ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

ELECTRNICA
DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIN Y CONTROL

ELECTRNICA DE POTENCIA

"No hay emocin ms intensa para un trabajador que

ver uno de sus trabajos funcionando"

CUADERNO DIGITAL

ERIK FRANCISCO JARAMILLO LEN

PROFESOR: ING. LEONARDO ORTEGA MSC.

QUITO, FEBRERO 2016

Electrnica de Potencia

La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de
estado solido para control y conversin de energa elctrica.

ELECTRONICA

-Criterios de Diseno de Placas

-Seleccin de Protecciones
E

-Acondicionar Senales


POTENCIA
EP
-Semiconductores de Potencia



C
P


CONTROL

-Algoritmos de Control

-Sistemas Microprocesados
-MP, PSP, FPGA

Transformador de Estado Solido

AC

AC/DC

DC/DC

DC/AC

AC

Caractersticas:
-Todo convertidor esttico de potencia es una fuente de armnicos (cargas no lineales).
-Criterio de diseo 90%.
-Permite tener un control total de la energa.
-Se puede colocar cargas o generacin DC.
-Permiten el almacenamiento de energa.

Convertidor Esttico de Energa

GENERACIN

FILTRO

CONVERTIDOR
ESTTICO DE ENERGA

CONTROL

Generacin:
AC Pura. Seal Fundamental (Monofsica o Trifsica)
DC Pura. Seal Fundamental

FILTRO

CARGA


Cualquier forma de onda diferente a las fundamentales se considera forma de onda
distorsionada.

Onda Distorsionada.

V(t)=Vdc+V1+Armnicos

- V1: Seal Fundamental
- Armnicos: Seales peridicas generadas en mltiplos de la frecuencia fundamental
por cualquier sistema elctrico. Cualquier onda peridica puede descomponerse como
una suma infinita de armnicos.

Filtro:

Proteccin de la Carga
Proteccin de la Red
Disminuir rizado (DC)
Mejorar forma de onda (AC)

Control (Voltaje o Corriente):

Lazo Abierto
Lazo Cerrado
Digital
Analgico
Usa tcnicas basadas en sistemas microprocesados

Carga:

Cargas DC (Led, Bateras, Electrodomsticos)
Cargas AC (Motores, Iluminacin)
Red Elctrica
Convertidor de Potencia

La potencia activa es transmitida a la carga nicamente por armnicos de la misma
frecuencia, por lo tanto los armnicos incrementan perdidas.

Tipos de Convertidores Estticos de Energa

AC

INVERSOR

REGULADOR

DC

AC

RECTIFICADOR

TROCEADOR (CHOPPER)

DC

Regulador:

Arrancadores Suaves
Compensadores Estticos

Rectificador:

Fuentes
Cargadores de Bateras
Variadores de velocidad de MCC

Inversor:

Variadores de Velocidad
Sistemas de Inyeccin de corriente a la red
Onduladores

Troceadores:

Transmisin HVDC
Troceadores (Choppers)
Variadores de velocidad de MCC
Traccin elctrica

La electrnica de Potencia consiste en abrir o cerrar un interruptor.


-Regulador: Modifica el valor RMS manteniendo el valor medio.

El voltaje RMS es funcin del ngulo de disparo.

-Troceador: Modifica el valor medio, en este caso el voltaje medio es igual al voltaje
RMS.

El valor RMS es el valor con el cual se consume la misma potencia si aplicara un valor
DC.

-Inversor:

Dispositivos Electrnicos de Potencia

Todo dispositivo trabajar nicamente en dos zonas: corte y saturacin.

Caractersticas:


-Altas Corrientes con bajos voltajes (conduccin)

-Altos Voltajes con bajas corrientes (bloqueo)





-Idealmente las prdidas son despreciables, es decir, la potencia de entrada es igual a la
potencia de salida.

-No tienen partes mviles ni contactos.

-Bajo consumo de potencia.

-No generan arco elctrico al conmutar.

-Pequeos y silenciosos.

