Electrónica

Transistores BJT, FET y MOSFET

Profesor: Javier Urquizo Guevara

I Termino 2014-2015
 Contenido
1. Características y funcionamiento del transistor BJT
2. Polarización de circuitos básicos de amplificación
con transistores BJT
3. Amplificación con transistores BJT
4. Conmutación con transistores BJT
5. Características, funcionamiento y aplicación de
transistores de Efecto de Campo (FET)
6. Características, funcionamiento y aplicación de
Transistores de Efecto de campo de semiconductor
de oxido metálico (MOSFET)
Electrónica
 Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico que
cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.

Electrónica
 Cronología
• 1904: Diodo de Tubo de Vacío
• 1906: Tríodo, con rejilla de control.
• 1930: Tetrodo, Pentodo tuvieron un rol destacado
por la industria de radio y TV
• 1947: Invención del primer
transistor. Era mas pequeño, robusto
y eficiente. Laboratorios Bell.
• 1951: Fabricación en serie

Electrónica
 Tipos de Transistores
NPN
BJT
PNP
Transistor

JFET
FET MOSFET
TRIAC IGBN
TIRISTOR
Electrónica
 Transistor BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres
capas que consta de dos capas de material tipo “n” y
una de material tipo “p” o de dos capas de material
tipo “p” y una de material tipo “n”.

Electrónica
 Características del BJT

Los terminales de este dispositivo se identifican por

medio de las letras mayúsculas:
E para emisor, C para colector y B para base

Electrónica
 Características del BJT
• El emisor tiene gran cantidad de impurezas. Su función es
emitir o suministrar los portadores de carga.
• La base tiene muy pocas impurezas y es muy delgada.
• La cantidad de impurezas en el colector es menor que en el
emisor, pero mayor que en la base. El área del colector es la
mayor de las 3, porque es el colector el que disipa mayor
cantidad de calor en el emisor o la base.

Electrónica
 Características del BJT
Por analogía de diodos, el transistor puede ser
construido como dos diodos que se conectan juntos.

Electrónica
 Operación del BJT
Polarización Directa-Inversa:
Para que el transistor funcione se debe tener una
unión p-n polarizada inversamente y la otra
polarizada directamente

Electrónica
 Operación del BJT

Aplicando LKC:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
El material “emparedado” es muy delgado y su conductividad es baja, por lo
tanto el 𝐼𝐵 es muy pequeño. (típicamente en orden de los microamperios)

Electrónica
 Operación del BJT
La corriente 𝐼𝐶 es la unión de dos componentes los
portadores mayoritarios y minoritarios
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟𝑖𝑎 + 𝐼𝐶𝑚𝑖𝑛𝑜𝑟𝑖𝑎

La corriente de portadores minoritarios (𝐼𝐶𝑚𝑖𝑛𝑜𝑟𝑖𝑎 ) se

denomina corriente de fuga y se le da el símbolo 𝐼𝐶𝑂 ,
que simboliza a la corriente 𝐼𝐶 con el terminal del
emisor abierto (open). En general 𝐼𝐶 se mide en mili
amperes e 𝐼𝐶𝑂 se mide en nano amperes.

Electrónica
 Punto Q
Para los amplificadores o transistores, el voltaje y la
corriente DC resultantes establecen un pto de
operación sobre las características que definen una
región que se utilizara para la amplificación de la señal
aplicada, este pto de operación es pto fijo (PUNTO Q)

Electrónica
 Operación en las Regiones
• Región Activa: definida por el circuito
empleado.
• Región de corte: región donde la corriente del
colector es 0A.
• Región de saturación: región de características
a la izquierda de VCB= 0V.

Electrónica
 Configuración Base Común
Esta configuración se refiere a:
• La base es común para el circuito de entrada como
para el de salida
• La base es generalmente el terminal mas cercano al
potencial de tierra
• Entrada emisor, salida colector

Electrónica
Configuración Base Común

Electrónica
 Configuración Base Común
Para describir el comportamiento de los amplificadores
de base común se requiere dos graficas características:
• Entrada o características del emisor
• Salida o características del colector

Electrónica
Configuración Base Común

Electrónica
 Configuración Base Común
Las curvas (características de salida) claramente indican
que una primera aproximación a la relación entre IE e
IC en la región activa esta dada por
• IC≈IE
• Una vez que un transistor esta en el estado ‘on’ , el
voltaje base-emisor se asume ser: VBE= 0.7V

Electrónica
Configuración Base Común

Electrónica
 Configuración Base Común
Las características de salida tiene 3 regiones básicas:
• Región Activa -definida por el circuito empleado. En
la región activa la unión base-emisor se polariza en
directa en tanto que la unión colector-base está en
inversa. Región para amplificación de voltaje.

