EFECTOS DE CORRELACIN EN EXCITONES CONFINADOS EN QDs DE

GaAs/(Ga,Al)As

BRUCE LEHMANN SNCHEZ VEGA

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

FACULTAD DE CIENCIAS
ESCUELA DE FSICA
BUCARAMANGA
2004

EFECTOS DE CORRELACIN EN EXCITONES CONFINADOS EN QDs DE

GaAs/(Ga,Al)As

BRUCE LEHMANN SNCHEZ VEGA

Trabajo de grado para optar al titulo de Fsico

DIRECTOR
Ph.D. ILIA D. MIKHAILOV

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

FACULTAD DE CIENCIAS
ESCUELA DE FSICA
BUCARAMANGA
2004

A mis padres
Jorge Omar Snchez y Ana Vega de Snchez

AGRADECIMIENTOS

Deseo expresar mis ms sinceros agradecimientos al Doctor y amigo Ilia Mikhailov, por sus
grandes enseanzas durante mis aos de estudio de pregrado. A mi amigo Pedro Rafael
Snchez, por hacer posible mi sueo de estudiar. A mis amigas Sonia Snchez, Erika
Jaimes por su incondicional compaa y a mi hermana Karina Snchez mi eterna compaera
de juegos.

TITULO: EFECTOS DE CORRELACIN EN EXCITONES CONFINADOS EN QDs DE

GaAs/(Ga,Al)As
AUTORr: BRUCE LEHMANN SANCHEZ VEGA **
PALABRAS CLAVES: Heterojunturas, heteroestructuras,
cunticos, excitones, mtodo de disparo, mtodo variacional.

dimensin fractal, puntos

DESCRIPCION
El contenido de la tesis es el siguiente. En el primer captulo se introducen conceptos
fundamentales de heterojunturas semiconductoras y las aproximaciones que se utilizan en el
anlisis terico de espectros de electrn, hueco y excitn en estos sistemas. Se analizan
diferentes modelos de confinamiento y otros parmetros del hamiltoniano de un excitn en
un punto cuntico. En el captulo 2 se describe el procedimiento matemtico llamado mtodo
de dimensin fractal aplicado a excitones en puntos cunticos y se deducen ecuaciones
diferenciales para la funcin envolvente y la funcin de correlacin. En el captulo 3 se
presentan los resultados del clculo de la energa de enlace en puntos, discos y anillos
cunticos utilizando el software elaborado y algoritmos propuestos en esta tesis. Una
descripcin de los procedimientos numricos que se utilizan para realizar el algoritmo
elaborado en el captulo 2 relacionados con solucin de la ecuacin de Schrdinger
unidimensional a travs del mtodo de disparos y con el clculo de los jacobianos
expresados en forma de las integrales mltiples se presenta en el anexo.
El objetivo principal de esta tesis es elaborar dentro del marco del mtodo de dimensin
fractal un nuevo software en base del algoritmo de disparos (diferente del barrido
trigonomtrico utilizado en los trabajos anteriores) para analizar el estado base de los
excitones confinados en puntos cunticos con una forma de potencial de confinamiento
arbitraria en un espacio de D dimensiones, considerando D como un parmetro. De esta
manera se hace posible analizar en una forma unificada la energa del excitn en puntos,
discos y anillos cunticos con diferentes formas de potencial. Una posible ventaja del mtodo
de disparos consiste en mayor estabilidad (comparado con el mtodo de barrido
trigonomtrico) en el clculo de la funcin de onda y de la funcin de correlacin de par
electrn-hueco. Para comprobar lo anterior, se analizan los efectos de correlacin a travs
del clculo de la funcin de correlacin del par (electro-hueco) y de la energa de correlacin
en condiciones de confinamiento producido por diferentes formas de potencial.

Trabajo de grado
Facultad de Ciencias. Fsica. Director: Ph D. ILIA D. MIKHAILOV

**

TITLE : EFFECTS OF CORRELATION IN CONFINED EXCITONES IN QDs OF

GaAs/(Ga,Al)As*
AUTHOR : BRUCE LEHMANN SANCHEZ VEGA**
KEY WORDS : Heterojuntions, heterostructures, fractal dimension, quantum dots, excitons,
shot method, method variacional.
DESCRIPTION
The content of this thesis is as follow. In the first chapter it introduces the fundamental
concepts of semiconductor heterojunctions and the approaches that it uses in the theorical
analysis of the electron, hole and exciton spectra. Furthermore, the different confinement
models and the other Hamiltonian parameters of exciton in the quantum well are analyzed.
In the second chapter it describes the mathematical procedure called fractal dimension
Method for the enveloped and correlation function. In the third chapter it presents the
calculus of the energy binding in quantum dots, quantum rings and quantum disks, using the
software and algorithms elaborated in this thesis. One description of the numerical
procedures that we use for to solve the Schrodinger one dimensional equation through the
shooting Method and the calculus of Jacobian given in multiple integral for are shown in the
appendice.
The main objective of this thesis is to elaborate inside the mark of the method of dimension
fractal a new software in base of the algorithm of shots (different from the trigonometrical
sweeping used in the previous works) to analyze the state it bases of the excitones confined
in quantum points with a form of potential of arbitrary confinement in a space of D
dimensions, considering D like a parameter. This way it becomes possible to analyze in an
unified form the energy of the exciton in points, disks and quantum rings with different
potential forms. A possible advantage of the method of shots consists on more stability
(compared with the method of trigonometrical sweeping) in the calculation of the wave
function and of the function of correlation of couple electron-hole. To check the abovementioned, the correlation effects are analyzed through the calculation of the function of
correlation of the couple (electro-hole) and of the correlation energy under confinement
conditions taken place by different potential forms.

Proyect of Grade.
Facultad de Ciencias. Fsica. Director: Ph D. ILIA D. MIKHAILOV

**

CONTENIDO
Pag.
INTRODUCCIN

1. MODELO

1.1 HETEROJUNTURAS Y HETEROESTRUCTURAS.

1.2 BANDAS DE ENERGIA EN UN SEMICONDUCTOR

1.3 EXCITONES

1.4 MODELO DE CONFINAMIENTO

10

1.5 HAMILTONIANO

11

2. MTODO DE DIMENSION FRACTAL APLICADO A LOS

EXCITONES EN PUNTOS CUNTICOS

14

2.1 ECUACIN DIFERENCIAL PARA LA FUNCIN ENVOLVENTE

14

2.2 JACOBIANO

16

2.3 ECUACIN DIFERENCIAL PARA LA FUNCIN DE CORRELACIN

19

2.4 EXCITN EN UN ESPACIO DE DIMENSIN FRACCIONARIA

20

3. RESULTADOS DE CLCULO

23

3.1 EXCITONES EN PUNTOS Y CASCARONES ESFRICOS (D=3)

23

3.2 DISCOS Y ANILLOS CUNTICOS (D=2)

26

4. CONCLUSIONES

32

BIBLIOGRAFA

33

ANEXO : PROCEDIMIENTOS NUMRICOS

34

LISTA DE FIGURAS
Pag.
Figura 1. Heterojuntura

Figura 2. Heteroestructura

Figura 3. Tipo I

Figura 4. Tipo II

Figura 5. Tipo III

Figura 6. Tipo IV

Figura 7. Bandas de energa

Figura 8. Excitn

Figura 9. Niveles de energa de un excitn

10

Figura 10. Potencial de confinamiento suave

11

Figura 11.Distancia entre el electrn y el hueco

17

Fig. 12. Energa de correlacin de un excitn en un QD esfrico de

GaAs/Ga0.6Al0.4As con Rint=0.15 a0* y diferentes formas de potencial
de confinamiento

24

Fig. 13. Energa de correlacin de un excitn en un QD esfrico de

GaAs/Ga0.6Al0.4As con Rint=0.5*Rext para diferentes razones de Vint/Vext

24

Fig. 14. Jacobiano para un QD esfrico de GaAs/Ga0.6Al0.4As con Rint=0.5*Rext y Rext=1*a0*

para diferentes razones de Vint/Vext
25
Fig. 15. Energa de correlacin de un excitn en un disco cuntico de
GaAs/Ga0.6Al0.4As con diferentes formas de potencial de confinamiento

27

Fig. 16. Energa de correlacin de un excitn en un anillo cuntico de

GaAs/Ga0.6Al0.4As para diferentes formas de potencial

28

Fig. 17. Energa de correlacin de un excitn en un anillo cuntico de

GaAs/Ga0.6Al0.4As para diferentes razones de Vint/Vext

29

Fig. 18. Energa de correlacin de un excitn en un anillo cuntico de

GaAs/Ga0.6Al0.4As para diferentes razones de Vint/Vext

30

Fig. 19. Jacobiano para un excitn en un anillo cuntico de

GaAs/Ga0.6Al0.4As con int=0.5*Rext para diferentes razones de Vint/Vext

31

INTRODUCCIN
Recientes progresos en la nanotecnologa han hecho posible la fabricacin de nuevos tipos
de heteroestructuras de semiconductores (pozos, hilos, puntos cunticos y superredes),
cuyas dimensiones caractersticas (unos pocos nanmetros) llegan a ser comparables con la
longitud de Onda de Broglie de los portadores de carga. Por lo tanto, los efectos de
confinamiento cuntico en estos llegan a ser apreciables y restringen la movilidad del
electrn y el hueco. El mayor inters en nanotecnologa se presenta en las estructuras de
dimensin cero (0D), microcristales y puntos cunticos donde el efecto de confinamiento
cuntico restringe el movimiento de los electrones y huecos en todas las tres dimensiones
espaciales y es mucho mas significativo que en pozos e hilos cunticos. Este inters reside
esencialmente en nuevas propiedades pticas no lineales de los puntos cunticos que
pueden ser adquiridas en forma controlada para utilizarlos como dispositivos en lseres de
alto desempeo.