-Deben ser protegidos de variaciones bruscas de corriente y voltaje, temperatura,
sobrecorrientes, sobrevoltajes y polarizacin inversa.

El Diodo

Es un elemento semiconductor de potencia, de apertura y cierre no controlado. Son
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y
ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben
ser capaces de soportar una alta corriente y un bajo voltaje y en sentido inverso deben
ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea
corriente de fuga.

Ri: Prdidas en bloqueo.

El circuito equivalente de un diodo ser una fuente de voltaje en continua, la resistencia
determina las prdidas en conduccin.

= sin()

< < 1 ()

2 sin()
=

+

>>

2 sin()
=

Caractersticas:
-Voltaje de Ruptura: 2 veces mayor que el voltaje de la fuente.
-Cada de tensin: Voltaje nodo-ctodo de conduccin.
-Corriente mxima: Depende del circuito.
-Velocidad de Conmutacin: Frecuencia de la red.

Disipador de temperatura: Garantiza valores nominales.

Caractersticas Dinmicas:

Todo semiconductor produce prdidas en conduccin, bloqueo y prdidas dinmicas.

1 DEFG
=

DE

Prdidas en conduccin:
=

2 sin
=

DEFG
1
2 sin
=
()
DE

I
1
2 sin
=
()
J

PI

2 sin ()
I

Conexin en serie de Diodos.
El objetivo de conectar en serie diodos es aumentar el voltaje pico inverso que soporta
el sistema. Es decir se conecta una red de ecualizacin para que caigan 0.5 V.

Red de
Ecualizacin

= 1 + 1 = 2 + 2

1
2
1 +
= 2 +

1
2

Asumo R1=R2

-En conduccin: Id1=Id2

-En bloqueo: If

Conexin en paralelo de Diodos.
El objetivo de conectar diodos en paralelo es aumentar la corriente que soportan.

Estado
Estable

Estado
Transitorio

Si los diodos no trabajan en las mismas condiciones se da estado de avalancha.

Bobina.


S =

Caractersticas:
-Su voltaje es funcin de variaciones de corriente.
-Almacena energa en forma de campo magntico.
-No debe haber variaciones bruscas de corriente (forzar).

Una de las principales aplicaciones de las bobinas es la implementacin de filtros:

Efecto de las bobinas (inductancias):

Podemos observar que la corriente no se apaga porque el inductor se opone a cambios
bruscos.


El Transistor Bipolar de Juntura (BJT)

Es un elemento de apertura y cierre controlados.

-El circuito de control consume mayor potencia.

-El circuito de control es ms complejo.
-Soporta mayores potencias y menores frecuencias.

-Prdidas en BJTs con carga R.

DEFG

DE

Prdidas estticas = P encendido + P apagado



1 GEU
=
()
J

1
=

1
=

Prdidas Dinmicas


=
+

1
=

DEFG

DE

Ciclo de trabajo (): Es la cantidad de energa que se transmite.


=

Donde:
- Ton: tiempo de encendido.
- T: Perodo de la onda.


-Prdidas en BJTs con carga RL.

El inductor se va a cargar en cada ciclo hasta que se convierta en un cortocircuito y
nicamente se convierte en una carga R, es por ello que se conecta el diodo.

Tiempo de encendido: Existe retraso debido a las capacitancias parsitas hasta que se
carguen a Vce de saturacin.

Tiempo de apagado: Existe retraso se debe al tiempo necesario para eliminar carga de
saturacin de la base.

Las prdidas estticas con carga RL son las mismas que las prdidas estticas con
carga R.

Prdidas Dinmicas: Se aproxima la forma de onda a un tringulo y se encuentra el
rea bajo la curva.

1
= (
)

2


-Proteccin de Transistores.

1. Temperatura. Para proteger al BJT de la temperatura se conecta un disipador.
2. Sobrecorriente. Para proteger al BJT de sobrecorrientes se conecta un fusible.
3. Sobrevoltaje. Para proteger al BJT de sobrevoltajes se conecta un varistor.
4. Variaciones bruscas de corriente. Para proteger al BJT de variaciones bruscas de
corriente se conecta una bobina.
5. Variaciones bruscas de voltaje. Para proteger al BJT de variaciones bruscas de
voltaje se conecta una red snubber (R-C-D).

