Instituto Politécnico Nacional: Escuela Superior de Ingeniería Mecánica Y Eléctrica

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA

MECNICA Y ELCTRICA
SECCIN DE ESTUDIOS DE POSGRADO E INVESTIGACIN
Desarrollo de un filtro para microondas utilizando defectos

rectangulares y ranura diagonal en el plano de tierra.
TESIS
Que para obtener el Grado de:
MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA
PRESENTA:
Ing. Juan Aguila Muoz
DIRECTOR DE TESIS:
Dr. Ral Pea Rivero
MEXICO, D.F. MAYO 2010.
Seccin de Estudio de Posgrado e Investigacin

Agradecimientos.
A mi madre ngela Muoz Guzmn; por todos los incontables esfuerzos y sacrificios que
ha hecho, para que mis hermano y yo tengamos un mejor futuro. Le agradezco por todos
aquellos consejos y regaos que me han llevado a ser un mejor hijo y persona.
A mi padre Francisco Aguila Ibarra; porque con sus sabias palabras y consejos he superado
mis metas y por todos aquellos esfuerzos que nos ha llevado mis hermanos y mi a tener
una vida muy feliz como familia.
A mi hermano M. en C. Manuel Aguila Muoz; por cuidarme, motivarme y ser un ejemplo
para mis hermanos menores y para m.
A mis hermanos menores Violeta, D. Guadalupe y Andrs Aguila Muoz; por su ayuda y
cario brindado durante toda la vida. A mi sobrina ngela Aguila Bautista; porque su
llegada ha sido una bendicin para mi familia.
A Pretty Helen; por todos aquellos momentos maravillosos que hemos pasado juntos y
por todos aquellos que an nos faltan por vivir.
A mi director de tesis Dr. Ral Pea Rivero; por compartir sus conocimientos y experiencia
para que este trabajo de tesis fuera posible.
Al Dr. Roberto Linares Y Miranda; por compartir sus conocimientos de gran sabidura y
ayudarme a mejoras este trabajo de tesis.
A Dr. Alexandre Michtchenko, Dr. Mauro Alberto Enciso Aguilar, M. en C. Rodrigo Jimnez
Lpez y M. en C. Hctor Caltenco Franca; por su tiempo y conocimientos brindados a este
trabajo de tesis.
A mis compaeros de cubculo: Eduardo Ramrez Pacheco, Cesar Mujica Asencio y Erick
Eugenio Linares Vallejo; por su compaa en estos dos aos de arduo trabajo. Por todas
aquellas tardes de risas y juegos anti estrs.

A Evelin Zoe Arrollo Melgarejo; por todas aquellas horas de trabajo en el laboratorio en
las que compartamos opiniones para que nuestros trabajos de tesis fueran mejores.
A cada unos de los profesores y miembros de la seccin de la Maestra en Ciencias de la
ingeniera electrnica de la ESIME Zacatenco, por todas aquellas aportaciones a este
trabajo de tesis durante los seminarios departamentales.
A CONACYT por los dos aos de beca que han hecho posible sustentar mis gastos durante
mi estancia en la Maestra.
Al Instituto Politcnico Nacional; por el apoyo econmico otorgado a travs de la beca
PIFI.

Introduccin.
Los filtros juegan un papel importante en muchas aplicaciones en los sistemas de
radiocomunicaciones. Se utilizan para separar o combinar diferentes frecuencias. Debido a
que el espectro electromagntico es limitado y se tiene que compartir, los filtros se
utilizan para seleccionar o confinar seales de Radio Frecuencia dentro de una banda de
espectro asignada. La rpida evolucin de las aplicaciones de las comunicaciones
inalmbricas estn haciendo que los filtros para Radio Frecuencia
tengan que ir
mejorando sus caractersticas, como lo son: mejor funcionamiento, tamao (pequeo),

ligero y de bajo costo. Dependiendo de los requerimientos y las especificaciones, los
filtros para RF se pueden disear utilizando dispositivos discretos o con elementos
distribuidos, los cuales se pueden realizar en varias estructuras de lneas de transmisin,
como lo son las guas de onda, lneas coaxiales y en microcintas.
Respecto a los filtros hechos en estructuras tipo microcinta, en los ltimos aos ha habido
un gran inters por estudiar aquellos que contienen estructuras peridicas, los cuales
incluyen las Bandas Fotnicas Prohibidas y las Estructuras con Defectos en el Plano de
Tierra (PBG y DGS por sus siglas en Ingls, respectivamente). El filtro tipo DGS que es el
tema que se aborda en esta tesis se realiza quitando reas de cobre del plano de tierra,
que se encuentran debajo de la pista que conduce la seal, y debido a que dichas reas se
pueden hacer idnticas n nmero de veces, este tipo de estructura es clasificada tambin
como peridica. Una de las razones principales por las que el estudio y desarrollo de este
tipo de estructuras se ha dado ltimamente es debido a que su construccin es muy fcil
de llevar a cabo, adems de que la respuesta en frecuencia, la cual corresponde a un filtro
pasa-bajos, no presenta frecuencias espurias como sucede en el caso de los filtros para
microondas diseados mediante la tcnica de escalamiento de impedancia.
En la literatura se han presentado varios tipos de geometras como se mostrar ms
adelante, sin embargo, la reduccin del tamao fsico del filtro no ha sido menor a 3cm
para obtener diseos que corten cerca de la frecuencia estndar que utilizan los
dispositivos inalmbricos que se rigen por la norma IEEE802.11 , por lo que en este trabajo
i

de tesis se presenta una geometra novedosa la cual permite tener un filtro de tipo pasabajas cuya frecuencia de corte se presenta muy cerca de los 2.4GHz en un tamao de
12mm x 13mm utilizando una tarjeta de circuito impreso comercial con una constante
dielctrica de 4.7.
Resumen.
En este trabajo de tesis se presenta un nuevo filtro tipo DGS (de las siglas en ingls
Defected Ground Structures), de tamao pequeo, con dos defectos rectangulares unidos
por medio de una ranura diagonal, en el plano de tierra. Las dimensiones del filtro son de
12mm x 13mm y fue construido en una tarjeta de circuito impreso comercial de doble
cara, con dielctrico FR4. La frecuencia de corte que se obtuvo para el filtro construido fue
de 2.56GHz con una frecuencia de resonancia de 3.5GHz, con un par de defectos de
2.65mm x 9mm y una ranura que los une, con un ancho de 1.7mm en los extremos. Se
presenta un anlisis del filtro propuesto al cual se le modificaron las dimensiones de los
defectos y el ancho de la ranura. Tambin se presenta un circuito elctrico equivalente
que representa el funcionamiento del mismo.
Abstract.
In this thesis a new DGS filter implemented with two rectangular defects joined by a
diagonal slot in the ground plane is presented. The filter dimensions are 12mm x 13mm
and it was built on a commercial two-layer printed circuit board with a dielectric FR4. The
cutoff frequency obtained was at 2.56GHz with a resonance frequency of 3.5GHz, using a
pair of defects of 3mm x 9mm joined by a gap with a width of 1.7mm at the ends. An
analysis is presented where the defected areas and the gap dimensions were modified. An
electric equivalent circuit which represents the filters performance is also presented.
ii

Objetivo.
Construir y analizar un filtro, hecho en una microcinta, con una ranura en forma de Z
sobre el plano de retorno de seal, con la finalidad de estudiar los efectos
electromagnticos que ah ocurren y proponer un circuito elctrico que caracterice dichos
efectos.
Justificacin.
Las microcintas con defectos en el plano de retorno de seal, o comnmente llamado
tierra, se han estudiado durante muchos aos, debido a que dichos defectos presentan
caractersticas parsitas del tipo inductivo y capacitivo las cuales son aprovechadas para
construir filtros tipo pasa-bajas, pasa-banda y supresores de banda. Entre las aplicaciones
ms importantes de este tipo de filtros est en los sistemas de comunicaciones
inalmbricos tales como: telefona celular, radio localizadores, internet inalmbrico, etc.;
en los cuales se utilizan los filtros para reducir seales interferentes de fuentes ajenas al
equipo o incluso
debidas a el mismo. En varias publicaciones se han presentado
diferentes tipos de filtros que utilizan diversas geometras en los defectos en el plano de
retorno de seal, sin embargo, la mayora de ellos son de dimensiones grandes para poder
obtener una frecuencia de corte cercana a los 2.4GHz que es la frecuencia en la que
actualmente operan los sistemas de comunicacin inalmbricos. Por esta razn en este
trabajo de tesis se presenta un nuevo diseo de un filtro tipo DGS de dimensiones 12mm
x13 mm con una ranura en forma de diagonal, la cual hace que la frecuencia de corte del
filtro se presente a frecuencias cercanas a 2.4GHz.
iii

Organizacin de la tesis.
El trabajo de tesis est organizado de la siguiente manera:
Captulo 1.
En este captulo se describen las tcnicas clsicas de diseo de filtros para microondas, as
como tambin se da la introduccin de nuevos materiales con caractersticas
electromagnticas especiales.
Captulo 2.
En este captulo se analiza el retorno de corriente en una microcinta para cuando se tiene
un plano de retorno completo y para cuando se tienen perturbaciones sobre el camino de
retorno de la corriente.
Captulo 3.
Este captulo se enfoca a la revisin de la literatura con respecto a filtros con defectos
sobre el plano de retorno de seal y es donde se propone el filtro con defectos
rectangulares y ranura diagonal en el plano de retorno de seal.
Captulo 4.
En este captulo se describe el proceso de simulacin utilizado en este trabajo de tesis
Captulo 5.
En este captulo se presentan los resultados que se obtienen por simulacin y se
comparan con los resultados que se obtuvieron por medicin. Tambin se presenta el
circuito elctrico equivalente correspondiente al filtro desarrollado.
Captulo 6.
Finalmente en este captulo se escriben las conclusiones y se expone el trabajo a futuro.
iv

ndice de contenidos.
Introduccin.
Resumen.
ii
Abstract.
ii
Objetivo.
iii
Justificacin.
iii
Organizacin de la tesis.
iv
ndice.
ndice de tablas.
vii
ndice de figuras.
viii
Glosario
xii
Acrnimos
xii
ndice.
Captulo 1. Filtros para microondas.
1.1.
Introduccin.
1.2.
Mtodos de diseo de filtros para microondas.
1.2.1. Estructuras peridicas.
1.2.2.Diseo de filtros para microondas aplicando el mtodo de

parmetros imagen.
1.2.3. Prdidas por insercin.
1.2.3.1. Diseo del filtro prototipo pasa-bajas.
1.2.3.2. Escalamiento de frecuencia e impedancia.
1.2.4. Transformacin de Richard.
1.2.5 Identidades de Kuroda.
1.3 Introduccin a los metamateriales.

Captulo 2. Anlisis de un plano de retorno de seal de una microcinta.
2.1. Microcinta.
11
2.2. Propagacin y radiacin de una microcinta.
13
2.3. Plano de retorno de seal.
15
2.4. Retorno ideal.
19
2.5 Retorno no ideal.
20
2.6 Caractersticas de los retornos no ideales.
22
Captulo 3. Filtro con defectos en el plano de retorno de seal (DGS).

3.1. Introduccin.
23
3.2. Filtro DGS supresor de banda.
24
3.3. Filtro DGS pasa-banda.
25
3.4. Circuito elctrico equivalente tpico de un filtro DGS.
29
3.5. Propuesta de un filtro DGS con defectos rectangulares y ranura diagonal.
30
Captulo 4. Simulacin de estructuras electromagnticas.

