MEMORIAS

SEMICONDUCTORAS
Acceso Aleatorio.
Catedrtico:
William Argueta

Alumnos:
Javier Antonio Sandoval Lemus SL160858
Wilfredo Jos Osorio Prez OP161423
Luis Ernesto Rugamas Granados RG910337
Joel Edgardo Alvarenga Segura AS160719
Jos Samuel Menjivar Melgar MM160677

Materia: Electrnica Digital

INDICE

1. Introduccin..pg. 2

2. Objetivos.pg. 3

3. Contenido Memoria DRAM pg.4-9

4. Ventajas y desventajas. pg.10

4. Conclusionespg.11

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

Introduccin
En el siguiente documento daremos a conocer sobre lo que
son las memorias semiconductoras en este caso las
memorias DRAM, donde se explica que es una memoria
DRAM cul es su funcionamiento, que tipo de versiones
existen, las aplicaciones donde pueden ser usadas, y cules
son sus ventajas y desventajas.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

Objetivos
General:
Presentar un informe sobre las memorias
semiconductoras mediante la informacin que se tiene
para poder conocer su funcionamiento.

Especficos:
Comprender el funcionamiento de las memorias
DRAM.
Conocer sobre las ventajas y desventajas de esta
tecnologa y las aplicaciones donde puede ser usada.
Conocer la historia de las memorias DRAM.
Demostrar los pasos principales para una correcta
lectura de las memorias.
Presentar las aplicaciones de las memorias.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

Memorias semiconductoras:
Acceso Aleatorio
Lectura Y Escritura

Memorias DRAM: DRAM son las siglas de la voz inglesa

Dynamic Random Access Memory, que significa memoria dinmica
de acceso aleatorio (o RAM dinmica), para denominar a un tipo de
tecnologa de memoria RAM basada en condensadores, los cuales
pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito
dinmico de refresco que,
cada cierto perodo, revisa
dicha carga y la repone en
un ciclo de refresco.
En
oposicin
a
este
concepto surge el de
memoria
SRAM
(RAM
esttica), con la que se
denomina
al
tipo
de
tecnologa RAM basada en semiconductores que, mientras siga
alimentada, no necesita refresco.
Se usa principalmente como mdulos de memoria principal RAM de
ordenadores y otros dispositivos. Su principal ventaja es la
posibilidad de construir memorias con una gran densidad de
posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta: en la
actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y
velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo.

El resto de memorias RAM, es voltil, es decir, si se interrumpe la

alimentacin elctrica, la informacin almacenada se volatiliza. Fue
inventada a finales de los sesenta y es una de las memorias ms
usadas en la actualidad.
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

La memoria dinmica fue desarrollada en los laboratorios de IBM

pasando por un proceso evolutivo que la llev de usar 6 transistores
a slo un condensador y un transistor, como la memoria DRAM que
conocemos hoy. La invencin de esta ltima la hizo Robert Dennard
quien obtuvo una patente norteamericana en 1968 por una memoria
fabricada con un solo transistor de efecto de campo y un
condensador.
Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos
de cmputo como por ejemplo la lnea System 360: el modelo 25 en
1968 ya inclua un ScratchPad (una especie de Cach controlada por
software) en forma de integrados 5 veces ms rpidos que la
memoria principal basada en ncleos de ferrita. Dado el modelo de
negocios de IBM que consista en vender o arrendar computadores,
un negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reduca a ser el
complemento de la memoria principal basada en ncleos
magnticos. No hubo inters en comercializar ese tipo de memorias
para otros fabricantes ni tampoco se pens en usar las tecnologas
de estado slido tipo SRAM o DRAM para construir la memoria
principal. La empresa Intel fue creada para aprovechar esa
oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo
la industria de los semiconductores se haba estancado, a pesar de
existir potenciales usos de los integrados de silicio como la
fabricacin de memorias SRAM y DRAM.

Aunque Intel se inici con memorias SRAM como la i1101 y la i3101,

el primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103
de 1024 bits. El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de
memoria con 3 transistores tipo PMOS y un condensador, estaba
organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en un
encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un
fuerte competidor para las memorias de ncleo.

La produccin y calidad del integrado era difcil de mantener, hecho

que se demostr cuando Intel entreg parte de la produccin a otra
empresa llamada Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un
principio pudo obtener mejores resultados que la misma Intel, pero
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

despus del cambio importante en el proceso de fabricacin no fue

capaz de producir.
La memoria i1103 era muy primitiva en comparacin a las memorias
DRAM de la actualidad, aun as, se comportaba mejor que la
memoria de ncleo y con un precio menor. A finales de 1971 se haba
convertido en el producto dominante para la fabricacin de memoria
principal y era usado por 14 entre 18 de los principales fabricantes de
computadores, ganando el mote "core killer"
Reinvencin de la memoria DRAM
Para 1973 Intel y otros fabricantes construan y empacaban sus
integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se
aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. De
acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendra 16 pines
solo para las direcciones. Dentro de los costos ms importantes para
el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la
cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era
crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con
una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto
apreciado por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22
pines, ofrecidos por Intel y Texas Instruments como insumos
costosos.
El lanzamiento de la memoria MK4096 de 4K, con un solo transistor
por celda y con direccionamiento multiplexado result del trabajo de
Robert Proebsting quien observo que en las celdas con un solo
transistor, era imposible acceder la informacin en una posicin,
enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz:
haba que enviar las seales una despus de la otra. La solucin a
nivel de la celda conduca a un ahorro en el empaque, ya que la
direccin podra recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de
pines usados. Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de
16 pines dedicados a solo 8 y dos ms para seales de control extra.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