Electrónica
 Configuración Emisor Común
• Región de corte –región donde la corriente del
colector es 0A. En la región de corte las uniones
base-emisor y colector-base de un transistor se
polarizan en directa.

• Región de Saturación-región de características a la

izquierda de VCB= 0V. En la región de saturación las
uniones base-emisor y colector-base se polarizan en
inversa. No fluye corriente en el colector.

Electrónica
 Configuración Base Común
En el modo DC los niveles de IC e IE debido a los
portadores de mayoría están relacionados por una
cantidad llamada alfa
𝐼𝐶
𝛼=
𝐼𝐸
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵𝑂

Debido a que 𝐼𝐶𝐵𝑂 es un valor muy pequeño; 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸

Electrónica
 Configuración Base Común
Para situaciones AC donde el punto de operación se
mueve sobre la curva característica, y un AC alfa esta
definida por
∆𝐼𝐶
𝛼=
∆𝐼𝐸

Alfa es un factor de ganancia de corriente en base

común que muestra la eficiencia por calcular el
porcentaje de corriente de emisor a colector. El valor de
𝛼 es típicamente entre 0.9 ~ 0.998.

Electrónica
Configuración Base Común

Electrónica
 Polarización
La polarización apropiada de la configuración de base
común en la región activa se determina de inmediato
con la aproximación 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 y suponiendo que
𝐼𝐵 ≅ 0 𝜇𝐴

Electrónica
 Configuración Emisor Común
Esta configuración se refiere a:
• El emisor es común o referencia para los terminales
de entrada y de salida.
• El emisor es el terminal mas cercano al potencial de
tierra
• Entrada base, salida colector
• Casi toda la amplificación usa la conexión de CE dado
que tiene la mas alta ganancia de corriente y voltaje.

Electrónica
Configuración Emisor Común

Electrónica
 Configuración Emisor Común
De la misma manera que en la configuración base
común, para describir el comportamiento de los
amplificadores de emisor común se requiere dos
graficas características:
• Entrada (terminal de la base)
• Salida (terminal del colector)

Electrónica
Configuración Emisor Común

Electrónica
 Configuración Emisor Común
Características de entrada
• IB esta en microamperios comparado a IC
miliamperios .
• IB fluye cuando VBE > 0.7V para silicio y 0.3V para
germanio.
• La unión Base-emisor esta polarizada directamente.
• Incrementando VCE reducirá IB para valores
diferentes.

Electrónica
 Configuración Emisor Común
Características de Salida
• Para valores pequeños VCE (VCE < VCESAT), IC incrementa
linealmente cuando VCE incrementa.
• VCE > VCESAT IC no depende totalmente de VCEIC
constante
• IB(uA) es muy pequeño comparado a IC(mA). Pequeño
incremento en IB causa un gran incremento in IC
• IB=0 A ICEO aparece.
• Note el valor cuando IC=0A. Hay todavía algún valor
de flujo de corriente.

Electrónica
 Configuración Emisor Común
Las características de salida tiene 3 regiones básicas:
• Región Activa -definida por el circuito empleado. En
la región activa la unión base-emisor se polariza en
directa en tanto que la unión colector-base está en
inversa. Región para amplificación de voltaje,
corriente y potencia.

Electrónica
 Configuración Emisor Común
• Región de corte –región donde la corriente del
colector es 0A. En la región de corte las uniones
base-emisor y colector-base de un transistor se
polarizan en directa.

• Región de Saturación-región de características a la

izquierda de VCB= 0V. En la región de saturación las
uniones base-emisor y colector-base se polarizan en
inversa. Uso del transistor como switch lógico.

Electrónica
Configuración Emisor Común

Electrónica
 Configuración Emisor Común
La relación de corriente de colector dc (IC) a la corriente
de base dc (IB) es beta dc (βDC) la cual es una ganancia
de corriente dc donde IC e IB son determinados en un
punto de operación particular, punto Q (punto
inactivo). Se conoce a esta relación como la ganancia
de corriente emisor común.

𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵

Electrónica
 Configuración Emisor Común
Para condiciones AC una beta AC se define como
los cambios de la corriente de colector(IC)
comparado a los cambios de la corriente de base
(IB) donde IC e IB están determinados en un punto
de operación. En la hoja de datos, βac=hfe.

Electrónica
Configuración Emisor Común

𝛼 𝛽
𝛽= ↔𝛼=
1−𝛼 𝛽+1

Electrónica
 Configuración Colector Común
Conocido también como seguidor de emisor. La entrada
característica de la configuración colector común es similar a
la de emisor común.
Se llama colector común porque tanto la señal de la fuente y
la carga el terminal del colector como un punto de conexión
común.
El voltaje de salida se obtiene en el terminal del emisor.
La configuración del circuito colector común es obtenido con
la resistencia de carga conectada desde emisor a tierra.
Se usa principalmente para acoplamiento de impedancia dado
que este tiene una alta impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida.

Electrónica
Configuración Colector Común

Electrónica
 Limites de operación
Muchos transistores BJT son usados como amplificador. Por esto es
importante notar los límites de operación.
Al menos 3 valores máximos valores son mencionados en la hoja de datos.
a) Máximo poder de disipación en el colector: Pcmax o PD
b) Máximo voltaje colector-emisor: VCEmax algunas veces llamado como
VBR(CEO) o VCEO.
c) Máxima corriente del colector: ICmax
Hay pocas reglas para los transistores BJT usados como un amplificador. Las
reglas son:
i) El transistor necesita ser operado en la región activa
ii) IC< ICmax
ii) PC< PCmax

Electrónica
 Ejercicio
Para el siguiente circuito,
encuentre:
1. Las corrientes del
transistor IE, IC e IB
2. Los voltajes del transistor
VBC y VEC
Datos del transistor: VBE=0.7V,
α=0.97

Electrónica
Zonas de funcionamiento del transistor

Electrónica
 Ejercicio
18 V

Hallar los puntos de

60k 8k 2k
operación Q para cada
transistor (β= 100)
Q2
Q1

I b1
90k I c1
3.5 k Q1 =
18k
I e1
Vce1
-12 V

Electrónica
 Hallar los puntos de operación Q para cada transistor (β= 100)

18 V
18 V 18 V

Aplicamos
60k 8k
Thevenin
60k 8k 2k 2k
Th
Q2
Q2 Q1
Q1

90k
18k 3.5 k
90k
18k 3.5 k

-12 V -12 V

-12 V
90 90
VTh  18( )  12( )  6V
90  60 90  60

RTh  60k || 90k  36k

 18 V 18 V

6  0.7  12
I b1   9.33A
36k  (101)18k
8k 2k I c1  I b1
Ie
Ic Ib
I c1  (100)9.33A  0.933mA
2

VTh RTh I b 1 2 
Vec
1 

I e1  (   1) I b1
Vce

6V 36k Ic
Ie
I e1  (101)9.33A  0.9424mA
2
1

18k 3.5 k  2k (  1) I b2  0.7  8k ( I c1  I b2 )  0

8k (0.933A)  0.7
I b2   32.209A
-12 V -12 V k (101)  8k
I c2  I b2
I c2  (100)32.209A  3.221mA
I e2  (   1) I b2
I e2  (101)32.209A  3.253mA

Vce1  18  8k (0.933mA  32.209A)  18k (3.253mA)

Vce1  5.89V >0 Q1 “Zona Activa”

Vce2  18  2k (3.253mA)  3.5k (3.220mA)  12

Vce2  12.226V >0 Q2 “Zona Activa”

I b1  9.33A I b2  32.209A
I c1  0.933mA I c2  3.221mA
Q1 = Q2 =
I e1  0.924mA I e2  3.253mA
Vce1  5.89V Vce2  12.226V
 Transistores de Efecto de Campo
También llamado FET (Field Effect Transistor), es un
dispositivo de 3 terminales que se utiliza para
aplicaciones que se asemejan a la del BJT.

Los FET son más estables a la temperatura y en general

mas son mas pequeños que los BJT, lo que los hace
particularmente útiles en chips de circuitos integrados.