En la figura mostrada a continuacin se presenta un esquema de la conexin de las
protecciones para un BJT.

El Transistor de Compuerta Aislada (MOSFET)


El MOSFET posee las siguientes caractersticas:
-Totalmente controlado por voltaje.
-Soporta mayores frecuencias y menores potencias.
-Menores prdidas en el circuito de control.
-Circuito de control ms sencillo.
-Alta impedancia de entrada.
-Corriente en la base muy pequea.
-Sensible a la esttica.

-Son de costo alto.

El MOSFET acta como una fuente de corriente controlada por voltaje.

En la zona de corte Vgs < Vgs (threshold)

Zona de Corte: Rds [M] (Circuito Abierto)
Zona Lineal: Rds (m) (Resistencia Comn)

P
= ()

Las protecciones del MOSFET son exactamente las mismas que en el BJT, pero se
aumenta una proteccin contra un Vgs Mximo conectando un diodo Zener entre estos
dos terminales.



El Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (IGBT)

Las caractersticas de un IGBT son:
-Rene las mejores caractersticas del BJT y del MOSFET.
-Totalmente controlado por voltaje.
-Juntura C-E soporta altas potencias.
-Bajo ciclo de trabajo.
-Alta capacidad de manejar corriente.
-Facilidad de manejo.
-Baja capacidad de conmutacin.

Las principales aplicaciones de un IGBT son:
-Control de motores.
-Sistemas de alimentacin ininterrumpida (UPS).
-Sistemas de Soldadura.
-Iluminacin de baja frecuencia y alta potencia.

El Rectificador Controlado de Silicio (SCR)

-Control de cierre pero no de apertura.

-Controlado por un pulso de corriente en la base.
-Enorme capacidad de manejar potencia.
-Son muy robustos.
-Estructura de 4 capas.

Los parmetros a considerar en el momento de escoger un SCR son:
-Pg: Potencia media disipable por compuerta.
-Itrms: Corriente eficaz mxima permanente.
-Pgm: Potencia pico de la compuerta.
-IL: Corriente de Enganche
-Ih: Corriente de mantenimiento.
-Igt: Intensidad de disparo de la compuerta.

-Condiciones de Disparo de un SCR.

1. Disparo por pulso de corriente en la base.
2. YZ > YZ
3. Pulso de corriente mayor que la corriente mnima de disparo.
4. Pulso en la puerta debe permanecer hasta YZ > S

Para asegurar el disparo se suele mandar tres pulsos, no se enva un solo pulso ya que
el SCR puede quemarse.

5. Si la variacin del YZ es grande en un tiempo pequeo, se induce una corriente

en la compuerta que
dispara el elemento.

Capacidades
Parsitas

6. Tambin se producen disparos por EMI (Interferencia Electromagntica), la cual
es producida por armnicos y puede ser conducida o radiada.
7. Disparo por YZ polarizacin directa > Voltaje de ruptura directo.

Supera el voltaje de ruptura y se dispara sin necesidad de pulso en la

compuerta.

-Condicin de apagado de un SCR.
La nica condicin de apagado es que la corriente disminuya por debajo de la corriente
de mantenimiento (Ih). Actualmente los SCR nicamente se usan como rectificadores,
cuando se trabaja con corriente continua se suele usar MOSFETs.



EL TRIAC

Es un elemento semiconductor constructivamente equivalente a tener dos SCRs en
antiparalelo.

-Cuadro Comparativo de los semiconductores de potencia.

Ejemplo:
Para el siguiente circuito presente todas las formas de onda caractersticas, para ello
considera que el ngulo de disparo es igual a 90 grados y el ngulo de extincin es igual
a 120 grados.




Anlisis de Circuitos con forma de onda distorsionada.