4.1. Introduccin.
32
4.2. Descripcin del mtodo de integracin finita.
32
4.3. Simulacin de estructuras electromagnticas utilizando

CST Microwave Studio.
37
4.3.1. Especificacin de unidades.
37
4.3.2. Definicin del material del dominio computacional.
38
4.3.3. Modelado de estructuras.
38
4.3.4. Definicin del intervalo de frecuencia.
39
4.3.5. Colocacin de puertos.
39
4.3.6. Definicin de condiciones de frontera.
40
vi

Captulo 5. Construccin y caracterizacin del filtro propuesto.
5.1. Construccin.
41
5.2. Medicin de las prdidas por insercin y prdidas por retorno.
42
5.3. Comparacin de resultados simulados con los medidos.
43
5.4. Caracterizacin del filtro DGS para diferentes anchos

del defecto rectangular.
45
5.5. Caracterizacin del filtro DGS para diferentes anchos

en la ranura diagonal.
49
5.6 Propuesta de un circuito elctrico equivalente.
52
Captulo 6. Conclusiones y trabajo futuro.

6.1 Conclusiones.
57
6.2 Trabajo futuro.
60
Bibliografa.
61
Apndice A. Especificacin de variables en el diseo de filtros

para microondas.
64
Apndice B. Mtodo para relacionar el ancho del defecto

rectangular y frecuencia de corte.
66
Apndice C. Calibracin del analizador de redes vectorial HP 8510.
67
ndice de tablas.
Captulo 2.
Tabla 2.1. Tipos de ondas presentes en una microcinta.
14
Captulo 3.
Tabla 3.1. Extraccin de parmetros para una celda DGS unidad
presentada en [13].
25
Tabla 3.2. Dimensiones de los parmetros para la celda DGS

propuesta en [19] longitud en milmetros y ngulo en grados.
vii
26

Tabla 3.3. Dimensiones para el filtro DGS propuesto.
31
Captulo 4.
Tabla 4.1. Condiciones en las paredes de frontera.
40
Captulo 5.
Tabla 5.1. Datos obtenidos por simulacin, para distintos anchos d, del
defecto rectangular.
46
Tabla 5.2. Datos obtenidos por simulacin, para distintos anchos g, de la

ranura diagonal.
49
Tabla 5.3. Valores de prueba para los capacitores.
55
Tabla 5.4. Valores de prueba para los inductores.
55
Captulo 6.
Tabla 6.1 Resumen del comportamiento de la respuesta en frecuencia
respecto a las dimensiones dominantes dy g.
58
ndice de figuras.
Captulo 1.
Figura 1.1. Ejemplo de estructuras peridicas; (a) lnea de microcinta
en un segmento de lnea (stubs) peridica, (b) diafragma en una gua
de onda peridica.
Figura 1.2. Procedimiento de diseo de un filtro por el mtodo de

prdidas por insercin.
Figura 1.3. Prototipo de un circuito pasa-banda.
Figura 1.4. Transformacin de Richard, (a) bobina por un segmento

de lnea en corto circuito: S.C.=short circuit, (b) capacitancia por
un segmento de lnea en circuito abierto: O.C.=Open circuit.
viii

Captulo 2.
Figura 2.1. Microcinta.
11
Figura 2.2. Distribucin de los campos: Elctrico y Magntico,

sobre una microcinta.
12
Figura 2.3. (a) Dipolo Hertziano (Fuente). Tipo de ondas presentes

en una microcinta: (b) ondas radiadas, (c) ondas superficiales,
(b) ondas de fuga y (e) ondas guiadas.
15
Figura 2.4. (a) Flujo de corriente hacia la carga, (b) retorno

de corriente a baja frecuencia y (c) retorno de corriente
de alta frecuencia.
16
Figura 2.5 Distribucin de corriente sobre el plano de retorno

de una microcinta.
16
Figura 2.6 Densidad de distribucin de corriente.
17
Figura 2.7. Corriente total normalizada para una distancia x.
18
Figura 2.8. El 70% del total de flujo de corriente de retorno,

se hace por una seccin de ancho 4h del plano de retorno de seal.
18
Figura 2.9 Retorno con geometra constante.
19
Figura 2.10. Ranura hecha en el plano de retorno de seal (tierra).
20
Figura 2.11. Respuesta en frecuencia esperada para una microcinta

que tiene una ranura en el plano de retorno de seal.
21
Captulo 3.
Figura 3.1. Estructura DGS propuesta en [13].
24
Figura 3.2. Resultados de la simulacin de tres estructuras

DGS con diferentes dimensiones en la celda unidad, en
casa una de ellas se fijo un gap g=0.02 mm.
25
Figura 3.3. (a) Seccin DGS, (b) sub-seccin DGS-I,

(c) sub-seccin DGS-II y (d) sub-seccin DGS III.
Figura 3.4. Celda base con las caractersticas de un
ix
26

filtro pasa-bajas, (a) vista en 3-D y (b) parmetros S11 y S21 obtenidos.
27
Figura 3.5. Parmetros S21 obtenidos para la celda base con

un corte sobre la pista de seal y tres diferentes valores de b y d.
27
Figura 3.6. Fotografas del filtro DGS pasa-banda publicado en [19].

(a) Pista de seal y (b) plano de retorno de seal.
28
Figura 3.7. Comparacin de las respuestas; medida y simulada

para el filtro DGS pasa-banda presentado en [19].
29
Figura 3.8. Circuito resonador LC.
29
Figura 3.9. Filtro DGS con defectos rectangulares y ranura diagonal.
31
Captulo 4.
Figura 4.1. Una celda Vi , j ,k 1 de la celda compleja G con la asignacin
de las tensiones de la red de voltaje e en los bordes de A y el flujo
magntico b a travs de la cara.
34
Figura 4.2. Asignacin de seis fases del flujo magntico, la cuales

deben de ser consideradas en la evaluacin de la superficie cerrada
de integracin para la no existencia de cargas magnticas o polos,
dentro del volumen de la celda.
35
Figura 4.3. Ubicacin espacial de la celda y la celda dual G, G .
36
Figura 4.4. Estructura DGS implementada en el programa de simulacin

comercial, con sus respectivos puertos.
39
Captulo 5.
Figura 5.1a. Vista superior, donde se puede apreciar la pista
de seal del filtro.
41
Figura 5.1b. Vista inferior del filtro tipo DGS construido.
42
Figura 5.2. Sistema de medicin para las prdidas por insercin S21,
del filtro DGS desarrollado.
43
x

Figura 5.3. Sistema de medicin para las prdidas por retorno S11,
del filtro DGS desarrollado.
43
Figura 5.4. Comparacin de los resultados obtenidos del parmetro

S21 mediante simulacin con los obtenidos de la medicin.
44
Figura 5.5. Comparacin de los resultados obtenidos del parmetro S11

mediante simulacin con los obtenidos de la medicin.
44
Figura 5.6. Dimensiones predominantes del filtro DGS desarrollado.
45
Figura 5.7. Grficas de las Frecuencias de corte y de resonancia

para diferentes valores en el ancho del defecto rectangular.
46
Figura 5.8. Desplazamiento de la respuesta en frecuencia del filtro en funcin

del ancho del defecto rectangular.
47
Figura 5.9. Grfica para la variacin de la capacitancia para diferentes

anchos del defecto rectangular.
48
Figura 5.10. Grfica para la variacin de la inductancia para diferentes

ancho del defecto rectangular.
48
Figura 5.11. Comportamiento de la frecuencia de corte y resonancia para

diferentes anchos en la ranura diagonal.
50
Figura 5.12. Parmetro S21 obtenidos para tres valores diferentes de g.
50
Figura 5.13. Grfica del valor de la capacitancia para diferentes anchos

de la ranura diagonal.
51
Figura 5.14. Grfica del valor de la inductancia para diferentes anchos

de la ranura diagonal.
52
Figura 5.15. Circuito elctrico equivalente para la primera seccin

del filtro DGS.
53
Figura 5.16. Circuito elctrico equivalente para la segunda seccin

del filtro DGS.
53
Figura 5.17. Circuito elctrico equivalente para la tercera seccin

del filtro DGS.
54
xi

Figura 5.18. Circuito elctrico equivalente propuesto para el filtro
DGS desarrollado.
54
Figura 5.19. Comparacin de las prdidas por insercin del

circuito elctrico equivalente con las obtenidas por medicin.
56
Figura 5.20. Comparacin de las prdidas por retorno del circuito

elctrico equivalente con las obtenidas por medicin.
56
Glosario.
IEEE802.11. Es un estndar de redes inalmbricas (WLAN), que define el control de acceso
al medio (MAC) y las caractersticas de la Capa Fsica.
Acrnimos.
MHz. Megahertz.
GHz. Gigahertz.
pF. Picofarads.
nH. Nanohenrys.
Fc. Frecuencia de corte tomada a -3dB.
Fres. Frecuencia de Resonancia.
dB. Decibeles.
S11. Prdidas por insercin.
S21. Prdidas por retorno.
DGS. Defectos en el plano de tierra (Defected Ground Structures).
EBG. Banda prohibida electromagnticamente (Electromagnetic Band Gap).
Z 0 . Impedancia caracterstica.
re . Dielctrico efectivo.
ps. Pico segundos.
RF. Radio frecuencia.
xii
Captulo 1.- filtros para microondas.

1.1 Introduccin.
El trmino microondas se usa para describir ondas electromagnticas en el intervalo de
frecuencia de 300MHz a 300GHz, las cuales corresponden a longitudes de onda en espacio
libre de 1m a 1mm [1]. Actualmente, las estructuras para la transmisin de seales de
microondas se realizan en su mayora en tecnologa plana, es decir, que para su
construccin se utilizan lneas de transmisin cuyas caractersticas elctricas pueden
determinarse a partir de las dimensiones fsicas presentadas en un solo plano del sustrato
en que estn construidos los elementos. Las tecnologas planas ms comnmente
utilizadas son la microcinta y la gua de onda coplanar.
Los filtros para microondas son redes de dos puertos que permiten realizar una seleccin
de la seal en el dominio de la frecuencia, estos filtros se caracterizan por el hecho de
que comprenden un medio de transmisin planar que incluye una tira conductora, un
plano de retorno de seal metlico y un sustrato dielctrico que los separa. Para el diseo
de este tipo de filtros se presentan mtodos basados en estructuras peridicas, tales
estructuras son formadas por una distribucin peridica de elementos reactivos [1].
1.2 Mtodos de diseo de filtros para microondas.
El mtodo bsico en el diseo de filtros para microondas es el mtodo por parmetros
imagen, que consta de una red simple de dos puertos que proporciona la frecuencia de
corte deseada y caractersticas de atenuacin, sin embargo, este mtodo no hace
referencia a la respuesta en frecuencias sobre el intervalo de operacin completo.
Otro mtodo bsico en el diseo de filtros para microondas es el de prdidas por insercin
el cual usa tcnicas para sintetizar redes que conformen una respuesta deseada y es
simplificado con prototipos de filtros pasa-bajas que son normalizados en trminos de
impedancia y frecuencia. Despus las transformaciones son aplicadas para la conversin

del diseo del prototipo en designaciones de intervalos de frecuencia y nivel de
impedancia [1].
1.2.1 Estructuras peridicas.
Se llama as a las lneas de transmisin o guas de onda peridicamente cargadas con
elementos reactivos. Pueden tomar varias formas, dependiendo de la lnea de transmisin
usada, como puede observarse en la figura 1.1. Presentan caractersticas de filtros pasabanda o rechaza banda. Sus aplicaciones las podemos encontrar en tubos de ondas
viajeras, y antenas [1].
Figura 1.1. Ejemplo de estructuras peridicas; (a) lnea de microcinta en un segmento de lnea
(stubs) peridica, (b) diafragmas en una gua de onda peridica.
1.2.2 Diseo de filtros para microondas aplicando el mtodo de parmetros

imagen.
El mtodo de diseo de filtros por parmetros de imagen presenta caractersticas de pasabanda y rechaza banda. Este mtodo es relativamente simple pero tiene la desventaja de
que la respuesta en frecuencia es arbitraria y no puede ser incorporada dentro del diseo.
No obstante, el mtodo por parmetros de imagen es til para filtros simples y
proporciona un vnculo entre una estructura peridica infinita y el diseo del filtro. Las
aplicaciones de este mtodo se pueden encontrar en el diseo de amplificadores.

