaseosa es neutro, incoloro, inerte y no permite la vida Es usado como gas portador, para la proteccién total contra impurezas y oxidacion en semiconductores y procesos de soldadura. En su forma fria y liquida, Nz es usado como un medio de enfriamiento de dispositives eléctricos en las pruebas ambientales.2.3.3.1 PROPIEDADES DEL NITROGENO No > Peso Molecular: 28.0134 g/mol. > Punto de fusion :-210 °C > Fase liquida Densidad del liquido (1.013 bar en el punto de ebullicién) : 808.607 kg/m? Punto de ebullicién (1.013 bar): -195.9 °C. Calor latente de vaporizacién (1.013 bar): 198.38 kJ/kg. > Punto Critico Temperatura Critica: -147 °C. Presién Critica: 33,999 bar. Densidad Critica: 314.03 kg/m’. Conductividad Térmica (1.013 bar y 0 °C): 24 mWi(mk) 2.3.4 HEXAFLORURO DE AZUFRE El Hexafloruro de Azufre SFo, es un gas inerte, no es toxico, no tiene color, inodoro, insipido, y no inflamable. Tiene una densidad de 6.07 g/l a 20°C, es un gas artificial utilizado en los equipos eléctricos de alta y media tensién, el gas es 5 veces mas pesado que el aire Es quimicamente muy estable por lo que a temperatura ambiente no reacciona con ninguna otra sustancia, su gran estabilidad se basa en el arreglo simétrico de sus seis dtomos de Flor en torno a su dtomo de Azufre central. Es esta estabilidad precisamente lo que vuelve a este gas muy util en la industria ‘como excelente aisiante eléctrico y puede apagar un arco eléctrico en forma efectiva debido a su alta capacidad calética y sus propiedades electronegativas, estas propiedades, hacen posible construir equipos muy compactos, que utilizan menos materiales, seguros y con una vida util muy extensa. El gas SFe es 100 veces mejor que el aire para interrumpir arcos eléctricos y supera en 2.5 veces su habilidad aislante a la misma presion 2.3.4.1 PROPIEDADES DEL HEXAFLORURO DE AZUFRE (SF6), > Peso Molecular : 146.05 g/mol > Fase Sélida Calor latente de fusion (1,013 bar, en el punto triple) : 39.75 kJ/kg > Fase liquida Densidad del liquido (en el punto triple) : 1880 kg/m* Punto de ebullicién: -63.9 °C Presion de vapor (a 21 °C): 21.5 bar > Punto Critico Temperatura Critica: 45.5 °C Presién Critica: 37.59 bar. Condustividad Térmica (1.013 bar y 0 °C); 12.058 mWi(mk).2.3.4.2 VENTAJAS DEL HEXAFLORURO DE AZUFRE (SFe). > Elno ser téxico. > El alto grado de su tasa de recombinacion, después de disociarse bajo el efecto de descargas elevadas. > Su baja temperatura de licuefaccién, que permite el funcionamiento de los aparatos a pleno rendimiento en los climas mas frios. 2.3.5 VACIO La interrupcién de corriente en el vacio se consideraba una técnica de conmutacion ‘ideal’, sin embargo, las dificultades practicas hicieron que se ignorase por mucho tiempo, pero en la actualidad es una gran solucién en equipos de alta tension. Uno de los problemas fundamentales era la fabricacién de un contenedor aislante adecuado que permaneciera herméticamente sellado. Los contactos deben mostrar una gran resistencia a la erosion del arco, ademas el material de contacto debe ser poco propenso a la soldadura durante las operaciones de apertura y de cierre. El material compuesto por cobre y cromo es el mas apropiado y el que mejor satisface las necesidades basicas, El mecanismo de formacién de portadores de carga proporciona a un interruptor de vacio la capacidad inherente de extinguir automaticamente arcos de corriente de valores bajos a medios, cuando la corriente pasa por el valor cero. Sin embargo, una interrupcién satisfactoria de las corrientes de cortocircuito requiere adoptar medidas adicionales de disefio 2.3.6 PRUEBAS EN MATERIALES GASEOSOS. > Rigidez dieléctrica para gases aislantes ASTM D 2477 > Determinacién de impurezas por cromatografia del gas ASTM D 2685.