Cualquier forma de onda diferente a las fundamentales se considera distorsionada.
Cualquier seal peridica puede descomponerse como una suma infinita de seales
elementales, trigonomtricas o exponenciales que se denomina series de Fourier.

(U cos + U sin )

= J +

Uab

= + +

U sin ( + )

= J +

Uab

J =

U =

2
U =

U =

DEFG

DE

DEFG

cos()
DE
DEFG

sin()
DE

U P + U P =

U = tanhb (

U
) =
U

-Simplificacin por Simetra:

Para una seal con simetra par: = ()

U = 0

Para una seal con simetra par: = ()

U = 0

-Distorsin Armnica Total:

Es una medida del grado de diferencia entre cualquier forma de onda y una forma de
onda senoidal pura.

Se expresa como:

=

=

P P + l P + + U P +
b

100

100

5%

Efectos de los armnicos en sistemas elctricos:

-Reduccin del factor de potencia
-Aumento de la corriente que circula por el neutro en sistemas trifsicos.
-Calentamiento y Reduccin de la vida til de transformadores y motores.
-Distorsin de la forma de onda de voltaje.
-Corrientes inseguras en capacitores orientados a corregir el factor de potencia.

ESR: Resistencia equivalente en serie del condensador (capacitores para trabajo en alta
frecuencia).

La energa es transmitida a la carga cuando las series de Fourier tienen trminos a la
misma frecuencia.

`

= J J +
Donde:
-U : Voltaje rms del armnico n.
-U : Corriente rms del armnico n.
-: ngulo del voltaje.
- : ngulo de la corriente.

Para distorsionadas

U U cos( )
Uab

U cos( U )

= J +
Uab

U cos( U )

= J +
Uab

U U

U - U

DEFG
1
1 DEFG
=
=

DE
DE

1
=

DEFG
DE

J +

w cos( w ))

( 2 vwx cos( U ))(J +

Uab

Uab

Esto demuestra que la potencia activa es transmitida a la carga nicamente cuando
n=m.

U{
U =

2

U|
U =

2


Ejemplo:
Dadas las siguientes expresiones para el voltaje y la corriente en un sistema, calcule la
potencia activa.

= 1.2 cos + 0.33 cos 3 + 0.2 cos(5)

() = 0.6 cos + 30 + 0.1 cos 5 + 45 + 0.1 cos(7 + 60)

1 G
=
(1.2 cos + 0.2 cos 5 ) (0.6 cos + 30 ) + 0.1 cos (5
J
+ 45))
0.72
0.02
=
cos 30 +
cos(45)
2
2

= 0.3188 []

-Teorema de Parseval.

vwx =

J P +

U P
Uab

vwx =

J +

(
Uab

)P
2

Donde:
-U : Voltaje rms en el armnico n.

Compatibilidad Electromagntica: Es la capacidad de un equipo de soportar ciertos
niveles de interferencia electromagntica y generar niveles regulados de interferencia.

-Sistema con voltaje senoidal y corriente distorsionada.

Si () tiene armnicos, estos no contribuyen a la entrega de potencia. Sin embargo los
armnicos aumentan la corriente rms.

`

vwx =

U P

J +
Uab

= b b cos( )

= vwx P

Lo ideal sera que los valores RMS disminuyan.

-Factor de Potencia. Medida de cmo la energa es transmitida eficazmente de la fuente

a la carga.

= cos

=

vwx vwx

= 1


-Sistema con carga lineal y voltaje no senoidal.

= J + b + l +


= J + b + l +


b
b =

l
l =

= vwx vwx

Para una circuito con carga lineal toda la energa es eficientemente transmitida a la
carga.

-Sistema con carga lineal y voltaje no senoidal.


b b cos( )
= =

vwx vwx


b = vwx

=
P

J +

Factor de
Desplazamiento

cos(1 1)
P
`
Uab U

Factor de

Distorsin




Cuando hay muchos armnicos no es recomendable el uso de banco de capacitores.

-Factor de forma:
vwx
=

= 1


-Factor de rizado:
vwx P P

vwx
=
=

P 1

< 1%

-Correccin del ejercicio de la prueba.

