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TRANSISTOR

CURSO
Dispositivos y Componentes Electrnicos
TEMA
TRANSISTOR BIPOLAR
GRUPO HORARIO
01-T 90G
INTEGRANTES
SANTIAGO SANTOS, Eder
1213170019
SANTAMARA RIVERA, Jons B.
1213120314
TRUJILLO VILLANUEVA, Gianino J
1213110067

PROFESOR
Ing.

Escuela profesional de ingeniera elctrica

TRANSISTOR

I . OBJETIVO:

1.1 Determinar las caractersticas del transistor compuesto utilizando el

manual de reemplazo.

1.2 Analizar cada uno de los componentes a utilizar

1.3 Montaje del circuito para determinar la curva caracterstica del

transistor.

1.4 Anlisis de tensin y corriente DC con sus respectivos cuadros.

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TRANSISTOR

II . FUNDAMENTO TERICO:

EL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para


producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. 1 Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de
transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos
los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.

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TRANSISTOR

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo


cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar


fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su


funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por
el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin
de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad .

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TRANSISTOR

TIPOS DE TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR


NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo..

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el
colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est
en funcionamiento activo.
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III .RELACIN DE MATERIALES EQUIPOS E INSTRUMENTOS:

3.1 Transistor BC547-BC548

3.2 Resistencias 150 - 1,2K

3.3 Potencimetro 10K - 50K

3.4 Fuente DC variable

3.5 MULTIMETRO digital

3.6 Protoboard

3.7 Terminales

3.8 Mili ampermetro DC

3.9 Micro amperimetro

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3.10 Manual de reemplazo

IV .DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA:
ANLISIS DE LOS COMPONENTES A UTILIZAR
R1 : 150
Valor terico
Valor practico
R2: 1.2K
Valor terico
Valor practico
Medir terminales
0 (continuidad)
TIPOS :
NPN
PNP
Smbolo
PNP

NPN

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MATERIAL
Silicio
Germanio
POTENCIA
Pequea
Mediana
Grande
FORMA FISICA

TIPO CHAPA

ANLISIS DE TENSIN

ANLISIS DE CORRIENTE

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