IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 14, NO.

5, MAY 2016

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Developement an InGaAs Detecto-Amplfier

Applied to Atmospheric Remote Sensing
H. A. Lacomi, D. M. David de Lima, M. B. Lavorato and C. L. Arrieta
1

Abstract The InGaAs PIN photodiodes are widely used in

spectrometric and medical equipment. However, it is not
widespread its use for atmospheric remote sensing phenomena
studies. In the present work we shows the development and
construction of a detector-amplifier based on an InGaAs PIN
photodiode, with high gain (110dB), low bandwidth (10MHz) and
low distortion. Such device is the detection unit used for a
backscatter LIDAR (Light Detection And Ranging) operating in
1064 nm. The PIN photodiode responsivity was characterized for
the specific wavelength (1064 nm), as well as its juncture
capacitance for the bandwidth of device. The independently
characterization of amplifier (gain and bandwidth) without
sensor, let us improve its performances. These characterizations
allowed obtain a detector-amplifier system with a remarkable
performance for remote sensing applications. Finally, we present
the preliminary results obtained with a backscatter LIDAR,
where we shows the measurements of cirrus clouds observations
with altitude between 8 and 12 kilometers.

Keywords InGaAs, NIR (Near InfraRed), sensor, detectoramplifier, backscatter, Lidar.

I. INTRODUCCIN
A DETECCIN de radiacin infrarroja es un tema crtico
y no resuelto en los laboratorios de investigacin aplicada
que se encargan del desarrollo y construccin de
equipamientos para el sensado remoto de la atmsfera con
Lser, siendo ste la nica fuente emisora de radiacin del
sistema [1] [2] [3] [4]. El espectro de radiacin infrarroja se
divide en tres bandas arbitrarias, el infrarrojo cercano (760
nm a 2,5 m), el infrarrojo medio (2,5 m a 10 m) y el
infrarrojo lejano (10 m a 300 m). Uno de los mtodos ms
difundidos en la comunidad cientfica para la deteccin y
estudio de los aerosoles (partculas en suspensin en la
atmsfera) es el que se realiza con sistemas LIDAR (Light
Detection and Ranging), que utiliza como fuente emisora de
radiacin un Lser de Nd:YAG o de Nd:YVO4 bombeados
con lmparas flash o con diodos lser. Ambos equipos
bombeados y controlados electrnicamente emiten radiacin
Lser en 1064 nm [5] [6]. Para esta longitud de onda, existe
una ventana atmosfrica de baja absorcin que permite
detectar por retrodifusin elstica, en forma ms eficiente, las
partculas en suspensin en la atmsfera y adems, puede
detectar los cristales de hielo en suspensin en las nubes
presentes en la Troposfera media y alta; estas nubes son los
denominados Cirrus. Por este motivo este tipo de Lser,

H. A. Lacomi, CITEDEF, hlacomi@citedef.gob.ar

D. M. David de Lima, CITEDEF, ddavid@citedef.gob.ar
M. B. Lavorato, CITEDEF, mlavorato@citedef.gob.ar
C. L. Arrieta, CITEDEF, carrieta@citedef.gob.ar