Graficar las formas de onda del siguiente circuito, considerando que la seal de control
es una onda de 120 Hz y posee un ngulo de disparo de 90 grados.

Otra de las ventajas de mandar tren de pulsos en alta frecuencia para el disparo de los
SCR es que se controla la temperatura de operacin.

Ejercicio:
Hallar las formas de onda del siguiente circuito y encontrar los valores caractersticos.

v = 0.1 169.7 = 16.97 []

= 169.7 16.97 = 152.37 []

w|U


tiempo de descarga > UD

()

=


= =

()

1
= ()

1
=

()


1
ln () =
+

= (h DF)


b

= (h D)

= = (h D)


0 0 = 0 =


=

b

= (h D)

t carga:



t = td:

= 157,73 = 169,7 (hbJ D)

= 2 cos()

= 152.73 = 2 120 cos()

cos hb
=

Reemplazo en la ecuacin anterior:

152.73
2 120
= 7.14
2

= 6.78

v

2

= 169.7

Carga:

16.97

2

= 161.22 []


= v


P
(161.22)
=
= 2599.9 []
10

=


( ) +
=

+


P
P
+
P
P
=
=

P + P
P + P
P + P


1
1
=
=

2(6.78 )


= 0.391 87.77 []

= 2 sen()

= 0


120 0
=
= 306.9 87.77 []
0.391 87.77

= 306.9 87.77 = 2 (306.9) sen()

P

vwx =

vwx

2 sen

2
= (2 P )

sen

()

()

vwx

P
sin 2
=
( +
)

1
sin(2)
( +
)

2

= 7.14

+ = 8.33

= 1.2

= 25.93

= 180 25.93 = 154.07


vwx =

1
sin(2 154.07)
( 2.69 +
)

2


vwx = 42.65 []


= vwx vwx = 120 42.65 = 5118 []


= 0.51


P
=

=


DEFG
1
=

DE

vwx = 306.9

La distorsin armnica no est definida para una seal senoidal pura.

b =

DEFG

cos()
DE

b = 26.32 []

2
b =

DEFG

sin
DE

b = 8.14 []

b =


b =

b P + b P

b = 27.54 []

b = 19.47 []

42.65P 19.47P
= 194.89%
19.47

Rectificadores de Onda (Conversores AC/DC)

El objetivo de un rectificador es obtener un voltaje de continua con voltaje de alterna
igual a cero.



El objetivo de un rectificador es obtener un voltaje de continua con voltaje de alterna
igual a cero.


Rectificadores Monofsicos de Media Onda

-Rectificador Monofsico con Carga R.

La corriente en la carga es la misma que en la lnea (vwx = vwx ).

La potencia activa en la carga es la misma que en la lnea (convertidor sin
prdidas).

La potencia aparente es diferente en la carga y en la lnea, es por ello que

cambia el factor de potencia.
=

2 sin()

2
(cos cos )
2

2
(1 + cos )
2

()

-J = 0

-J

Rectificadores de media onda no

controlados

-J = I

=



vwx P =


vwx P =

vwx

1
2

J
(1 + cos )
2

1
2
I

f()P

DE

( 2 sin())P

2 P
=
2

vwx P =

DEFG

2 P
2

1 cos 2
)
2

1 cos 2
)
2

vwx

P
sin 2
=

2
2

1
sin 2
( +
)
2
2

vwx =

vwx =

vwx

UD = vwx vwx

UD =

P 1
sin 2
( +
)
2
2

2 sin

1 2 P
=
(
)
2

DEFG

(
DE

2
sin())

1 cos 2
)
2

P
sin 2
( +
)
2
2

P
sin 2
( +
)
2
2
= P

1
sin 2
( +
)
2
2

=

Para = 0 (caso no controlado):

1
sin 2
( +
)
2
2

1
0.707
2

= b b sin( )

b 2

sin =

b 2

= b


=

-Rectificador Monofsico con Carga R-L.

