UNIVERSIDAD

TECNICA DEL NORTE

SISTEMAS COMPUTACIONALES

ELECTRONICA
NOMBRE: Wilmer Ojeda.
NIVEL: 3.

2015 2016

INTRODUCCION
Qu es un circuito?
Es un sistema organizado y controlado que cumple una funcin. Es una
red elctrica de interconexin que contiene al menos una trayectoria
cerrada.
Semiconductor
Componente que puede tener dos estados como un conductor de
corriente, pero tambin como aislante. Se producen corrientes
producidas por el movimiento de electrones como de las cargas
positivas.
Caractersticas.

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia

y otro de baja impedancia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones
cuando est bloqueado, con pequeas cerdas de tensin entre
sus electrodos en contacto.
Rapidez de funcionamiento para cambiar de esta a otro.

ELECTRONES, ELECTRICIDAD Y MAGNETISMO

Materia.- Todo aquello que nos rodea.
Componentes:

Materia
Partculas
Molculas
tomo.

tomo.- Menor porcin de materia que puede existir.

Ncleo: Protones (+)
Neutrones (-)
Corona o Envoltura: Orbitas que giran
Electrones (neutra)
El electrn est rotando en dos movimientos:

Traslacin: Gira alrededor del ncleo

Spin: Gira alrededor de su propio eje.

Datos atmicos bsicos:

Masa del electrn: 6.1 1023

Masa del protn: 1840 m.
Carga elctrica del electrn: 1.6 1013

El tomo en estado estable cumple:

Cara elctrica de electrn = carga elctrica del protn

El nmero de electrones = nmero de protones
Consecuencia: Carga elctrica del tomo neutra.

Cargas elctricas.

Carga Positiva (Q+): Los tomos pierden electrones son

positivos(Anin)
Carga negativa (Q-): Los tomos ganan electrones son
negativos.

Conductor: Aquellos materiales que permiten el flujo y poseen gran

conductividad, tienen de 1 a 3 electrones. Eje Los metales.
Semiconductor: Paso de flujo de electrones en forma regulada, su
conductividad intermedia, tienen 4 electrones en su ltima orbita (de
valencia) Eje Silicio y germanio.
Aislante: Aquellos materiales que no permiten el flujo de corriente su
nivel de conductividad es muy bajo, tienen 5 a 8 electrones. Eje
caucho, vidrio, madera.

NIVELES DE ENERGIA

Conductores:

Al aplicarse un voltaje surge el flujo de electrones.

Las bandas estn solapadas
Existen electrones en la banda prohibida.

Semiconductor:

Se necesita un voltaje especfico para conducir.

La banda prohibida es pequea.

Aislante:

La banda prohibida es grande.

No existen en la banda prohibida.
La banda de conduccin y valencia estn muy separadas.

SEMICONDUCTORES
Conduccin.Ncleo inico que consta
del
ncleo
y
los
electrones interiores.

Electrones
covalentes

en

enlaces

Fig.- Unin covalente del tomo de silicio

Material Tipo N (Extrnseco)

Se crea aadiendo materiales que tienen 5 electrones. Sus portadores
mayoritarios son los negativos. Por ejemplo del antimonio, arsnico,
fosforo. Al aadir antimonio en un semiconductor queda un electrn
libre el cual toma el nombre de detonante.

Mayoritarios electrones
Minoritarios protones

Material Tipo P (Intrnsecos)

Se crea aadiendo elementos de 3 electrones. Sus portadores
mayoritarios son los negativos. Ejemplo boro. Queda un vaco.

Mayoritarios protones
Minoritarios electrones

DIODOS
Es un componente electrnico de dos terminales tipo P y tipo N que
permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo
sentido.

Tipo P = nodo
Tipo N = Ctodo

POLARIZACION
TIPOS DE POLARIZACION

Sin polarizacin (VD = DV)

Polarizacin Directa (VD > DV)
Polarizacin Indirecta (VD < DV)

Polarizacin Directa
En la polarizacin directa el diodo trabaja como un circuito cerrado.
Existe circulacin de corriente.
Consideraciones:
Menor a 0.3 V
Mayor a 0.7 V

Si la corriente directa es muy grande, se destruye el diodo.

El flujo de corriente se debe exclusivamente a los portadores
mayoritarios.
La impedancia del diodo es muy baja.
El comportamiento del diodo polarizado directamente es
equivalente a un interruptor cerrado (Idealmente)

Polarizacin Inversa.
El nmero de iones positivos en la regin de agotamiento del material
tipo N se incremente debido a l gran nmero de electrones libres
atrados por el potencial +
Efecto avalancha: Cuando los electrones adquieren una energa
cintica que les permite atravesar la bornera de polarizacin.