colimado con un sistema ptico adecuado, se utiliza como

emisor del LIDAR de Retrodifusin [7]. Para detectar la
seal, retrodifundida por la atmsfera, histricamente se
utilizaron unidades receptoras compuestas por sistemas
detecto-amplificadores
con
tecnologa
basada
en
fotodetectores de Silicio (Pin y Avalancha), alguno de ellos
dopados con fsforo (lnea YAG-100) lograban una mayor
eficiencia cuntica en la deteccin en 1064 nm [8]. El
inconveniente ms importante que presentaban los fotodiodos
PIN de Si era que stos resultaban muy susceptibles a las
interferencias radioelctricas con el agravante que adems, se
necesitaban ganancias de tensin del orden de 106 veces. Solo
se pudo utilizar este tipo de detecto-amplificador para baja
altura, como por ejemplo para algunas aplicaciones para el
estudio de la Capa Lmite Atmosfrica (< 1,5 Km). Tambin
se utilizaban fotodiodos avalancha de Si pero presentaban el
inconveniente que era muy costoso el sistema de control que
inclua una fuente de alimentacin Ad-hoc especfica para
cada diodo, ya que por construccin cada componente
presenta un valor nico de tensin nominal y de tensin de
avalancha para lo cual la fuente deba ser de alta tensin
(~400 V), estabilizada, sin distorsin y variable con gran
precisin, de all su elevado costo comercial.
En este trabajo presentamos el desarrollo, construccin y
ensayo de un nuevo tipo de detector que se utiliza en equipos
de electro-medicina y en sistemas de comunicacin por fibra
ptica. Este dispositivo es el detector NIR de AsGaIn [9] que
fue adquirido en su formato DIE y que a posteriori fue
encapsulado, acoplado y adaptado a un amplificador de
trasimpedancia diseado Ad-hoc de gran ganancia (>106
Ohms) y con un ancho de banda que va desde corriente
continua hasta los 10 MHZ con respuesta plana. El detector
de AsGaIn presenta, en comparacin con los detectores de
Si, tres caractersticas que lo distinguen con respecto a los
de Si, una de ellas es que presenta alta inmunidad a las
interferencias radioelctricas, la segunda es que su ventana
ptica va de los 850 nm, hasta los 2 m con lo cual no es
afectado por la banda UV-Visible (baja interferencia debido a
la radiacin Solar) y la ltima y ms importante que, a
diferencia del Si que posee una eficiencia cuntica < 0,1 %
para 1064 nm, la eficiencia cuntica del sensor NIR para esa
longitud de onda es superior al 75 %, esto lo hace ideal para
detectar la seal del LIDAR.
II. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
Los parmetros ms destacados de los fotodetectores en
funcin de su respuesta espectral son: el rendimiento
cuntico, la corriente de oscuridad que define la relacin S/R
(seal/ruido) y en consecuencia el nivel de detectividad; y la
'Responsividad'. ste ltimo es uno de los parmetros ms
importantes cuando se quiere analizar el comportamiento de
un fotodetector a una longitud de onda especfica, ya que

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IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 14, NO. 5, MAY 2016

permite determinar directamente la ganancia del mismo [10]

[11]. La responsividad permite medir la cantidad de corrienteii)
que el dispositivo entrega por unidad de potencia lumnica
incidente a una longitud de onda dada. Esta relacin se
expresa en la ecuacin (1).
R

(1)

Donde:
R() = Responsividad absoluta [A/W] para [nm].
Io = Corriente que entrega el dispositivo [A].
P = Potencia lumnica incidente en [W].
En las hojas de datos proporcionadas por los fabricantes de
este tipo de dispositivos se grafica en forma muy genrica 'R
vs. ' pero estas grficas resultan ser difusas e imprecisas, con
informacin muy general que solo nos permite conocer el
valor aproximado de R para toda la banda espectral, donde
solo se puede estimar en forma grosera el valor de la
Responsividad para una longitud de onda especfica, sin poder
estimar la dispersin o incertidumbre de la misma. El detector
NIR utilizado es el DIE PX511 [12], fabricado por
ROITHNER, que reporta una R(1064nm) del orden de los
0,75 A/W. El DIE de referencia est compuesto por un
sustrato con base cuadrada de 500 m de lado y cuenta con un
rea efectiva circular de 300 m de dimetro, lo que nos deja
una superficie de 0,07 mm2 para la deteccin. El fotodiodo fue
pegado con epoxi conductor sobre una placa de almina de
2x2 mm y a su vez la almina fue pegada sobre la cpsula
contenedora, esto permiti aislar el fotodiodo de la cpsula
para reducir el ruido, ver Fig.1.