El espectro ptico de los puntos cunticos en mayor parte depende del nmero y tipo de
portadores de carga que estn confinados dentro de este.

Este nmero depende del

tamao, forma geomtrica y de la concentracin de compuestos que forman el punto

cuntico, el cual capturando los portadores de carga se transforma en un tomo artificial.
Hay varias posibilidades para formar estos tomos artificiales, al capturar, uno, dos o ms
electrones o huecos, o diferentes combinaciones de estas partculas.

Pero debido al

pequeo tamao de estas estructuras (comparado con la longitud de onda de Broglie) el

nmero de los portadores capturados por un punto cuntico siempre es pequeo y es ms
probable que sean partculas con diferentes signos de carga. En este sentido, el mayor
inters se presenta en el estudio de un par electrn-hueco (excitn) localizado dentro de un
punto cuntico.
Varios autores han hecho estudios sobre excitones en diferentes tipos de heteroestructuras,
tales como pozos cunticos (QW), hilos cunticos

(QWW), y puntos cunticos (QD)

utilizando el mtodo variacional. Entre los trabajos que utilizan este mtodo cabe resaltar los
trabajos de Bastard [1], en este se calcula la energa del estado base de un excitn en un
pozo cuntico de barrera infinita en funcin del ancho del pozo; los trabajos de Bajaj y
coinvestigadores [2], en el cual calculan los niveles de energa de enlace del estado base y

de algunos pocos estados excitados (bajos) del excitn como funcin del ancho del pozo
cuntico para varios valores de la altura de la barrera potencial; el trabajo de B Stb [3]
donde se calcula la energa del estado base de un excitn en un punto cuntico cilndrico
con potencial de barrera finita utilizando el mtodo variacional dentro de la aproximacin de
la funcin envolvente. Otra investigacin fue hecha por S. V. Nair y coinvestigadores [4]
donde se analiza la dependencia del estado base de un electrn y un hueco en un
microcristal semiconductor de forma esfrica. La funcin de prueba tiene tres parmetros
variacionales. Cuando la separacin de las dos partculas es muy pequea comparada con
el radio de Bohr efectivo tratan el potencial coulombiano como una perturbacin y cuando la
separacin es grande entonces calculan la energa utilizando el mtodo variacional. Otro
trabajo importante que utiliza este mtodo es el de D.B Tran Thoai y coinvestigadores [5] en
el cual calculan la energa del estado 1S y 2S de un par electrn hueco en microcristales
semiconductores. En este se utilizan funciones de prueba de un solo parmetro variacional.
Calculan numricamente la energa de enlace en funcin del radio del punto cuntico, en
funcin de la altura de la barrera y de la razn de las masas en el interior y en el exterior del
punto cuntico. Tambin se encuentra la investigacin de Y. Kayanuma y H. Momiji [6] en la
cual se reportan los resultados del clculo variacional de la energa del estado base de un
electrn y un hueco confinados en un microesfera semiconductora por un potencial de
barrera rectangular finita. En este trabajo se desprecia la diferencia de la masa efectiva del
electrn y el hueco dentro y fuera del punto cuntico, tambin las diferencias de la constante
dielctrica. La investigacin hecha por C. F Lo y R. sollie [7] en la cual ellos utilizando el
mtodo variacional con una funcin de onda de prueba con dos parmetros, uno que
describe la correlacin entre las dos partculas mientras el otro describe la localizacin de la
partcula ms pesada, estudian la dependencia de los parmetros del estado base (energa
de enlace, separacin promedio de las partculas, etc.) de la razn de las masas de las dos
partculas.
Entre las investigaciones hechas con otros mtodos se pueden mencionar la de Y.
Kayanuma [8], donde se estudia los efectos de confinamiento cuntico de un electrn y un
hueco en un pozo esfrico de barrera infinita tanto analticamente como numricamente. El
clculo numrico es llevado a cabo con la tcnica variacional de Ritz. El estado de
movimiento de los niveles ms bajos es clasificado dentro de tres regiones (confinamiento
fuerte, intermedio y dbil), adems se calculan la fuerza de oscilador de las interbandas
pticas de transicin. La investigacin hecha por I. D. Mikhailov y coinvestigadores [9] donde
utilizando el mtodo de dimensin fractal calculan la energa del estado base del excitn
confinado en un punto cuntico esfrico, la funcin de onda del excitn es tomada como el

producto de la funcin de onda del electrn y el hueco desacoplados confinados en el punto

cuntico, con una funcin de correlacin que solo depende de la separacin del electrn y el
hueco. Los clculos numricos son llevados a cabo con el mtodo de barrido trigonomtrico.
Se utiliza un potencial de confinamiento suave. Otro trabajo importante es el de T. Uozumi y
Y. Kayanuma [10], en el cual se investigan tericamente la estructura de los niveles
energticos y sus propiedades pticas de un par electrn hueco correlacionados confinados
completamente (barrera infinita) en un punto cuntico con simetra esfrica. Clculos
numricos son presentados para estados excitados (S, P, D) para el electrn y el hueco con
un momentum angular total arbitrario. Algunos otros mtodos tambin muy utilizados son
diagonalizacin exacta [11-19], dimensin fraccionaria [20-23].
Resumiendo se puede decir que en el mtodo variacional se escoge una funcin de prueba
de tipo gaussiana o hidrogenoide con varios parmetros los cuales se encuentran
minimizando la energa del exciton. Los resultados de este mtodo dependen fuertemente
del tipo de funcin de prueba escogida y del grado de su posible flexibilidad con el cambio de
forma y de tamao del punto cuntico. El mtodo de la diagonalizacin exacta permite
resolver el problema solo en los casos cuando se conoce todo el conjunto de funciones
propias para el problema un-particular (electrn y hueco desacoplados).

Los estados

excitnicos en este caso se encuentran como una combinacin lineal de los estados uniparticulares y el problema se reduce a la diagonalizacin de una matriz de los rdenes
suficientemente grandes. Las desventajas de este mtodo estn relacionadas tanto con el
gran costo computacional como con las restricciones de los modelos para los cuales se
puede aplicar este mtodo. Esto es una de las razones por las que este mtodo solo se
aplica para los puntos cunticos de una forma simple (esfrico o disco) y con modelos de
confinamiento de barrera infinita. Para evitar estos clculos suficientemente tediosos
recientemente fue propuesto utilizar el mtodo de dimensin fraccionaria en el cual el
problema real en el espacio tridimensional para un exciton confinado en la heterojuntura se
reemplaza por un problema de un exciton en un espacio libre pero de dimensin reducida
(menor que tres) la cual es generalmente fraccionaria (entre dos y tres en QW, entre uno y
dos en QWW y entre cero y uno en QD). Para justificar este mtodo hace poco en el grupo
de Fsica Computacional de Materia Condensada de la UIS se utiliz el principio variacional
de Schrdinger, en el cual la funcin de onda del exciton se presenta en el forma de un
producto de las funciones uni-particulares del electrn y del hueco con una funcin
envolvente que describe las propiedades intrnsecas del excitn y depende slo de la
separacin electrnhueco. Partiendo del principio variacional de Schrdinger se logr
encontrar una ecuacin diferencial para esta funcin envolvente la cual tiene una forma de

ecuacin de onda para un tomo hidrogenoide en un espacio con una dimensin variable.
Para resolverla se utiliz un algoritmo numrico en base del mtodo de barrido
trigonomtrico. Todo el conjunto de estos procedimientos fue nombrado por los autores
como el mtodo de dimensin fractal.
Entre otros mtodos que se utilizan en los ltimos aos en Mecnica Cuntica para resolver
los problemas de pocas partculas hay que mencionar el mtodo llamado escalamiento
dimensional [24]. Este mtodo en trminos generales, consiste en tres pasos: primero, en
generalizar el problema real tridimensional a un problema similar en un espacio de D
dimensiones considerando D como un parmetro, en el segundo paso se busca un valor
particular del parmetro D para el cual el problema puede resolverse en una forma exacta
(por ejemplo, cuando D o D 1 ) y por ltimo considerando este resultado exacto
como una aproximacin nula y utilizando el mtodo de la teora de perturbaciones se
construye una serie respecto a un parmetro que es menor que uno (por ejemplo 1/D o (D1)/D) que permite encontrar la solucin para una dimensin D arbitraria, particularmente
cuando D=3. El mtodo escalamiento dimensional fue aplicado anteriormente para analizar
el los problemas de donadora neutra y de dos electrones confinados en puntos cunticos
[25-27].
El objetivo principal de esta tesis es elaborar dentro del marco del mtodo de dimensin
fractal un nuevo software en base del algoritmo de disparos [28] (diferente del barrido
trigonomtrico utilizado en los trabajos anteriores) para analizar el estado base de los
excitones confinados en puntos cunticos con una forma de potencial de confinamiento
arbitraria en un espacio de D dimensiones, considerando D como un parmetro. De esta
manera se hace posible analizar en una forma unificada la energa del excitn en puntos,
discos y anillos cunticos con diferentes formas de potencial. Una posible ventaja del mtodo
de disparos consiste en mayor estabilidad (comparado con el mtodo de barrido
trigonomtrico) en el clculo de la funcin de onda y de la funcin de correlacin de par
electrn-hueco. Para comprobar lo anterior, se analizan los efectos de correlacin a travs
del clculo de la funcin de correlacin del par (electro-hueco) y de la energa de correlacin
en condiciones de confinamiento producido por diferentes formas de potencial.
El contenido de la tesis es el siguiente. En el primer capitulo se introducen conceptos
fundamentales de heterojunturas semiconductoras y las aproximaciones que se utilizan en el
anlisis terico de espectros de electrn, hueco y excitn en estos sistemas. Se analizan
diferentes modelos de confinamiento y otros parmetros del hamiltoniano de un excitn en