El mtodo de parmetros imagen aplica en su diseo redes tipo T o , las cuales tienen la
ventaja de proporcionar respuestas pasa-banda y pasa-altas adems de los valores de
impedancia, constante de propagacin y parmetros A, B, C y D, tales valores se pueden
calcular a partir de las ecuaciones mostradas en la tabla A1 del apndice A.
La impedancia imagen Z iT se puede obtener a partir de la representacin de:
Z1 = j L , Z 2 = 1/ jC y R0 = L / C .
Z iT = R0 1 +
2
c2
(1.1).
Donde:
R0 : es la impedancia caracterstica nominal.
c : es la frecuencia de corte.
Sustituyendo los valores de Z1 y Z 2 en la ecuacin del factor de propagacin mostrado
en la tabla A1 del apndice A se tiene:
e = 1
2 2
c2
2
1
c c2
(1.2).
La impedancia y el factor de propagacin permiten describir al filtro diseado como pasabanda o rechaza-banda como se indica a continuacin:
1. Para < c . Esta es la seccin del filtro pasa-banda que presenta una impedancia
de imagen real y es imaginario, en donde la magnitud del factor de propagacin
es 1.
2. Para > c . Esta seccin es del filtro rechaza-banda, donde la impedancia imagen
es imaginaria y es real,

La principal desventaja del mtodo por parmetros de imagen es la atenuacin que se
presenta cerca de la frecuencia de corte, adems de que la impedancia de imagen no es
constante y esto provoca que existan reflexiones [1].
1.2.3 Prdidas por insercin.
Un buen filtro es aquel que no presenta prdidas por insercin en la banda de paso y
atenuacin infinita en la banda de rechazo, por tanto este mtodo permite un alto grado
de control sobre la banda de paso, la amplitud de la banda de rechazo y caractersticas de
fase lineal (para evitar distorsin en la seal) en la banda de paso. El proceso de diseo de
este mtodo se debe llevar a cabo sistemticamente como se ilustra en la figura 1.2
Especificaciones del
Filtro.
Diseo del circuito

prototipo.
Escalamiento
y conversin.
Realizacin.
Figura 1.2. Proceso de diseo de un filtro por el mtodo de prdidas por insercin.
La potencia por prdidas de insercin PLR en una red es definida como:

PLR =
Energa disponible en la fuente Pfuente

1
=
=
Energa entregada en la carga
Pcarga 1 ( ) 2
(1.3).
Donde:
( ) : es el coeficiente de reflexin a la entrada por prdidas de la red que

terminan con una impedancia resistiva.
Las prdidas por insercin se definen matemticamente tambin como la relacin en
decibeles entre la potencia transmitida de la fuente a la carga:
IL( ) = 10log
P( )fuente
P( )carga
[dB]
(1.4).
Donde
IL( ) : Representa las prdidas por insercin en dB.

Dado que el mtodo consiste en sintetizar redes que conformen una respuesta deseada,
se pueden definir dos tipos de respuesta [1]:
Respuesta plana mxima o de Butterworth. Esta repuesta permite tener las
mismas ondulaciones en la respuesta del filtro pasa-banda. Las prdidas por
insercin se definen mediante la siguiente expresin:

PLR = 1 + k
c
2N
(1.5).
Donde
N : es el orden del filtro.
k : con un valor de 2.
Respuesta de igual rizado o de Chebyshev. Esta respuesta se presenta ms aguda y

las prdidas por insercin se obtienen de acuerdo a la siguiente expresin:

PLR = 1 + k T
c
2
2N
2
N
(1.6).
Donde:
TN2 : es el polinomio de chebyshev de orden N .
1 + k 2 : es la amplitud de rizo de la respuesta pasa-banda.
1.2.3.1
Diseo del filtro prototipo pasa-bajas.
En el diseo del filtro prototipo se utilizan elementos que presenten impedancia reactiva
pura, de parmetros concentrados, inductores o capacitores, como se indica en la figura
1.3, donde los elementos se encuentran desde g0 hasta g N +1 .
Figura 1.3 Prototipo de un circuito pasa-banda.
Para que el diseo del prototipo tenga una respuesta plana mxima, primero debe
considerarse el orden del filtro dependiendo del nmero de elementos que contenga, los
valores de las impedancias g k estn tabulados para diferentes tipos de respuesta, en la
tabla A2 del apndice A. Los elementos se acomodan intercalando conexiones en serie y
en paralelo, tenido los siguientes significados:
Resistencia interna del generador si g1 es paralelo.

g0 =
Conductancia interna del generador si g1 es serie.
inductancia para los elementos L en serie.
g k ( k =1,..., N ) =
Capacitancia para los elementos C en paralelo.
Resistencia de carga, si es elemento C paralelo.
g N +1 =
Conductancia de carga, si es elemento L serie.
Es importante mencionar que los valores de los elementos del prototipo que se proponen
en la figura 1.3 se encuentran normalizados a una frecuencia de corte c = 1 y una
impedancia de fuente Rs = 1 Ohm [1].
1.2.3.2.
Escalamiento de frecuencia e impedancia.
El procedimiento para normalizar las reactancias del filtro consiste en multiplicar o dividir
el valor de las reactancias por el valor deseado R0 haciendo uso de las siguientes
expresiones:
L = R0 L
C =
C
R0
(1.7).
(1.8).
R0 = R0
(1.9).
RL = R0 RL
(1.10).
Como se puede observar de las ecuaciones anteriores L y C son los valores del filtro antes
de normalizar.
Si el filtro prototipo tiene escalada la frecuencia a 1, se puede cambiar hasta una c
deseada aplicando las siguientes ecuaciones:
(1.11).
En consecuencia las prdidas por insercin cambian:

( ) = PLR
PLR
c
(1.12).
Por lo tanto, los elementos reactivos deben cambiarse a la frecuencia de corte deseada,
como se muestra en las siguientes ecuaciones:
L = R0
C =
(1.13).
C
R0c
(1.14).
Una vez obtenidos los valores de frecuencia e impedancia deseada se deben de

transformar los inductores y capacitores en lneas de trasmisin para ser implementados
sobre placas de circuito impreso y de esta forma obtener filtros para microondas [1].
1.2.4 Transformacin de Richard.
El mtodo de Richard consiste en usar lneas con impedancia caracterstica variable para
crear elementos concentrados a partir de las lneas de transmisin. Permitir la sustitucin
de inductores y capacitores por segmentos de lneas de transmisin (stubs) en corto
circuito y en circuito abierto como se muestra la figura 1.4.
Bobinas por segmentos de lnea de transmisin (stub) en corto circuito con Z 0 = L
Capacitores por segmentos de lnea de transmisin en circuitos abiertos con
Z0 =
1
C
7
Figura 1.4. Transformacin de Richard, (a) bobina por un segmento de lnea en corto circuito: S.C.
= short circuit, (b) capacitor por un segmento de lnea en circuito abierto: O.C.= Open Circuit.
La ecuacin 1.15 representa la transformacin de Richard:
= tan( ) = tan
v
p
(1.15).
De la ecuacin 1.15, se puede deducir
que la trasformacin de Richard permite
desplazarnos de un plano a un plano con un periodo de
vp
= 2 .
Para realizar transformacin en trminos de para una inductancia se debe aplicar la

ecuacin 1.16 y para una capacitancia se aplica la ecuacin 1.17.
jX L = jL = j tan( ) L
(1.16).
jBc = jC = j tan( )C
(1.17).
En frecuencia si se trabaja con un prototipo pasa-banda con frecuencia de corte

normalizada a uno se debe de tomar en cuenta las siguientes ecuaciones:
c = 1 = tan( ) =
(1.18).
En otras palabras, los segmentos de lnea deben tener la misma longitud, que debe de ser:
(1.19).
Donde
: es la longitud de onda a la frecuencia de corte.

En frecuencia 0 = 2c las lneas de transmisin sern de longitud
. En frecuencias
superiores a c , la impedancia de los segmentos ya no corresponder a los elementos

propios originales de las impedancias, y la respuesta del filtro diferir de la respuesta
deseada del prototipo. Adems, la respuesta ser peridica en frecuencia, repitiendo cada
4c .
El filtro obtenido de la transformacin de Richard puede aprovecharse mejor si aplicamos
las identidades de Kuroda [1].
1.2.5 Identidades de Kuroda

Las identidades de Kuroda utilizan las lneas de transmisin repetitivas de acuerdo con las
siguientes operaciones, las cuales se pueden observar en la tabla A3 del apndice A.
Los segmentos de la lnea de transmisin fsicamente separados.
Transformar segmentos de lnea (stubs) serie por (stubs) paralelos y viceversa.
Cambiar la impedancia caracterstica con valores ms prcticos Z 0 = 50
Las lneas de transmisin repetitivas o elementos unitarios tienen una longitud
a la
frecuencia de corte [1].

1.3 Introduccin a los metamateriales.
Los metamateriales se definen como estructuras peridicas (o cuasi-peridicas),
fabricados artificialmente, con unas propiedades electromagnticas controlables,
diferentes a los de sus elementos (celdas) constituyentes y en ocasiones, no existentes en
la naturaleza. Entre los metamateriales de mayor inters por sus potenciales aplicaciones
en el campo de la ingeniera de microondas y de comunicaciones en general, distinguimos
entre los denominados cristales electromagnticos o EBGs, de las siglas del ingls
(Electromagnetic Band Gap) y los medios efectivos. En los primeros, el perodo es
comparable a la longitud de onda de la seal que se propaga en el medio, produciendo
9

fenmenos de interferencias que dan lugar a la inhibicin de la transmisin de la seal
para ciertas regiones frecuenciales y/o direcciones (difraccin Bragg). En los segundos, el
perodo es mucho menor que la longitud de onda a las frecuencia de inters, por lo que se
consiguen propiedades de medios efectivos (o continuos), las cuales se pueden controlar a
voluntad (hasta cierto punto)
mediante el diseo adecuado de las celdas (tomos)
constituyentes. Estas propiedades son en general diferentes de las propiedades que

presentan estos medios a escala microscpica, pudiendo incluso conseguir sintetizar
estructuras artificiales con propiedades que ni existen en medios naturales. El ejemplo
ms claro de ello es el concerniente a los denominados medios zurdos [2] o LHM (de las
siglas en ingls Left Handed Metamaterials), que se caracterizan por presentar un valor
negativo de la permitividad dielctrica y de la permeabilidad magntica efectiva, con lo
que se producen en el medio ondas de retrocesos, las cuales dan el nombre a estas
estructuras. Dentro de la categora de medios efectivos tambin se pueden generar
estructuras con slo uno de estos parmetros con signo negativos. Son los llamados
medios simples negativos o SNG (de las siglas en ingls Singles Negative Media), entre los
cuales podemos distinguir aquellos que presentan una valor negativo de la permitividad
(ENG-Epsilon Negative), y de aquellos cuya permeabilidad es la que presenta un valor
negativo (MNG-Mu Negative) [2].
10
Captulo 2.-Anlisis del plano de retorno de

seal de una microcinta.
2.1 Microcinta.
Una microcinta se fabrica de un segmento de placa para circuito impreso de doble cara,
est formada en la parte superior por una delgada pista de material conductor (pista de
seal), colocada sobre un sustrato (material dielctrico), el cual est asentado sobre una
placa de material conductor (plano de retorno o comnmente llamado plano de tierra),
como se puede ver en la figura 2.1 [3]-[5].
Figura 2.1. Microcinta.
Como parte de la microcinta se encuentra expuesta, algunas de las lneas de campo en los
perfiles se dispersan en el aire y otras inciden en el sustrato, ver figura 2.2, esto permite
asumir a la microcinta como una estructura con dielctrico homogneo y de permitividad
dielctrica total mayor a la del aire, pero menor a la del sustrato. Debido a que la mayora
de las lneas de campo residen en el sustrato, la constante dielctrica efectiva re tendr
un valor ms cercano al valor del sustrato que al del aire [4]y[5].
11
Figura 2.2. Distribucin de los campos: Elctrico y Magntico, sobre una microcinta.
Los parmetros caractersticos de una microcinta son; impedancia caracterstica Z0 y la

constante de propagacin , que dependen del ancho de la pista de seal W , del espesor
del dielctrico h y de la constante dielctrica r . La impedancia caracterstica de una
microcinta puede ser calculada utilizando las siguientes ecuaciones, dependiendo de la
relacin de
W
[6].
h
120
W
8h
ln + 0.25
para (W / h 1)
h
2 re W
Z0 =
1
120 W + 1.393 + 0.667 ln W + 1.444
para
h
h
re
(2.1a).
(W / h 1)
(2.1b).
El dielctrico efectivo del sustrato para una microcinta, se calcula por la siguiente serie de
ecuaciones:
2
12h 1/ 2
W
1 +
+ 0.0411 para (W / h 1)
W
h
W
F =
h 12h 1/ 2
para (W / h 1)
1 + W
re =
r + 1 r 1 W
2
F
h
(2.3).
12
(2.2a).
(2.2b).