responsividad.
Se construy una fuente de corriente para la emisin continua
en el IR (LED 1070-05 [13] de ROITHNER) que posee un
ancho espectral que va desde los 1010 nm hasta los 1100 nm
con un pico mximo en los 1065 nm. Para variar la potencia
emitida, la fuente de corriente dispona de controles calibrados
que permitan variar la intensidad lumnica con gran precisin.
Con el objeto de trabajar con una lnea de emisin en 1064
nm, se acopl a la salida del mismo, un filtro interferencial de
la firma CVI [14] con un ancho de banda espectral de 1.5
nm y con una trasmitancia del 45%. La fuente de corriente fue
calibrada y controlada su repetibilidad para las escalas que van
de 10 mA a 50 mA en pasos de 10 mA. Para evitar la prdida
y/o dispersin de la seal emitida se puli la ptica de salida
del led y se desarroll un sistema ptico de colimacin y
enfoque basados en un sistema de lentes regulables que
permiten modificar la distancia de separacin entre s y con
respecto al led emisor, esto permiti focalizar la radiacin
sobre el fotodiodo, ver Fig. 2 [15] [16] [17].

Figura 2. Sistema experimental utilizado para la determinacin de la

Responsividad del Fotodiodo (a la derecha de la figura se aprecia el sistema
ptico de colimacin y enfoque).

Figura 1. DIE PX511 montado y cableado en la cpsula contenedora.

Para medir la Responsividad en 1064 nm en el laboratorio

se mont una experiencia que se describe a continuacin:
i) Se mont el DIE en una cpsula contenedora, cableando
sus terminales y acoplando el montaje a un amplificador
de trasimpedancia de bajo ancho de banda y ganancia
programable, en cascada con otro de ganancia media en
tensin y bajo ruido. Este detecto-amplificador se utiliz
en todas las experiencias para el clculo de la

iii) La experiencia se realiz en un laboratorio con ambiente

controlado en temperatura y luminosidad para que las
mediciones fueran realizadas en las mismas condiciones
ambientales. La experiencia se mont en un banco ptico
sobre una mesa estabilizada y fue realizada en dos etapas:
1) Se mont el sistema ptico de colimacin y enfoque en
1064 nm enfrentado a un medidor de radiacin Lser
(Power Meter MOLECTRON - Modelo MAX 5200 Cabezal PM30-VI); se fueron variando los valores de
corriente de excitacin del emisor y para cada uno de ellos
se adquirieron 1500 muestras; como resultado, se
obtuvieron los valores medios de corriente y potencia
junto con sus respectivos desvos estndar. Luego, en
lugar del Medidor de radiacin se monta el detecto
amplificador y se repiten las mediciones. De esta manera,
conociendo los parmetros del amplificador, se calcula la
corriente que entrega el DIE para cada valor de radiacin
emitida.
iv) Por ltimo, para medir las variables que permitieron
calcular la Responsividad absoluta se utilizaron dos

LACOMI et al.: DEVELOPEMENT AN INGAAS DETECTO

2095

Multmetros FLUKE Modelos 289, en el modo de

adquisicin automtica de datos. De esta manera toda la
experiencia se realiz sin la intervencin o presencia de
operadores que alteran las condiciones de medicin lo cual
evit la interferencia, dispersin y/o distorsin de los
resultados como se observa en las Fig. 3 y 4.
Ps - POTENCIA DE EMISIN [ mW ]

4.5

CALIBRACIN DE POTENCIA del LED1070

4
3.5
3

Brown de Texas Instruments. Este dispositivo demostr

durante las pruebas de laboratorio y de campo, excelentes
resultados para ser utilizado como amplificador acoplado y
adaptado a un fotodiodo de AsGaIn.
Se estudiaron varias disposiciones circuitales posibles,
utilizando el fotodiodo en su configuracin fotovoltaico y
fotoconductivo. Se acopl al amplificador en las
configuraciones de ganancia de tensin, inversor y no
inversor, y finalmente en la configuracin de trasimpedancia
(TIA). En la Fig. 5 se muestra la configuracin del DetectoAmplificador que se utiliz para la experiencia.