La multiplexacin en tiempo es un esquema de direccionamiento que

trae muchas ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito
externo, de manera que se convirti en un estndar de la industria
que todava se mantiene. Mucha de la terminologa usada en la hoja
de datos del MK4096 todava se usa y muchos de los parmetros de
temporizacin como el retardo RAS a CAS fueron instaurados con
ese producto, entre otros aspectos.

Funcionamiento:
La celda de memoria es la unidad
bsica de cualquier memoria,
capaz de almacenar un Bit en los
sistemas digitales. La construccin
de
la
celda
define
el
funcionamiento de la misma, en el
caso de la DRAM moderna,
consiste en un transistor de efecto
de campo y un condensador. El
principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una carga se
almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El
transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al
condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la
poca de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.
Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la
forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por
medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras
contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la
pastilla de silicio formando reas que son visibles a simple vista. En
el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las lneas
horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las
llamadas filas y las lneas verticales conectadas a los canales de los
FET son las columnas.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin

de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en
tiempo, es decir se envan por mitades. Las entradas marcadas como
a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la direccin
de la fila y despus la de la columna. Las direcciones se diferencian
por medio de seales de sincronizacin llamadas RAS (del ingls
Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la
entrada de cada parte de la direccin.

Los pasos principales para una lectura son:

Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del

voltaje de 1 lgico. Esto es posible ya que las lneas se comportan
como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor ms
alto que la de los condensadores en las celdas.

Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que

recibe la direccin y la seal de RAS. Esto hace que los transistores
conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexin elctrica
entre las lneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es
el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno
cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que
deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas.
El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la
celda conectada a cada columna. El cambio es pequeo, ya que la
lnea de columna es un condensador ms grande que el de la celda.

El cambio es medido y amplificado por una seccin que

contiene circuitos de realimentacin positiva: si el valor a medir es
menor que en la mitad del voltaje de 1 lgico, la salida ser un 0, si
es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.

La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de

manera que, al llegar la segunda parte de la direccin, se decide cual
es la celda deseada. Esto sucede con la seal CAS. El dato es
entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la
DRAM es destructiva.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

La escritura en una posicin de memoria tiene un proceso similar al

de arriba, pero en lugar de leer el valor, la lnea de columna es llevada
a un valor indicado por la lnea D.I. y el condensador es cargado o
descargado. El flujo del dato es mostrado con una lnea gruesa en el
grfico.

La memoria RAM dinmica puede ser de diferentes tipos de acuerdo

con su tecnologa de fabricacin: FPM, EDO, SDRAM, BEDO y ms
recientemente RDRAM. FPM (Fast Page Mode) Su nombre procede
del modo en que transfiere los datos, llamado paginamiento rpido.
Es la memoria normal, y era el tipo de memoria ms popular hasta
hace aproximadamente dos aos. Era el tipo de memoria normal en
los ordenadores 386, 486 y los primeros Pentium y llego a alcanzar
velocidades de hasta 60 nanosegundos (ns). Se presentaba en
mdulos SIMM (Single In-line Memory Modulo) de 30 contactos (16
bits) para los 386 y 486 y en mdulos de 72 contactos (32 bits) para
las ltimas placas 486 y las placas para Pentium.

Aplicaciones:
Este tipo de memoria es usada en computadoras, principalmente en
los mdulos de memoria RAM y en otros dispositivos como memoria
principal del sistema.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

Ventajas:
Su principal ventaja es de construir memorias con una gran
densidad de posiciones y que todava funcionen a una
velocidad alta.
Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de
memoria ms datos se pueden tener en ella y ms aplicaciones
pueden estar funcionando simultneamente y por supuesto a
mayor cantidad mayor velocidad de proceso.

Desventajas:
Tiene una capacidad de retencin de datos muy corta en
tiempo, razn por la cual requiere de circuitera para refrescar
el contenido almacenado en ella cada determinado tiempo, es
una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin
elctrica no guarda informacin.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS.

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Conclusin
Al hacer este trabajo de investigacin nos ayuda a saber
ms sobre las memorias DRAM, nos aporta mayor
conocimiento sobre este tipo de memoria: como sus
versiones, ventajas, desventajas y en que aplicaciones
podemos usarlas, lo cual nos ayudara como estudiantes a
comprender que es una memoria DRAM y nos ser muy til
para la materia.

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