Electrónica
 Transistores de Efecto de Campo
La principal diferencia es que el BJT es un dispositivo
controlado por corriente mientras que el FET es un
dispositivo controlado por voltaje.

Electrónica
 Clasificación del FET
Canal N
JFET
Canal P
FET

Canal N
Agotamiento
Canal P
MOSFET
Canal N
Enriquecimiento
Canal P

Electrónica
 Transistor de Efecto de Unión de
Campo
Se denomina transistor JFET (Junction Field Effect
Transistor) es un dispositivo electrónico que según unos
valores de entrada, reacciona dando unos valores de
salida. Utiliza una unión p-n similar al transistor BJT.

D
S
G

Electrónica
 Características del JFET
La parte superior del canal tipo
n está conectada mediante un
contacto óhmico a un material
conocido como drenaje (D), en
tanto que el extremo inferior
del mismo material está
conectado mediante un
contacto óhmico a una terminal
conocida como fuente (S). Los
dos materiales tipo p están
conectados entre sí y a la
terminal de compuerta (G).

Electrónica
 Características del JFET
La fuente de la presión de agua puede ser vinculada al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establece un flujo de
agua (electrones) desde el grifo (fuente). La “compuerta” gracias
a una señal aplicada (potencial), controla el flujo de agua (carga)
dirigido hacia el “drenaje”.

Electrónica
 Características del JFET

a) Canal N
Simbología
Vds
D + Q3 - S
Fuente P
S D -
N Id
(Surtidor) Drenador Vgs
P +

G
G
Compuerta

Electrónica
 Características del JFET
b) Canal P
Simbología

Fuente N
S D
P Drenador
(Surtidor)
N

G
Compuerta

Electrónica
 Construcción del JFET
Para un valor Vgs=0; Vds > 0
La región de empobrecimiento es
aquella que no presenta portadores
libres y por tanto es incapaz de soportar
la conducción a través de la región.

En el momento de aplicar Vdd, los

electrones serán atraídos al terminal de
drenaje, estableciéndose la Id
convencional en la dirección marcada.

El flujo de carga se encuentra

relativamente sin ninguna restricción y
Mientras mayor es la polarización solo lo limita la resistencia del canal n
inversa aplicada, mas ancha es la región entre el drenaje y la fuente
de agotamiento.
Electrónica
 Construcción del JFET
Cuando el Vds aumenta desde
Id
Nivel de cero hasta unos cuantos voltios la
saturación corriente Id aumenta. Mientras
Idss Vgs=0V mas horizontal es la curva, mayor
es la resistencia y si Vds aumenta
Aumento de la resistencia hasta donde parece que las dos
debido al estrechamiento del canal regiones de agotamiento se tocan
resulta la condición de
Resistencia canal N
Estrechamiento.

Vds
0 Vp Esta condición se lo conoce como
Idss= Corriente de Drenaje a la Voltaje de Estrechamiento o Vp
fuente con una conexión de (PINCH OFF).
cortocircuito

Electrónica
 Construcción del JFET
Mientras Vds se incrementa mas allá de Vp, la región del
encuentro cercano entre las dos regiones de agotamiento se
incrementa pero el nivel de Id permanece constante.

Por lo tanto una vez que Vds > Vp, el J’FET tiene las
características de una fuente de corriente.

Idss es la corriente máxima de drenaje para un J’FET y esta

definida mediante las condiciones de Vgs= 0 V y Vds > I Vp I

Electrónica
Construcción del JFET
Para Vgs<0V
En forma análoga como en los BJT
tenemos curvas de Ic en función de
Vce para diferentes valores de Ib,
se pueden desarrollar curvas de Id
En función de Vds para varios
niveles de Vgs para JFET

Vgs → voltaje que controla el JFET

Por ejemplo colocamos una fuente
de -1V entre G y S (compuerta y
fuente)