2.5
2
1.5
1

Desvo Estandar X 100

Regresin de 4 orden

0.5
0
0

10

20

30

40

Ie - CORRIENTE DEL EMISOR [ mA ]

50

60

Figura 3.

LED1070 - Corriente de Entrada vs Potencia Emitida.

PX511 - Potencia ptica de Entrada vs. Tensin de Salida

3.5

Vme - Tensin de Salida

(PX511 + Amplificador)

Figura 5. Circuito esquemtico del Detecto-Amplificador testeado y que se

encuentra en operacin en el LIDAR.

2.5
2
1.5

En la Fig. 6 se muestra la fotografa del circuito armado en

montaje superficial.

1
Desvio Estandar x 100
Regresin de 4to. orden

0.5
0
0

0.5

1
1.5
2
2.5
Pe - Potencia de Entrada [ mW ]

3.5

Figura 4. Potencia
Emitida vs.
Tensin de Salida (PX511 + Amplificador), se muestrearon y promediaron
1500 seales por punto.

Se procedi a analizar los valores de tensin media (Vme)

para cada nivel de corriente de excitacin sobre el emisor (Ie).
De ese anlisis se obtuvieron los valores de Responsividad
Calculada (Rc) para el detector NIR sometido a evaluacin.
Esto es as dado que la tensin Vme y la ganancia de
trasimpedancia permiten obtener la corriente que circula por el
detector NIR Io, a su vez, estos valores de Rc fueron
promediados y se obtuvo el valor de Responsividad calculada
promedio (Rcp); para el fotodetector NIR (DIE de AsGaIn) la
Rcp result ser de 0,785 [A/W].

Figura 6. Fotografia del Detecto-Amplificador.

En la Fig. 7 se muestra el sistema completo que se utiliz

en el LIDAR con filtro ptico y blindaje.

III. DESARROLLO DEL AMPLIFICADOR

En las hojas de datos de los amplificadores operacionales,
los fabricantes publican toda la informacin necesaria que nos
permiti, frente a una gran variedad de dispositivos,
seleccionar el ms adecuado para nuestro trabajo. Se tuvieron
en cuenta para su eleccin las Caractersticas Elctricas, los
Lmites Elctricos de Operacin y las Condiciones de
Operacin Recomendadas por el propio fabricante a travs de
las notas de aplicacin [18].
Otro aspecto que se tuvo en cuenta, adems de sus
caractersticas elctricas, fue la disponibilidad en el mercado
local y/o su disponibilidad para la adquisicin en el mercado
internacional sin restricciones para su importacin. Teniendo
en cuenta todos los parmetros de seleccin descriptos, se opt
por el Amplificador Operacional OPA657 de la firma Burr-

Figura 7. Montaje final del Detecto-Amplificador del LIDAR.

Uno de los factores ms importantes para el ptimo

desempeo del amplificador fue el desarrollo y construccin
de la placa donde van montados los componentes. Se
caracteriz la placa midiendo su permitividad relativa y su
tangente de perdida, y sobre todo, para la adaptacin de

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impedancias, se midi el ancho de la pista de cobre, con el