La bornera de polarizacin se hace ms grande

La corriente inversa es muy pequea y se debe exclusivamente
a los factores minoritarios.

La impedancia del diodo es muy alta

El comportamiento del diodo polarizado inversamente es
equivalente a un interruptor abierto.

CARACTERSTICAS ESTTICAS DEL DIODO

SEMICONDUCTOR

Con la polarizacin
inversa la corriente
es inversa

Con una polarizacin directa

superior a la tensin umbral,
el diodo conduce con una
resistencia hmica baja

Si la polarizacin inversa supera

la tensin de ruptura la corriente
destruye al diodo

El voltaje del diodo disminuye al aumentar la temperatura.

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIODO

Existen diferentes modelos de anlisis del diodo dependiendo del grado
de complejidad que se tenga

Diodo ideal
Primera aproximacin
Segunda aproximacin

Una vez que se ha definido el circuito equivalente, el smbolo del

dispositivo puede eliminarse del diagrama y sustituirlo por el circuito
equivalente, sin que afecte mucho el comportamiento real del sistema.

Diodo Ideal
El comportamiento de un diodo ideal es semejante al de un interruptor
bipolar.
Cuando el voltaje aplicado es mayor que cero acta como un
cortocircuito y la corriente que circula est determinada por los dems
circuitos de la red caso contrario su corriente se reduce a cero.

ECUCION

CONDICION

Vo= 0

Io>= 0

Io = 0

Vo <=0

Primera Aproximacin

Considera: Cada cada de potencial debido a la barrera de voltaje

El diodo puede sustituirse por una fuente de voltaje cuyo valor
sea igual al voltaje de barrera
PD: Conduce a partir de 0.7 V
PI: No conduce

ECUACION

CONDICION

Io = 0

Vo<=0.7V

Vo=0.7V

Io>=0

Segunda Aproximacin
Considera el valor de la resistencia interna del elemento. Al superar los
0.7V o 0.3V el diodo empieza a conducir, pero conforme aumenta la
corriente verifica una cada de voltaje debido a la resistencia interna.

ECUACION

CONDICION

Io=0

Vo<=0.7V

Vo = o.7 + Rd

Io>=0

Rd=0.5 -1
Rd=Resistencia interna

CIRCUITOS CON DIODOS

La carga tendr un impacto importante sobre el punto 0
Cuando analizamos de una manera grfica se denomina Anlisis por
recta de carga
Ecuacin de la recta de carga
Vcc= Vd + Vr1
Id = Vcc+ Vd/R1

Vd = Voltaje del diodo

Vcc = Voltaje total
Vr1 = Voltaje de la resistencia

Grafica de la Polarizacin con Diodos

Resistencia DC (Rd)
La aplicacin de un voltaje dc a un circuito que contiene un diodo
tendra por resultado un punto de operacin sobre la curva
caracterstica que no cambiara con el tiempo.
Un voltaje de entrada sinusoidal con un nivel de DC
Durante el semi-ciclo positivo la seal de entrada es equivalente a una
fuente DC de voltaje V. El diodo se polariza directamente.

DIODO ZENER
Tiene un voltaje constante. Estn diseados para mantener el voltaje
constante en sus terminales, cuando se polariza inversamente.
Es un componente electrnico semiconductor que permite el paso de
corriente en un solo sentido.
FUNCIONALIDAD
Cuando esta polarizado directamente
Izmax = Pz / Vz
EJEMPLO
Se desea disear un regulador zener de 5.1 V para alimentar una carga
de 5 ohmios, a partir de una entrada de 9V. Para ello utilizaremos un
zener de 5,1V y 1w.

=
=

1+

95,1
1.2 +0,12

= 3.48

Vs = 9V

1 =

Vo=5,1V

=
10

5,1
5
1.2
10

= 1,2
= 0,12

Lmites de variacin de voltaje

= (1 + ) + = 1 +
= (1.2)(3.48) + 5,1 = 8,64

= (1 + ) +
= (1.2 + 0.12 )(3.48) + 5.1 = 9.33

I = P / V = 1w / 5.1V
Izmax = 1.196
Potencia nominal en la resistencia de drenaje
(9 5,1)2
=
= 4.37
3.48

PUENTE DE DIODOS

Est conformado por 4 diodos, entrada y salida

Transforma la corriente alterna a directa
Tambin llamado puente rectificador

Cmo funciona?
Son dispositivos que permiten el flujo elctrico en un solo sentido y
lleva cuatro diodos. La seal elctrica generada es en forma de pulsos,
llamada media onda de rectificacin.
Dnde se lo encuentra?
Se encuentra en circuitos electrnicos pequeos o motores grandes.
Ejemplo Cargador.
Rectificador con puente de diodos

Entrada sinusoidal

Entrada sinusoidal rectificada

Nota: Nunca van a conducir los 4 diodos al mismo tiempo, solo

conducen aquellos que estn en polarizacin directa.

