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(UTESA)
TRABAJO DE:
Taller de Electrnica II
PRESENTADO POR:
Randal Paulino Miranda
1-11-0182
TEMA:
Elaborar un puente en H ,
velocidad del motor utilizando Mosfet
PRESENTADO A: 11111111
Ing. ngel Genao.111111111
FECHA DE ENTREGA:
Mircoles 7 de octubre del 2015
CONTENIDO
Introduccin
Diagramas.........................................................................................
...........................................9
Conclusin.........................................................................................
........................................10
Bibliografia........................................................................................
........................................11
Introduccin.
Caractersticas
Los MOSFETs son extremadamente sensibles a las corrientes estticas y adems
su compuerta no puede ser dejada sin conexin, ya que pueden llegar a
destruirse.
La Compuerta es un dispositivo de muy alta impedancia (alrededor de 10Mohm) y
un simple ruido elctrico puede activarlo.
Las resistencias R3, R4, R6 & R8 han sido adicionadas para evitar que el
MOSFET se autodestruya. Estas resistencia permitirn un comportamiento estable
del MOSFET y adems agregarn una proteccin contra la esttica.
D1 a D4 desvan los picos de tensin negativa provocados por los motores
evitando que afecten a los transistores. Algunos MOSFET ya tiene estos diodos
construidos internamente, por lo que pueden no ser necesarios.
Q1 y Q6 son transistores NPN que controlan el accionamiento del motor DC.
Resistencia Variable
(Potencimetro)
Se manejan a travs de una interfaz serie (SPI, I2C, Microwire, o similar). Suelen tener una
tolerancia en torno al 20 % y a esto hay que aadirle la resistencia debida a los switches
internos, conocida como Rwiper. Los valores ms comunes son de 10K y 100K aunque varia
en funcin del fabricante con 32, 64, 128, 512 y 1024 posiciones en escala logartmica o lineal
en donde existen dos tipos de potencimetros:los Impresos y los Bobinados.
1. Una vez tenemos todos los dispositivos que utilizaremos necesitaremos una
baquelita, nuestro circuito negativo impreso en papel satinado, una plancha casera y
cloruro frrico.
2. Procedemos aponer nuestro circuito encima de la parte de cobre de la baquelita,
luego planchamos el circuito hasta que la tinta se desprenda del papel y quede en
nuestra baquelita.
3. Luego procedemos a sumergir por unos minutos la baquelita en el agua.
4. Despus sacamos la baquelita y le retiramos el papel para proceder a sumergir la
baquelita el acido por unos minutos hasta que sea removido el cobre.
5. Quedando nuestro circuito impreso listo.
6.
Una vez estos pasos realizados procederemos a hacer los agujeros para soldar los
dispositivos electrnicos que usaremos.
Teniendo estos conceptos claros procederemos a desarrollar nuestro puente en H con los
transistores Mosfet tipo N y tipo P.
Materiales a utilizar:
Esta prctica consta de 2 etapas, una de control de velocidad y otra de control de giro, para
la realizacin de esta se necesitaran los siguientes materiales:
DIAGRAMAS
CONCLUSIN
Al finalizar esta prctica nos damos cuenta de lo importante que es tener
conocimientos de estos conceptos y el domino del mismo al momento de
fabricar un cambio de giro con dispositivos como el transistor mosfet ya que
esta es de muy buen uso para cualquier lgica de control ,ya terminada esta
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Bibliografa
http://www.neoteo.com/puente-h-con-mosfet-para-motores-cc/
ttps://www.google.com.do/webhp?sourceid=chromeinstant&ion=1&espv=2&ie=UTF-8#q=potenciometro
http://www.ladelec.com/practicas/circuitos-analogos/94-puente-de-h-conmosfet-complementarios
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