objeto de respetar los niveles de impedancia caracterstica
predefinidos en 50 . Nuevamente los fabricantes de los
sustratos, solo indican datos y especificaciones generales por
lo que se tuvo que caracterizar el material con el cual se
construy la placa. Para este trabajo se utiliz un sustrato FR4
doble faz, con un espesor de dielctrico de 920 m y un
depsito de cobre de 17 m por lado. Se midieron los
parmetros caractersticos en funcin de la frecuencia para
conocer cmo iba a responder la placa dentro del rango de
frecuencias de trabajo (CC 10 MHz). Cabe aclarar que el
amplificador bajo diseo va a contar con una ganancia
extremadamente alta (> 106 ) lo que implica que se debe
tener especial cuidado en el diseo de la placa y los tamaos
de sus pistas de cobre para que las adaptaciones de impedancia
sean las diseadas y que no haya seales parsitas que se
puedan realimentar y puedan producir oscilaciones o
interferencias no deseadas. Para la medicin de la
permitividad relativa y la tangente de prdida se utiliz el
analizador de impedancias HP4291A con el cabezal
HP16453A (estos instrumentos son especficos para la
medicin de materiales dielctricos). Como resultado de esta
experiencia se obtuvo, que para el rango de trabajo, la
permitividad media fue r 4,479 [s/u] y el valor medio de la
tangente de prdida fue tg 0,0143 [s/u]. Por ltimo dado
que; el fabricante del amplificador recomienda el montaje de
los mismos con plano de masa y dado que los componentes
utilizados son de montaje superficial, los amplificadores
necesitaban que tanto la entrada y salida de los mismos como
la unin entre ellos estuviera adaptada a 50 . Se opt por
utilizar la teora de microcintas donde se utilizan las pistas de
interconexin como tramos de lneas de transmisin
(Microstip Lines). La impedancia caracterstica de la
microcinta depende mayoritariamente del espesor del sustrato,
la permitividad efectiva del mismo y del ancho de la pista que
se utiliza para construir la microcinta. Como herramienta de
clculo se utiliz el software QUCS (Quite Universal Circuit
Simulator), al cual se la introdujeron los datos del substrato
medido resultando un ancho de pista de 1,7184 mm; se
muestra en la Fig. 8 el impreso de la placa armada de la Fig. 6.

IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 14, NO. 5, MAY 2016

Se midieron los anchos de todas las pistas de la placa con

un Proyector de Perfiles marca Nikon V-12 / SC-102 dando
como resultado un ancho de pista promedio de 1,665 mm con
un desvo estndar de 0,016 mm. Frente al valor calculado
resulta una dispersin mnima comparado con la dispersin de
las resistencias y capacitores que se utilizaron en el montaje
del amplificador.
IV. ESTACIN LIDAR DE RETRODIFUSIN
El LIDAR de retrodifusin elstica utilizado para el
presente trabajo se encuentra en Villa Martelli, en los
suburbios de Buenos Aires, en una zona arbolada y rodeada de
parques. Utiliza, como fuente emisora de radiacin, un Lser
de Nd:YAG (Continuun - Surelite III), que emite hasta 350 mJ
por pulso en 532 nm y hasta 650 mJ por pulso en 1064 nm. La
frecuencia de repeticin puede variar de 1 a 20 Hz con un
ancho de pulso de 5 ns y una divergencia del orden de los 0,6
mrad para ambos haces. El Lser emite simultneamente en 2
longitudes de onda ya que la salida del mismo se acopla
directamente a un sistema divisor de haces con ptica dicroica
que separa e independiza los haces de 532 nm y 1064 nm. De
esta manera se independiza la alineacin de ambos haces con
respecto a sus respectivas unidades de deteccin que utilizan
sensores y pticas diferentes, como muestra la Fig. 9.

Figura 9. Esquema de la Estacin LIDAR de Retrodifusin que se encuentra

operando simultneamente en 532 nm y en 1064 nm.

Figura 8. Medicin del espesor de pista de la placa del amplificador.

