Tema03 Amplificadores PDF

TEMA 3.
AMPLIFICADORES
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
TEMA 3. AMPLIFICADORES
1. Introduccin
2.
Amplificadores.
3.
Amplificadores bsicos con BJT.
4.
Amplificadores bsicos con MOSFET.
5.
Circuitos integrados (Tecnologa).
6.
Amplificador Operacional (AO).
7. Osciladores.
8. Problemas propuestos.
3.1. INTRODUCCIN
Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricado

completamente sobre la cara superior de una delgada pieza
rectangular de semiconductor al que suele denominarse como chip.
Un CI contiene un gran nmero de transistores que realizan varias

operaciones:
Es difcil asignar una operacin o funcin a un solo transistor.
Es til considerar que un CI est formado por subcircuitos (con

ms de un transistor) que realizan funciones especficas.
INDICE:
Inicialmente, vamos a estudiar las propiedades de los circuitos

ms sencillos con UN SOLO TRANSISTOR
Despus vamos a estudiar como se fabrican los CIs
A continuacin, analizaremos el AMPLIFICADOR

OPERACIONAL
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/sist_digit/image020.jpg
3.1. INTRODUCCIN
Los circuitos electrnicos estn diseados para una operacin dinmica (con corrientes y
tensiones en alterna):
VCC
Sedra/Smith 2004
Para realizar el estudio el transistor o el circuito electrnico se

sustituye por un modelo circuital (Modelo equivalente de pequea seal)
I C (t )
RC
Previamente al estudio en pequea seal, debe estudiarse siempre la

operacin esttica (con corrientes y tensiones de continua): la
polarizacin de los transistores y la obtencin de sus POE.
RB
vi (t )
B
VBE (t )
VBB
PARA DISTINGUIR SEALES ac y dc convenio:

Seales DC: Smbolo y subndice en MAYUSCULA
IB
Circuito equivalente de pequea seal:
RB
Seales AC: Smbolo y subndice en minscula
ib
Valor total de la seal (ac + dc): Smbolo minscula y

subndice en mayscula.
iB = I B + ib
VCE (t )
I B (t )
vi (t )
ib
ic
vbe
RC
F ib
Hoy en da los circuitos equivalentes son muy complejos, y requieren de herramientas como
SPICE (Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis).
3.2. AMPLIFICADORES
Antes de proceder al estudio de amplificadores concretos, vamos a estudiar con carcter

general, lo que entendemos por amplificador y sus diferentes tipos.

Un amplificador establece una relacin (generalmente lineal) entre una seal de entrada y una
seal de salida.
En la Figura se muestran las 4 configuraciones bsicas de amplificadores ideales.
Amplificador de corriente ideal: (a)

(Fuente de corriente controlada por corriente).
La condicin de transferencia es
i0 = K I ii
(siendo KI la ganancia en corriente del amplificador)

D. Pardo, et al. 1999
Ejemplo BJT
Amplificador de transresistencia ideal (b)

(Fuente de tensin controlada por corriente).
v0 = K R ii
(siendo KR la transresistencia del amplificador)
3.2. AMPLIFICADORES
Amplificador de tensin ideal: (c)

(Fuente de tensin controlada por tensin).
v0 = KV vi
(siendo KV la ganancia en tensin del amplificador)

Amplificador de transconductancia ideal (d)

(Fuente de corriente controlada por tensin).
i0 = K G vi
(siendo KG la transconductancia del amplificador)

Ejemplo MOSFET
3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS
3 .Amplificadores bsicos con BJTs

BJT en emisor comn

BJT en colector comn
BJT en base comn
BJT en emisor comn con resistencia de emisor
4 .Amplificadores bsicos con MOSFETs

MOSFET en fuente comn

MOSFET en fuente comn con carga de realce
5 .Tecnologa de Fabricacin de CIs

Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricado completamente sobre la cara superior

de una delgada pieza rectangular de semiconductor al que suele denominarse como chip.
La fabricacin de un CI completo lleva consigo una secuencia

de muchas etapas (entre 3 y 20) de procesos tecnolgicos:
Crecimiento del lingote
Oxidacin
Difusin y/o implantacin de impurezas
Litografa
Metalizacin
Todos estos pasos se realizan simultneamente para

un gran nmero (cientos o miles) de circuitos en la
misma oblea de semiconductor.
http://www.nist.gov/public_affairs/images/ChipScaleClock2_HR.jpg
Posteriormente cada circuito se somete a una prueba automtica de test en la que se examinan de
forma individual los circuitos
Se desechan los defectuosos o los que no cumplen las especificaciones
Los que cumplen las caractersticas Encapsulado
Tecnologa de Fabricacin de CIs