Una microcinta se puede tratar como elemento distribuido, cuando sus dimensiones son
comparables o menores a la longitud de onda de la seal que se propaga a travs de ella,
y como un elemento concentrado cuando sus dimensiones son ms pequeas. Una
microcinta es un bloque bsico de construccin de los circuitos integrados hbridos y
monolticos de microondas tanto pasivos como activos.
El uso de microcintas permite reducir el tamao, peso y costo de componentes de
sistemas de microondas, remplazando a la mayora de componentes de guas de onda y
otros ensambles. Los procesos de fabricacin, mediante fotolitografa, son apropiados
para la produccin masiva. Puesto que a frecuencia de microondas algunas variables como
la tolerancia en las dimensiones, la geometra, los desacoplamientos introducidos por
conectores, los efectos del encapsulado o chasis, etc., adquieren ms importancia en el
desempeo total del circuito, las construccin de circuitos de microcinta requiere de
mayor cuidado que los circuitos impresos de baja frecuencia[3]-[6].
2.2 Propagacin y radiacin en una microcinta.
Los mecanismos de transmisin y radiacin en una microcinta pueden entenderse
considerando una fuente de corriente puntual (dipolo Hertziano) localizada en la
superficie del sustrato dielctrico, esta fuente radia ondas electromagnticas.
Dependiendo de la direccin en que la onda se propague, caen dentro de tres categoras,
cada una de ellas exhibe diferente comportamiento, el cual se enlista en la tabla 2.1 [8].
13

Tabla 2.1. Tipos de ondas presentes en una microcinta.
Ondas
guiadas
Angulo de
transmisin
= 1 , 2 ...... n
Condiciones
fsicas en que
se genera
Sustrato
delgado de
alta
permitividad
Modo
discreto de
propagacin
Depende de
la geometra
del circuito y
de la fuente
Lneas,
circuitos y
filtros
Antenas de
parche
(disminuyen
su
)
Conduccin
de la onda
Propagacin
Intensidad de
la onda
Aplicaciones
Indeseable en:
Efectos:
Ondas Radiadas
Onda
Ondas de fuga
espaciales
0 < < /2
arcsen 1/ r < <
Ondas superficiales
/ 2 < < arcsen 1/ r
Sustrato
grueso baja
permitividad
Interferencia entre
dielctricos
Sustrato grueso de
alta permitividad
Radiacin
Parcialmente radiada
y reflejada
Reflexin
Decrece en
En ciertas regiones
decrece, en otras
aumenta
1
r
(r=distancia de
la fuente )
Antenas
Pueden usarse para

aumentar el tamao
Decrece en
1
r
(r=distancia de la
fuente)
Arreglos acoplados
Lneas y
circuitos
Lneas , circuitos y
antenas
Lneas , circuitos y
antenas
Fugas espurias
Radiacin
Acoplamientos
En una lnea de transmisin, el campo electromagntico debe permanecer concentrado en

la vecindad de los conductores para que solo excitan las ondas guiadas. Para que estas
ondas sean predominantes, el circuito debe ser impreso en un sustrato delgado
comparado con la longitud de onda, en una material dielctrico de alta permitividad.
En antenas de microcinta, se requiere que predominen las ondas radiadas, por lo tanto, la
geometra de la pista de seal se ajusta para evitar que la energa se concentre debajo del
plano de retorno. Cuando el sustrato es grueso, en relacin a la longitud de onda, y el
material dielctrico tiene baja permitividad, predominando las ondas radiadas.
14

Con respecto a las ondas superficiales, estas adquieren mayor amplitud cuando el sustrato
es grueso y de alta permitividad. Las ondas superficiales caen en el plano
z =0 y
decrecen en ambas direcciones de la superficie.

En la figura 2.3 se representan, grficamente, la fuente y cada una de estas ondas. En la
tabla 2.1 se muestran las condiciones bajo las cuales aparece cada una de estas ondas, as
como sus consecuencias en el desempeo en los circuitos de microondas [7].
Figura 2.3. (a) Dipolo Hertziano (fuente). Tipos de ondas presentes en una microcinta: (b) ondas
radiadas, (c) ondas superficiales (b) ondas de fuga y (e) ondas guiadas.
2.3 Plano de retorno de seal.

La placa inferior de una microcinta se considera como un plano de retorno de seal o
plano de tierra, si est conectada a un potencial cero de referencia. Utilizar un plano de
retorno comn, para todo un circuito donde existen corrientes de seales de diferentes
frecuencias hace que se deban tener algunas precauciones, ya que el camino de retorno
para corrientes a baja frecuencia se realizara por el camino de menor resistencia, mientras
que para corrientes de alta frecuencia el camino ser el que presente menor inductancia,
ver figura 2.4.
15
Figura 2.4. (a) Flujo de corriente hacia la carga, (b) retorno de corriente a baja frecuencia y (c)
retorno de corriente de alta frecuencia.
En el caso de una microcinta la trayectoria de menor inductancia se presenta justo debajo

de la pista que conduce la seal y su imagen en el plano de retorno, como se puede ver en
la figura 2.5, donde se observa la distribucin de corriente obtenida mediante el empleo
de un programa de simulacin electromagntica.
Figuran 2.5, Distribucin de corriente sobre el plano de retorno de una microcinta.
Si consideramos que la inductancia total de dos inductores en serie L1 y L2, acoplados en

fase y con una inductancia mutua LM es igual a:
LTotal = L1 + L2 + 2 LM
(2.4a).
Y cuando los inductores estn desfasados 1800, entonces la inductancia total es:
LTotal = L1 + L2 2 LM
(2.4b).
16

Debido a que la corriente de baja frecuencia, fluye por el camino donde encuentra mnima
resistencia, implica que sta retorna por todo el plano de tierra (retorno de seal)
uniformemente. A medida de que aumenta la frecuencia, la corriente tiende a circular por
la superficie del cobre (efecto skin), por lo tanto aumenta la resistencia efectiva del
mismo. Debido a que la inductancia del retorno se hace ms importante a altas
frecuencias que la resistencia, podemos afirmar que la corriente de retorno se produce
por el camino de menor inductancia. El camino de menor inductancia en el plano de
retorno, est situado debajo de la pista de seal, ya que entre la pista y el plano de
retorno existe inductancia mutua y adems, las corrientes en la pista y el plano de retorno
son opuestas, esta inductancia mutua se resta a la inductancia total del lazo, en la
proporcin mostrada en la ecuacin 2.4b [3].
La densidad de distribucin de la corriente sobre el plano de retorno depende de gran
parte del espesor del sustrato h , segn lo indica la ecuacin 2.5.
J ( x) =
I0
x 2
h 1 +
h
(2.5).
Donde:
J ( x) : es la densidad de distribucin de corriente en x.

h : es el espesor del sustrato de la microcinta.
I 0 : es la intensidad de corriente.
Figura 2.6. Densidad de distribucin de corriente.

17

Si normalizamos la corriente total para una distancia x tendremos:
I N ( x) =
2
Io
J ( z )dz =
tan 1 ( x)
(2.6).
Donde
I N ( x) : es la corriente normalizada.
J ( z ) : es la densidad de distribucin de corriente en el espesor del sustrato h.
Figura 2.7. Corriente total normalizada para un distancia x.
En la grfica figura 2.7, se observa que el alrededor de 70% del total del flujo de corriente
sobre el plano de retorno se hace por una seccin de ancho 4h del plano x. Como de igual
forma de aprecia en la figura 2.8.
Figura 2.8. El 70% del total de flujo de corriente de retorno, se hace por una seccin de ancho 4h
del plano de retorno de seal.
18

2.4 Retorno ideal.
La figura 2.9 muestra un camino de retorno con geometra constante, por lo tanto, la
capacitancia e inductancia distribuida es la misma en cualquier punto que analicemos. La
carga que aparece al final de la lnea, tiene la misma impedancia que la impedancia
caracterstica de la lnea.
Figura 2.9. Retorno con geometra constante.
La corriente que suministra el generador no vara con el tiempo (incluso cuando el pulso
todava no ha llegado a la carga), ya que la corriente necesaria para cargar en cualquier
instante la capacitancia parsita de la lnea (impedancia caracterstica) es la misma que se
va a necesitar cuando el pulso llegue al final, para mantener la corriente en la carga. Al
mantener la geometra constante, la inductancia distribuida tampoco se ve alterada y se
mantiene constate en toda la longitud de la lnea [3].
Ya que la microcinta presenta una geometra constante en todas sus longitudes, la onda
que viajar tambin tendr una amplitud constante, puesto que cada unidad de longitud
necesitar la misma corriente para cargar la capacitancia parasita que la unidad de
longitud anterior.
Un buen acoplamiento de impedancia entre la lnea y su carga, hace que las seales de
alta frecuencia y los flancos de las seales digitales, aunque sea de baja frecuencia, pasen
por una lnea sin distorsin ni atenuacin. Las seales de muy baja frecuencia y las
corrientes continuas no quedan afectadas por la impedancia de la microcinta [3].
19

Una microcinta con plano de retorno completo tiene un comportamiento de un filtro
pasa-bajas, debido entre otras causas, a las prdidas en el dielctrico que dependen de su
espesor, el material con que est hecho y de la frecuencia de trabajo.
2.5 Retornos no ideales.
El camino de retorno de una lnea de transmisin es igual de importante que la lnea en s
misma. El retorno de corriente en alta frecuencia, siempre se realiza por el camino de
menor impedancia, que suele ser el camino de menor inductancia. Cuando utilizamos una
lnea de transmisin de tipo microcinta, el camino de menor impedancia siempre est
situado exactamente debajo de la pista de seal. Cuando la pista de seal pasa por
encima de una discontinuidad en el plano de retorno, ver figura 2.10, el camino de
retorno no puede producirse a travs de esa discontinuidad. La corriente de retorno debe
buscar un camino alternativo y diverge hasta encontrarlo. Esta divergencia crea un lazo de
corriente y aade inductancia al camino de retorno. Cuanto ms diverja la corriente,
mayor es la inductancia [3]. Finalmente la distorsin y la amplitud de la seal presente en
la carga dependen tanto de las incidencias de camino de ida, como las que encuentre la
seal en el camino de retorno. La inductancia total aadida puede ser calculada utilizando
la ecuacin 2.4.
Figura 2.10. Ranura hecha en el plano de retorno de seal (tierra).
20
LGAP (nH ) = 0.2d ln
(2.4).
Donde
LGAP (nH ) : Es la inductancia (nH).

d : Es la distancia de la divergencia de la corriente (mm).
: Ancho de la ranura (mm).

