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PRCTICA # 2
INTRODUCCIN
El termino polarizacin comprende todo lo relacionado con la aplicacin de voltajes de
DC, para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a
transistor FET, la corriente en DC y el voltaje resultante establecen el Punto de
Operacin, sobre las caractersticas que define la regin que ser empleada para la
amplificacin de la seal aplicada.
MATERIAL Y EQUIPO
Material
- Resistencia (1M, 1k, 1.5k, 910k, 110k, 2.2k, 1.1k)
- Transistor JFET 2N4091,2N5103
- Tablilla de prcticas Protoboard
Equipo
1 Multmetro Digital
1 Software de Simulacin Electrnica (circuit maker, pspice, orcad, proteus)
1 Fuente de Voltaje de DC
PROCEDIMIENTO
- Elabore el siguiente circuito de polarizacin fija en su tablilla de prctica
- Obtenga los valores tericos siguientes IG, ID, VGS, VD, VG, VDS
- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos
- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?
Clculos
Resultados de la prctica
Voltaje de la fuente= 12.08V
IG= 1A
ID=9.9mA
VGS=69mV
VD=11.74V
VG=564mV
VDS=243mV
Imgenes
9.9mA
69mV
11.74V
564mV
243mV
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
Durante este desarrollo en el circuito fue de suma importancia conocer las
terminales del transistor equivalente 2N4859 siendo un transistor JFET una vez
colocadas las terminales en su posicin correcta se inici con medir la
corriente en compuerta IG la cual se encuentra en la resistencia de 1M y la
terminal G de nuestro transistor dando como resultado 1A, teniendo la
similitud en nuestra simulacin. As tambin se tom la medida de nuestra
intensidad de drenaje ID esta que se encuentra en la resistencia de 1k y la
terminal D del transistor obteniendo un resultado favorable y similar al de
nuestra simulacin de 9.9mA. Posteriormente se tom la medicin de nuestro
VGS dando como resultado un voltaje de 69mV y tambin nuestro VDS que fue
igual a 243mV. Por ltimo se tomaron los voltajes en las resistencias
normalmente llamados VD y VG dando como resultado VD=11.74V,
VG=564mV. Para tener la seguridad en que nuestros resultados fueran
favorables se hizo la simulacin para cada inciso deseado.
- Obtenga los valores tericos siguientes IG, ID, VGS, VD, VG, VDS, VS
- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos
- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?
Clculos
Resultados de la prctica
IG=19.166pA
ID=4mA
VGS=4.43V
VD=5.98V
VG=1.6mV
VDS=3.18V
VS=4.81V
Imgenes
4mA
5.97V
1.6mV
4.81V
4.43V
3.18V
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
Para este arreglo se puede apreciar que cambio, en el cual se retir la fuente
de 1.5V y se agreg una resistencia en fuente RS para obtener los resultados
que se nos piden se sabe que para medir corrientes se debe abrir el circuito y
colocar el multmetro en serie. Una vez colocado el multmetro en la escala de
corriente medimos la corriente de base IG en la resistencia RG y la terminal G
obteniendo un resultado de 19.166pA de la misma manera para tomar la
medicin en la corriente de drenaje ID se coloca el multmetro en la RD y en la
terminal D de nuestro transistor el resultado es de 4mA. En el caso de medir
voltajes es colocar el multmetro paralelamente al componente electrnico se
obtuvieron los siguientes voltajes; VD= 5.98V, VG=1.6mV, VDS=3.18V y
VS=4.81V comprobando as los resultados con nuestra simulaciones.
- Obtenga los valores tericos siguientes IG, ID, VGS, VD, VG, VDS, VS, VR1, VR2
- Compare los valores anteriores con los valores prcticos y antelos
- Determine en que regin de operacin est trabajando y porque?
Clculos
Resultados de la prctica
IG=22.204pA
ID=4.13mA
VGS=2.71mV
VD=8.78V
VG=13.98V
VDS=268mV
VS=4.94V
VR1=12.31V
VR2=1.50V
Imgenes
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
Para esta configuracin se aprecia que es un circuito divisor de voltaje. Siendo
uno de los circuitos ms utilizados y econmicos. Para el arreglo se
determinaron las corrientes y voltajes indicados, a su vez se comprobaron
mediante los clculos mostrados y las diferentes simulaciones.