Electrónica
 Construcción del JFET
El resultado de aplicar una polarización negativa en la compuerta es alcanzar
un nivel de saturación aun nivel menor de Vds.
Es decir el nivel de saturación para Id
disminuye y seguirá disminuyendo mientras
Id
Nivel de Vgs se hace más negativo (observe Figura de
saturación Características).
Idss Vgs=
0V Además se observa como el Vp continua
Vgs=-1V
cayendo en una trayectoria parabólica
conforme Vgs es mas negativo.
Vgs=-2V Cuando Vgs= - Vp, Vgs será lo
Vgs=-3V suficientemente negativo como para
Vgs=-4V
Vds establecer un nivel de saturación que será
Vp
0 Región 5 10 15
Región de saturación
en esencia cero miliamperios, por otro lado
Ohmica para todos los propósitos el dispositivo ha
sido “apagado”.
Electrónica
 Resumen para dispositivos de canal N
La corriente máxima se encuentra
D + Definida como Idss y ocurre cuando
G Vdd >=|Vp| Vgs=0V y Vds>=|Vp|
Id =Idss
+ -
Vgs=0V Vgs S
-
 Vgs=-Vgg
Para los voltajes de compuerta la fuente
D + Vgs menores que el nivel de estrechamiento
G Vdd la corriente de drenaje es igual a 0A
Id =0A
+ -
Vgg Vgs S
-

Vgs>=|Vp|

Vgs=-Vgg Para todos los niveles de Vgs entre OV

D Y el nivel de estrechamiento, la corriente Id
+ Se encontrará entre 0A y el valor de Idss
G Id Vdd (0mA<Id<idss)
+ -
Vgg Vgs S
-

|Vp|>=|Vgg|>0V
 Características de transferencia
Variable de control

Para el BJT tenemos: I c  f ( I B )  I B

Constante
Se observa una relación lineal entre Ic e Ib

Pero para un JFET esta relación No existe , sino que se aplica LA ECUACIÓN
DE SHOCKEY:

Variable de control
2
 Vgs 
I D  I DSS 1  
 Vp 
Constantes

Electrónica
 Características de transferencia
Variable de control

Para el BJT tenemos: I c  f ( I B )  I B

Constante
Se observa una relación lineal entre Ic e Ib

Pero para un JFET esta relación No existe , sino que se aplica LA ECUACIÓN
DE SHOCKEY:

Variable de control
2
 Vgs 
I D  I DSS 1  
 Vp 
Constantes

Electrónica
Características de transferencia

Electrónica
Características de transferencia

Electrónica
 Operación del JFET
Similar al transistor BJT, el JFET también tiene
tres regiones de operación:

• Región de corte
• Región lineal
• Región de saturación

Electrónica
 Operación del JFET
Región de corte
La condición de la región de corte es que el canal esté
completamente estrangulado en las proximidades de la
fuente, lo que sucede cuando la tensión puerta-fuente
alcance la tensión de estrangulamiento (VGS<VP). En
este caso ID=0.

Electrónica
 Operación del JFET
Región lineal (activa)
Es la región en que se produce un incremento de la
intensidad ID al aumentar VDS. Este incremento es
lineal para bajos valores de VDS aunque la linealidad se
pierde cuando VDS se acerca a -VP. Para trabajar en la
región lineal se deben dar dos condiciones:
VGS > VP
VGD > VP ;VGS > VP + VDS

Electrónica
 Operación del JFET
Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de
conducción no se estrangula por la zona de depleción
en inversa tanto en el extremo de drenaje como en la
fuente. El valor que toma la corriente ID es:

2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 = 2 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 − 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝑝 2

Electrónica
 Operación del JFET
Región de saturación
La región de saturación tiene lugar cuando la tensión
entre drenaje y puerta alcanza la tensión de
estrangulamiento. Para que ello ocurra, el canal N,
tiene que estar estrangulado en el extremo cercano al
drenaje, pero no en el extremo del canal cercano a la
fuente. Entonces, al igual que en el caso anterior,
deben ocurrir dos condiciones:
VGS > VP
VGD < VP ;VGS < VP + VDS

Electrónica
 Operación del JFET
En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS,
siendo su expresión:

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝑃

Electrónica
Comparación JFET y BJT

Electrónica
 Transistor de Efecto de campo
Metal-óxido semiconductor
Se denomina MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el
transistor mas utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores
comerciales están basados en
transistores MOSFET.

Electrónica
 MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a
las del JFET, aunque su principio de operación y su
estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos
de transistores MOSFET:

• Incremental de canal N
• Incremental de canal P
• Decremental de canal N
• Decremental de canal P

Electrónica
 Características del MOSFET
La característica constructiva común a todos los tipos
de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está
formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor.

El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es

prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por
ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy
baja potencia.