El LIDAR en la actualidad opera con dos telescopios, uno

para cada longitud de onda. La lnea de 532nm posee un
telescopio tipo Newtoniano de 50 cm de dimetro que permite
cubrir la porcin de la atmsfera que va desde los 500 m hasta
los 23 Km con mediciones diurnas y hasta los 28 Km con
mediciones nocturnas. La lnea de 1064 nm posee un
telescopio tipo Cassegrain de 8,2 cm de dimetro cubriendo el
rango que va entre 50 m y los 12 km gracias a la alta ganancia
del amplificador asociado al fotodetector. Los ejes de ambos
telescopios apuntan al zenit, el enfoque de la seal sobre los
sensores se encuentran diafragmados para reducir el campo de
visin a 1,5 mrad. Adems, cada sistema cuenta con un filtro
interferencial especfico lo que permite reducir en gran
medida la seal denominada ruido del fondo del cielo que
llega a saturar los detectores durante las mediciones diurnas.

LACOMI et al.: DEVELOPEMENT AN INGAAS DETECTO

2097

V. RESULTADOS OBTENIDOS
En las Fig. 10 y 11, se muestran dos de los resultados
obtenidos desde mayo del 2015, cuando se iniciaron las
pruebas preliminares de adquisicin de seales LIDAR donde
se observan las series temporales de cirrus a diferentes alturas
[19] [20]. En la Fig. 10, correspondiente al 22 de junio, se
puede observar una serie temporal de 9 horas de duracin a
baja altura, en promedio 5,5 Km, que va entre los 5 Km hasta
los 8 Km y sobre el final de la serie aparece una segunda capa
cercana a los 10 Km. El canal de 532 nm, ver Fig. 10, refleja
mejor este hecho debido a que la seal a baja altura resulta ser
muy densa y el sistema de1064 nm de la Fig. 10(b) posee baja
ganancia ptica; de todas maneras y dado que dicho canal
registra pequeas seales cercanas a los 10 Km, esto indica el

Figura 11. Seal LIDAR adquirida el 25/08/2015: (a) - 532 nm - (b) - 1064
nm y (c) Ambas Seales Promediados 256 disparos del Lser.

Figura 10. Seal LIDAR adquirida el 22/06/201: (a) - 532 nm (b) 1064 nm
y (c) Ambas Seales Promediados 256 disparos del Lser.

alto nivel de detectividad que posee el Detecto-Amplificador

desarrollado, descripto en el presente trabajo.
En la Fig. 11, correspondiente al 25 de agosto, se grafica
la evolucin temporal (~10 hs.) de un cirrus a gran altura (de 6
Km a 10 Km) donde se puede observar cmo cambia el nivel
de detectividad entre las seales de 532 nm de la Fig. 11(a) y
las de 1064 nm de la Fig. 11(b).

Se percibe adems, que en 1064 nm, luego finalizado el

cirrus la relacin Seal/Ruido decae a niveles muy bajos
quedando en muchos casos indeterminado el final del mismo,
esto es debido a la baja ganancia ptica del telescopio para
alturas por encima de los 7 u 8 Km.
Las diferencias observadas entre las seales de 532 nm y
1064 nm son debidas a la composicin misma de la nube ya
que la lnea de 532 nm posee niveles similares de detectividad
tanto para la seal molecular como para la deteccin de
partculas y/o cristales de hielo; mientras que la lnea de 1064
nm posee un alto nivel de detectividad para las seales
producidas por las partculas o cristales de hielo, y muy bajo
nivel de deteccin para la seal molecular. Esta caracterstica
propia de la lnea de 1064 nm la convierte en un muy buen
detector de partculas troposfricas denominados aerosoles.
Las Fig. 10(c) y 11(c) representan, en cada caso, una seal
promediada correspondiente a 256 disparos de Lser. De esta
manera, el ruido, se reduce en un factor de aproximadamente
10 veces, mejorando notablemente la relacin seal/ruido
(S/N). A diferencia de la lnea de 532 nm donde el ruido
predominante es el denominado ruido del fondo del cielo; el
ruido predominante que se observa en la lnea de 1064 nm es
el denominado ruido de Johnson.