Felipe Sainz Inzunza
En esta prctica se pudo comparar los diferentes arreglos que se tiene de
transistores JFET que son parecidos a las operaciones BJT. La metodologa para
resolucin de estos problemas son parecidos tambin pero para este anlisis se
utiliza ecuacin de Shockley.
PRCTICA # 3
INTRODUCCIN
En las prcticas anteriores se analizaron las diferentes polarizaciones de los BJT Y JFET,
ahora se comenzara a analizar la respuesta de ac a pequea seal del amplificador a
BJT, mediante la utilizacin de modelos (re e Hbrido)que se utilizan con mayor
frecuencia, una de las consideraciones en el anlisis senoidal es la magnitud de la
seal de entrada, ya que esta determinar la tcnica que se deber emplear ya sea de
pequea seal o gran seal.
MATERIAL Y EQUIPO
Material
- 2 Transistores BJT (2N2222)
- 5 Resistencias (68k, 12k, 2.2k, 1.2k, 0.1k)
- 2 Capacitores 5uF/16V
- 1 Capacitor 10uF/16V
Equipo
1 Multmetro Digital
1 Software de Simulacin Electrnica (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus)
1 Fuente de Voltaje de DC
1 Generador de Seal
1 Osciloscopio de doble trazo
3 Puntas para osciloscopio BNC-Caiman
- Elabore el siguiente circuito amplificador de una etapa a BJT en su tablilla de prctica
Clculos
Resultados de la prctica
AI: 347mV
Av: 6.94V
Frecuencia: 80Hz
Imgenes
Seal de entrada AI
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
En este arreglo se aprecia un circuito polarizado divisor de voltaje utilizando
un transistor NPN (2N2222A) en lo cual el resultado de la seal de salida es
amplificar para esto se inici con un AI=347mV y obteniendo un voltaje
amplificado de AV=6.94V. La frecuencia que es ingresada es de 80KHZ y de la
misma manera se tiene la frecuencia de entrada. Al probar nuestro circuito
tuvimos el problema que no amplificaba y lo que realizamos para que
funcionara fue medir el transistor con un multmetro en la funcin de diodos y
Clculos
Resultados de la prctica
AI: 119mV
AV: 216mV
Vi:96.5mV
Vo:96.5mV
Frecuencia: 80Hz
Imgenes
Seal de entrada
Seal de salida
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
Para esta configuracin de divisor de voltaje se tiene un capacitor en la
terminal emisor del transistor ya que ah ser la salida de la seal que se le
aplico, se sabe que un capacitor al aplicarle un voltaje sinodal la tensin del
capacitor se mantiene pero desfasada y es aqu que con el osciloscopio
podemos ver la seal por as decirlo amplificada; de la misma manera que el
circuito anterior lo que queremos conocer es el voltaje amplificado y el voltaje
que entra en el circuito comprobndolo con la simulacin y los clculos
previamente realizados. Durante esta configuracin fue importante determinar
si el transistor funcionaba y tambin se analiz correctamente que los
capacitores electrolticos estuvieran colocados con su polaridad correcta para
as evitar retrasos. La seal se midi con las puntas del osciloscopio tanto en la
entrada de la seal y en la salida.
PRCTICA # 4
MATERIAL Y EQUIPO
EQUIPO:
1 Osciloscopio De Doble Canal
1 Fuente de DC
1 Generador De Seal
1 Multmetro Digital
1 Puntas Para Osciloscopio
1 Software De Simulacin Electrnica (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus)
MATERIAL:
Resistencia (62k, 9.1k, 2.7k, 1k)
Capacitores (100nF, 1uF/10V)
Transistor (2N2222, BC548C)
Protoboard
Hoja semilogaritmica 10ciclos X 10 divisiones
- Monte el siguiente circuito amplificador
- Del circuito anterior obtenga tericamente los parmetros como: V BE, VCE, IC, hie, K
- Coloque el generador de seal a una frecuencia de 0Hz a un Voltaje de 50mV.