un punto cuntico. En el capitulo 2 se describe el procedimiento matemtico llamado mtodo

de dimensin fractal aplicado a excitones en puntos cunticos y se deducen ecuaciones
diferenciales para la funcin envolvente y la funcin de correlacin. En el capitulo 3 se
presentan los resultados del clculo de la energa de enlace en puntos, discos y anillos
cunticos utilizando el software elaborado y algoritmos propuestos en esta tesis. Una
descripcin de los procedimientos numricos que se utilizan para realizar el algoritmo
elaborado en el capitulo 2 relacionados con solucin de la ecuacin de Schrdinger
unidimensional a travs del mtodo de disparos y con el clculo de los jacobianos
expresados en forma de las integrales mltiples se presenta en el anexo.

1. MODELO
1.1 HETEROJUNTURAS Y HETEROESTRUCTURAS.
Cuando dos materiales semiconductores son puestos adyacentes uno del otro se forma lo
que se conoce con el nombre de heterojunturas. Como se puede observar en la figura 1 (por
ejemplo: GaAs/AlAs).
Figura 1. Heterojuntura

GaAs

AlAs

Una heteroestructura es formada por mltiples heterojunturas como se muestra en la figura 2

Figura 2. Heteroestructura

GaAs

Ga1-x Alx As

Algunos autores consideran IV tipos de heteroestructuras. Para entender la diferencia entre

estos tipos primero definimos la banda de conduccin Ec , como la diferencia de las
energas de las bandas de conduccin de los materiales. La banda de valencia Ev se
define anlogamente como la diferencia de las energas de las bandas de valencia de los
materiales. Los diferentes tipos de heteroestructuras se clasifican as:
i) Si Ec y Ev tienen signos opuestos, como se ilustra en la figura 3, se dice que son del
tipo I.

ii) Si Ec y Ev tienen el mismo signo, como se muestra en la figura 4, se dice que son del
tipo II.
iii) Si Ec y Ev tienen mismo signo pero sus magnitudes son mas grandes que la banda
prohibida pero no se traslapan, figura 5, se dice que son del tipo III.
iv) Un ejemplo de estructura del tipo IV, esta formada por dos materiales, uno que no tiene
brecha entre la banda de valencia y la banda de conduccin (HgTe) y otro formado por una
brecha finita entre las bandas de valencia y de conduccin (CdTe), figura 6.

Figura 3. Tipo I

Figura 4. Tipo II

Ec
GaAs

Ec

AlAs

Ev

Ev

Figura 5. Tipo III

GaSb

Ec
E

InAs

Figura 6. Tipo IV

c
Ec

Ev

v
HgTe

CdTe

1.2 BANDAS DE ENERGA EN UN SEMICONDUCTOR

Existen dos bandas diferentes de energa en los semiconductores. La banda ms baja de
energa llamada la banda de valencia y la banda de conduccin, como se muestra en la
figura 7. La diferencia de energa entre las dos bandas es conocida como brecha de energa
o bandgap, denotada en la figura 7 por Egap.
Figura 7. Bandas de energa
Banda de
conduccin

E gap

k
Banda de
valencia

1.3 EXCITONES
Los espectros de reflectancia y de absorcin muestran con frecuencia una estructura para
las energas de los fotones que est inmediatamente por debajo de la banda de energa

prohibida, en donde es de suponer que el cristal sea transparente. Esta estructura est
producida por la absorcin de un fotn con la creacin de un par electrn-hueco ligado. Un
electrn y un hueco pueden ligarse juntos por su interaccin de Coulomb atractiva de la
misma forma que un electrn esta ligado a un protn para formar un tomo de hidrgeno
neutro.
El par electrn-hueco ligados se denomina excitn, figura 8. Un excitn puede moverse a
travs del cristal y transportar energa; no transporta carga puesto que es elctricamente
neutro. Es semejante al positronio, que est formado por un electrn y un protn.
Los excitones pueden formarse en todo cristal aislante. Cuando la banda prohibida es
indirecta, los excitones cerca de la banda prohibida directa pueden ser inestables respecto a
su desintegracin en un electrn libre y un hueco libre. Todos los excitones son inestables
respecto al proceso de recombinacin final en el que el electrn cae dentro del hueco. Los
excitones tambin pueden formar complejos, tales como un biexcitn a partir de dos
excitones.
Figura 8. Excitn

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En la figura 9, se indican las transiciones que conducen a la formacin de excitones por

debajo del intervalo prohibido de energa.
Existen varias aproximaciones para los excitones, pero dos muy conocidas son: La
aproximacin de Frenkel en el cual el excitn es pequeo y fuertemente ligado y la otra
debida a Mott y Wannier en el cual el excitn est dbilmente ligado, con una separacin
electrn-hueco grande en comparacin de la constante de red. Tambin se conocen
ejemplos intermedios.

Figura 9. Niveles de energa de un excitn

Banda continua de conduccin

Eg

Nveles de excitones

E ex

Energa de ligadura
del excitn

E g-E ex
0
Banda continua de valencia

1.4 MODELO DE CONFINAMIENTO

Se considerar el tipo de potencial de confinamiento suave con ncleo repulsivo.

Esta

funcin de potencial se puede definir utilizando la funcin de paso modificada:

2
(r , r0 , w) = (r r0 )2 / w2 1

r < r0 w
r0 w r < r0
r r0

(1)

Haciendo una combinacin lineal

V (r ) = V1 (r , rint , w) + V2 (r , rext , w)

(2)

Como se aprecia en la grfica el parmetro W determina el ancho de la regin de transicin.

Figura 10. Potencial de confinamiento suave

V(r)
V2
V1

II

III
E

rint rint + w

rext -w

rext

1.5 HAMILTONIANO
En la aproximacin de masa efectiva de la ecuacin de Schrdinger para un excitn
confinado en heteroestucturas semiconductoras presenta un caso particular del problema de
dos cuerpos en espacios no homogneos y anisotrpicos. Ya que no es posible resolver
este problema exactamente, el camino ms simple para encontrar su solucin aproximada
es tratar de separar el movimiento del centro de masa y el movimiento relativo del electrn y
del hueco, partiendo del principio variacional. Este mtodo da la verdadera funcin de onda
del excitn en dos casos particulares, cuando el excitn se encuentra libre (movimiento en
bloque) o cuando la posicin del centro de masa es fija (confinamiento fuerte). En ambos
casos la verdadera funcin de onda para el movimiento relativo es similar a un tomo de
hidrgeno. Para excitones en un QD el movimiento del centro de masa debido al
confinamiento es esencialmente ms lento que el movimiento relativo y por consiguiente
para todas las direcciones la verdadera funcin de onda ser ms sensible a las
coordenadas relativas que a las coordenadas del centro de masa.