Sala blanca:

Las operaciones de fabricacin de un dispositivo se realizan mediante

sistemas robticos controlados por ordenador en salas blancas (miles
de veces ms limpias que los quirfanos de hospitales).
Los trabajadores estn vestidos con trajes especiales que cubren a
cada persona de la cabeza a los pies.
El aire se filtra continuamente y se hace recircular para mantener el
nivel de partculas de polvo en un mnimo absoluto.
La temperatura, la presin baromtrica y la humedad se controlan de
modo que los circuitos microscpicos totalmente protegidos.
Una nica partcula de humo podra destruir un proceso de crecimiento
de un chip.
Entrando en una sala blanca
http://en.wikipedia.org/wiki/Cleanroom

P
r o c e s o s
d e
f a b r ic a c i n
d e
u n
c h ip
L a e s tru c tu ra d e u n c h ip e s co m p le ja (e n s u su p e rfic ie y e n su co m p o s ic i n in te rn a trid im e n s io n a l).

E l c h ip se fa b rica m e d ia n te m u c h a s ca p a s , c a d a u n a d e l a s c u l e s e s d i s e a d a d e m a n e r a d e t a l l a d a . P o r
e je m p lo :
P o d e m o s c re c e r u n a ca p a fin a d e S i 0 2 (m a te ria l a is la n te ) e n la s u p e rficie d e la o b le a .
S ec c i n tran s v ers al
d e u n H B T d e IB M e n
u n p ro c es o B iCM O S
Paul, D. J. (1999), Silicon-Germanium Strained Layer Materials in Microelectronics. Advanced Materials, 11: 191204
10

Grabado y litografa
Como imprimir un libro en

miniatura
Los diseos son creados en las capas de

Si02 utilizando una tcnica de impresin
denominada fotolitografa.
Una capa fina de polmero sensible a la
iluminacin (llamado resina) se aplica
sobre el Si02.
Se proyecta luz ultravioleta a travs de

una mascara de cristal tan fina que se
proyecta la imagen de la mscara sobre
la resina.
La resina que no ha sido expuesta a la

luz se puede lavar mediante disolventes.
Tambin se elimina el Si02 protector
mediante diferentes tcnicas de grabado
para prepararlo para el siguiente paso en
el proceso.
http://www.semiconductor-technology.com/projects/philips/images/image_3.jpg
11

Metalizaciones: Autopistas minsculas
Finalmente, se aaden las delgadas capas metlicas y de polisilicio

(interconexiones entre los transistores individuales y entre otros
dispositivos). Algunos chips contienen ms de seis capas de
cables de interconexin uniendo mas de 4 millones de circuitos.
Fotografa SEM de una matriz de

lneas de metalizacin (rosas, verdes
blancas y amarillas ) que realizan las
interconexiones en una memoria RAM
(varias celdas de memoria). El xido
aislante ha sido retirado. Gris (bajo
metalizaciones es el Si).
(Cortesia de IBM)
12

Pruebas de test
En cada uno de los pasos del proceso, las obleas son minuciosamente examinadas con un equipo
diseado especialmente y controlado por ordenador, algunas de las medidas tienen lugar a escala
atmica.
Cuando se completa el proceso de metalizacin, todos los chips de la oblea son de nuevo
analizados.
http://www.plyojump.com/classes/images/hardware/wafer_dicing.jpg
http://www.a-m-c.com/successes/industry_highlight/semiconductor/semi_wafer_probe.jpg
13

Montaje y empaquetado
Los chips que pasan los rigurosos test elctricos son

entonces cortados de la oblea mediante sierras
especiales de diamante y montados en empaquetados
metlicos o plsticos especiales denominados
mdulos. Estos mdulos son de nuevo comprobados.

Materiales del substrato.

Montaje del chip sobre la estructura: leadframe
Conexiones elctricas.
Tipos de empaquetado.
Circuitos hbridos y placas de circuitos impresos.
14
Fabricacin de un diodo
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
1. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea
jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
15
2. Crecimiento del lingote del semiconductor: oblea
16
3. Crecimiento de una capa nativa de Si02 para la posterior aplicacin de

mscaras litogrficas (para la realizacin del dopaje de la regin p en una zona
selectiva del material)
17
4. Se aplica sobre la superficie del xido un material denominado resina.