La inductancia aadida al plano de retorno, provoca un banda prohibida
electromagnticamente, o efecto EBG (de las siglas en ingls Electromagnetic Band Gap),
que hace que la microcinta tenga una respuesta selectiva a cierto intervalo de frecuencias
del espectro electromagntico, ver figura 2.11. De esta manera se logra imprimir una
caracterstica filtrante supresora de banda a una microcinta, esta tcnica es conocida
como DGS, y es una de las tcnicas que ha despertado gran inters en el desarrollo y
estudio de filtros para microondas, debido a que la estructura final puede ser de
dimensiones muy compactas.
Figura 2.11. Respuesta en frecuencia esperada para una microcinta que tiene una ranura en el
plano de retorno de seal.
21

2.6 Caractersticas de los retornos no ideales.
Un retorno no ideal siempre aparece como un camino inductivo.
Un retorno no ideal se comporta como un filtro supresor de banda.
Si la divergencia de la corriente en el camino de retorno es muy grande, este retorno
no ideal producir problemas de integridad de la seal.
Los retornos no ideales incrementan el rea de lazo y por lo tanto favorecen las
interferencias electromagnticas.
Los retorno no ideales incrementan significativamente el acoplo entre seales.
22
Captulo 3.- Filtros con defecto en el plano de

retorno de seal (DGS).
3.1 Introduccin.
Actualmente hay inters en el desarrollo y estudio de estructuras planas que operan en el
intervalo de las microondas y ondas milimtricas, para eliminar la propagacin de ondas
electromagnticas en ciertas direcciones y frecuencias. Una de ellas es la denominada
banda prohibida electromagnticamente (EBG), la cual consiste en la perturbacin
peridica de las propiedades de un medio homogneo, con el objeto de tener una
caracterstica selectiva en frecuencia para ciertas direcciones en la estructura, ste
fenmeno se explica mediante la teora clsica de estructuras peridicas [1]-[5] A ste tipo
de estructuras tambin se les conoce como superficies de alta impedancia, las cuales han
sido el objeto de estudio de varios grupos de investigadores alrededor del mundo [9]-[12].
Una estructura con defectos sobre el plano de retorno de seal o DGS, se considera una
evolucin de un EBG, y consiste en realizar defectos o ranuras en el plano de retorno de
seal de una microcinta, con la finalidad de modificar la inductancia y capacitancia
parsita de la estructura. Un DGS tiene una respuesta intrnseca de un filtro supresor de
banda, pero modificando la forma geomtrica de los defectos se pueden lograr respuestas
del tipo pasa-bajas y pasa-banda. A diferencia de un EBG una estructura DGS suele ser de
dimensiones ms compactas y ms fcil de construir.
Una estructura DGS se puede caracterizar en ciertos intervalos de frecuencia por medio de
un circuito elctrico equivalente que se puede obtener considerando los efectos
capacitivos e inductivos presentes en la geometra de la estructura, a travs de tcnicas
basadas en la obtencin de los parmetros de reflexin y transmisin obtenidos mediante
experimentacin. A pesar de que no se cuenta con ecuaciones de diseo que nos lleve a
una sntesis directa, partiendo de una serie de caractersticas iniciales, estas estructuras
tienen un nivel elevado de aplicabilidad en el rea de circuitos de microondas, debido a
23

su fcil fabricacin. Actualmente se est trabajando en la bsqueda de nuevas geometras
que permitan reducir an ms las dimensiones de estas estructuras.
3.2 Filtro DGS supresor de banda.
Una novedosa estructura DGS fue publicada en [13], cuya celda unidad puede verse en la
figura 3.1. La gran novedad de sta celda es que se trata de un resonador en s mismo. De
esta manera en un principio no es necesario aumentar el nmero de celdas para rechazar
una banda de frecuencias, y la estructura final podra ser la de la figura 3.1, sin que sea
necesaria la repeticin peridica de la misma celda. Sin embargo, la conexin de varias
celdas aumenta el orden total del filtro, permitiendo el control de la respuesta en
frecuencia. De esta manera se consiguen diseos con respuesta en frecuencia equivalente
a un filtro EBG, pero de dimensiones ms reducidas y menos complejo [14].
La estructura DGS publicada en [13] proporciona gran rechazo y buen factor de calidad,
sus aplicaciones son muy variadas [15]-[17].
Figura 3.1. Estructura DGS propuesta en [13].
En la figura 3.2 se muestran los resultados de la simulacin de tres estructuras con

diferentes dimensiones en la celda unidad, el sustrato utilizado es TACONIC CER-10 con un
espesor de 1.5748mm y constante dielctrica de 10. Esto con la finalidad de investigar las
variaciones de la inductancia efectiva de la estructura. Para cada una de las estructuras
simuladas se mantuvo una ranura (gap), g=0.2mm, que provoca que se forme un efecto
24

capacitivo. Se observa que modificando las dimensiones de la celda unidad se tiene un
control sobre los valores de frecuencias de corte y de resonancia para cada una de las
estructuras simuladas.
Figura 3.2. Resultados de la simulacin de tres estructuras DGS con diferentes dimensiones en la
celda unidad, en cada una de ellas se fijo un gap g=0.2mm.
En la tabla 3.1 se presentan los valores de inductancia y capacitancia efectiva para cada
una de las celdas DGS simuladas, obtenidas a travs del mtodo descrito en [18], y
tambin se presentan los valores de frecuencia de corte y de resonancia para cada una de
las celdas simuladas [13].
Tabla 3.1. Extraccin de parmetros para una celda DGS unidad presentada en [13].
Inductancia (nH).
Capacitancia (pF).
Frecuencia de corte (GHz).
Frecuencia de resonancia (GHz).
Dimensiones del DGS.

a=b=1.3mm. a=b=2.5mm. a=b=4.6mm.
0.3675
0.865945
1.97725
0.51222
0.52845
0.537947
10.15
6.085
3.62
11.6
7.44
4.88
3.3 Filtro DGS pasa-banda.

El propsito de hacer ranuras sobre el plano de retorno de seal de una microcinta, es
aumentar la inductancia y capacitancia efectiva, que dependen en gran medida de las
dimensiones y de la forma geomtrica que tenga ste defecto. En [19] se analiza una
25

estructura DGS partiendo de una celda base, con la forma geomtrica que se muestra en
la figura 3.3 (b) y con las dimensiones que se presentan en la tabla 3.2. El sustrato
utilizado tiene una constante dielctrica relativa de 9.6 y un espesor de 0.8mm. Los
resultados de la simulacin se pueden observar en la figura 3.4, donde se ve que la
respuesta para sta celda base es la de un filtro pasa-bajas.
Figura 3.3. (a) Seccin DGS, (b) sub-seccin DGS-I, (c) sub-seccin DGS-II y (d) sub-seccin DGS-III.
Los valores de cada una de las dimensiones fsicas de las geometras de los defectos se
muestran a continuacin en la tabla 3.2.
Tabla 3.2. Dimensiones de los parmetros para la celda DGS propuesta en [19] longitud en
milmetros y ngulo en grados.
26
Figura 3.4 Celda base con la caracterstica de un filtro pasa-bajas, (a) Vista en 3-D y (b) parmetros
S11 y S21 obtenidos.
No obstante, si hacemos un corte sobre el centro de la pista de seal, s=0.2mm, la

respuesta de la celda base cambia de un filtro pasa-bajas a un filtro pasa-banda como se
ve en la figura 3.5, debido a que el corte provoca la formacin de una capacitancia en
serie. Si variamos las dimensiones b y d de la celda base es posible tener un control sobre
la banda de paso.
Figura 3.5. Parmetro S21 obtenido para la celda base con un corte sobre la pista de seal y tres
diferentes valores de b y d.
27

Se observa que conforme se modifica la forma geomtrica del defecto y se agregan ms,
tanto en el plano de retorno de seal como en la pista superior de la microcinta, se va
modificando la respuesta del filtro. Hasta ahora solo se han presentado resultados
obtenidos a travs de procesos de simulacin. Con la finalidad de aumentar el orden del
filtro se agregan nuevos defectos con las formas geomtricas que se presentan en la figura
3.3 (c) y (d).
El filtro que se muestra en la figura 3.6 se public [19]. Las mediciones del rendimiento
elctrico, del mismo, se realizaron con un analizador de redes HP-8753ES. Para una fcil
comparacin de los resultados, tanto medidos como simulados, se presentan las graficas
de la figura 3.7, donde se puede ver que existe una buena aproximacin de ambos.
(a)
(b)
Figura 3.6 Fotografas del filtro DGS pasa-banda publicado en [19]. (a) Pista de seal y (b) plano de
retorno de seal.
28
Figura 3.7. Comparacin de las respuestas; medida y simulada para el filtro DGS pasa-banda
presentado en [19].
3.4 Circuito elctrico equivalente tpico de un filtro DGS.

En varios artculos y congresos internacionales podemos encontrar diferentes propuestas
de filtros tipo DGS, empleando diferentes formas geomtricas para las ranuras en el plano
de retorno. El objetivo final es disear un filtro DGS a partir de unas especificaciones
concretas dadas. Sin embargo, el proceso queda, en la mayora de los casos, en la
bsqueda de un modelo elctrico equivalente a partir de la respuesta en frecuencia
obtenida experimentalmente [20].
Varios autores han propuesto diferentes prototipos de circuitos elctricos equivalentes,
que representan el comportamiento elctrico de un filtro DGS. El circuito bsico bien
puede ser un resonador LC como el que se puede ver en la figura 3.8.
Figura 3.8 Circuito Resonador LC.
29

Donde jX LC es la reactancia de la estructura DGS y Z 0 es la impedancia de la fuente de
excitacin y debe de tener el mismo valor de impedancia de carga para que se tenga un
buen acoplo. El valor de la capacitancia e inductancia para el circuito resonador se
calculan utilizando las ecuaciones 3.1a y 3.1b reportadas en [21].
C=
L=
1

g1Z 0r r c
c r
1
r2C
(3.1a).
(3.1b).
Donde
C : es la capacitancia equivalente.
L : es la inductancia equivalente.
Z 0 : es la impedancia de acoplo.
g1 : es el valor para el prototipo del filtro Butterworth.
r : es la frecuencia angular de resonancia.

c : es la frecuencia angular de corte a -3dB.
3.5 Propuesta de un filtro DGS con defectos rectangulares y ranura diagonal.

Como ya se ha descrito, un filtro DGS suele ser de dimensiones compactas, respecto a otro
tipo de filtro para microondas, debido a que se aprovechan los efectos inductivos y
capacitivos parsitos que se forman cuando se provocan defectos en el plano de tierra o
retorno de seal. Sin embargo, para lograr la supresin de la banda S del espectro
electromagntico que comprende frecuencias de 2GHz a 4GHz, que es donde actualmente
operan los sistemas de comunicacin inalmbricos (internet inalmbrico, bluetooth,
comunicaciones satelitales, radar, etc.), la longitud de este filtro seria alrededor de 30mm.
En este trabajo de tesis se presenta un nuevo filtro DGS, para esto se han hecho defectos
rectangulares y una ranura en diagonal que une ambos defectos, sobre el plano de
30

retorno de seal, con las dimensiones mostradas en la tabla 3.3 y la forma geomtrica de
la figura 3.9. Se utiliz como sustrato FR-4 con una constante dielctrica de 4.7 y una
frecuencia de trabajo de hasta 4GHz. Como material conductor se utiliz cobre con
conductividad elctrica de 5.8 e7S/m y espesor de 0.035mm. El ancho de la pista se
calcul para obtener una impedancia cercana a los 50ohms y de sta forma tener un buen
acoplamiento con el instrumento de medicin.
Figura 3.9. Filtro DGS con defectos rectangulares y ranura diagonal.

