Autor: Gian Carlo Andre Ruiz Archenti.

Cdigo: 1423125183

Ttulo: Transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
(MOSFET).
Resumen: El MOSFET es un tipo de transistor controlado por tensin,
utilizado para ampliar y conmutar seales. Existen dos tipos bsicos de
MOSFET, los de canal n y los de canal p. Los ms usados son los de tipo
n por su capacidad de conmutar rpidamente. Su estructura consta de
tres partes: Drenaje, Compuerta y Fuente. Opera en tres zonas: corte,
saturacin, hmica.
Abstract: The metal-oxide-semiconductor-field-effect transistor (Mosfet)
is a device used for amplifying or switching electronic signals. There are
two types: Channel N and Channel P. The most used for its high speed is
the channel n. It is composed of three parts: Drain, Gate and Source. It is
works in three places: ohmic, saturation and cut.
CUERPO: El MOSFET es un transistor de efecto campo que es
controlado por tensin consta de tres partes: puerta (G), Drenaje (D),
Fuente(S). La puerta est aislada por xido de silicio que da una alta
impedancia. Pueden ser del tipo canal n o canal p. Operan en modo
enriquecimiento o empobrecimiento.

Nota: El sustrato es el que ocupa mayor rea en la composicin del

dispositivo, y la otra parte ser el canal.

TIPO EMPOBRECIMIENTO: De la figura; el canal es continuo en toda la

superficie del dispositivo. Pragmticamente se dice que el canal n opera en el
modo de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a
fuente.

TIPO ENRIQUECIMIENTO: Como se aprecia los canales son divididos en 2 por

el sustrato, a este proceso se le llama estrangulamiento.

Polarizacin por divisor de voltaje: El propsito de esta forma de

polarizacin y la de drenaje es hacer que el voltaje de la compuerta exceda el
voltaje GS umbral.

Polarizacin mediante realimentacin de drenaje: Hay corriente

despreciable en la puerta por ello ninguna cada de voltaje en RG.

CONCLUSIONES: El mosfet es un dispositivo que es ms usado para el

control de circuitos ya que estos se pueden controlar por el manejo de
tensiones.
A TENER EN CUENTA: El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es
actualmente incorrecto ya que el aluminio que fue el material de la
puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio poli
cristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las
puertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la
dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores
sin utilizar componentes metlicos en la puerta.
FUENTES:

FLOYD, THOMAS. (2008). DISPOSITIVOS ELECTRNICOS .

MXICO: PEARSON.
2) BOYLESTAD
Y
NASHELSKY.
(2009).
DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS. MXICO: PEARSON.
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