Diodo de Potencia

Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites

de tensin y corriente, permite la circulacin de corriente en un nico
sentido. Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para
los diodos de seal, pueden ser significativos para componentes de
mayor potencia, caracterizados por un rea mayor (para permitir
mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas
ms elevadas).

1.

2.

Figura 1. Estructura interna de un diodo de potencia.

Figura 2. Smbolo y caracterstica esttica corriente-tensin de un diodo
de potencia.
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el miembro ms
conocido de la familia de los tiristores. El SCR es uno de los dispositivos
ms antiguos que se conocen dentro de la Electrnica de Potencia (data
de finales de los aos 50). Adems, contina siendo el dispositivo que
tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que
permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y
mayor circulacin de corriente). El SCR est formado por cuatro capas
semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo 3 terminales: nodo
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(A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y la puerta
(G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una
corriente en sentido nodo-ctodo.

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4.

Figura 3. Estructura simplificada y smbolo del SCR.

Figura 4. Caracterstica I-V de un SCR en funcin de la corriente de
puerta.
TRIAC
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de
tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y
vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos
signos. Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder
controlar los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente,
con un SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido.
Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de
semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este
inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60.
Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se
comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta
forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente.

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Figura 5. Smbolo y estructura interna de un TRIAC

Figura 6. Caractersticas I-V del TRIAC
Transistor Bipolar de Potencia (TBP)
Ms conocidos como BJTs (Bipolar Junction Transistors), bsicamente
se trata de interruptores de potencia controlados por corriente.

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Figura 7. Smbolos de los transistores bipolares npn y pnp.

Figura 8. Estructura interna de un TBP tipo NPN.

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Figura 9. Caractersticas V-I de los transistores bipolares.

Figura 10. Caractersticas de transferencia en un transistor bipolar.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por
corriente, los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello de
debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del
dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de
canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los
primeros, por presentar menores prdidas y mayor velocidad de
conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin
a los agujeros.

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Figura 11. Smbolos de los transistor MOSFET de canal n y canal p.

Figura 12. Estructura bsica del transistor MOSFET.
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Figura 13. Caracterstica esttica del transistor MOSFET canal n.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar
Transistor, es un dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los
transistores descritos en los apartados anteriores, o sea, el IGBT rene la
facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en
conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo,
con lo que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el
colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que
el interruptor es muy cercano a lo ideal.

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Figura 14. Smbolos alternativos de los transistores IGBTs.

Figura 15. Estructura bsica del transistor IGBT.

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Figura 16. Caracterstica esttica del transistor IGBT.
El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la
velocidad de conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

Aplicaciones de la Electrnica de Potencia segn los dispositivos

empleados

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Figura 17. Aplicaciones de la Electrnica de Potencia segn los

dispositivos empleados.
Bibliografa
[1] Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan,
Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
[2] Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de
Campinas, SP - Brasil.
[3] Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University,
Valparaso Indiana. Prentice Hall.

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