INFORMACION GENERAL

DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), significa transmisin doble de datos
cuarta generacin: se trata de el estndar desarrollado por la firma Samsung
para el uso con futuras tecnologas. Al igual que sus antecesoras, se basa en el
uso de tecnologa tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores),
las cules tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y segn las
imgenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cules estn
especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva
generacin. Tambin se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con
conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar
DIMM.
DDR4 entrega mayor rendimiento, capacidades DIMM ms elevadas, una mejora
en la integridad de los datos y ofrece un menor consumo de energa.
Llegando a ms de 2 Gbps por pin y con menor consumo de energa que DDR3L,
(DDR3 de Bajo Voltaje), DDR4 proporciona aumento en el rendimiento y un ancho
de banda de hasta 50%, mientras disminuye el consumo de energa de su entorno
de informtica en general. Esto representa una mejora significativa sobre las
tecnologas de memoria anteriores y un ahorro de energa de hasta 40%.
Adems de un rendimiento optimizado y ms ecolgico, computacin de bajo
costo, DDR4 tambin proporciona controles de redundancia cclica (CRC) para
mejorar la confiabilidad de los datos, deteccin de la paridad en el chip para la
verificacin de la integridad de transferencias de comando y direccin sobre un
enlace, una mayor integridad de la seal y otras robustas caractersticas RAS.

PARTES DE UNA MEMORIA DDR4

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes
de la memoria.
2.-Chips: son mdulos de memoria voltil.
3.- Conector de 240 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura
especial para memoria DDR4.
4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.

CARACTERISTICAS

Cuentan con 288 terminales para la conexin a la Motherboard.

Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al
insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta para evitar
que se inserten en ranuras inadecuadas.
Como sus antecesores, pueden estar no ocupadas todas sus ranuras
para memoria.
Utiliza la tecnologa de 30 nanmetros para su fabricacin.
Los mdulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288
pines DIMM. La velocidad de datos por pin, va de un mnimo de 1,6 GT/s
hasta un objetivo mximo inicial de 3,2 GT/s.
Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor
consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de
banda en comparacin con sus versiones anteriores.

VOLTAJE DE ALIMENTACIN DE UNA MEMORIA DDR4

Tiene un voltaje de alimentacin de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo
que segn la firma, es ms ecolgica.

FUNCIONAMIENTO DE LA MEMORIA DDR4

1. La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica

el valor 1.
2. La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo
indica el valor 0.
3. Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la
informacin se pierde.
4. Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que
tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un
1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y
ello las vuelve relativamente poco eficaces.

CAPACIDAD DE UNA MEMORIA DDR4

DDR4 con 240 terminales en un solo mdulo su capacidad puede ser de

las siguientes: 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB

Tambien hay kids de 2 y 4 mdulos y su capacidad seria de 32GB Y 64GB

respectivamente.
PRECIOS

Como es evidente, es el proceso que seguirn las memorias DDR4, en cuanto a la

evolucin de su precio en el mercado. No obstante, teniendo en cuenta que
actualmente superan en un 50% de media el precio de las DDR3, no sera
complicado que a finales del prximo ao 2015, finalmente, se alcance la
diferencia esperada inicialmente de tan solo el 30% de sobrecoste con respecto
a la tecnologa ms generalizada de ahora, una generacin de memorias anterior
que, tambin debe sealarse, continuar bajando de precio a un ritmo similar.
Ventajas
Sus principales ventajas en comparacin con DDR2 y DDR3 son una tasa ms
alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en
comparacin con DDR3 de 800M a 2.133MT/s), la tensin es tambin menor a sus
antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 tambin apunta
un cambio en la topologa descartando los enfoques de doble y triple canal, cada
controlador de memoria est conectado a un mdulo nico.

Desventajas
No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz
fsica y otros factores.
Bibliografia
1.
2.
3.
4.

http://media.kingston.com/pdfs/HX_Predator_DDR4_US.pdf
http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR4.htm
http://www.kingston.com/latam/memory/ddr4
http://computadoras.about.com/od/memorias/a/Ddr-4.htm
ANEXOS

Descripcin

DDR3

DDR4

Beneficio

Densidades del
chip

512Mb a 8Gb

4Gb a 16Gb

Mayores capacidades en mdulos

DIMM

Data Rates

800Mb/s 2133Mb/s

1600Mb/s 3200Mb/s

Migration to Higher-Speed I/O

Voltaje

1.5V

1.2V

Reduccin de la demanda de energa

para la memoria

Norma de voltaje
bajo

S (DDR3L a 1.35V)

Anticipado a 1.1V

Reducciones de energa para la

memoria

Bancos internos

16

Ms bancos

Grupos de bancos
(BG)

Accesos de rfaga ms rpidos

Entradas VREF

2 DQs y
CMD/ADDR

1 CMD/ADDR

VREFDQ Ahora interno

tCK habilitado
con DLL

300MHz a 800MHz

667MHz a 1.6GHz

Mayores velocidades de transmisin

de datos

tCK
deshabilitado con
DLL

10MHz 125MHz
(opcional)

Indefinido para 125MHz

DLL-off es ahora totalmente

compatible

Latencia en
lectura

AL + CL

AL + CL

Valores ampliados

Latencia en
escritura

AL + CWL

AL + CWL

Valores ampliados

Controlador DQ
(ALT)

40

48

ptimo para aplicaciones PtP

Bus DQ

SSTL15

POD12

Menos ruido y energa de E/S

Valores RTT (en

)

120, 60, 40, 30, 20

240, 120, 80, 60, 48, 40,

34

Compatible con velocidades de

transmisin de datos ms elevadas

No se permite RTT

Rfagas de READ

Desactiva durante
rfagas de lectura

Facilidad de uso

Modos ODT

Nominal, Dinmico

Nominal, Dinmico,
Estacionar

Modo de control adicional; Cambio de

Valor OTF

Control ODT

Se requiere
sealizacin ODT

NO se requiere
sealizacin ODT

Facilidad de control ODT; Permite

enrutamiento qye no es ODT,
Aplicaciones PtP

Registro multipropsito

Cuatro registros - 1
Definido, 3 RFU

Cuatro registros - 3
Definido, 1 RFU

Proporciona lectura especializada

adicional

Tipos de DIMM

RDIMM, LRDIMM,
UDIMM, SODIMM

RDIMM, LRDIMM,
UDIMM, SODIMM

Contactos DIMM

240 (R, LR, U); 204

(SODIMM)

288 (R, LR, U); 260

(SODIMM)

RAS

ECC

CRC, Paridad,
Direccionabilidad, GDM

Ms caractersticas RAS; integridad

de datos mejorada

ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA: INGENIERIA ELECTRONICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
CARRERA: INGENIERIA EN ELECTRONICA, CONTROL Y REDES INDUSTRIALES

CONSULTA DE INVESTIGACIN DE ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS.

QUINTO B

TEMA:
(MEMORIA DDR4)
DATOS GENERALES:
NOMBRE: Roberto Crdova

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FECHA DE REALIZACIN:
01/07/2015

FECHA DE ENTREGA:
8/07/2015