Tabla 3.3. Dimensiones para el filtro DGS propuesto.
Dimensin (mm) Dimensin (mm)

a
12
1.7
13
2.8
1.6
2.65
0.035
2.8
r = 4.7
31
Captulo
4.-
Simulacin
de
estructuras
electromagnticas.
4.1 Introduccin.
La simulacin es un parte muy importante dentro del proceso de diseo de cualquier
sistema electrnico, debido a que ayuda a percibir el comportamiento del sistema bajo
prueba en condiciones controladas. Para la simulacin de estructuras electromagnticas
se han desarrollado diversas tcnicas numricas, que resuelven los modelos matemticos
que describen el comportamiento del sistema. Los mtodos ms comunes son: diferencia
finita el dominio del tiempo (FDTD), elemento finito (FEM), mtodo de momentos (MoM),
matriz de lneas de transmisin (TLM) y tcnica de integracin finita (FIT). Existen en el
mercado diversos programas que emplean stos mtodos numricos como: XFDTD,
Ansoft HFSS, Momentum, Sonnet, CST Microwave Studio, etc.
Para la simulacin del filtro desarrollado, en este trabajo de tesis, se utiliz el software
CST Microwave Studio, que utiliza tcnica de integracin finita con aproximacin perfecta
en las fronteras. Este software est enfocado al diseo electromagntico de altas
frecuencias y ofrece una gran variedad de herramientas que permiten tener simulaciones
ms reales [22].
4.2 Descripcin del mtodo de la integracin finita.
Los fenmenos electromagnticos macroscpicos que ocurren en la prctica pueden ser
descritos de una forma matemtica mediante las ecuaciones de Maxwell. La tcnica de
integracin finita [23], FIT (de las siglas en ingles: Finite Integration Technique), fue
desarrollada por Weiland en 1977, donde propone una reformulacin de las ecuaciones
de Maxwell en su forma integral, las cuales se pueden resolver ms fcilmente con el
empleo de computadoras.
32

El primer pas, para poder aplicar el mtodo FIT consiste en la restriccin del problema de
campos electromagnticos, en el espacio abierto, a una regin de inters o dominio
computacional R 3 .
El siguiente paso consiste en la descomposicin del dominio computacional en un
nmero finito de celdas Vi con forma de tetraedros o hexaedros, bajo la premisa de que
todas las celdas tienen que encajar de manera exacta una con otra.
Con fines de simplicidad, se considera que es un mallado compuesto de varias celdas
complejas G , cuyas coordenadas cartesianas son:
G = {Vi , j , k R 3 | Vi , j , k = [ xi , xi +1 ] [ yi , yi +1 ] [ zi , zi +1 ] ,
i = 1,..., I 1, j = 1,...J 1, k = 1,..., K 1}
(4.1).
Donde los nodos ( xi , y j , zk ) estn numerados con las coordenadas i, j y k a travs de los
ejes x, y y z . Esto resulta un nmero total, Np = I J k de nodos de malla para
( I 1) ( J 1) (k 1) celdas de malla.
Despus de definir la celda compleja G la teora del FIT se puede restringir a una sola
celda Vn . Iniciando con la ley de Faraday en forma integral.

E
(
r
,
t
)
d
s
=
B
(
r
,
t
)
d
A
A
t
A R 3
(4.2).
La ecuacin 4.2 puede volverse a escribir en una nueva forma Az (i, j , k ) de Vn como una
ecuacin diferencial ordinaria.
d
ex (i, j , k ) + e y (i + 1, j , k ) ex (i, j + 1, k ) e y (i, j , k ) = bz (i, j , k )

dt
(4.3).

xi +1, y j , zk
Como se muestra en la figura 4.1, donde el valor escalar ex (i, j , k ) =

E d s es el
xi , y j , zk
potencial elctrico a lo largo de los filos de la superficie Az (i, j , k ) , y representa el valor

exacto de la integral
del campo elctrico en los filos. El valor escalar

bz (i, j , k ) =
B d A representa el flujo magntico.
Az ( i . j . k )
33
Asumiendo la relacin de los potenciales elctricos e (i, j , k ) y del flujo magntico
b (i, j , k ) , sobre la celda compleja G obtenemos dos vectores.
3N
e = (ex , n | e y , n | ex , n )Tn =1....., N p R p
(4.3)
3N
b = (bx ,n | by , n | bx , n )Tn =1....., N p R p
(4.4)
Figura 4.1. Una celda Vi , j , k 1 de la celda compleja G con la asignacin de las tenciones de la red de
voltaje e en los bordes de A y el flujo magntico b a travs de la cara.
La ecuacin 4.3 para todas las celdas complejas G puede ser reescrita en forma matricial
de la siguiente forma:
(4.5).
34

La matriz C contiene informacin topolgica de la relacin incidente en los bordes de las
celdas dentro de G y sus orientaciones, por lo tanto, solo tiene coeficientes de la matriz
Ci , j {1.0,1} , esto representa el operador rotacional en G .

El otro operador diferencial discreto es considerado como la divergencia. Su derivacin
viene de las ecuaciones de Maxwell que describe la no existencia de cargas magnticas
o polos. Puesto que el flujo magntico siempre se encuentra en circuitos cerrados y nunca
diverge de una fuente puntual.

B
(
r
,
t
)
d
A = 0 V R3
(4.6).
La cual es considerada para la celda Vi , j , k mostrada en la figura 4.2.
Figura 4.2. Asignacin de seis fases del flujo magntico, la cuales deben de ser consideradas en la
evaluacin de la superficie cerrada de integracin para la no existencia de cargas magnticas o
polos, dentro del volumen de la celda.
La evaluacin de la superficie de integracin en la ecuacin 4.6 da:
bx (i, j , k ) + bx (i + 1, j , k ) by (i, j , k ) + by (i, j + 1, k ) bz (i, j , k ) + bz (i, j , k + 1) = 0
(4.7).
Esta ecuacin es para una simple celda, pero puede ser expandida para todas las celdas de
G . Esta matriz da el operador discreto de la divergencia.
35
(4.8).
La discretizacin de las dos ecuaciones de Maxwell restantes, requieren la introduccin de
que es dual a la celda primaria G .

una segunda celda G
Con esta definicin se puede asegurar que hay una relacin de una con otra entre los
y viceversa.
bordes de las celdas de G cortando a travs de las superficies de las celdas G
Figura 4.3. Ubicacin espacial de la celda y la celda dual G , G .
La discretizacin de la ley de Ampere en su forma integral. Puede ser desarrollada para

una cara arbitraria A de un mallado V en completa analoga a la ley de Faraday sumando
las tensiones de la rejilla magntica con el fin de obtener la corriente de desplazamiento y
de la corriente de conduccin a travs de la cara de la malla en cuestin.
36

H
(
r
,
t
)
d
s
=
D
(
r
,
t
)
+
J (r , t ) d A
A
A t
A R 3
(4.8).
Finalmente la ley de Gauss en su forma integral se puede integrar a las celdas de la malla
dual. Ambas integraciones para la malla dual de la celda compleja resultarn en
ecuaciones matriciales con caractersticas de operador de malla topolgico; C para el
rotor discreto y S para la divergencia discreta.
Para el par de las celdas complejas
{G, G } el
conjunto completo de las ecuaciones
discretas matriciales, llamadas ecuaciones de malla de Maxwell (MGE), estn dadas por
[24]:
(4.9).
4.3 Simulacin de estructuras electromagnticas utilizando el programa CST
Microwave Studio.
Uno del los programas de simulacin electromagntico ms utilizado, para el caso de
estructuras volumtricas es el CST Microwave Studio, el cual est basado en el mtodo de
integracin finita, descrito en la seccin 4.2. A continuacin en las siguientes secciones se
mencionan los parmetros ms importantes que se requieren para poder implementar el
filtro en la interface grfica del programa de simulacin electromagntica.
4.3.1 Especificacin de unidades.
Antes que nada es importante definir que unidades de medicin son necesarias para que
el mallado en forma de tetraedro o hexaedro que se utilice, tenga la suficiente densidad
de celdas para obtener resultados ms exactos. En el caso de este trabajo de tesis, debido
a que las dimensiones fsicas del filtro son del orden de unidades milimtricas, se ha
utilizado unidades de milsimas de metro. Es posible que en vez de utilizar unidades
37

milimtricas se utilicen micromtricas, sin embargo, el tiempo de cmputo que se
invertira durante el proceso de clculo se incrementara considerablemente y los
resultados seran casi los mismos que utilizando unidades milimtricas.
Respecto a las unidades de la frecuencia se han elegido en GigaHertz, para que, de la
misma manera que en el caso de las dimensiones fsicas, no se tenga que invertir mucho
mayor tiempo de cmputo para obtener un buen resultado en la simulacin.
4.3.2 Definicin del material del dominio computacional.
Como es comn hacer en la mayora de los programas de simulacin comercial, es
necesario definir una rea de anlisis que delimite el espacio de clculo de la estructura,
as como el tipo de materia de dicho dominio computacional, ya que si se deja un espacio
abierto (dimensiones infinitas), el programa invertir mucho tiempo de computo en un
anlisis que arrojar resultados poco tiles lejos de la ubicacin virtual de la estructura,
dentro del programa de simulacin, aunque la gran ventaja de dejar una rea de
dimensiones tendiendo al infinito, har que no existan reflexiones, debidas a la frontera,
que afecten los resultados arrojados por el programa. Respecto al material se eligi aire,
para considerar las condiciones ms acordes a las condiciones experimentales.
4.3.3 Modelado de estructuras.
El modelado de la estructura DGS se divide en tres etapas:
1. Construccin del plano de retorno de seal, hecho de cobre con un espesor de
t=0.035mm y las dimensiones mostradas en la tabla 3.3
2. Modelado del sustrato, el cual es FR-4(lossy), con una constante dielctrica de 4.7,
permeabilidad relativa de 1 y perdidas tangenciales de 0.01646. Tiene la misma
longitud y ancho que el plano de retorno, y su espesor es de 1.6mm, el cual
corresponde al estndar comercial.
3. Colocacin de la pista de seal que est hecha de cobre con un grosor de
0.035mm, ancho de 2.8mm y 10mm de longitud.
38

4.3.4 Definicin del intervalo de frecuencia.
El intervalo de frecuencia de anlisis fue de 50MHz a 12GHz, debido a que a frecuencias
mayores a los 12GHz el sustrato utilizado presenta mayor cantidad de prdidas y la
estructura mltiples resonancias debidas a la cavidad, lo cual hace que el filtro pierda su
efectividad.
4.3.5 Colocacin de puertos.
Para que se puedan obtener resultados ptimos es necesario que el ancho de cada uno de
los puertos, los cuales estn definidos como puertos de gua de onda, sea de al menos 6
veces el ancho de la pista que conduce la seal de excitacin (segn especificaciones del
desarrollador del programa CST Microwave Studio), en nuestro caso como la pista mide
2.8mm, el ancho de cada puerto debe de ser de al menos 16.8mm, sin embargo debido a
que se requera tener un filtro con las dimensiones ms pequeas posibles se utiliz
13mm, como se muestra en la figura 4.4. Se hicieron simulaciones para determinar el
efecto de la reduccin del tamao del puerto utilizando 13mm en vez de los 16.8mm que
el desarrollador del programa sugiere, y los resultados obtenidos fueron iguales, as que
se decidi dejar el ancho del puerto de 13mm.
Figura 4.4. Estructura DGS implementada en el programa de simulacin comercial, con sus
respectivos puertos.
39