- En esta frecuencia obtenga el voltaje de salida y as como su ganancia (K) anote el resultado
Clculos
Resultados de la prctica
In: 378mV
Out: 3.23V
Frecuencia: 80KHZ
Imgenes
Seal de entrada
Seal de salida
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
Durante esta configuracin se analiz el cambio de tensin en la grfica al
llevar incremento en la frecuencia, como se aprecia en las imgenes parte de
un voltaje mnimo y al ir aumentando se compara que la tensin se encuentra
creciendo. El circuito trabaja favorablemente y cumple con las especificaciones
buscadas aqu si se tuvo una complicacin ya que se encontraron
continuidades en las pistas de este circuito pero probando y observndolo se
pudo realizar la prctica y determinar que el circuito estaba funcionando.
PRCTICA # 5
MATERIAL Y EQUIPO
EQUIPO:
1 Osciloscopio De Doble Canal
1 Fuente de DC
1 Generador De Seal
1 Multmetro Digital
1 Puntas Para Osciloscopio
1 Software De Simulacin Electrnica (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus)
MATERIAL:
Resistencia (62k, 9.1k, 2.7k, 1k)
Capacitores (100nF, 1uF)
Transistor (2N2222, BC548C)
Protoboard
-Monte el siguiente circuito amplificador
-Del circuito anterior obtenga tericamente los parmetros como: V CE, IC, hie, K, CB
-Coloque el generador de seal a una frecuencia de 80Khz a un Voltaje de 50mV
- En esta frecuencia obtenga la Ganancia de Voltaje (K) compare y anote el resultado
- Ahora haga un barrido de frecuencia hacia las frecuencias bajas para encontrar la frecuencia de
corte en bajas frecuencias.
- Compare el valor terico CB con el prctico y antelo.
Clculos
Resultados de la prctica
Imgenes
Seal de entrada
Seal de salida
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
- Del circuito anterior obtenga tericamente los parmetros como: V CE, IC, hie, K, CB, CE
- Coloque el generador de seal a una frecuencia de 80Khz a un Voltaje de 50mV
-En esta frecuencia obtenga la Ganancia de Voltaje (K) compare y anote el resultado
- Ahora haga un barrido de frecuencia hacia las frecuencias bajas para encontrar la frecuencia de
corte en bajas frecuencias.
- Compare los valores tericos CB y CE con el prctico y antelo
Clculos
Resultados de la prctica
In: 125mV
V:96.5mV
Out: 6.50V
V:3.86V
Imgenes
Seal
entrada
de
Seal
de salida
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
Para la siguiente configuracin se aprecia un circuito divisor de voltaje en el
cual se encuentra en la terminal del transistor emisor se encuentra un
- Del circuito anterior obtenga tericamente los parmetros como: V CE, IC, hie, K, CB, CE, CC
- Coloque el generador de seal a una frecuencia de 80Khz a un Voltaje de 50mV
-En esta frecuencia obtenga la Ganancia de Voltaje (K) compare y anote el resultado
-Ahora haga un barrido de frecuencia hacia las frecuencias bajas para encontrar la frecuencia de
corte en bajas frecuencias.
-Compare los valores tericos CB, CE y CC con el prctico y antelo
- Elabore la simulacin electrnica de los circuitos anteriores indicando los puntos de prueba
pedidos y obtenga la grfica respuesta a la frencuencia (Circuit Maker, Pspice, Orcad, Proteus) y
entregarla en digital.
Clculos
Resultados de prctica
Imgenes
Seal
de
entrada
Seal de salida
Simulacin
Conclusiones
Ochoa Lpez Carlos Fernando
Para esta configuracin se tiene el mismo circuito divisor de voltaje pero aqu
se aaprecia un cambio en el colector ya que se le agrega un capacitor
cermico y una resistencia la seal de entrada prcticamente es la misma a la
del anterior circuito pero la seal de salida o ganancia es afectada por decirlo
as disminuyendo su voltaje pero aumentando el ciclo o su tamao