2098

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Ambas seales poseen caractersticas gaussianas, a mayor

promediacin de las seales adquiridas, provoca una mayor
reduccin del ruido y en consecuencia un incremento de la
relacin S/N. En los casos presentados se observa que el
inicio y fin de la nube son coincidentes, no as la intensidad y
forma de la seal, eso es debido a la composicin propia de la
misma, donde 532 nm posee mayor nivel de detectividad para
la seal molecular, mientras que en 1064 nm la seal
predominante corresponde a los cristales hielo y aerosoles.
V. CONCLUSIONES Y TRABAJOS FUTUROS
Los resultados presentados en este trabajo permiten
concluir que el Detecto amplificador desarrollado supera las
expectativas iniciales ya que con un telescopio de muy baja
ganancia ptica se pudieron observar seales hasta los 10 km
de altura queda por mejorar el sistema de alineacin ya que el
actual necesita ajustes peridicos durante las mediciones y por
un operar calificado lo que dificulta la operacin del LIDAR.
El telescopio tipo Cassegrain (Questar / 8,2 cm espejo
primario) que fue montado para la lnea de 1064 nm, va a ser
utilizado solo para el estudio de la Capa Lmite Atmosfrica y
aerosoles presentes en la troposfera media y baja (< 5 km), y
se est preparando un nuevo telescopio tipo Newtoniano cuyo
espejo es de 22 cm de dimetro. Al mismo le ser acoplado
otro Detecto-Amplificador como el del presente trabajo con
un fotodetector NIR de AsGaIn y un amplificador de 2 etapas
con ganancia del orden de 106 o 107. Finalmente se va a
trabajar en el desarrollo de un amplificador con ganancia
programada para poder modificar la misma durante las
mediciones y as evitar la saturacin de las seales a baja y
media altura, todos los amplificadores que se van a construir
para este tipo de aplicaciones sern diseados y testeados con
la metodologa descripta en el presente trabajo.
VI. AGRADECIMIENTOS
Los autores agradecen al Centro de Investigaciones
Cientficas y Tcnicas para la Defensa (CITEDEFF) por el
apoyo dado para la reconstruccin y el mantenimiento de la
nueva Estacin LIDAR, al Ministerio de Defensa a travs de
los Proyectos PIDDEF 0050/10, PIDDEF 0052/10 y PIDDEF
0012/12 por el soporte financiero para el desarrollo del
Detecto-Amplificador y partes del sistema LIDAR y a la
Universidad Tecnolgica Nacional Facultad Regional Haedo
por el aporte de Recursos Humanos (Becarios, Pasantes y
Estudiantes de Proyecto Final).
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Ing. Hctor Lacomi: Ingeniero Electrnico y Tesista
avanzado de Doctorado en Ingeniera Mencin Electrica.
Investigador Senior y Director y Evaluador de Proyectos
del Ministerio de Defensa - CITEDEF y Docente e
Investigador de la UTN - Facultad Regional Haedo.
Ing. Dario David de Lima: Ingeniero Electrnico y Tesista
nivel inicial de Doctorado en Ingeniera Mencin
Electrnica. Investigador Novel, miembro de los grupos de
apoyo en los proyectos del Ministerio de Defensa e
Investigador ayudante en los proyectos de la UTN
Facultad Regional Haedo.
Dr. Ing. Mario B. Lavorato: Ingeniero Electromecnico
Orientacin Electrnica de la Universidad de Buenos
Aires y Docteur en Electronique de la Universite de Paris
XIII (Paris Nord). Coordinador, Evaluador y Director de
Proyectos del Ministerio de Defensa y de la UTN. Docente
(Titular de Ctedra) y Director de Proyectos PID de la
UTN Facultad Regional Haedo. Investigador Adscripto en el Grupo
PEPACG de la Universidad Catlica Argentina.
Ing. Cristian Arrieta: Ingeniero Electrnico de la UTN,
Investigador y director de Proyectos del Ministerio de
Defensa. Investigador y Docente (Profesor Asociado) de la
UTN Facultad Regional Haedo. Jefe de la Divisin
Microelectrnica de CITEDEF.