En la parte positiva del voltaje en la carga, el rectificador entrega potencia a la
carga y en la parte negativa la carga devuelve potencia al rectificador.
Existe potencia positiva y negativa.
Si p es positiva la parte resistiva disipa potencia e inductor almacena.
Si p es negativa la energa almacenada en el inductor regresa a la fuente.

Para: 0 < <

Para: < <

Encuentro ecuacin de la corriente usando ecuaciones diferenciales:

hD
2
(
)
=
sin + J
P + P

S
= tanhb ( )

Aplico condiciones de borde:

= = 0

=0=

P + P

J =


=

sin + J

h
)

2
sin

2
P + P

[sin sin +

= = 0

0 = sin sin +

sin = sin +


depende de:

-
- (Relacin entre L y R)


Para carga solamente inductiva el valor de se calcula:

= 0

=
2

hD


sin

= sin
2
2

cos = cos

cos = cos

= 2

2
(cos cos )
2

Para un rectificador controlado de media onda no existe el caso de conduccin continua.

- Modo de Conduccin Continua: Caso en el que la corriente es diferente de cero
en todo el perodo.

- Modo de Conduccin Crticamente Continua: Caso en el que la corriente toma
el valor de cero solo un instante.

- Modo de Conduccin Discontinua: Caso en el que la corriente toma un valor de
cero en un intervalo.


-Rectificador Monofsico con Carga R-L + Diodo de Conmutacin.

Eliminan picos de voltaje negativo vistos por la carga.

Con el diodo de conmutacin no hay potencia negativa, por ende incrementa la
potencia activa.
El factor de potencia tambin incrementa.

-Rectificador Monofsico con Carga R-E.

La conduccin se da cuando el voltaje de la fuente sea mayor que E.

w|U|wE = sinhb


=

Ih

2 sin +

-Rectificador Monofsico con Carga R-L-E.

PIF

Ih

Para: < <

= 2 sin()


Ecuacin diferencial que describe el circuito:

= + +

Resuelvo:

hD
2

=
sin + J

P + P


P
+ P
1
=

cos

= sin(w|U|wE ) =
2


Aplico condiciones de borde:


h

0 = sin
sin

cos
cos

Rectificadores Monofsicos de Onda Completa

Modo de Conduccin Discontinua:

Modo de Conduccin Continua:

Caso Crtico: Cuando = + (G )


G = tanhb

-Rectificador Monofsico de Onda Completa con carga R-L en modo de conduccin
continua.

Como se puede observar la corriente no tiene ningn intervalo que tienda a cero.

1 IF
=
2 sin()



2 2
=
(cos )

= J (cos )


2 2
J =

Al J se le conoce como el voltaje mximo en continua.

Calculo de la corriente de carga (IK):

Para: < < +


= 2 sin()

= +

Resuelvo:

=

2
P + P

sin

hI

hI

+1

1

-Rectificador Monofsico de Onda Completa con carga R-L ( >> ):


2 2
=
(cos )

1 IF
=
2 sin
2


2 2
=
(cos )

1 G
P
vwx =
() P ()
J

vwx P =

1
2

IF

P +

UD =

2 2
(cos )

IF

2 2 (cos )

= b b sin( )

=


b =

DEFG

cos()
DE

b =

UD = vwx vwx

PIF

4
sin

2 2 (sin )

-Puente Semicontrolado Carga R-L ( >> ).

Aumenta el . Esto hace que aumente la potencia activa y por lo tanto se corrige el
factor de potencia.

2
=
(1 + cos )
2

-Rectificador de Puente Completo con >> + Diodo de Conmutacin.

=


=

2
(cos cos )
2

2 sin()

2
(1 + cos )
2
J
(1 + cos )
2
I

()

=


=


vwx P =

1
2

IF

[ ]

PIF

P +

[ ]

IF

UD = vwx vwx

Ejemplo:
Para el circuito de la figura graficar las formas de onda y realizar el calculo del y del
THD.