TRANSISTORES
NPN
BIPOLARES (BJT)
PNP
CANAL N (JFET - N)
TRNSISTORES

UNION (JFET)
CANAL P (JFET - P)
CANALN
EFECTO DE CAMPO (FET)
EMPOBRECIMIENTO

CANAL P
METAL-IOXIDADO
SEMICONDUCTOR
(MOSFET)
CANAL N
ENRIQUECIMIENTO
CANAL P

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

Emisor, base y colector == regiones.

Las terminales se etiquetan como E, B, C.
La juntura PN que une la regin de la base con la del emisor.
El BJT se construye con 3 regiones de semiconductor dopado,
separados por dos junturas PN.

Al fin de incrementar la resistividad se emplea diferentes niveles de

dopaje.

Tipo PNP

TIPO NPN

Polarizacin base emisor

La juntura base - emisor esta polarizada directamente provocando que
la barreara de potencial disminuya, esto hace que la corriente emisor
base sea alta.

Polarizacin base colector

La juntura base colector polarizado inversamente, la barrera de
potencial se hace ms grande.

Polarizacin emisor, colector respecto a la base

IE = IB + IC

Operacin del transistor Bipolar de juntura

Configuracin del BJT

Existen 3 configuraciones aceptables por su aplicabilidad:

Base - Comn (B - C)
Emisor Comn (E - C)
Colector Comn (C - C)

El terminal comn sirve de referencia para el terminal de entrada y

salida.

Configuracin Base Comn

La base es comn para el trmino de entrada emisor y para el de salida
Colector.
Las direcciones de las corrientes son los convencionales (portadores
mayoritarios)
En todos los casos Ie = Ic + Ib

Regin Activa

Regin de Corte
Ie = 0

Curvas caractersticas de entrada en Base-Comn.

Relaciona la corriente de entrada Ie con el voltaje de entrada Vbe para
varios niveles de voltaje de salida Vcb.

Cuando el transistor se encuentra correctamente polarizado, transistor

en estado de conduccin, la juntura Base Emisor adquiere el valor de
0,6V

Relaciona la corriente de salida Ic con el voltaje de salida Vce para los

diferentes valores de corriente de entrada Ie
Regin Activa Normal
Conforme Ie aumenta, tambin aumenta Ic en una magnitud casi igual
a Ie

Regin Activa

Los amplificadores lineales, generalmente trabajan en la regin

activa.
En la regin activa normal, la juntura B-C esta polarizado
inversamente, mientras que la juntura B-E esta polarizado
directamente.
Conforme Ie aumenta, tambin aumenta Ic en una magnitud
casi igual a Ie

Regin de Corte

Cuando Ie = 0 la corriente del colector es la corriente de fuga

(en orden de milo amperes).
En la regin de corte, las junturas B-C y B-E del transistor
estn polarizadas inversamente.
El diodo no conduce.

Regin de Saturacin

En la regin de saturacin, las junturas B-C y B-E del transistor

estn polarizados directamente.
Puede observarse el incremento exponencial de Ic para
pequeos incrementos de Vb.

Alfa del transistor

del transistor

Los valores tpicos de alfa son de 0,9 a 0,998, alfa es la relacin

de ganancia de entrada con salida.
Si el punto se desplaza sobre la curva caracterstica, se define la
alfa de corriente alterna.

Ejemplo
Hallar la amplificacin de voltaje del transistor en base comn.

200
20

= 10

1
1

50

= 20 = 250

1 =
= 10 (5) = 50
Configuracin Emisor-Comn

Curvas caractersticas de entrada en Emisor-Comn

Las caractersticas de entrada en emisor comn relacionan la corriente
del emisor Ie, con el voltaje en la unin de emisor-base Vbe para
diferentes calores del voltaje de salida Vce.
Ie = Ic + Ib
= Ib + Ib

Las caractersticas de salida en emisor comn relacionan la corriente

de colector, con el voltaje en la unin de colector-base Vce para
diferentes valores de la corriente de entrada Ib.

Ic = Ib
Ie = Ic + Ib
= Ib + Ib
Ie = ( + 1)Ib

Ejemplo
Un transistor opera en la regin activa normal y tiene una corriente Ib
= 0.12mA que genera una corriente Ic = 19,5mA Qu corriente Ic
resulta para una Ib = 0,15mA? Considere una constante.
=

19,5
=
= 1625

0,12

= 162,5 0,15 = 24,38