Electrónica
 MOSFET de tipo Decremental de
canal n
La construcción básica de este dispositivo corresponde
a una placa de material tipo “p” que esta formada a
partir de base de Silicio y se la conoce como sustrato.
Drenaje
D
Región dopada N

n
Compuerta
G n Sustrato
n P
Fuente
S

Electrónica
 Características
La compuerta se encuentra conectada a una superficie
de contacto metálico pero permanece aislada del canal
n por una capa de dióxido de silicio (Si O2 ).

La fuente y el drenaje se conectan a la región dopada n

por medio de contactos metálicos y unidas por un canal
n.

Electrónica
 Características
Debido a la presencia de Si O2 se revela lo siguiente :
• No existe conexión eléctrica entre la compuerta y el
canal de un MOSFET.
• Se debe a esta capa aislante que se explica la alta
impedancia, muy deseable por cierto.

La muy alta impedancia de entrada, continua

soportando totalmente el hecho de que la corriente de
la entrada (Ig) en esencia de valor cero amperios, para
las configuraciones de polarización en DC.

Electrónica
 Operación
D

+
n SS
G n Sustrato
n P Vdd
S -

Id=Is=Idss

Electrónica
 Curvas Características

10.9 Id(mA) Id
Vgs =1V
Modo
De agotamiento Idss Vgs=0
8 V

Vgs=-1V

Vgs=-2V

Vgs=-3V
Vgs=-4V
Vgs Vp5 Vds
-4 -3 -2 -1 0 0 10 15
Vp/2

Electrónica
 MOSFET de tipo Decremental de
canal p
A diferencia del MOSFET anterior, el sustrato es del tipo “n” y el
canal del tipo “p”, así mismo, los terminales parecen marcados
pero todas las polaridades y las direcciones de las constantes
están invertidas. La curva de salida Id Vs Vds tiene valores
positivos de Id y negativos de Vds con niveles de Vgs positivos.
Drenaje
D
Región dopada N
Id

p
Compuerta
G + p Sustrato SS
p n
Fuente
S Vgs
-

Electrónica
 Curvas Características
Vgs
Id
Vgs =-1V

Vgs=0
-6 V

Vgs=1V
Vp/2
-3
Vgs=2V
-2 Vgs=3V
-1 Vgs=4V
Vp5 Vds
0

6 Vgs 0 10 15

Electrónica
Símbolos para MOSFET Decremental

Canal -n Canal p

D D

S
SS G
G S
S
D D

G G
S S

Electrónica
 MOSFET de tipo Incremental de
canal n
En la construcción básica de un MOSFET de tipo
incremental, se puede observar una diferencia marcada
que es la ausencia de un canal entre las regiones
dopadas tipo n.
Drenaje
D
Región dopada -n

Compuerta
n
G
Sustrato
Fuente
n P
S

Contactos metálicos

Electrónica
 Operación

Id
D

Ig=0 n + ss
G --+ +
n + Vsd
S
-
Is=Id

Electrónica
 Operación
Para valores de Vgs menores que el
nivel de Umbral, la corriente drenaje
Id
es 0.
Vgs =8V
Para los niveles de Vgs>Vt, la
Vgs=7
corriente drenaje esta dada por:
2
Vgs=6V 𝐼𝐷 = 𝑘 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡
𝐼𝐷(𝐸𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
Vgs=5V 𝑘= 2
Vgs=4V
𝑉𝑔𝑠(𝐸𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) − 𝑉𝑡
Vgs=3V
Vp5 Vds Según el grafico Vgs=8V, la saturación
0 10 15
ocurrió en el nivel Vds=6V y por tanto:
𝑉𝑑𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡

Electrónica
 Curvas Características

Id (mA)
Id
Vgs =8V

Vgs=7
7
6 Vgs=6V

5 Vgs=5V

Vgs=4V
Vgs=3V
Vp5 Vds
2 5 6 7 0 10 15

Electrónica
MOSFET de tipo Incremental de
canal p

Drenaje Región dopada -n

D

p
Compuerta ss
G p
Fuente
N
S

Contactos metálicos

Electrónica
 Curvas Características

Id Id
Vgs =-8V

Vgs=-
7

Vgs=-6V

Vgs=-5V

Vgs=-
4V Vgs=-3V
Vp5 Vds
Vgs -8 0 10 15

Electrónica
Símbolos para MOSFET Incremental
Canal -n Canal p

D
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Electrónica