ELECTRONICA

INDUSTRIAL

LOS DIODOS
Electrnica Industrial.

NOMBRE:
CARRERA: Electricidad Industrial Mencin Proyectos Elctricos.
ASIGNATURA:
PROFESOR:
FECHA:

ESTRUCTURA INTERNA DE UN DIODO.

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para
crear una regin que contenga portadores de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y
una regin en el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p.
Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado
una unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones
del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye
del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una
corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre
de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la
zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres
de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y
terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta
diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
[cita requerida]
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras, pero
cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo
ser la polarizacin directa o inversa.

CARACTERISTICAS DE UN DIODO.

2.1 Polarizacin directa del diodo pn.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de
carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs
de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En
estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen
hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los
huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno
de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn
es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la
zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

2.2 Polarizacin inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la
batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los
cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que
estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes
con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p,
caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital
de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se
formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea
corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea
corriente por la superficie del diodo; ya que, en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace
que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente
inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

TIPOS DE DIODOS.

3.1 Diodos de unin:

Los diodos de unin son los que hemos venido describiendo en esta seccin de diodos, es decir, el que consta
de un cristal de germanio o de silicio, debidamente dopado, y tiene una forma cilndrica. Son diodos para baja
potencia que se usan mucho como rectificadores de pequeos aparatos. A esta clase de diodo tambin se le
conoce con el nombre de diodos de juntura. Es muy conveniente aprenderse de memoria cada uno de
los smbolos electrnicos de los diodos, ello nos facilitar la comprensin de los esquemas, no slo los de de
Areaelectronica.com, sino tambin cualquier esquema que necesiten entender.

3.2 Diodos de punta de contacto:

Poseen unas propiedades similares a los diodos de unin y la nica diferencia es, en todo caso, el sistema de
construccin que se ha aplicado. En la imagen se muestra un esquema de uno de estos elementos que consta
de una punta de contacto en forma de muelle (1) que se hay conectada con un cristal de tipo P (2), el cual se
haya a su vez en contacto con un cristal de tipo N (3). En la parte baja, una base metlica hace de soporte y
asegura la rigidez del conjunto. Exactamente igual que ocurre con los
diodos de unin, el diodo de punta de contacto se comporta dejando
pasar la corriente en un solo sentido.

3.3

Diodos emisores de luz:

Los diodos emisores tambin son conocidos con el nombre de LED
(iniciales de su denominacin inglesa Light Emitter Diode) que tienen la
particularidad de emitir luz cuando son atravesados por la corriente

elctrica. Como quiera que consiguen una luz bastante viva y, adems, con una mnima cantidad de corriente
(del orden a algunas decenas de miliamperios).
Los diodos emisores de luz funcionan por un complicado proceso fsico en el que desprenden fotones al volver
a su rbita de valencia. La energa luminosa radiada puede ser de color verde si el elemento a sido tratado con
galio-fsforo, o roja si lo sido con galio-arsenio. De hecho, los galios son muy conocidos por la gran variedad de
aplicaciones que se les a encontrado en todo orden de aparatos electrnicos.

3.4 Diodo capacitivo (varicap):

Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya
caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM.

3.5 Diodo Zener:

El diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento
semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es
decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado
valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso
convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente
invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin.

3.6 Diodo Tnel:

Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva
caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta
como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete.
La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la
cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad
hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la
tensin.

3.7 Diodo Gunn:

Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es
rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de
dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua
de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es
continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir
oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de
campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al
nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la
frecuencia en los impulsos.

USOS MAS COMUNES DE LOS DIODOS.

Los diodos se utilizan en la industria moderna para la transformacin de

corriente alterna en tensin continua. Adems, se puede estabilizar la tensin y
la corriente en la tcnica electrnica. Para aspectos pticos, los diodos de lser
son adecuados.
Especialmente en el mbito tcnico hay usos diferentes para los diodos. El funcionamiento de diodos es
diferente para cada aparato. Hay que descubrirlo en los particulares diagramas de los productores. Con la
ayuda de diodos se puede encontrar pilas incorrectas y evitar la destruccin de los mdulos.
En el futuro habr un gran desarrollo tcnico en cuanto a los diodos porque tienen una importancia enorme en
el sector electrnico y en todo el mundo una revolucin tcnica tiene lugar y se necesita soluciones baratas y
efectivas. Todas estas caractersticas se pueden encontrar en un diodo.

4.1 RECTIFICADOR
Los diodos se pueden usar para rectificar seales de corriente alterna y transformarla a corrientes positivas o
negativas de corriente continua con ayuda de una inductancia. A estos circuitos se les llama Rectificadores.
Se utiliza para hacer multmetro o fuentes de poder de corriente directa, su funcionamiento consiste en no dejar
pasar el lado positivo o negativo de la seal por medio de la resistencia de los diodos, y asi tener una lectura en
forma de arco positiva o negativa.

4.2 MULTIPLICADOR DE TENSION

Un multiplicador de tensin est hecho con diodos y con capacitores sirve para aumentar el voltaje de entrada
de forma multiplicativa. Mientras ms mallas existan, ms ser el voltaje multiplicado.
Consiste en cargar los capacitores para que sumen mayor voltaje, la seal positiva corre directamente por
todas las mayas, pero deja cargados algunos capacitores, mientras que la seal negativa provee a los dems
capacitores para llenarlos de voltaje y as sumarse con el voltaje de entrada.

4.3 LIMITADOR DE VOLTAJE

Nos permite transformar una seal manipuladora para variar su tipo (cuadrada o rectangular) o sus valores de
voltaje pico o pico pico. tambin se le conoce como circuito recortador.
Normalmente se aplica un cierto voltaje a los diodos para que estos permitan la entrada de un poco de
corriente antes de mostrar resistencia a la seal, en el ejemplo se tiene como consecuencia un recorte
horizontal del valor pico en el sentido positivo y negativo.

4.4 COMPUERTAS LOGICAS.

Es posible desarrollar las compuertas lgicas con diodos que sirven para ofrecer una respuesta lgica
booleana de salida de acuerdo a un tipo de seal de entrada, existen de dos tipos; compuerta de tipo or y
compuerta de tipo and, las dos se basan en una fuente continua y otra cuadrada.
El primero (compuerta or) en la salida entrega una respuesta cuando existe una seal de entrada en
cualquiera de los diodos, mientras que en el segundo (compuerta and) entrega una respuesta solo si en
ambos diodos se recibe una seal de entrada simultneamente.

4.5 REGULADOR DE VOLTAJE O CORRIENTE.

El valor del voltaje o de corriente de salida se mantiene constante a pasar de las varaciones que existan en el
voltaje o corriente de entrada, esto se logra gracias a la caracterstica del diodo Zener, que tiene al usarse
pollarizado inversamente una tensin o corriente de valor constante.

4.6 CIRCUITO FIJADOR.

Consiste en manipular la seal de entrada y desplazarla de forma vertical gracias a la variacin de
incrementacin del tiempo con respecto al periodo que producen en conjunto un capacitor, un diodo resistor y
un diodo.