1) Cuantas direcciones equivalente hay para la notacin <111>?

Existen un total de 8 direcciones equivalentes para la notacin <111> a lo largo de las

diagonales del cuerpo de la celda unitaria que son [100], [010], [001]; [101], [110], [011];
[100] y [111]
2) Cul ser la densidad de tomos en los planos 100 y 110 en el silicio (tomos / cm2)?
Para el plano 100 tiene 2 tomos:
[100] =
[100] = 2
= 5.43 = 5.4310x10
()[100] =

.
=
[100]

(5.431x10

cm)

Para el plano 110 tiene 4 tomos:

[110] = 2
[110] = 2 2
= 5.43 = 5.4310x10
.
=
[110]

cm

()[100] = 6.78061014

()[110] =

cm

4
2 (5.431x10

cm)

2
3) Verifiquen que usando una estructura cbica simple, los planos cristalogrficos con los
ndices Miller ms pequeos, tales como los planos {100} {110}, {111} tienen la ms grande
densidad de tomos.
()[110] = 9.58921014

c) [100]

c) [100] =

1
;
2

a) [111]

b) [110]

b) [110] =

1
;
2
2

a) [111] =

1
2
1
32

4) Cul sera la composicin x del compuesto ternario InGaAs, para que tenga un buen ajuste
de redes con el AlAs y GaAs? , Averigen cul es el ancho de banda a 300 oK de estos
compuestos?

Considerando que () = . y () = . ; entonces

( ) debe tener un valor aproximado a . para tener un buen ajuste de
redes con ambos compuestos binarios. Se usa la siguiente frmula para obtener la
constante de la red de un compuesto ternario tipo AxC1-xB en base a su composicin x:
1 + 2 (1 )
() = 6.058 ; () = 5.653
En esta grafica se pueden observar
los valores de la constante de red
para el compuesto para
distintos valores de x.
Se observa que con un valor de
.
(. . ) = .
(b) el ancho de banda a 300K de
AlAs=2.153 eV;
GaAs=1.424 eV;
. . 1.425 eV ;
5) La constante de la red de silicio es 5.43 Amstrongs. Calculen el nmero de tomos por cm3.
Calculen tambin la densidad de tomos de Galio en GaAs si la constante de red es 5.65
Amstrongs.
() =

.
8
= 3=

8
(5.431x10

= 4.997x1022

cm)

Existen 4 tomos de Galio y 4 de Arsnico por cada celda cubica de GaAs.

() =

.
4
= 3=

4
(5.653x10
2

cm)

= 2.214. x1022

6) En la tecnologa de Circuitos Integrados (IC) un dispositivo de silicio es una de los dispositivos

ms pequeos, mientras que en GaAs el lser es uno de los dispositivos ms grandes.
Considere que un dispositivo de silicio tiene las dimensiones (5x2x1) m3, y que el lser
semiconductor tiene dimensiones de (200x10x5) m3. Calcule el nmero de tomos de cada
dispositivo.
() =

= (4.997x1022
() =

8
(5.431x10

cm)

= 4.997x1022

11012 3
3)
(10
)

(
) = 4.997x1011
3
1 3

= (4.428x1022

= 3 =

8
3

8
(5.6533x10

cm)

= 4.428x1022

11012 3
3)
(10000
)

(
) = 4.428x1014
3
1 3

7) Calcule la densidad superficial de tomos en una superficie (001) de silicio. Cual sera esta
en un plano (111).
Como se calcul anteriormente:
.
2

()[100] =
=
= 6.78061014
2
8
[100]
2
(5.431x10 cm)
Para el plano [111] se tiene un arreglo como el que se muestra en la siguiente figura donde
se puede observar que cada tomo en el vrtice se comparte con 6 planos de diferentes
celdas y cada tomo de la cara centrada se comparte con 2 planos de diferentes celdas, por
lo que el nmero de tomos en la superficie del plano [111] es de 2 tomos:

El [111] = 4 32
()[111] =

.
2

=
= 1.56591015
2
[111]
8
2
3
(5.431x10
cm)
4
3

8) Si la constante de red de silicio es = 5.43108 cul es la distancia (d) desde el centro

de un tomo de silicio al de su vecino ms cercano.
9) The lattice constant of Ge at room temperature is = 5.63108 cm. Determine the
number of Ge atoms/cm3.
() =

.
8
= 3=

8
(5.65x10

cm)

= 4.44x1022

10) In terms of the lattice constant a, what is the distance between nearest-neighbor atoms in
(a) a bcc lattice? In case of bcc lattice the nearest-neighbor atoms lie along the diagonal
that cross the center of the cell and connect it with every axis.
3
=

2
(b) an fcc lattice? In case of bcc lattice the nearest-neighbor atoms lie along the diagonal
that cross the faces of the cell and connect it with the axis.
2
=

2
11) The surface of a Si wafer is a (100) plane.
(a) Sketch the placement of Si atoms on the surface of the wafer.
(b) Determine the number of atoms per cm2 at the surface of the wafer.
(c)/(d) Repeat parts (a) and (b), this time taking the surface of the Si wafer to be a (110)

(a) Se muetra en la imagen como se acomodan los atomos en

superficie cristalina de silicio[100]

(b) ()[100] =

2
(5.431x10

cm)

= 6.78061014

(c) Se muetra en la imagen como se acomodan los atomos en

superficie cristalina de silicio [110]

(d) ()[110] =

4
2(5.431x10

cm)

= 9.58921014

12) Record all intermediate steps in answering the following questions.

(a) As shown in Fig. P1.6(a), a crystalline plane has intercepts of 1a, 3a, and 1a on the x, y,
and z axes, respectively. a is the cubic cell tide length.
(i) What is the Miller index notation for the plane?
(ii) What is the Miller index notation for the direction normal to the plane?
(b) Assuming the crystal structure to be cubic, determine the Miller indices for (i) the plane
and (ii) the vector pictured in Fig. P1.6(b).

13) Assuming a cubic crystal system, make a sketch of the following planes.
(a) (001), (b) (111), (c) (123), (d) (110),
(e) (010), (f) (111), (g) (221), (h) (010).

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

(g)

(h)

14) Treating atoms as rigid spheres with radii equal to one-half the distance between nearest
neighbors, show that the ratio of the volume occupied by the atoms to the total available
volume in the various crystal structures is
(a) /6 or 52% for the simple cubic lattice.
(b) 3/8 or 68% for the body centered cubic lattice.
(c) 2/6 or 74% for the face cestered cabic lattice.
(d) 3/16 or 34% for the diamond lattice.