Basndose en este

argumento asumimos que la funcin de prueba del excitn puede ser presentada como un
producto de la funcin de onda del electrn libre, del hueco libre y una funcin de correlacin
para el electrn-hueco ligado que depende de las coordenadas relativas. Para minimizar la
energa variacional uno puede llevar a cabo una ecuacin diferencial para esta funcin
variacional.
Para esto, se considerar un modelo simplificado con parmetros iguales (constante
dielctrica

valores e isotropa de las masa efectivas del electrn y hueco)

en los

diferentes tipos de potenciales de confinamiento. El Hamiltoniano adimensional para el par

electrn-hueco confinados en SQD D-dimensional puede ser escrito como:

H ( re , rh , ) = H e ( re ) + H h ( rh ) 2 r eh ; = 0,1

(3)

H e = e (e ) + Ve ( re ) ; H h = h (h ) + Vh ( rh ) ;

(4)

En estas relaciones H e y H h describen un movimiento libre del electrn y hueco confinados

en QDs D-dimensional, re y rh son el vector posicin del electrn y el hueco en el espacio
D-dimensional, Ve ( re ) y

Vh ( rh ) son potenciales de confinamiento isotrpicos para el

D
electrn y hueco, respectivamente, ( ) -es el Laplaciano D-dimensional, reh es la distancia

entre el electrn y hueco y 2 r eh es la energa de la interaccin electrn-hueco. El

parmetro en la ecuacin (3) es igual a 1 para el excitn y 0 para el movimiento libre del
electrn y el hueco. Todas las longitudes en (3) han sido escaladas en trminos del radio de
Bohr electrnico a0 * = h 2 e 2 ( a0* 147 ), y todas las energas en Rydberg
2
efectivos Ry* = e 2 a0 * ( Ryeh* 3.92meV )

me * = 0.067 * m0

mh * = 0.135 * m0

= me * mh * / ( me * + mh * ) = 0.047 * m0

para

electrones

en

GaAs

siendo

la masa efectiva del electrn y hueco y

la masa reducida del el par electrn-hueco y

e = me * = 0.668 , h = mh * = 0.33 .
Para deducir las ecuaciones del electrn y el hueco libre desacoplados se utiliza la definicin
del Laplaciano en D-dimensiones y se desarrolla de la siguiente manera:
El Hamiltoniano est dado por:

H ( re , rh ) = H e ( re ) + H h ( rh )

(5)

H i = ni i( D ) + Vi (r )i i = e, h

(6)

donde D es la dimensin del espacio fsico y el Laplaciano es:

( D)
i

1
ri D 1

D 1 L2D 1
ri

ri
ri ri 2

(7)

LD-1 es el momento angular, que satisface la siguiente relacin de recurrencia

L2D 1YD 1 = l (l + D 2)YD 1

(8)

En la ausencia de la interaccin entre el electrn y el hueco (movimiento libre, = 0 ) el

Hamiltoniano (3) puede ser separado y la solucin exacta f 0 ( re , rh ) de la ecuacin de
Schrdinger para el estado base (l = 0) del par electrn-hueco no acoplado puede
encontrarse como una solucin de la siguiente ecuacin

H ( re , rh , = 0 ) f 0 ( re , rh ) = E0 f 0 ( re , rh ) ;

f 0 ( re , rh ) = f e ( re ) f h ( rh ) ; E0 = Ee + Eh ,

(9)

( H e + H h ) f 0 = E0 f

(10)

f h H e f e + f e H h f h = E0 f h f e

(11)

H e fe H h fh
+
= E0
fe
fh

(12)

H e fe
H f
= Ee y h h = Eh , donde E0 = Ee + Eh
fe
fh

(13)

H i f i = Ei f i ; i = e, h

(14)

i
i

1
ri

D 1

d D 1 d
f i + Vi f i = Ei f i
ri
dri
dri

df
1 D 1 d 2
r
f + ( D 1)ri D 2 i + Vi f i = Ei fi
2 i
D 1 i
ri
dri
dri

d2
D 1 df i
i 2 fi + i
+ Vi fi = Ei fi ; i = e, h
ri dri
dri

(15)

(16)

(17)

Entonces la funcin de onda de la partcula libre electrn y hueco son soluciones de la

siguiente ecuacin unidimensional:

D 1
e f e ( re ) e
f e ( re ) + Ve ( re ) f e ( re ) = Ee f e ( re )
r

(18)

D 1
h f h ( rh ) h
f h ( rh ) + Vh ( rh ) f h ( rh ) = Eh f h ( rh )
r

(19)

2. MTODO DE DIMENSION FRACTAL APLICADO A LOS EXCITONES EN PUNTOS

CUNTICOS
2.1 ECUACIN DIFERENCIAL PARA LA FUNCIN ENVOLVENTE
Una vez las ecuaciones (18) y (19) se resuelve y la funcin de onda para el par electrnhueco no acoplado, f 0 ( re , rh ) , se encuentra la solucin de la ecuacin de Schrdinger para
el excitn.

H ( re , rh , = 1) ( re , rh ) = Eex ( re , rh )

(20)

podemos representar la solucin de la ecuacin (20) como el producto de la funcin

f 0 ( re , rh ) con una funcin de correlacin ( reh ) :

(re , rh ) = f 0 (re , rh ) (reh ) ; reh = re rh

(21)

F [ ] = f 0 H e + H h 2 Eex f 0 d 3 re d 3rh min

reh

(22)

e = m , h = m , e + h = 1

(23)

Deduccin de la ecuacin diferencial para la funcin

F [ ] = f e f h H e + H h 2

reh

E fe fh

F [ ] = f e f h e e + re h h + Vh 2

(24)

reh

E f e f h

(25)

F [ ] = f e f h e e f e + re f e f h + f e f h h h f h + Vh f h f e

(26)

e f e f h e 2e f h f e ( e f e ) e h f e f h h
2

2
2
2
2h f e f h ( h f h ) e + f e f h 2 E
reh

2
2
2
2
F [ ] = f e f h Ee + Eh E 2 e f h f e e + 2 f e e f e e
r
eh

h f e f h h + 2 f e e f e e
2

(27)

2
2
2
2
2
2
F [ ] = f e f h 2 Ee + Eh E 2 e f h e f e e h f e h f h h
reh

2
2
2
2
2
2
2
2
F [ ] = f e f h 2 Ee + Eh E 2 e f h f e ( e ) h f e f h ( h )
r
eh

Pero como re rh
Entonces

( e )

e + h = 1

= ( h ) = ( eh )
2

(29)

(30)
(31)

y E0 = Ee + E h

2
2
2
2
2
F [ ] = f e f h 2 E0 E 2 + f e f h ( eh )
reh

F [ ] = fe fh

(28)

2
2
2
2 2
F [ ] = f e f h 2 Ee + Eh E 2 + (e + h ) f h f e ( eh )
reh

ya que

{(

eh

2
) + 2 E0 E 2
reh

2
2
2

F [ ] = f e f h ( eh ) + 2 E0 E 2 d 3 re d 3 rh
r
eh

(32)

(33)

(34)

F [ ] = dre drh f 02 ( re , rh ) ( r (r ) ) + 2 (r ) E0 E 2 ( re r r ) dr (35)

r
eh

F [ ] = dre drh f 02 ( re , rh ) ( re r r ) ( r (r ) ) + 2 (r ) E0 E 2 dr (36)

reh

2
d (r )

F [ ] = J 0 (r )
+ E0 E 2 2 (r ) dr

r
dr

(37)

donde

J 0 ( r ) = dre drh f 02 ( re , rh ) ( re rh r )

(38)

Haciendo:
2

d (r )
2
2
E
E
J
r
r
L = J0 ( r )
+

(
)
(
)

0
0
ex
r
dr

(39)

Del principio de Euler-Lagrange se sigue que:

F [ ] = L ( r, , ,L) dr min
0

(40)

minimizar el funcional anterior es equivalente a:

d L
L

=0
dr

(41)

por tanto:
2

d (r )
2
2

2
E
E
J
r
r
+

(
)
(
)
J0 (r )
= 2 E0 Eex J 0 ( r ) ( r )
0
0
ex

r
r

dr

(42)

2
d (r )
d (r )

2

2
+

J
r
E
E
J
r
r
(
)
(
)
(
)
0
= 2J0 (r )

ex
0

r
dr
dr

(43)

d 2 ( r ) d ( r ) dJ 0 ( r )
d ( r )

2
=
J
r
+
(
)
2 J 0 ( r )

0
r
dr
dr
dr dr

(44)

d 2 ( r ) d ( r ) dJ 0 ( r )
2

2 E0 Eex J 0 ( r ) ( r ) 2 J 0 ( r )
+
=0

r
dr

dr dr

(45)

d 2 ( r )
1 d ( r ) dJ 0 ( r ) 2

+
( r ) = [ Eex E0 ] ( r )

J 0 ( r ) dr dr r
dr

(46)

d ( r ) 2
d
J0 (r )
( r ) = [ Eex E0 ] ( r ) ; = 0 ,1
J 0 ( r ) dr
dr
r

(47)

Se ve que para el electrn y el hueco libre, = 0 y Eex = E0 , la solucin de esta ecuacin

es trivial ( r ) = 1

y para el excitn = 1 , la ecuacin es similar a la de un tomo de

hidrgeno en un espacio isotrpico con la parte radial del Jacobiano igual a J 0 ( r ) . Si en

esta ecuacin la dependencia del Jacobiano J 0 ( r ) de r fuera una ley de potencia,

J 0 (r ) = Cr D1 entonces el parmetro D puede ser considerado como la dimensin del

espacio efectivo.
2.2 JACOBIANO
Para encontrar la expresin explcita para el Jacobiano J 0 ( r ) se debe calcular la integral
(38) en D-dimensiones usando la funcin de onda f 0 ( re , rh ) . Denotando

el ngulo entre

re y rh y teniendo en cuenta que el factor Jacobiano est dado por (re rh ) D 1 sen D 2 .