S = b l

2
2

I
I

2 120 sin()


= 100.8 []

b =

= 1.008 []

cos

cos = 0.32
IF

b = 1.194


b
b =
= 0.87 []
2


2 I
P =
1.008P
2 I

= 0.9201


P b P

= 31.83%

Correccin Activa del Factor de Potencia.

GENERACIN

FILTRO

FILTRO

AC/DC

CONTROL

CARGA

La correccin del factor de potencia tiene como objeto mejorar la distorsin y

desplazamiento para obtener el mximo de potencia real de la red. Esto permite
mejorar la calidad de energa y la eficiencia general del sistema.

Tipos de Conmutacin:
Suave:
Conmutacin Dura: Cuando el semiconductor se cierra en presencia de voltaje o
corriente.


Rectificadores Trifsicos

- Permiten manejar mayores frecuencias.
- Aumenta el voltaje de continua (voltaje medio).
- El rizado es de mayor frecuencia que en un monofsico de menor amplitud, por
lo tanto necesitan un filtro de salida pequeo.
- Se usan con transformador lo cual permite aumentar el aislamiento y modificar
la relacin de transformacin.
- El transformador constituye una primera etapa de filtro, provoca desfase.

1
=
=

=
= ()

-Convencin del punto: Toda corriente que entra por el terminal con punto (sin punto)
de una bobina acoplada magnticamente a otra induce un voltaje positivo en el terminal
con punto (sin punto) de la otra bobina.


-Rectificador Trifsico 3 pulsos no Controlado.

= 2 sin()
= 2 sin(

2
)
3

G = 2 sin( +

2
)
3

Conexin Yy0

Secuencia Positiva: RST
Secuencia Negativa: RTS

Corriente Circulante: Corriente DC en el secundario, en el primario no se refleja

componente de DC.

= J + b + P + l + + U


1
J =

Corriente en el Primario:

1
5

=
2
6
6
3

= Y
Voltajes Compuestos:

= 2 sin()
Y = 2 sin()

= 2 sin(

2
)
3



Y = 3 2 sin +


Y = 6 sin +

Voltaje DC:

1
=
2

2 cos()

(sin sin( ))
2

sin( )

=

Potencia Activa:

=

()

Corriente en la carga:

=


=


vwx

[ ]

[ ]

1
=
2

PI
l
J

 =

Potencia Reactiva:

YZ

3

= 3 b b sin( )

2
b =
[
2

I
2

PIF

cos +

b =

cos ]
3

2 2

[ sin sin ]
2 3
3
b = 0

sin( ) =


= 3 b b


GY =

b 2

b
b 2

= 0

+

2

= 3 vwx vwx

vwx

1
=
[
2

2 P
(
) +
3

vwx =

2

3

vwx =

Capacidad del Transformador:

PIF

( )P ]
3


GY =

2 + 3

2

GY = 1.57

sin
= =

-Rectificador Trifsico tres pulsos totalmente controlado.

-A partir de que los semiconductores se polarizan directamente cuento alfa ()


+
=

=
3

= (G )
3


-El ngulo entre el voltaje y la corriente es igual al ngulo de disparo


Voltaje DC:

1
2
3

I
I

2 sin()

3
2 ( cos )
2

sin

= J cos()


2
J =
sin

Potencia Activa:

Potencia Aparente:

1
=

cos()

()

= 2


Factor de Potencia:

Potencia Reactiva:

sin

=
= cos()

= 3 b b cos( )
=

= 3 b b cos()

3 b =

cos()

= 3 b b sin()

sin()

cos()

= tan()

sin( ) sin()

-Ejemplo de composicin de voltajes:
Dado el siguiente grupo de conexin, si el voltaje R ( ) es igual a = 2 sin
encontrar la expresin para el voltaje AB (Y )

Y = +
Y =

Y = 6 sin(

5
)
6

= + G
Y = G

= 6 sin( + )
2

Y = 18 sin(

2
)
3


-Rectificador Trifsico 6 pulsos pulsos.

v = xw|UD xw|UD

-El grupo de conexin modifica la amplitud y la fase de la onda.
PI
-Cada semiconductor conduce (120) para 3 pulsos y 6 pulsos.
l
-Hay casos en que la corriente circulante (no existe componente de continua), debido a
que se anulan dependiendo del grupo de conexin.


