MECANISMOS DE CONDUCCIN DE CORRIENTE

Mecanismo de arrastre: Producido por la aplicacin de un campo

elctrico externo o variacin de potencial. Es similar al que tiene lugar
en los metales y matemticamente se expresa por la ley de Ohm.
Mecanismo de difusin: Responsable directo de muchas de las
aplicaciones de los semiconductores en electrnica. Es ms
especfico de los semiconductores y se produce por la existencia de
gradientes en las concentraciones de e- y h+; es decir, por las
variaciones espaciales de las concentraciones de e- y h+.
CONDUCCIN POR ARRASTRE
El arrastre o deriva es, por definicin, el movimiento de una partcula
cargada en respuesta a un campo elctrico aplicado. En un
semiconductor, este mecanismo puede explicarse, de forma
cualitativa, como sigue: al aplicar a un semiconductor un (ver Figura
1a), la fuerza resultante sobre los portadores tiende a acelerar a los
h+ (de carga +q) en la direccin del
y a los e- (de carga -q) en
sentido contrario. Ahora bien, debido a las colisiones con la red
cristalina (tomos de la red agitados trmicamente y tomos de
impurezas ionizadas) la aceleracin de los portadores se ve
interrumpida. El resultado neto (Figura 1b) es un movimiento de las
cargas positivas en la direccin del
(las cargas negativas se
moveran en sentido contrario) pero con sucesivos perodos de
aceleracin y desaceleracin por choque. Desde el punto de vista
macroscpico el movimiento neto de cada tipo de portador puede ser
descrito en trminos de una velocidad de arrastre o de deriva, v,
constante (Figura 1c). Es decir, a escala macroscpica, el movimiento
de arrastre no es otra cosa que todos los portadores de un mismo tipo
movindose a velocidad constante, en el mismo sentido (h +) o en
sentido contrario (e-) al

aplicado.

Figura 1.- Visualizacin del mecanismo de arrastre: (a) movimiento

de los portadores en una barra de semiconductor polarizada; (b)
desplazamiento por arrastre de un hueco a escala microscpica o
atmica; (c) desplazamiento por arrastre a escala macroscpica.

Deduccin de la expresin de la corriente de arrastre

Para ello vamos a suponer una barra de material semiconductor, de
longitud L y seccin A.

Figura 2.- Campo elctrico aplicado y corriente resultante en la barra

de material semiconductor objeto de estudio.
c concentracin de portadores
v velocidad de los portadores
L=v*T
N de portadores que atraviesan A en un tiempo T c*L*A =c*A*v*T
Carga que atraviesa A en un tiempo T q*c*A*v*T

Trasladando este resultado al caso de los e- y los h+ tenemos:

Teniendo en cuenta (ver Figura 3) que para valores pequeos y

moderados del
puede escribir:

la velocidad de arrastre de los e- y de los h+, se

Siendo , movilidad, la constante de proporcionalidad.

Figura 3.- Medida de la velocidad de arrastre de portadores en silicio

ultrapuro a temperatura ambiente, en funcin del campo elctrico
aplicado.
Para valores elevados del , la velocidad de arrastre se hace
comparable a la velocidad trmica y se satura al valor de 107 cm/s
Introduciendo las expresiones de v en las de la J resulta:

(1)
Es decir, la aplicacin de un

conduce a corrientes de arrastre de e -

y h+ en el sentido del . Puesto que en un semiconductor existen, en

general, los dos tipos de portadores, la corriente total debida al
mecanismo de arrastre, JT, arrastre, vendr dada por la expresin:

La expresin anterior la podemos escribir como:

(2)
Siendo = conductividad =
La expresin (2) es la conocida como ley de Ohm que representa la
proporcionalidad entre densidad de corriente y el
aplicado.
A partir de la conductividad podemos deducir la resistividad que
presenta un semiconductor

(3)
Observando las ecuaciones (2) y (3) resulta que la total de un
semiconductor equivale a la suma de las de los gases de e- y h+,
mientras que, la total equivale a la asociacin en paralelo de dichos
gases.
Es de sealar, adems, que en los semiconductores extrnsecos la
concentracin de uno de los portadores es mucho mayor que la del
otro, mientras que segn la Figura 3, sus movilidades son
comparables. De ah que en un semiconductor extrnseco la
conductividad total ser:

Por el contrario, en un semiconductor intrnseco

de ah que deban tenerse en cuenta las contribuciones tanto de los ecomo de los h+. Es decir, en un semiconductor intrnseco,
Conductividad intrnseca
CONDUCCIN POR DIFUSIN
La difusin es un conocido fenmeno de la cintica de los gases de
partculas clsicas que tiene su origen en el movimiento aleatorio de
agitacin trmica que las hace recorrer todo el recinto que las
encierra. Despus de un choque cada partcula tiene la misma
probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que hace que
exista un flujo neto de partculas de las regiones ms pobladas a las
menos pobladas que tiende a homogeneizar su concentracin. Es
decir, la difusin se produce siempre que existan variaciones
espaciales (gradientes) de la concentracin de partculas libres y no
tiene nada que ver con el hecho de que estas partculas estn
cargadas o no.
Ahora bien, si las partculas tienen carga, entonces los flujos por
difusin transportan carga elctrica y constituyen, por tanto,
corrientes elctricas.
Deduccin de la expresin de la corriente de difusin
Supongamos que en un semiconductor existe una concentracin de
portadores, c, que es funcin de la posicin (Figura. 4). El flujo neto de
partculas que atraviesa una determinada superficie perpendicular a x
ser proporcional al c pero cambiado de signo, es decir,

Figura 4- Concentracin de portadores en funcin de x. Flujo o

movimiento de partculas desde las zonas ms pobladas a las zonas
menos pobladas.
Si las partculas poseen carga elctrica, el flujo trae consigo una
corriente:
Si trasladamos dicha ecuacin al caso de los electrones y los huecos :

Teniendo en cuenta que en un semiconductor existen en general e y

h, resulta:
La constante de proporcionalidad, D, parmetro fundamental en el
mecanismo de difusin recibe el nombre de Coeficiente de Difusin.
Esta relacin, conocida como Relacin de Einstein se ver
posteriormente y nos dice que:

El coeficiente de difusin, D es, por lo tanto, una caracterstica del

semiconductor, del portador y de la temperatura. Y, al igual que
depende tambin de la concentracin total de impurezas. Sus
unidades habituales son cm2/s.