Su aplicacin servir para aplicar un proceso fotolitogrfico en el que se abrir una ventana en el
semiconductor a travs de la cul se realizar la posterior difusin de la regin p. Seguidamente, tiene
lugar un calentamiento de la oblea de modo que la resina se solidifica.
18
5. Posteriormente se aplica el proceso fotolitogrfico (se proyecta luz ultravioleta,
UV, a travs de una mscara).

La luz UV endurece la regin de resina expuesta a ella. Las regiones cubiertas por la
mscara se eliminan mediante grabado qumico.
UV light
mask
19
6. Se realiza el grabado o eliminacin de la resina fotoreactiva mediante la

aplicacin de un cido.
20
7. A travs de la ventana abierta mediante el proceso fotolitogrfico tiene lugar la

difusin o la implantacin inica de impurezas (para realizar el dopaje) de boro
(impureza tipo p para el Silicio). De este modo se forma la regin p de la unin pn.
21
8. Se realiza la deposicin del aluminio (mediante sputtering) para la realizacin

del contacto a ambos lados de la oblea.
22
9. Se realiza un nuevo paso fotolitogrfico (no se muestra) utilizando de nuevo
una resina para modificar la forma del aluminio y obtener la forma de la
metalizacin final.
Finalmente se lleva a cabo la pasivacin de la superficie que proporciona proteccin

mecnica y elctrica.
23
10. Los chips finales en la oblea tienen el aspecto que muestran las figuras (visin
transversal a la izquierda y visin superior a la derecha).

Posteriormente cada uno de ellos se separa de la oblea (se corta) y se miden sus
propiedades elctricas (caracterizacin).
24
3.6. AMPLIF. OPERACIONAL (AO)
Adaptadores o acondicionadores de seal

Convierten una seal (elctrica o no) en una seal elctrica de caractersticas especiales
Amplificadores: necesarios para

procesar o presentar las seales
con la instrumentacin estndar
(osciloscopios, ordenadores, etc.)
+Vcc
vi
v0=Avi

Adaptacin del rango
Esquema general de un amplificador

de ganancia en tensin A
Las seales pueden tener ruido (asociado por ejemplo a la red elctrica: 50 Hz) que puede
eliminarse utilizando: FILTROS o INTEGRANDO la seal
Conversores A/D, D/A, etc.
La mayora de estos circuitos estn basados en : Amplificador Operacional
25
Caractersticas del AO Ideal/Real

Amplificador: circuito que a la salida proporciona ms potencia de la que toma de la seal
entrada
El Amplificador Operacional Ideal/Real:
+Vcc
v0 = A (v1 v2 ) = A vi
v1
v0=Avi
Se representa como un tringulo

vi
Entrada diferencial y salida simple
Ganancia en tensin infinita:
v2
5
10
-Vcc
G=
v1=v2
(10 -10 )
Desde el punto de vista de impedancias:
Impedancia de entrada infinita: (Rin = ) : 1 M-100 M toma poca corriente
Impedancia de salida nula: (Rout=0): 10-50
proporciona mucha corriente
a la salida
Sus caractersticas no dependen de la frecuencia o la temperatura

En l no se produce ni distorsin ni ruido
26
El Amplificador Operacional Real

El ms utilizado es el A 741
Viene en una gran variedad de empaquetados, la mas usual es la de 8 pins duales en lnea:
Pin n 4: - Vcc = -10 Voltios y Pin n 7 + Vcc = +10 V de alimentacin continua
Pin n 2: Entrada inversora, Pin n 3: Entrada inversora
Pin n 6: Salida del AO
J. Turner, et al. 1999
27
Estructura del Amplificador Operacional Real

VCC
12
13
14
vi1
15
vi2
1
vo
18
3
R5
21
40K
39K
20
23
VCC
22
R7
R10
VCC
22
R6
19
CC
16
5
11
10
6
17
50K
22
R8
R4
5K
1K
R1
1K
R2
24
R9
50K
50K
100
-VEE
Ajuste externo de offset
28
El Amplificador Operacional Real:

El diseo de un AO real est encaminado a que sus propiedades se aproximen a las del
ideal
Los lmites de amplificacin vienen dados por la alimentacin dc: Vcc
Constitucin interna genrica (en bloques) de un amplificador operacional real y sus
caractersticas de transferencia
Entrada no
inversora
v1
v2
Etapas de
amplificacin
Etapa diferencial
Salida
Etapa de salida
Entrada
inversora
29
Generalmente,
el AO se utiliza bajo realimentacin: REALIMENTACION NEGATIVA
Entrada
Entrada
vi
Amplificador
vi
Salida
Amplificador
Salida
v0
vr
v0
Bloque de
realimentacin
v0 = A vi
v0 = A v
v = vi vr
vr = v0

v0 =
A
vi
1 + A
v0 =
vi
A es la ganancia en lazo abierto
Como la ganancia A del AO es muy elevada: la salida no depende de la ganancia A sino que
slo depende de la de la red de realimentacin
La ganancia en lazo cerrado:
v0 1
=
vi
30
Reglas que han de cumplirse en prcticamente todos los circuitos de AO

ideales con realimentacin externa:
Regla
n 1= Dado que la ganancia G=
los dos terminales de entrada

asumir que no hay diferencia de voltaje entre
v1 = v 2
El AO ajusta v0 de modo que la realimentacin sea capaz de hacer que (v1-v2) sea lo ms
prxima a cero.
En caso contrario la salida v0 tomara el valor de saturacin: +VCC o - VCC
R1
Regla
vx
n 2= Debe asumirse que la
i1
impedancia de entrada Rin=

No entra corriente a ninguna de
las dos entradas del operacional:
R2
i1 = 0
i2 = 0
v1
v2
vy
v0
i2
R1
R2
31
Ejemplo n 1: Circuito Amplificador NO INVERSOR

Aplicando las reglas

v1 = v 2
i1 = 0
vi
Podemos plantear
De donde, obtenemos la ganancia:
R1
v0
R
= 1+ 2
vi
R1
Se plantea:
vi 0 0 v0
=
R1
R2
Obtenemos la ganancia:
R2
v0
R
= 2
vi
R1
Montar en el Laboratorio
Ejemplo n 2: Circuito Amplificador INVERSOR

v0
i2 = 0
0 vi vi v0
=
R1
R2
R1
R2
vi
v0
R
= 2
vi
R1
v0
Si elegimos R1=R2 (es slo INVERSOR: ganancia = - 1)

32
Ejemplo n 3: Circuito SUMADOR
RF
R1
Podemos
plantear:
v1
v1 v2
v
v
+
+ ... + n = 0
R1 R2
Rn
RF
R2
v2
v0
R
= 1+ 2
vi
R1
De donde
v
v
v
RF 1 + 2 + . . . + n = v0
Rn
R1 R2
v0
Rn
vn
La salida es (con signo menos) la suma

ponderada de todas las entradas (cada entrada
va ponderada por su resistencia)
Si
se verifica que
R1 = R2 = ..... = Rn = R
v0 = (v1 + v2 + .... + vn )
RF = R
33
Ejemplo n 4: Circuito RESTADOR

R1
Podemos
plantear:
v1 v v v0
=
R1
R2
v2 v + v +
=
R1
R2
R2
v1
i1
vv+
v2
+
v1 v0 v2
+ =
R1 R2 R1
Como se cumple:
Este circuito es restador de dos seales
v =v
v0 =
v0
i2
R1
R2
R2
(
vx v y )
R1
34
Ejemplo n 5: Circuito con DIODO
R
Podemos plantear:
iR =
vi 0
R1
iD = I 0 e
iD
vi
0 v0
VT
v0
De donde
vi
= I 0 e v0 / VT
R1
v
ln i = v0 / VT
R I0
Este circuito nos da en la salida una seal proporcional al logaritmo de la entrada.
vi
v0 = VT ln
R I
0
35
Ejemplo n 6: Circuito INTEGRADOR:

circuito es idntico al Amplificador Inversor en el que la
resistencia R2 ha sido sustituida por un condensador
Este
Podemos plantear
vi
ic
vi 0
=i
R
v0
Teniendo
en cuenta que en un condensador la corriente que lo

atraviesa y la diferencia de potencial entre sus terminales
cumplen:
dQ dQ dvc
dv
ic =
=
=C c
dt dvc dt
dt
Obtenemos, para este caso concreto:
Igualando
d (0 v0 ) vi
C
=
dt
R
ic = C
d (0 v0 )
dt
v0 =
1
v i dt + C
RC
La seal a la salida, v0, es la integral de la entrada vi y

adem
adems est
est invertida (signo - )
36
Ejemplo n 7: Circuito DIFERENCIADOR:

