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INGENIERA ELECTRNICA
REPORTE DE PRCTICA
FECHA: 19/10/2016
Contenido
MARCO TEORICO.......................................................3
OBJETIVO GENERAL...................................................4
OBJETIVOS ESPECIFICOS...........................................4
ELABORACION DE LA PRACTICA EN SIMULACION.........5
ELABORACION DE LA PRACTICA EN LABORATORIO......7
CONCLUSION..........................................................10
MARCO TEORICO
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un
canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria
de la corriente.
OBJETIVO GENERAL
En la prctica se usar el transistor JFET en un circuito de amplificacin en
conjunto con un transistor BJT como primera etapa.
El circuito a usar tendr la polarizacin de divisor de tensin ya que es de las
polarizaciones ms estable para JFET, la ganancia en voltaje que entrega con
un transistor JFET es pequea con respecto a lo que se puede ganar en un
circuito de amplificacin de un transistor BJT, la ganancia en corriente es la ms
favorable para un JFET a travs del drenador.
OBJETIVOS ESPECIFICOS
ELABORACION DE LA PRACTICA EN
SIMULACION
En esta ocasin se dise una fase de amplificacin empleando un transistor
JFET (2N5454) ya que los transistores de este tipo son ms estables y se
obtienen mejores resultados a la hora de amplificar.
En la imagen se puede observar las dos seales, la seal de salida del BJT que como
se aprecia est desfasada 90 y la seal de salida del JFET en la que se corrige ese
desfasamiento de forma correcta.
Con esto comprobamos que nuestra configuracin es la adecuada
ELABORACION DE LA PRACTICA EN
LABORATORIO
en
en casi 5 volts en
Resultado de
las
mediciones
el osciloscopio
donde el
valor RMS de
entrada fue
amplificado
la salida
CONCLUSION
En esta prctica se observ como una seal puede ser amplificada en una
configuracin de divisor de voltaje con un JFET.
El parmetro de transconductancia gm es muy importante en el anlisis del
JFET y se determina mediante la relacin del cambio en la corriente del drenaje
asociada con un cambio en el voltaje compuerta-fuente en la regin de inters.
Mientras mayor sea la pendiente de la curva ID en funcin de VGS, mayor ser
el nivel de gm. Adems, mientras ms cercano se encuentre el punto o regin
de operacin a la corriente de saturacin IDSS, mayor ser el parmetro de
transconductancia.
Los Amplificadores con FET se utilizan en lugar de los amplificadores con BJT
en el intervalo de frecuencias de 100MHz a 10GHz porque generan menos ruido
y tienen un mejor rendimiento en alta frecuencia.
Podemos llegar a la conclusin de que con los transistores JFET se puede lograr
un buen amplificador debido a la estabilidad que nos otorgan y debido a esto la