Figura 11.Distancia entre el electrn y el

hueco

re - rh

re
rh

Se puede reducir la expresin (38) de la siguiente manera:

J 0 ( r ) = dre f 02 ( re , rh ) ( re rh r )drh

(48)

( r + r 2r r cos r ) sen
2r r cos r ) sen d

J 0 ( r ) = f e2 ( re ) reD 1dre f h2 ( rh )rhD 1drh

La integral I =

re2 + rh2

2
e

2
h

e h

D2

(49)

D2

e h

( ) = re2 + rh2 2re rh cos ; [ ( ) ] =

( 0 )

( 0 )

( 0 ) = 0

(50)

( 0 ) = re2 + rh2 2re rh cos r = 0

(51)

re2 + rh2 2re rh cos = r 2

(52)

cos 0 =

r 2 re2 rh2 re2 + rh2 r 2

=
2re rh
2re rh

( 2re rh )

sen 0 =

( 0 ) =
I = r

( re2 + rh2 r 2 )

2re rh sen 0
2 re2 + rh2 2re rh cos 0

(53)

2re rh

re rh sen 0
r

( 0 ) D 2
rsen D 3 0
sen d =
re rh sen 0
re rh

r
I=

re rh

( 2re rh )

(r + r r
2
e

2re rh

2
h

2 2

(54)

(55)

(56)

D 3

(57)

( 2re rh )

El trmino

( re2 + rh2 r 2 ) se puede manipular algebraicamente de la siguiente

2

manera:

( re2 + rh2 r 2 ) = 2re rh ( re2 + rh2 r 2 ) 2re rh + ( re2 + rh2 r 2 )

(58)

2
2
= r 2 ( re2 + rh2 2re rh ) re2 + rh2 + 2re rh r 2 = r 2 ( re rh ) ( re + rh ) r 2

(59)

( 2re rh )

= [ r re + rh ][ r + re rh ][ re + rh r ][ re + rh + r ]

(60)

2
2
= rh ( re r ) [ rh + re r ][ re + r rh ][ re + r + rh ] = rh2 ( re r ) ( re + r ) rh2 (61)

Por lo tanto J 0 ( r ) se puede escribir como:

J 0 (r ) = r f (re )r

D 1
e

2
e

dre

re + r
re r

r 2 ( r r ) 2 ( r + r ) 2 r 2
h
e
h
e

2
D2
f h ( rh )rh

D 3
( 2re rh )

( D 3)

drh (62)

Los lmites de la integral con respecto a rh se encuentran de la siguiente manera:

rh2 ( re r ) 0 ; rh re r

(63)

y ( re + r ) rh 0 ; rh re + r = re + r

(64)

J 0 (r ) =

r
2

D 3

f e2 (re )dre

re + r
re r

2
2
f h2 ( rh ) rh2 ( re r ) ( re + r ) rh2

( D 3)

drh

(65)

El significado fsico de la funcin J o (r ) y ( r ) puede ser entendido por la funcin de

correlacin espacial del par electrn-hueco (SPCF)

P(r ) el cual da la densidad de

probabilidad de encontrar un electrn y un hueco separado una distancia r

P (r ) = ( re rh r )

(66)

Para el movimiento libre del electrn y e hueco la funcin (SPCF) coincide con la parte radial
del Jacobiano J o ( r ) .

P0 (r ) = dre f 02 ( re , rh ) ( re rh r )drh = J o (r )

(67)

Ahora para el estado acoplado

P(r ) es:

P (r ) = dre f 02 ( re , rh ) 2 ( re rh ) ( re rh r ) drh

(68)

P ( r ) = J 0 ( r ) 2 ( r ) = 2 ( r )

(69)

2.3 ECUACIN DIFERENCIAL PARA LA FUNCIN DE CORRELACIN

En la ecuacin (69), la funcin

(r ) = (r ) J 0 (r )

puede ser considerada como la funcin

de onda de una partcula la cual describe la coordenada relativa en el excitn, cuyo

cuadrado coincide con la SCPF.
De tal manera la funcin J 0 ( r ) es una medida de la probabilidad de encontrar el electrn y el
hueco separados por una distancia r en un movimiento libre en la heteroestructura y el
valor del cuadrado de la funcin ( r ) da la razn 2 ( r ) = ( r ) 0 ( r ) de la SCPFs del par
electrn hueco en el estado acoplado y libre. Sustituyendo la relacin entre ( r ) y ( r ) en
la ecuacin (47) se tiene

d 2 ( r ) 2

+ +
dr 2
r

J0 ( r )
( r ) = [ Eex E0 ] ( r ) ;
J0 ( r )

( r ) = 2 ( r ) ; = 0,1

( r )
d
d ( r ) 2 ( r )
= [ Eex E0 ]
J0 (r )

J 0 ( r ) dr
dr J 0 ( r ) r J 0 ( r )
J0( r )
1

( r )' J 0 ( r ) ( r ) J 0 ( r ) 2 ( r )
d
( r )

= [ Eex E0 ]
J0( r )

J 0 ( r ) dr
J0( r )
r J0 ( r )
J0 ( r )

(70)

(71)

(72)

''
1
2 ( r )
( r ) (73)
= [ Eex E0 ]
( r )'' J 0 ( r ) + ( r )' J 0 ( r ) ( r )' J 0 ( r ) ( r ) J 0 ( r )
J 0 ( r )
J0 ( r )
r J0 ( r )

J ( r )'' 2
( r )'' + 0
( r ) = [ Eex E0 ] ( r )
r
J0 ( r )

(74)

2.4 EXCITN EN UN ESPACIO DE DIMENSIN FRACCIONARIA

Una interpretacin diferente de los resultados obtenidos surge del anlisis de las
propiedades de las soluciones del problema de valores propios (47). Como la ecuacin (47)
es auto adjunta las funciones propias correspondientes a diferentes valores deben ser
ortogonales:

( r ) ( r ) J ( r ) dr = ( r ) ( r ) dV =
n

n'

n'

(75)

n,n'

donde dV = J 0 ( r ) dr representa un elemento de volumen infinitesimal del espacio efectivo

por lo tanto, el Jacobiano puede ser considerado como la medida del rea de la superficie de
una esfera de radio r y r + dr en el espacio efectivo correspondiente a las coordenadas
relativas.
De otra manera de acuerdo a la relacin (67) este Jacobiano es igual a la SCPF para el
movimiento libre del electrn y el hueco ya que todos los valores de separaciones tienen
igual probabilidad. Por lo tanto, la SCPF est dada por el rea de una esfera de radio r, la
cual

en

el

espacio

homogneo

de

D-dimensiones

es

igual

J 0 ( r ) = ( r ) = 2 D 2 r D 1 / ( D 2 ) . Por ejemplo, para un espacio homogneo de uno, dos y

tres dimensiones la funcin J 0 ( r ) ser igual a 2, 2 r y 4 r 2 , respectivamente.

ecuacin para la dependencia de J 0 ( r ) sobre

Si la

r fuera una ley de potencia, por ejemplo

J 0 ( r ) = Cr D 1 , entonces la ecuacin (47) coincidira con la ecuacin de Schrdinger para el

estado S del tomo de hidrgeno en un espacio efectivo de D-dimensiones siendo D un

entero o fraccionario.

En las heteroestructuras reales la funcin J 0 ( r ) definida por la

ecuacin (66), no depende de la ley de potencia de la separacin del electrn hueco r debido
al confinamiento, y la ecuacin (48) puede ser considerada como la funcin de onda para un
tomo de hidrgeno en un espacio isotrpico y no homogneo con una dimensin
fraccionaria que depende de la distancia del electrn hueco r.
Se puede dar una interpretacin geomtrica de la ecuacin (47) basado en el concepto de
Mandelbrot de la dimensin fraccionaria considerando esta ecuacin como un modelo
matemtico para un problema de una fuerza central, para las coordenadas relativas del
excitn dentro de un espacio efectivo con dimensin fraccionaria que resulta de las
coordenadas del centro de masa y de las coordenadas relativas de las partculas. Las

propiedades de este espacio son descritas por la parte radial del Jacobiano J 0 ( r ) que
depende de la coordenada relativa r. Esta dependencia de r es una ley de potencia cuando
el espacio es homogneo, en otro caso no lo es. En el primer caso como la dependencia de
la ley de potencia no es parablica uno puede asociar este caso al espacio real
tridimensional como un objeto autosimilar fractal cuya dimensin fraccionaria D* esta
relacionada con la dependencia del jacobiano sobre le radio J 0 ( r ) = Cr

D * 1

. Ya que esta

dependencia en el caso general debido al confinamiento no es una ley de potencia, la

dimensin fractal podra ser nicamente definida localmente debido a que es imposible
definir una dimensin fraccionaria, la cual sea la misma en todas las parte del espacio, por lo
tanto se asume que el Jacobiano vara de la siguiente manera:
J0 ( r ) = C ( r ) r

D* ( r ) 1

(76)

donde las funciones C0 ( r ) y D* ( r ) varan mas suavemente que cualquier funcin potencial.
Se asume que la relacin entre el Jacobiano y a dimensin fraccionaria correcta es:
D* ( r ) = 1 + r

d ln J 0 ( r )

(77)

dr

la misma que para fractales.