ic
Este
circuito es idntico al Amplificador Inversor en el que la

resistencia R1 ha sido sustituida por un condensador
Podemos plantear
vi
R
i
0 v0
=i
R
Igual que en el caso anterior:
v0
ic = C
Obtenemos, para este caso concreto:
dvc
dt
ic = C
d (vi 0)
dt
De donde
d (vi 0)
v
= 0
dt
R
v0 = R C
dvi
dt
La seal a la salida, v0, es la derivada de la entrada vi y

adem
adems est
est invertida (signo - )
37
3.7. OSCILADORES
Generadores de funciones:
Fuentes de seal calibrada y estable.
Para transmitir, recibir o procesar informacin:

necesitamos de seales elctricas de formas
y frecuencias prefijadas.
E. Mandado, et al. 1995
Generadores de seales temporales:

Senoidales: sus parmetros son :

Frecuencia
Amplitud de oscilacin
Rectangulares: adoptan dos valores de tensin diferentes

Ondas cuadradas : t1= t2
Impulsos de ondas rectangulares
Triangulares: pueden ser simtricas

Simtricas: pendiente ascendente = descendente
No simtricasdiente de sierra
38
AO se utiliza bajo : REALIMENTACION POSITIVA
Entrada
Entrada
vi
Amplificador
Salida
v0
Amplificador
vi
Salida
v0
vr
Bloque de
realimentacin
v0 = A v
v0 = A vi
v = vi + vr
v0 = A (vi + v0 )
vr = v0
v0 =
A
vi
1 A
39
En
3.7. OSCILADORES
el amplificador con realimentacin positiva se cumple:
A
v0 =
vi
1 A
Entrada
vi
vr
A =1
Si conseguimos
Iguales en mdulo
Fases diferentes
v0
Bloque de
realimentacin
Osciladores lineal: circuito electrnico cuya funcin es

producir una onda de salida senoidal sin aplicar excitacin de
entrada:
Salida
Amplificador
A =1
A = 0
La ganancia tiende a infinito Podramos eliminar vS y la

seal de salida se mantendra sin entrada
A m plificador
vr
v0 = A vr
Salida
v0
B loque de
realim entacin
vr = v0
nicamente habr una frecuencia en la que aparecer una

seal donde se cumplen las condiciones anteriores.
Condicin de oscilacin
40
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal

Un circuito oscilante que utiliza un puente
equilibrado como red de realimentacin
Z1
C
R1
Elemento activo
Ampl. Operacional
Ganancia muy elevada: GV

Resistencia de salida: R0 =0
Resistencia de entrada Ri =
vi
v0
R2
Z2
C
4
Para encontrar la ganancia del lazo:

Se rompe el lazo de realimentacin en el punto 3

Se aplica una tensin externa V0 entre terminales 3 y 4
v0 = Avi
v0 vi
A= ' = ' A
v0 v0
vi = v + v
vi v + v
= ' =
v0
v0'
41
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin)
v0 = A v + v
3
C
R + R2
v0 = v 1
R2
v0 = v +
Z1 + Z 2
Z2
R1
Z1
RC j
Z1 =
C
Z2 =
R2
R (1 j RC )
1 + 2R 2 C 2
vi
v0
Z2
C
4
Igualando la fase de Z1 y Z2 (arctg:Im/Re) se obtiene la frecuencia
Para
0=1/RC
esa frecuencia adems se cumple:

Z1 = R (1 j )
R
Z 2 = (1 j )
2
R1 + R2 Z1 + Z 2
=
=3
R2
Z2
R1 = 2R2
42
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin II)

3
Circuito a montar en el laboratorio
R1
Z1
R
R2
Utilizar los siguientes valores
vi
v0
Z2
C
4
R= 5.6 K
C= 10 nF
R1= 10 K
R2= 5 K
0=1/RC
0=2 f0
f0=2842 Hz
Oscilacin
R1 = 2R2
10 k
10 K
Utilizar un potencimetro o
resistencia variable
43
3.7. OSCILADORES
Oscilador de puente de Wien: genera seal senoidal (continuacin III)