4.3.6 Definicin de condiciones de frontera.
Es necesario definir el entorno dentro del cual ser llevada a cabo la simulacin,
normalmente esta es una caja imaginaria, limitada por la coordenadas cartesianas
(Xmin/Xmax, Ymin/Ymax, Zmin/Zmax) y las condiciones de frontera que absorvern los
campos elctricos y magnticos que se generen en los perfiles de la estructura, con el fin
de evitar reflexiones que influyan en los resultados arrojados por la simulacin. En la
tabla 4.1
se muestran las condiciones de frontera de los campos elctricos E(t) y
magnticos H(t) en las paredes del dominio computacional.
Tabla 4.1 Condiciones en las paredes de frontera.
Xmin
H(t)=0
Xmax
H(t)=0
Ymin
Abierto
Ymax
Abierto
Zmin
E(t)=0
Zmax
E(t)=0
40
Captulo 5.- Construccin y caracterizacin del

filtro propuesto.
5.1 Construccin.
Con la ayuda de un programa para el trazo circuitos impresos, se fabricaron plantillas con
la forma geomtrica y dimensiones que se muestran en la figura 3.9 y tabla 3.3 del
captulo 3. Despus, mediante un proceso de maquinado numrico, se procedi a grabar
sobre una placa para circuito impreso de doble cara, la plantilla previamente diseada.
Enseguida se procedi a retirar los excesos de cobre, con la ayuda de una fresadora
numrica. Como ltimo pas, se soldaron un par de conectores SMA tipo hembra, en los
extremos del filtro, teniendo precaucin de no dejar huecos en la soldadura y espacios
entre cada uno de los conectores y la placa de circuito impreso, ya que estos contribuyen
a la formacin de efectos capacitivos que afecta a la respuesta del filtro DGS desarrollado.
En la figura 5.1a y 5.1b se muestra la fotografa tomada a la pista y a los defectos en el
plano de retorno de seal, del filtro tipo DGS que se construy.
Figura 5.1a. Vista superior, donde se puede apreciar la pista de seal del filtro.
41
Figura 5.1b. Vista inferior del filtro tipo DGS construido.
Como puede observarse en las fotografas de las figuras 5.1 (a) y (b), el tamao del filtro
es tan pequeo como una moneda de 10 centavos.
5.2 Medicin de las prdidas por insercin y prdidas por retorno.
El rendimiento elctrico de cualquier filtro se evala por las prdidas por insercin y
perdidas por retorno que presente, estos parmetros tambin son conocidos como
parmetros de dispersin y se miden con un analizador de redes vectorial.
Las mediciones del filtro DGS desarrollado en este trabajo de tesis, se realizaron con un
analizador de redes vectorial HP 8510A, cuya calibracin se describe en el apndice C.
Bajo los esquemas mostrados en la figura 5.2 y 5.3, estas mediciones se realizaron para
una banda de frecuencia de inters de 50MHz a 12GHz en escala lineal y para la magnitud
se seleccionaron unidades en dB. La interconexin, filtro DGS y Analizador de redes, se
hizo con un cable coaxial que tiene en los extremos conectores, N-macho y SMA-macho, y
presenta una frecuencia de trabajo de hasta 18 GHz.
42
Figura 5.2. Sistema de medicin para las prdidas por insercin S21, del filtro DGS desarrollado.
Figura 5.3. Sistema de medicin para las prdidas por retorno S11, del filtro DGS desarrollado.
5.3 Comparacin de resultados simulados con los medidos.

La validacin de los resultados obtenidos por simulacin, es un parte muy importante
dentro de este trabajo de tesis, debido a que en temas prximos, por simplicidad, se
optara por utilizar solo los resultados obtenidos a travs del proceso de simulacin
descrito en el captulo 4. Para una mejor visualizacin se han graficado los datos
obtenidos, los cuales se muestran en las figuras 5.4 y 5.5.
.
43
Figura 5.4. Comparacin de los resultados obtenidos del parmetro S21 mediante simulacin con
los obtenidos de la medicin.
Figura 5.5. Comparacin de los resultados obtenidos del parmetro S11 mediante simulacin con
los obtenidos de la medicin.
Siguiendo el criterio de los -3 dB se observa que la frecuencia de corte medida, para el

filtro DGS desarrollado es de 2.56GHz y para la simulacin de 2.60GHz. Otro punto de
referencia es la frecuencia de resonancia y su nivel de atenuacin, para la simulacin es
3.50GHz a -20dB y la medida es de 3.50GHz a -18.55dB. La segunda resonancia que se
presenta es debida a la resonancia de la cavidad de la estructura. Las variaciones
44

observadas despus de 6GHz pueden atribuirse a defectos en el proceso de fabricacin
del filtro DGS y a la existencia de micro-burbujas de aire en el interior del sustrato de la
tarjeta de circuito impreso utilizada. Por lo tanto se considera como buena la
aproximacin de la simulacin.
5.4 Caracterizacin del filtro DGS para diferentes anchos del defecto
rectangular.
La formacin de efectos inductivos y capacitivos sobre el plano de retorno de seal, son
dependientes de la forma geomtrica y de las dimensiones de los defectos. La variacin de
alguna de las dimensiones, hace que se modifique el rendimiento elctrico del filtro DGS.
Las dimensiones que predominan son las denotadas con las letras d y g". Utilizando el
software de simulacin CST Microwave Studio, se implementaron catorce filtros DGS con
diferente ancho d considerando valores menores y mayores a 2h en el defecto
rectangular, dejando todas las dems dimensiones sin cambio alguno. En la tabla 5.1 se
presentan los valores de la frecuencia de corte y de resonancia para cada valor de d.
Figura 5.6. Dimensiones predominantes del filtro DGS desarrollado.
45

Tabla 5.1. Datos obtenidos por simulacin, para distintos anchos d, del defecto rectangular.
d (mm)
0.318
0.636
0.954
1.272
1.590
1.908
2.226
2.544
2.862
3.180
3.400
3.718
4.036
4.354
g (mm)
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
Fc (GHz)
4.7
4.2
3.8
3.5
3.2
3
2.8
2.7
2.5
2.3
2.2
2
1.9
1.8
Fres (GHz)
5.1
4.6
4.3
4.1
3.9
3.8
3.6
3.5
3.4
3.3
3.2
3.1
3
2.9
Figura 5.7. Grficas de las Frecuencias de corte y de resonancia para diferentes valores en el ancho
del defecto rectangular.
46

En la figura 5.7 se presentan las graficas de los valores para cada una de las frecuencias de
corte y resonancia, para diferentes anchos del defecto rectangular. En esa figura se
observa que existe un desplazamiento tanto de la frecuencia de corte y como la de
resonancia hacia bajas frecuencias, cuando se hace ms grande el ancho del defecto
rectangular.
Figura 5.8. Desplazamiento de la respuesta en frecuencia del filtro en funcin del ancho del
defecto rectangular.
La figura 5.8 muestra cmo cambia la pendiente de las prdidas por insercin del filtro
DGS, cuando se tienen diferentes anchos, en el defecto rectangular, as como tambin el
intervalo de supresin de frecuencias del filtro.
Utilizando la formula 3.1a, se calcul la capacitancia para cada uno de los filtros DGS
simulados. En la figura 5.9, se graficaron los valores de capacitancia correspondientes a
cada valor del ancho del defecto rectangular, donde podemos observar que el valor de la
capacitancia decrece al aumentar el valor de d.
47
Figura 5.9. Grfica para la variacin de la capacitancia para diferentes anchos del defecto
rectangular.
El clculo de la inductancia se hizo utilizando la ecuacin 3.1b para cada valor de d

mostrado en la tabla 5.1. y se graficaron en la figura 5.10, donde se observa que a medida
que se hace ms grande el ancho del defecto, mayor es el valor de la inductancia. En esta
grfica podemos visualizar que existe una dependencia lineal entre el valor de la
inductancia y ancho del defecto rectangular.
Figura 5.10. Grfica para la variacin de la inductancia para diferentes ancho del defecto
rectangular.
48

5.5 Caracterizacin del filtro DGS para diferentes anchos en la ranura diagonal.
El propsito de hacer una ranura diagonal sobre el plano de retorno de seal del filtro DGS
desarrollado, es el de modificar la capacitancia intrnseca de la estructura. A travs del
proceso de simulacin se implementaron catorce diferentes filtros DGS, con diferentes
anchos en la ranura diagonal, para las asignacin de los valores se tomo en cuenta las
limitaciones mecnicas de la herramienta de corte que se utiliza en el proceso de
fabricacin. Dejando al parmetro d con un valor de 2.65mm y
todas las dems
dimensiones con los valores que se presentan en la tabla 3.3, en la tabla 5.2 se muestran
la frecuencia de corte y de resonancia, para cada uno de los filtros DGS simulados.
Tabla 5.2. Datos obtenidos por simulacin, para distintos anchos g, de la ranura diagonal.
d (mm)
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
2.65
g (mm)
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
Fc (GHz)
2.1
2.3
2.5
2.6
2.7
2.9
3
3.1
3.2
3.4
3.4
3.5
3.6
3.7
Fres (GHz)
2.7
3
3.2
3.5
3.6
3.9
4.2
4.4
4.6
4.9
5
5
5
6
En la figura 5.11 se muestran las grficas de las frecuencias de corte y de resonancia para
cada valor de g (ancho de la ranura). Donde se observa que existe un corrimiento en
ambas frecuencias, cuando su valor aumenta.
49
Figura 5.11. Comportamiento de la Frecuencia de corte y resonancia para diferentes anchos en la

ranura diagonal.
En la grfica de la figura 5.11 podemos ver que al ir incrementando g, el valor de la

frecuencia de corte se va incrementando de manera lineal hasta un valor mximo de
g=3.8, mientras que para el caso de la frecuencia de resonancia, su valor va
incrementndose en forma lineal hasta un valor de g=3, a partir de ese valor, y hasta g=3.5
se conserva el mismo valor de frecuencia y para valores arriba de 3.5 sta se dispara
abruptamente.
Figura 5.12. Parmetro S21 obtenidos para tres valores diferentes de g.

50

En la figura 5.12 se ve cmo cambia la pendiente de las perdidas por insercin del filtro
DGS, cuando tenemos diferentes anchos en la ranura diagonal.
Utilizando la formula 3.1a, se calcul la capacitancia para cada uno de los filtros DGS
simulados, con los valores de g que se muestran en la tabla 5.2. En la figura 5.13, se
graficaron los valores de capacitancia correspondientes a cada uno de los anchos de la
ranura diagonal, donde se observa que decrece cuando ste es mayor.
Figura 5.13. Grfica del valor de la capacitancia para diferentes anchos de la ranura diagonal.
El clculo de la inductancia se hace con la ecuacin 3.1b para cada valor de g mostrado en
la tabla 5.2. Los valores que se obtuvieron se muestran en la figura 5.14, donde se
observan pequeas variaciones del valor de la inductancia, cuando el ancho de la ranura
diagonal se hace ms grande.
51
Figura 5.14. Grfica del valor de la inductancia para diferentes anchos de la ranura diagonal.
5.6 Propuesta de un circuito elctrico equivalente.