Para entender las propiedades generales de la dependencia del Jacobiano y la dimensin

fractal, se puede analizar el comportamiento asinttico de la ecuacin (49) para pequeos y
grandes separaciones del electrn y hueco. Para pequeos valores de r,

J 0 ( r )
Cr D 1 ; C = 2 D 1 f e2 ( re ) f h2 ( re ) reD 1dre ; D* ( r )
D
r 0
r 0

(78)

y para grandes valores,

J 0 ( r )
0; D* ( r )
0
r
r

(79)

Las dos relaciones anteriores se pueden entender considerando que para pequeos valores
de separacin de electrn-hueco con respecto al tamao de la heteroestructura las
partculas se comportan como si estuvieran en el espacio real en estado libre.

Cuando la distancia se aproxima o se hace mayor al tamao de la heteroestructura, las

partculas se comportan como si estuvieran en un espacio de una dimensin que tiende a
cero.

3. RESULTADOS DE CLCULO
Mas adelante se presentan los resultados de clculo obtenidos para excitones en puntos,
anillos y discos cunticos de GaAs/Ga0.6Al0.4As con diferentes formas de potencial. Para
esta heteroestructura la altura de la barrera es de orden 66*Ry*. Para analizar las diferentes
formas de potencial se introduce el parmetro w = 2W /( Rext Rint ) , donde Rext , Rint , W
son los radios del punto cuntico, del ncleo repulsivo y del ancho de la capa transitoria en
las junturas respectivamente. Es evidente que cuando el parmetro w tiende a cero el
potencial dado por la frmula (2) describe el modelo de confinamiento con el potencial
rectangular, y cuando w tiende a uno con el piso casi parablico, en ambos casos los
potenciales son de barrera finita de altura Vext 66 Ry * . Variando el parmetro w desde 0
hasta 1 se obtienen diferentes potenciales, a mayor valor de w ms suave es el potencial de
confinamiento.
3.1 EXCITONES EN PUNTOS Y CASCARONES ESFRICOS (D=3)
En la figura 12 se muestra la energa de correlacin un par electrn-hueco confinados en un
punto cuntico esfrico de GaAs/Ga0.6Al0.4As con el radio del ncleo repulsivo fijo e igual a
Rint=0.15*a0* en funcin del radio externo, Rext , para los potenciales de confinamiento
rectangular, suave y parablico. Cuando se empieza a reducir el radio del punto, la energa
de enlace se incrementa debido a que el confinamiento cuntico reduce la separacin
promedio del electrn y el hueco haciendo que la atraccin Coulombiana aumente. La
energa aumenta hasta alcanzar un mximo que corresponde al confinamiento mximo.
Luego a medida que se sigue disminuyendo el radio del punto la energa de enlace
disminuye por que la funcin de onda del excitn desborda en las barreras y por lo tanto el
excitn se sale del punto cuntico recuperando su estado libre en un espacio tridimensional
donde su energa tiende a un 1 Ry* correspondiente a la energa en el bloque del
semiconductor.

( Ecorr

Un

similar

comportamiento

muestra

la

energa

de

correlacin

1Ry *) cuando el radio externo tiende al infinito. En las curvas presentadas en la

figura 12 se observa una regin en la cual las energas de enlace para los diferentes
potenciales de confinamiento se cruzan. En la regin del cruce de las curvas hacia la
derecha la energa del potencial de confinamiento parablico es mayor, esto se puede
entender debido a que en esta regin el potencial de confinamiento parablico presenta un

mayor confinamiento que el potencial suave y rectangular. En la regin del cruce hacia a la
izquierda se observa que la energa del potencial de confinamiento parablico es ms baja y
decrece con mayor rapidez que las dems, esto es porque el potencial parablico presenta
un mayor confinamiento y esto hace que la funcin de onda desborde ms rpido.
Fig. 12. Energa de correlacin de un excitn en
un QD esfrico de GaAs/Ga0.6Al0.4As con
Rint=0.15 a0* y diferentes formas de potencial de
confinamiento
9,0

w=0.001 Rectangular
w=0.5 Suave
w=1 Parablico

- Ecorr / Ry

7,5
6,0
4,5
3,0
1,5
0,0
0,0

D=3
*
Rint=0.15 a0
Vint/ Vext=0.3
0,5

1,0

1,5

Rext/a0

2,0

2,5

En la figura 13, se muestra la energa de correlacin de un excitn en un QD de

GaAs/Ga0.6Al0.4As con Rint=0.5*Rext y diferentes alturas de potencial del ncleo repulsivo
correspondiente a diferentes razones Vint/Vext..
Fig. 13. Energa de correlacin de un excitn en un
QD esfrico de GaAs/Ga0.6Al0.4As con Rint=0.5*Rext
para diferentes razones de Vint/Vext
10

Vint / Vext=0.25
Vint / Vext=0.5
Vint / Vext=1

- Ecorr / Ry*

0
0,0

D=3
Rint=0.5*Rext
w=0.001
0,5

1,0

Rext / a0*

1,5

2,0

2,5

El comportamiento general de las curvas es muy parecido al de las curvas en la figura 12.
Se puede ver que con el aumento de la altura de la barrera de potencial del ncleo repulsivo
el mximo de las curvas disminuye. Las diferencias en la energa mxima se pueden explicar
por el efecto de tunelamiento de las partculas en la regin del ncleo repulsivo. El punto
cuntico con una barrera de potencial menor en el ncleo repulsivo permite que el excitn
penetre en esta regin con mayor facilidad y as se permite que se pueda confinar el exciton
ms y obtener una mayor energa de correlacin que para los dems potenciales.
Por ltimo, en la figura 14 se presenta la dependencia de los Jacobianos de la separacin
electrn-hueco en los puntos cunticos con diferentes formas del potencial de confinamiento.
Esta funcin puede ser interpretada como la densidad de probabilidad no normalizada de
encontrar el electrn y el hueco separado una distancia de r en su movimiento no
correlacionado dentro del punto cuntico.
Fig. 14. Jacobiano para un QD esfrico de
GaAs/Ga0.6Al0.4As con Rint=0.5*Rext y Rext=1*a0*
para diferentes razones de Vint/Vext
1,4
1,2
1,0

Vint=0.25*Vext
Vint=0.5*Vext
Vint=Vext

D=3
Rint=0.5*Rext
w=0.001

J(r)

0,8
0,6
0,4
0,2
0,0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

r / a0*
En el espacio libre tridimensional el Jacobiano es proporcional a r2 (dependencia parablica),
en el espacio bidimensional a r (dependencia lineal) y en el espacio unidimensional es una
constante. Adems, en la teora de dimensin fraccionaria se supone que el Jacobiano en un
espacio cero-dimensional es cero. Analizando las curvas presentadas en la figura 14 se
puede ver que para todas las formas del potencial de confinamiento, el Jacobiano tiene la
forma parablica para pequeas separaciones electrn-hueco, despus al aumentar la
separacin la curva sucesivamente se transforma en una curva casi lineal, una constante y
finalmente tiende a cero. Esto se puede interpretar como el cambio de la dimensionalidad

del espacio con el aumento del tamao del excitn, para pequeos tamaos del excitn
mucho menores que el radio exterior del punto cuntico esta dimensionalidad es igual a tres,
debido a que el pequeo excitn casi no siente el confinamiento y se comporta como un
excitn libre. A medida que el tamao del excitn crece la dimensionalidad del espacio
disminuye desde tres a cero.

Adems se puede ver que esta transformacin de la

dimensionalidad del espacio se realiza para mayores separaciones electrn-hueco cuando la

altura del potencial del ncleo repulsivo crece, esto es cuando el efecto de confinamiento se
hace mayor.
4.2 DISCOS Y ANILLOS CUNTICOS (D=2)
Se puede esperar que los efectos de confinamiento sobre los excitones en los discos y
anillos cunticos sean similares a los de los puntos cunticos esfricos y cascarones; la
diferencia no es tanto cualitativa como cuantitativa. Esta ltima diferencia est relacionada
con el hecho que en el espacio bidimensional el efecto de confinamiento es mucho ms
fuerte comparado con el espacio tridimensional. En la teora de escalamiento dimensional
se conoce que la energa del tomo de hidrgeno en el espacio bidimensional es cuatro
veces mayor que en el espacio tridimensional. Similarmente el excitn libre en un bloque de
semiconductor con una estructura bidimensional tiene la energa de enlace 4*Ry*, mientras
que en las estructuras tridimensionales solo es 1*Ry*. En adelante presentamos algunos
resultados de clculo para discos y anillos cunticos.

a. Discos cunticos
Para analizar los excitones en discos cunticos se hace Vint = 0 en la frmula (2). En la
figura 15 se presentan resultados de clculo de la energa de correlacin de un par electrnhueco en funcin del radio de disco cuntico para diferentes formas de potencial de
confinamiento.