Convencin de corrientes:
-Si en el primario la corriente entra por el punto es positiva, si en el secundario sale por
el punto la corriente es positiva.



Para un rectificador trifsico de 6 pulsos, a partir de un ngulo de disparo de 120 grados
el conversor se comporta de una manera diferente.



Conversores AC/AC

Recuento rectificadores:
-Rectificador de media onda no controlado.

-Rectificador de media onda totalmente controlado.

Carga R:

Carga RL:

Carga RLE:

Regulador con Control de Fase Directo:

Carga R:

Voltaje RMS:
vwx

2
=

vwx =

P sin

Corriente RMS:

vwx =


Carga RL:

sin 2

2

vwx

-Para este caso existe un ngulo de extincin Beta (), cuya ecuacin se deduce de la
siguiente manera:

< <

2
hD

sin + J

= tanhb ( )

P + S P

Condiciones de Borde:
= = 0
= = 0

sin = sin

-Existe un caso crtico cuando = +

Voltaje RMS:

+ ED =
< + ED = ()

vwx =

1
sin 2 sin 2

2
2


Corriente RMS:

vwx =

J P + b P + P P +. . .

vwx P J P + b P + P P + l P + P + P

b =

vwx

b

P =

vwx

P

U =

P + ()P

Ejemplo:
Para un regulador monofsico de control de fase directa con carga resistiva dibujar las
formas de onda para un = 90 y calcular: vwx , vwx , P, Q, S, fp. Considere =
120 [], f=60 Hz y R=10 ohmios.

En la carga:

vwx P =

vwx =







En la lnea:

sin 2

2

vwx = 84,85 []
vwx = 8.845 []
= 720 []

= 1018.5

P sin

720
= 0.707
1018.5

b = 5.402


= 458.37 []

Valores RMS en la Carga

Potencia Activa

Potencia Aparente en la Fuente

Factor de Potencia en la Fuente

Potencia Reactiva en la Fuente

Regulador con Control por ciclo Integral:

Caractersticas:
-Bajo contenido armnico.
-Se usa en circuitos de iluminacin y hornos resistivos.
-No se recomienda su uso en motores.


Voltaje RMS:
2 I P
vwx P =
sin
2


vwx =

Donde:
M: Nmero de ciclos activos.
N: Nmero de ciclos totales.

Potencia Activa:

PI

2
=
2 sin
sin
2 J

P
=


Potencia Aparente:

= vwx vwx


P

= P

=



Chopper de Corriente Alterna (AC):

Si el control est en 0 lgico:

v = 0

Si el control est en 1 lgico:

= UD



La frecuencia de choppeo depende del control que se enve al MOSFET.


Reguladores AC-AC Trifsicos:

-Conexin Y con Neutro

Esta conexin es muy sencilla de analizar ya que al existir conexin fsica del neutro
siempre existir un camino cerrado y cada regulador monofsico se comportar
independiente de los otros. Para este caso existen nicamente dos posibilidades: en la
carga cae un voltaje de fase, en la carga cae un voltaje cero.



-Conexin Y sin Neutro



Esta conexin es un poco mas complicada de analizar ya que cada regulador monofsico
depende del otro. En este tipo de conversor el voltaje de la carga depende tambin del
ngulo de disparo ya que este modifica el comportamiento del mismo.

Si conducen 3 SCRS: v = xhUDvE

Si conducen 2 SCRS: v = 0 o v =
P

Si no conduce ningn SCR: v = 0


-Conexin Delta Balanceada

Esta conexin es muy sencilla de analizar ya que al igual que en la conexin Y con neutro,
cada regulador monofsico se comporta de manera independiente. Para este caso
tambin existen nicamente dos posibilidades: en la carga cae un voltaje de lnea, en la
carga cae un voltaje cero.