Universidad de Santiago de Chile

Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Elctrica

Laboratorio de Electrnica Industrial

Experiencia 1: Rectificadores controlados

silicio: SCR

Alumno

: Rodrigo Daz
Carlos Segura
Enrique Vergara

Fecha

: 05 de octubre 2010

Objetivos

La experiencia realizada tiene como principales objetivos: conocer

los encapsulados de los SCR y demostrar el comportamiento de circuitos
utilizando ste dispositivo.
El presente informe incluye una introduccin que trata del
rectificador controlado de silicio. Adems, se ha detallado el desarrollo
experimental, finalmente obtendremos las conclusiones referentes al
tema tratado.
Introduccin
Rectificador Controlado de Silicio (SCR):
Dentro de la familia de dispositivos P-N-P-N, el SCR, el de mayor
inters es el SCR, construido con un material de silicio, lo que permite
mayor control y trabajar a niveles ms altos de potencia y temperatura.
Adems, cuenta con un tercer terminal (Gate) para efectos de control.
Dicha Gate determina cuando el SCR conmuta del estado de circuito
abierto a cerrado. La polarizacin directa de nodo (terminal positivo, A)
a ctodo (terminal negativo, K), no es suficiente para permitir
conduccin, se necesita, adems, una tensin de Gate positiva.
Smbolo del SCR

Para comprender el funcionamiento de un SCR, se puede efectuar

una analoga con tres diodos o con dos transistors. El lector podr
comprobarlo analizando ambas configuraciones.

Aplicaciones del SCR

Algunas de las areas ms comunes de aplicacin del SCR incluyen
controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de
alimentacin reguladas, interruptores estticos, controles de motores,
recortadores, inversores, cicloconversores, cargadores de bateras,
circuitos de proteccin, controles de calefaccin y controles de fase.

Materiales y equipo utilizado

-

1 Osciloscopio.
2 Fuentes D.C. variantes con rango de 0 40V
3 Miliampermetros D.C
1 Auto transformador de 220 Vac. A 10 Vac.
1 SCR TYN 412.
1 Resistencia de 1K/1W.
1 Resistencia de 25/25W.
1 Resistencia de 100/2A
1 Bobina de 750mH.
1 Potencimetro de 500K.
1 Potencimetro de 50K.
1 Estacin de trabajo SCR.

Desarrollo experimental
a) Armar el circuito y medir
e

= 1K

(en corte),

(RMS)

= 0)

SCR = TYN 412

V= 30v
115mA
30v
11mA
0.72v
6mA
0,67v
0,9v
13mA

Al realizar la conexin del circuito, se verific la adecuada utilizacin de

R1 y la ampolleta. La resistencia R1 permite que no se sobrepase la
corriente mnima, ni la tensin mxima de gate (establecidos por el
fabricante), mientras que la ampolleta permite que la tensin VAK,
nunca tome un valor tal que el SCR se autodispare (disparo por
sobretensin directa).
Se fij en 30V, la fuente E2 para conseguir una corriente de 115mA que
permite asegurar la conduccin (se fij el lado de nodo).
Se realiz el disparo reiteradamente, variando la tensin de alimentacin
de Gate para poder encontrar la corriente de la compuerta. ste
proceso repetitivo permiti asegurar que la corriente mnima de gate es

(mn) = 6 mA.
Estableciendo una corriente de gate que permitiera un disparo seguro,
se fij el lado de gate.
Se hizo variar, reiteradamente, la fuente de tensin E1 para que el SCR
quedara enclavado. Lo anterior se realiz hasta que, al desconectar la
gate, la corriente de nodo permaneci constante, sin necesidad de
polarizar la gate ( = 11mA).
Una vez encontrada

se disminuy la tensin E2, llegando a una

corriente, tal que el SCR se desenclavaba (

= 26mA).

b) Utilizando un transformador arme el siguiente circuito:

R1 = 100K C = 0,5 F
Utilizando el osciloscopio entre A-K y en la ampolleta, tenemos las
siguiente imgen:

x = 100v
y = 170v
= arcsen

R1 = 50K

= 36

C = 1F

L = 750 mH

Utilizando el osciloscopio entre A-K y en la ampolleta, tenemos las

siguientes imgenes:

tg =

= arctg 5,88

 = 80,36

Conclusiones
En esta primera experiencia estudiamos las caractersticas y
parmetros de un SCR, como un elemento de control ampliamente
usado en la electrnica de potencia. Los resultados obtenidos en la
determinacin de los parmetros del SCR del punto 1 se aproximan a los
valores caractersticos del dispositivo.
Se demostr el comportamiento de circuitos con SCR en c.c. y en
c.a. Los valores medidos y las curvas obtenidas se comportaron de
acuerdo a los esperado tericamente.
Se comprob, experimentalmente, que la corriente de latching es
el doble de la corriente de holding.
Se demostr que, en c.c., no basta con desconectar la gate para
apagar el SCR.
Se demostr que, en c.a., una curva es el complemento de la otra
(VAK y Vcarga).
Variando el ngulo de disparo , se puede controlar la potencia, ya
que esta variacin encuentra en relacin con el rea de la curva de
tensin de la carga. A menor ngulo de disparo, mayor ser la potencia
obtenida.