R2 muy baja: disminuye v-
3
C
V
Realimentacin
positiva:
O OSCILA
VCC
t
R2
vi
v0
R
C
Oscilacin R2 =R1/2
R2 muy elevada: aumenta v-
f0=2842 Hz
V
VCC
t
-VCC
Z2
-VCC
R1
Z1
Realimentacin
negativa:
el circuito
oscila con
v0 en
saturacin
VCC
t
-VCC
44
3.7. OSCILADORES
Circuito generador de onda cuadrada
I
La realimentacin positiva siempre
sigue a la salida: v+=
v0
R2
R1 + R2
En la salida el AO da los valores

de saturacin: +VCC, -VCC
vi
C
Si v0=+VCC
v+= VCC
La corriente I tiende a cargar el condensador C
Si v0=-VCC
v+= - VCC
La corriente I tiende a descargar el condensador C
v0
R1
R2
Dependiendo de la carga y descarga del condensador C: la corriente I circula en uno u

otro sentido se genera una onda cuadrada
45
3.7. OSCILADORES
Circuito generador de onda cuadrada (continuacin )

V0
VCC
t
-VCC
R2
1
=
R1 + R2 2
vi
v0
R1
v+
R2
VCC
- VCC
VCC
En
vt
el laboratorio
R1=R2=10K
R= 10 K
C= 10 nF
El periodo de la oscilacin:
- VCC
T=0.22 ms
R
T = 2 RC ln1 + 2 2
R1
f0=4550 Hz
46
Agradecimientos
Daniel Pardo Collantes. Departamento de Fsica Aplicada. Universidad de Salamanca.
Figuras cortesa de:

Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica. Universidad de
Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999.
E. Mandado, P. Mario y A. Lago, Instrumentacin Electrnica. Marcombo. 1995.
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith. Copyright 2004 by Oxford University
Press, Inc.

J. Turner, M. Hill. Instrumentation for Engineers and Scientists. Oxford University

Press.1999.
http://www.semiconductor-technology.com/projects/philips/images/image_3.jpg
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/pn/diodeframe.html
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
http://www.plyojump.com/classes/images/hardware/wafer_dicing.jpg
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/sist_digit/image020.jpg
http://www.nist.gov/public_affairs/images/ChipScaleClock2_HR.jpg
Paul, D. J. (1999), Silicon-Germanium Strained Layer Materials in Microelectronics.
Advanced Materials, 11: 191204
47

Tema03 Amplificadores PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tema03 Amplificadores PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

TEMA 3.

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Amplificadores bsicos con BJT.

Amplificadores bsicos con MOSFET.

Circuitos integrados (Tecnologa).

Amplificador Operacional (AO).

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricado

Un CI contiene un gran nmero de transistores que realizan varias

Es difcil asignar una operacin o funcin a un solo transistor.

Es til considerar que un CI est formado por subcircuitos (con

Inicialmente, vamos a estudiar las propiedades de los circuitos

Despus vamos a estudiar como se fabrican los CIs

A continuacin, analizaremos el AMPLIFICADOR

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Para realizar el estudio el transistor o el circuito electrnico se

Previamente al estudio en pequea seal, debe estudiarse siempre la

PARA DISTINGUIR SEALES ac y dc convenio:

Seales DC: Smbolo y subndice en MAYUSCULA

Circuito equivalente de pequea seal:

Seales AC: Smbolo y subndice en minscula

Valor total de la seal (ac + dc): Smbolo minscula y

Antes de proceder al estudio de amplificadores concretos, vamos a estudiar con carcter

Amplificador de corriente ideal: (a)

(siendo KI la ganancia en corriente del amplificador)

Amplificador de transresistencia ideal (b)

(siendo KR la transresistencia del amplificador)

D. Pardo, et al. 1999

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Amplificador de tensin ideal: (c)

(siendo KV la ganancia en tensin del amplificador)

Amplificador de transconductancia ideal (d)

(siendo KG la transconductancia del amplificador)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

3 .Amplificadores bsicos con BJTs

BJT en emisor comn

4 .Amplificadores bsicos con MOSFETs

MOSFET en fuente comn

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

5 .Tecnologa de Fabricacin de CIs

Un Circuito Integrado es un circuito electrnico fabricado completamente sobre la cara superior

La fabricacin de un CI completo lleva consigo una secuencia

Todos estos pasos se realizan simultneamente para

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Tecnologa de Fabricacin de CIs

Las operaciones de fabricacin de un dispositivo se realizan mediante

Entrando en una sala blanca

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Tecnologa de Fabricacin de CIs

L a e s tru c tu ra d e u n c h ip e s co m p le ja (e n s u su p e rfic ie y e n su co m p o s ic i n in te rn a trid im e n s io n a l).

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS

Tecnologa de Fabricacin de CIs

Como imprimir un libro en

Los diseos son creados en las capas de

Se proyecta luz ultravioleta a travs de

La resina que no ha sido expuesta a la

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

3.5. CIRCUITOS INTEGRADOS