Fig. 15. Energa de correlacin de un excitn en

un disco cuntico de GaAs/Ga0.6Al0.4As con
diferentes formas de potencial de confinamiento
18

- Ecorr / Ry*

16

w=0.001 Rectangular
w=0.5 Suave
w=1 Parablico

14
12
10
8
6
4
0,0

D=2

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

R/a0*
Se puede ver que el comportamiento general de las curvas es similar al de su anlogo en el
caso D=3, pero existen dos diferencias importantes para resaltar. La primera, es que el
efecto de la forma de potencial es mucho ms pronunciado que en el caso tridimensional.
La energa de correlacin para el potencial parablico para grandes radios del disco es
mucho mayor que en los discos cunticos con potencial rectangular y el efecto de
desbordamiento de la funcin de onda en la barrera exterior (el punto correspondiente al
mximo de la curva) para el potencial parablico ocurre para un radio del disco, es mayor
que en el caso del potencial rectangular. Segundo, las energas en los mximos de las
curvas en el caso de D=2 son superiores que en el caso D=3 y adems la energa del
excitn cuando el radio tiende a cero o al infinito (excitn libre) tiende a 4*Ry* y no a 1*Ry*
como en el caso tridimensional.
b. Anillos
En la figura 16 se presenta la energa de correlacin de un excitn en un anillo cuntico
para diferentes formas de potencial cuando el potencial y el radio interno del ncleo repulsivo
son relativamente pequeos. El comportamiento de las curvas para este modelo es similar al
caso del disco y se puede ver que la forma del potencial no cambia esencialmente el
carcter general de estas curvas.

Fig. 16. Energa de correlacin de un excitn en

un anillo cuntico de GaAs/Ga0.6Al0.4As para
diferentes formas de potencial
18

- Ecorr / Ry*

16

w=0.001 Rectangular
w=0.5 Suave
w=1 Parablico

14
12

D=2
Rint=0.3*Rext
Vint / Vext=0.3

10
8
6
4
0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

R / a0*
Se puede esperar que el carcter del confinamiento sea ms sensible a la altura del
potencial y al radio interno del ncleo repulsivo. Para verificar esto se realizaron los clculos
de la energa de correlacin en los anillos con mayor radio repulsivo (anillos ms estrechos).
En las figuras 17 y 18 se presentan los clculos para los anillos en los cuales el radio del
ncleo repulsivo es 50% y 70% respectivamente del radio exterior y se puede ver que el
carcter de las curvas es diferente. En la figura 17 en dos curvas con el potencial del ncleo
repulsivo 50% y 100% del potencial de la barrera exterior aparece un segundo mximo de la
energa, lo cual sucede aproximadamente en la regin de 0.75*a0*< Rext < 1.24*a0*.

Fig. 17. Energa de correlacin de un excitn en un

anillo cuntico de GaAs/Ga0.6Al0.4As para diferentes
razones de Vint/Vext
16

- Ecorr / Ry*

14

Vint / Vext=0.1
Vint / Vext=0.5
Vint / Vext=1

D=2
w=0.5
Rint=0.5*Rext

12
10
8
6
4
0,0

0,5

1,0

1,5

R/a0

2,0

2,5

3,0

Este efecto es ms pronunciado en las curvas de la figura 18 la cual corresponde al modelo

con un radio interno ms grande debido a que este ncleo produce un mayor confinamiento.
En esta figura se puede observar ms claramente un segundo mximo en las curvas de la
energa en funcin del radio exterior. Para entender la naturaleza de estos dos mximos en
las curvas de las figuras 17 y 18 hay que tener en cuenta que con la disminucin del radio
exterior se disminuye el ancho del anillo y cuando este ancho se hace suficientemente
pequeo en algn momento las funciones de onda del electrn y del hueco se desbordan en
la regin del ncleo repulsivo y en este momento la separacin electrn-hueco aumenta. El
aumento de esta separacin conduce a un decrecimiento de la energa de correlacin y por
eso en las curvas de las figuras 17 y 18 aparece el primer mximo situado en la parte
derecha de estas curvas. Cuando las partculas se desbordan en la parte interior del ncleo,
la posterior disminucin del radio exterior conduce otra vez a la disminucin de la separacin
entre las partculas y la energa de correlacin empieza nuevamente a crecer hasta que las
funciones de onda de las partculas no desbordan en las barreras exteriores y en este
momento aparece un segundo mximo en las curvas, el mximo principal.

Fig. 18. Energa de correlacin de un excitn en un

anillo cuntico de GaAs/Ga0.6Al0.4As para diferentes
razones de Vint/Vext
16

D=2
w=0.5
Rint=0.7*Rext

- Ecorr / Ry*

14

Vint / Vext=0.5
Vint / Vext=0.4
Vint / Vext=0.3

12

10

6
0

R / a0*
Para finalizar el anlisis de los efectos de correlacin del par electrn hueco confinados en
los anillos cunticos en la figura 19 presentamos los grficos de los Jacobianos en funcin
de separacin electrn-hueco para diferentes formas del potencial de confinamiento. En
general, estas curvas son similares al caso tridimensional con una sola pequea diferencia,
en la parte inicial de las curvas, para pequeas separaciones entre partculas la dependencia
del Jacobiano de la distancia no es parablica como en el caso tridimensional, sino es lineal.
Este resultado se puede esperar teniendo en cuenta que los anillos presentan las estructuras
bidimensionales y al espacio bidimensional corresponde un Jacobiano con la dependencia
de la separacin lineal. De esta manera, el exciton en los anillos (y discos) cunticos se
comporta como un sistema bidimensional cuando su tamao es mucho menor que el ancho
del anillo y su comportamiento se cambia con el aumento su tamao hacindose similar a un
sistema con la dimensin reducida hasta cero cuando el tamao del exciton se hace mucho
mayor que el ancho del anillo.

Fig. 19. Jacobiano para un excitn en un anillo cuntico d

GaAs/Ga0.6Al0.4As con int=0.5*Rext para diferentes razones d
Vint/Vext
2,0

Vint=0.25*Vext
Vint=0.5*Vext
Vint=Vext

J(r)

1,6

1,2

0,8

0,4

0,0
0,00

D=2
Rint=0.5*Rext
w=0.001
0,25

0,50

r / a0*

0,75

1,00

4. CONCLUSIONES
En el marco del mtodo de dimensin fractal se presenta un anlisis terico de los efectos
de un par electrn-hueco confinado tridimensionalmente en puntos y cascarones esfricos y
bidimensionalmente en discos y anillos cunticos.

Los resultados principales de esta tesis

son los siguientes:

1) Se encontr una ecuacin diferencial para la funcin de correlacin espacial de un par
electrn-hueco confinados en sistemas con simetra esfrica en un espacio de D
dimensiones considerando la dimensin D como un parmetro de la teora.
2) En la base de la teora desarrollada se elaboraron los algoritmos para calcular la energa
de correlacin del excitn en los puntos, cascarones esfricos, discos y anillos con simetra
axial.
3) Se elabor el algoritmo de disparos y se confeccion el programa correspondiente para
resolver las ecuaciones de onda que aparecen en la teora de dimensin fractal.
4) Se realizaron los clculos de la energa de correlacin de los excitones confinados en los
puntos, cascarones esfricos, discos y anillos con simetra axial de GaAs/Ga0.6Al0.4As.
5) Se analizaron los efectos de confinamiento sobre la energa de correlacin de los
excitones para diferentes formas de potencial y diferentes geometras de
cascarones esfricos, discos y anillos con simetra axial de GaAs/Ga0.6Al0.4As .

los puntos,

BIBLIOGRAFA
[1] G. Bastard, E.E. Mndez, L.L. Chang, and L. Esaki. Phys Rev. B 26, 4 (1982)
[2] R. L. Greene, K. K. Bajaj and E. D. Phelps, Phys Rev. B 29, 4 (1983)
[3] S. Le Goff and B. Stb, Phys. Rev. B 47, 1383 (1993)
[4] S. V. Nair, S. Sinha, y K. C. Rustagi, Phys. Rev. B 35, 11261 (1987)
[5] D. B. Tran Thoai, Y. Z. Hu, S. W. Koch, Phys. Rev. B 42, 4098 (1990)
[6] Y. Kayanuma y H. Momiji, Phys. Rev. B 41, 10261 (1990)
[7] C. F. Lo y R. sollie, Solid State Communications, vol. 79, No. 9, 775-778 (1991)
[8] Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 38, 9797 (1988)
[9] R. A. Escorcia, R. Robayo y I. D. Mikhailov, Phys. Stat. Sol. 230, No. 2, 431-436 (2002)
[10] T. Uozumi, Y. Kayanuma, Phys. Rev B 65, 165318 (2002)
[11] Y. Z. Hu, M. Lindberg, and S. W. Koch, Phys. Rev B 42, 17`13 (1990)
[12] J.-J. S. De Groote, J. E. M. Hornos, and A. V. Chaplik, Phys. Rev. B 46, 12773 (1992)
[13] D. Pfannkuche, V. Gudmundsson, and P. Maksym, Phys. Rev. B 47, 2244 (1993)
[14] J. Song and S. E. Ulloa, Phys. Rev B 52, 9015 (1995)
[15] F. M. Petters, V. A. Schweigert, Phys. Rev. B 55, 1468 (1996)
[16] T. Garm, J. Phys. Condensed Matter. 8, 5725 (1996)
[17] J. Song and S. E. Ulloa, Phys. Rev B 63, 125302 (2001)
[18] B. Szafran, J. Adamowski y S. Bednarek, Phys. Condens matter 14 73-86 (2002)
[19] T. Uozumi y Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 65,165318 (2002)
[20] Frank H. Stillinger, Journal of Mathematical Physics, Vol. 18, No. 6, 1977
[21] H. Mathieu, P. Lefebvre y P. Christol, Phys. Rev. B 4092, 7 (1992)
[22] A. Matos-Abiague, L. E. Oliveira y M. de Dios-Leyva, Phys. Rev. B 4072, 7 (1998)
[23] E. Reyes-Gmez, A. Matos- Abiague, L. E. Oliveira, Phys. Stat. Sol. (b) 220, 71 (2002)
[24] R. H. Dudley, J. Avery and O. Goscinski, Dimensional Scaling in Chemical Physics,
Netherlands, Kluwer Academic Publishers (1993)
[25] Mohammad El-Said, J. Phys., I France 5, 1027 (1995)
[26] Mohammad El-Said, Phys. Rev. B 61, 13026 (2000)
[27] M. K. El-said, Chinese Journal of Physics, vol. 40, 315 (2002)
[28] S. E. Koonin, Computational Physics, Addison Wessley Publishing Company, Inc,
California, U.S.A, (1986)

ANEXO
PROCEDIMIENTOS NUMRICOS
1. SOLUCIN DE ECUACIN PARA PARTCULAS DESACOPLADOS
Las funciones de onda para el electrn y el hueco libre son soluciones para la siguiente
ecuacin unidimensional.

i f i '' i D 1 f i '+ (Vi Ei ) f i = 0 ; i = e, h

fi ''

(80)

E V (ri )
D 1
fi '+ ( ri ) fi = 0 ; (ri ) =
i
ri

(81)

Las soluciones de estas ecuaciones se van a encontrar numricamente mediante el mtodo

de disparos y por consiguiente para inicializar el proceso de Runge-Kutta se deben encontrar
las condiciones de frontera.
Condiciones de frontera:
a. r 0

f ' ( 0 ) = 0 ; f (0) = 1 (0) =

E Vint

(82)

Haciendo

fi = 1 + ri 2 ; f ' = 2 ri ; f '' = 2

(83)

y sustituyendo en la ecuacin (80):

2 + ( D 1)2 + (0) = 0 ;

(84)

2 D = (0)

(85)

(0)
2D
b. Para o < r <

f (r ) = 1 +

Vi E 2
ri
2 Di

V E
f '(r ) = i
ri
Di

(86)

(87)

(88)

c. r =

f ( ) = 1 +

Vi E 2

2 Di

(89)

V E
f '( ) = i

D
d. Cuando r ;

(90)

f '' = k + f '+
ri

E Ve

f 2
ri

= k 2 ; k =

Vi E

(91)

f '' = k + f + 2 f
ri
ri

(92)

Sustituyendo en la ecuacin (80)

2

D 1

k + + 2
k + + = 0
ri ri
ri
ri

Como ri entonces se puede despreciar los trminos con

(93)

ri 2

2 k D 1

k k2 = 0
ri
ri

(94)

k
D 1
[ 2 D 1] = 0 =
ri
2

(95)

k2 +

Por lo tanto:

f (ri ) =

e kri
r

( D 1)

(96)
2

D 1

f ' = k +
f (r )
2r

(97)

Dividiendo f '( ri ) en f ( ri )

f '(ri )
D 1

= k +

f (ri )
2r

(98)

f '( Rmax )
D 1
= k +

2 Rmax
f ( Rmax ) r

(99)

 < r < Rmax

e. Si

Haciendo f = Y1 ; f ' = Y2 ; entonces se puede escribir la ecuacin (80) como u problema

de Cauchy

dY1
= Y2
dr

(100)

dY2
D 1
=
Y2 Y1
dr
ri

(101)

Y1 ( ) = 1 +
Y2 ( ) =

Vi E 2

2 D

(102)

Vi E

(103)

Utilizando la notacin anterior se puede escribir una ecuacin trascendental

D 1
Y2 ( Rmas , E ) + k +
Y ( Rmax , E ) = 0
2 Rmax

2.

(104)

ECUACIN DE ONDA PARA EL EXCITON EN UN PUNTO CUANTICO DE

GaAs/(GA,Al)As

Para encontrar la funcin de correlacin

se debe resolver la siguiente ecuacin

diferencial

+ Veff (r ) = E ; donde Veff =

2
+
r

( J ) '' ; J = rP
J

(105)

para resolver esta ecuacin numricamente es conveniente hacer los siguientes cambios:

J0

Veff

'' =

J 0
J0 =
2 J 0

2 J 0 '' 1 J 0

=
+

r 2J0 4 J0

J 0 ''
J 0
=

2 J0 4 J 3
0

(106)

J 0 ' J 0 '' J 0 '2 J 0 '' J 0 J 0

+

=
Pero:
2 ;
=
J0
J0 J0 J0
J0
J0

(107)

(108)

Veff

2
2 1 J 0 1 J 0 '
+
=
+

r 2 J0 4 J0

J 0 ' = P + rP

Veff

(109)

J0 ' 1 P ' 1
1
J
= + = + ( ln P ) ; W = ln P + W = 0
J0 r P r
r
J0

2
11
2 1 1

=
+ +W + +W
r 2r
4r

Veff =

(110)

(111)

2 1 1 1
1 1 1 W 1 2
+ 2 + W + 2 +
+ W
r 2 r 2
4r 2 r 4

(112)

1 1
1
1

Veff = 2 + W r 2 + W + W 2
2
4r
2
4

(113)

2 + W
1

1
1
2
''+ 2 +
+ W + W 2 = E
r
2
4
4r

(114)

= u r ; = u r +

1
2 r

u; = u r +

u
u

r 4 r3

(115)

Luego:

+
2
W

u
u
1
1 2
2
u r
+
+
+ W + W u r = Eu r
r
2
4
r 4 r3

Dividiendo por

(116)

r:

2 + W

u
1
1 2
2
u +
+ W + W u = Eu
r
r
2
4

(117)

La cual es la ecuacin que se resolver mediante el mtodo de disparos.

1
1
V0 (r ) = W + W 2
2
4

(118)

1
2 + W
2
+ V0 (r )
Veff (r ) =
r

(119)

Las condiciones de frontera para esta ecuacin (118) son:

1
2 + W
1
2 u=0
a. r 0 ; u +
r
r

(120)

1
u (0) = 1; u(0) = 2 + W (0)
2
b. r ; W ( rmax ) = 0 ;

(121)

(r ) = u (r ) r

(122)

3. JACOBIANO PARA EL EXCITON EN UN PUNTO CUANTICO DE GaAs/(GA,Al)As EN

D=2
Por simplicidad en el clculo de la integral para el Jacobiano (65) en D=2, se tiene en
cuenta que esta tiene dos singularidades en la vecindad de los limites inferior y superior de
la integral y se eliminan estas singularidades usando alguna sustitucin. Para analizar estas
singularidades separadamente la integral interior (65) se representa como:
2

( rh )
I=
rh drh = I1 + I 2 ;
+
+
+

+
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
(
)(
)(
)(
)
r r
e
h
e
h
h
e
h
e
f l ('

re + r

h)

(123)

re2 + r 2

I1 =

re r

fl ('

h)

( rh )

4r 2r 2 ( r 2 + r 2 r 2 )2
e
h
e

rh drh ; I 2 =

re + r

re2 + r 2

fl ('

h)

( rh )

4r 2r 2 ( r 2 + r 2 r 2 )2
e
h
e

rh drh (124)

Usando en la primera integral la sustitucin rh y y en la segunda rh z en

concordancia con la siguiente frmula:
rh2 = 2re rh y 2 + (re r )2 ; rh2 = (re + r )2 2re rh z 2 Por sustitucin las integrales I 1 y I 2 se reducen a las siguientes formas:

(125)

2 re r

I1 =

f l(' h ) y 2 + (re r )2

2
2 re r

[4r r y ]

I2 =

dy;

f l(' h )

(re + r )2 z 2

[4r r z ]

(126)

dz

Sustituyendo en la primera integral y x y en la segunda z x de acuerdo con las

siguientes frmulas y = x 2re rh ;
1

I1 =

f l(' h ) x 2 2re r + (re r )2

2 x

z = x 2re rh , las integrales se reducen a:

2
1

I2 =

dx;

(re + r )2 x 2 2re r

f l(' h )

2 x

(127)

dx

Finalmente la integral interior en (24) puede representarse como:

1

I =

f l ('

h)

x 2 2re r + ( re r )

+ f l ('

2x

h)

( re + r )

x 2 2re r

(128)

dx

y la expresin del Jacobiano (65) se simplifica como:

J ll ' ( r ) = 2 r fl (

e)

( re )

re dre

f l ('

h)

x 2 2re r + ( re r )

+ f l ('

h)

( re + r )

2 x2

x 2 2re r

dx

(129)

Esta integral ahora no tiene singularidades.

4. JACOBIANO PARA UN EL EXCITON EN UN PUNTO CUANTICO DE GaAs/(GA,Al)As
EN D=3
El jacobiano para un punto cuntico en tres dimensiones no presenta la misma dificultad
que para D=2 ya que la integral no presenta singularidades. De la ecuacin (65) y haciendo
D=3 se tiene la expresin general para el jacobiano como sigue:

J 0 (r ) = r f e (re )dre
0

re + rh
re rh

f h (rh )drh

(130)