El circuito elctrico equivalente de un filtro DGS describe las prdidas por insercin y por
retorno, mediante una red de elementos concentrados: resistor, inductor y capacitor. El
circuito equivalente clsico, es un resonador LC, pero solo es vlido para cierto intervalo
de frecuencias, debido a que no se consideran otro tipo de prdidas, como las originadas
por: el conductor, el calentamiento del dielctrico, por la radiacin y por
desacoplamiento.
El circuito equivalente propuesto para el filtro DGS desarrollado en este trabajo de tesis,
parte del razonamiento para una lnea de transmisin con geometra constante que tiene
una inductancia y capacitancia distribuida de manera uniforme, por lo tanto tendr la
misma impedancia caracterstica en todas las secciones de su estructura, la modificacin
de la geometra en una o varias secciones de la lnea de transmisin provoca que existan
diferentes impedancias dentro de la estructura. Para el modelado del circuito elctrico
equivalente se ha seccionado en tres partes el filtro DGS, tomando en cuenta los cambios
geomtricos que se tienen en su estructura.
52

La primera seccin del filtro DGS, est definida a partir del punto donde se inyecta la seal
electromagntica hasta donde inicia el defecto rectangular. Esta seccin se puede
considerar como una microcinta de dimensiones pequeas y puede representarse a travs
de un circuito elctrico formado por dos capacitores Cc1 y Cp y dos inductores Lp y Lb,
distribuidos como se observa en la figura 5.15.
Figura 5.15. Circuito elctrico equivalente para la primera seccin del filtro DGS.
La segunda seccin del filtro DGS considera toda el rea que contiene el defecto
rectangular y ranura diagonal y se represent con el circuito elctrico que se muestra en
la figura 5.16. La ranura diagonal se model elctricamente mediante una capacitancia Ca
que se forma entre las caras del corte ms un elemento parsito inductivo La. Cc2
corresponde a la capacitancia que se forma entre el rea de cobre, de la pista de seal y
la ranura diagonal. Finalmente Lp es la inductancia de la seccin correspondiente a la pista
de seal en esa zona.
Figura 5.16. Circuito elctrico equivalente para la segunda seccin del filtro DGS.
53

La tercera seccin del filtro DGS est definida para la parte donde finalizan los defectos
hasta donde se encuentra la carga, el cual es idntico al de la primera seccin. En la figura
5.17 se muestra el circuito elctrico equivalente para esta parte con elementos capacitivos
Cc1 y Cp e inductivos Lp y Lb.
Figura 5.17. Circuito elctrico equivalente para la tercera seccin del filtro DGS.
El acoplo de los tres circuitos equivalentes correspondientes a cada una de las secciones
del filtro DGS se hace mediante las capacitancias Cc1 y Cc2. En la figura 5.18 se muestra el
circuito elctrico equivalente propuesto para un filtro DGS con defectos rectangulares y
ranura diagonal sobre el plano de retorno de seal. El valor para la capacitancia Cc es la
suma de Cc1 y Cc2. Como el filtro DGS presenta una geometra simtrica, el circuito
elctrico equivalente debe de cumplir con esa condicin.
Figura 5.18. Circuito elctrico equivalente propuesto para el filtro DGS desarrollado.
54

El circuito de la figura 5.18 pretende incluir la mayor parte de los efectos parsitos
inductivos y capacitivos que se producen en toda la superficie del filtro DGS, con el objeto
de obtener una respuesta ms prxima al comportamiento real del mismo.
Debido a que no se cuenta con ecuaciones que nos permitan el clculo directo de cada
elemento para el circuito elctrico propuesto, se tuvo la necesidad de variar los valores de
cada uno de los elementos, que conforman el circuito elctrico equivalente propuesto, en
un intervalo pequeo, ajustando cada uno de ellos hasta encontrar los valores ptimos. En
las tablas 5.3 y 5.4 se presentan los valores de prueba para el circuito elctrico propuesto.
Se ajustaron de acuerdo a la respuesta medida que entreg el filtro DGS desarrollado.
Tabla 5.3. Valores de prueba para los capacitores.
Elemento
pF
Cp
0.14
Cc
0.45
Ca
1.64
Tabla 5.4. Valores de prueba para los inductores.

Elemento
nH
Lp
0.28
Lb
2.18
La
0.58
Para la simulacin de circuito elctrico propuesto se utiliz el programa comercial AWR

Microwave Office que est basado en SPICE e incluye los modelos equivalentes de cada
elemento a alta frecuencia. En este programa se pueden simular circuitos lineales y no
lineales, contiene herramientas de anlisis electromagntico y de diseo estadstico, es
uno de los ms empleados en el diseo de circuitos de radio frecuencia y microondas.
Los resultados obtenidos de la simulacin del circuito elctrico equivalente propuesto se
muestran en las figuras 5.19 y 5.20. Donde se observa que existe una buena aproximacin
55

de las perdidas por insercin y retorno del circuito elctrico equivalente, respecto a las
que se obtuvieron de la medicin.
Figura 5.19. Comparacin de las prdidas por insercin del circuito elctrico equivalente con las
obtenidas por medicin.
Figura 5.20. Comparacin de las prdidas por retorno del circuito elctrico equivalente con las
obtenidas por medicin.
56
Captulo 6. Conclusiones y trabajos futuros.

6.1 Conclusiones.
Un elemento muy importante de cualquier sistema electrnico son los filtros, ya que
eliminan seales no deseadas que pueden perturbar el funcionamiento del mismo. En la
actualidad con la saturacin del espectro electromagntico se ha optado por la utilizacin
de frecuencias en el intervalo de las microondas. La banda ms utilizada para los sistemas
de comunicaciones inalmbricos, es la que est comprendida entre los 2GHz y 4GHz, sin
embargo los filtros para esta frecuencia suelen ser de dimensiones grandes, los cuales son
imprcticos para sistemas porttiles.
En este trabajo de tesis se desarroll un filtro DGS de lnea, utilizando defectos
rectangulares y ranura diagonal en el plano de retorno de seal, con el cual se obtuvo una
frecuencia de corte de 2.56GHz. Las dimensiones fsicas del filtro son tan pequeas que se
pueden comparar con el tamao de una moneda de diez centavos nacional. En el estudio
que se hizo al filtro DGS desarrollado, se observ que al modificar el ancho de los defectos
rectangulares se tiene control sobre la frecuencia de resonancia y de corte, debido a que
se hace ms grande la inductancia total de la estructura a medida que se hace ms ancho
el defecto rectangular, recordando que la inductancia se forma debido a la presencia de
lazos cerrados de corriente y que es directamente proporcional al rea total del lazo, por
lo tanto cuando se vara el ancho del defecto rectangular cambia el rea total del defecto.
Tambin se observ que el filtro modifica su orden debido a que la capacitancia total se
reduce cuando se separa ms el defecto rectangular.
Otro parmetro importante, que ayuda a controlar la frecuencia de corte y de resonancia,
es el ancho de la ranura diagonal. Cuando se vara el ancho de la ranura se modifica el
valor de la capacitancia ms importante del filtro DGS, debido a que sta es funcin de las
dimensiones fsicas del sistema de conductores y de la permitividad del dielctrico. En las
caras internas de la ranura diagonal el dielctrico es aire. La inductancia total, tiende
57

ligeramente a disminuir cuando se hace ms ancha la ranura diagonal, debido a que el
rea total del defecto se hace mayor.
En la tabla 6.1 se muestra el comportamiento de la frecuencia de corte y resonancia del
filtro DGS desarrollado en este trabajo de tesis, para diferentes dimensiones en los anchos
de los defectos rectangulares y ranura diagonal que los une, tambin se especifican las
zonas que se ven afectadas por las variaciones de dichos efectos.
Tabla 6.1. Resumen del comportamiento de la respuesta en frecuencia respecto a las dimensiones
dominantes dy g.
Dimensin.
Efecto.
Ancho de la ranura diagonal g. Cuando el ancho de la ranura diagonal toma

valores entre
1.1mm y 3.7mm, la frecuencia de
corte se incrementa proporcionalmente en un

intervalo de 2.1GHz y 3.7GHz.
La frecuencia de resonancia se incrementa en un
intervalo de frecuencia 2.7GHz y 4.9GHz, cuando el
ancho de la ranura diagonal toma valores entre
1.1mm y 2.9mm. Para los anchos entre 3.1mm y
3.5mm la frecuencia de resonancia tiene un valor
constante de 5GHz. Si la ranura diagonal tiene
anchos mayores a 3.7mm, la frecuencia de
resonancia tiende a incrementarse abruptamente.
Ancho del defecto rectangular Las grficas de los valores de frecuencia de corte y
d.
resonancia para anchos menores a 1.8mm, se

comportan exponencialmente.
Para anchos mayores a 1.8mm la frecuencia de
corte disminuye proporcionalmente despus de
los 3GHz.
58

El valor de la frecuencia de resonancia para anchos
mayores a 1.8mm disminuye proporcionalmente
despus de un valor de 3.8GHz.
Las dimensiones de los defectos rectangulares para una frecuencia de corte de 2.4GHz son
de 3.021mm y un ancho en la ranura diagonal de 1.7mm en los extremos. Para calcular
los anchos de los defectos rectangulares correspondientes a una frecuencia de corte
deseada, no definida en la tabla 5.1 y que se encuentre en un intervalo de 1.8GHz y 3GHz,
se sugiere seguir los pasos que se describen en el apndice B.
A pesar de que los filtros DGS suelen ser de dimensiones compactas, en la mayora de los
casos reportados en la literatura de filtro con defectos en el plano de retorno de seal o
plano de tierra, la dimensin promedio es de 30mm de largo. Algunos investigadores han
reportado estructuras de hasta 15mm de largo, utilizando defectos con geometra muy
compleja y materiales con caractersticas especiales.
Por lo tanto el filtro DGS
desarrollado en este trabajo de tesis, resulta ser una novedosa propuesta ya que
ajustando algunas dimensiones, se pueden conseguir frecuencias de corte cercanas a los 2
GHz con dimensiones ms pequeas de lo que se ha reportado en la literatura. Los filtros
DGS estudiados recientemente, contienen defectos con diferentes geometras como lo
son: doble campana, punta de flecha, espiral, doble H, forma de T y forma de E, sin
embargo, ninguna de estas configuraciones reportadas puede aproximarse a una
frecuencia de corte de 2.56GHz. Se ha demostrado que utilizando una ranura diagonal es
posible reducir el tamao total del filtro DGS para frecuencias en el intervalo de 2GHz a
4GHz. Para comprender el funcionamiento del mismo, en este trabajo de tesis se propuso
un circuito elctrico equivalente, que representa el comportamiento del filtro DGS
desarrollado en este trabajo de tesis, en un intervalo de frecuencia de 50MHz a 12GHz, a
partir de la solucin del circuito elctrico utilizando las teora clsica de anlisis de circuito
pueden encontrarse las ecuaciones matemticas que describen el comportamiento de la
seal elctrica que se propaga sobre la estructuras del filtro DGS propuesto.
59

6.2 Trabajo futuro.
Los resultados obtenidos en este trabajo de tesis son satisfactorios, puesto que se ha
propuesto un filtro de tamao pequeo con el que se puede lograr tener una frecuencia
de cercana a los 2.4GHz. Para complementar el trabajo desarrollado se sugiere lo
siguiente:
Encontrar las ecuaciones matemticas que permitan relacionar los defectos

en el plano de retorno de seal con la frecuencia de corte y orden del filtro.
Analizar el filtro DGS mediante un algoritmo numrico que permita obtener el

clculo de los valores de cada uno de los elementos que conforman el circuito
elctrico equivalente.
Proponer mtodos de diseo para una serie de especificaciones inciales.
Construir el filtro DGS propuesto con las mismas dimensiones en un sustrato

con diferente constante dielctrica.
Colocar en cascada dos o ms defectos como el que se ha propuesto en este

trabajo de tesis y estudiar su comportamiento y efectividad.
Hacer un anlisis de la impedancia del filtro y la posible radiacin que pudiera

presentar el mismo.
60

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62

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technique, Progress In Electromagnetics Research, PIER 32, 6587, 2001.
63
Apndice A.
Especificacin de variables en el diseo de filtros para
microondas.
Tabla A.1. Parmetros imagen para redes tipo T y .
64

En la siguiente tabla se indican los valores de los coeficientes para una frecuencia de corte
normalizada c = 1 .
Tabla A.2. Valores de las impedancias g k para una respuesta mxima plana.
N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Respuesta mximamente plana (g0=1, c=1, N=1 a 10)

g3
g4
g5
g6
g7
g8
g9
g1
g2
g10
2.0000
1.0000
1.4142
1.4142
1.0000
1.0000
2.0000
1.0000
1.0000
0.7654
1.8478
1.8478
0.7654
1.0000
0.6180
1.6180
2.0000
1.6180
0.6180
1.0000
0.5176
1.4142
1.9318
1.9318
1.4142
0.5176
1.0000
0.4450
1.2470
1.8019
2.0000
1.8019
1.2470
0.4450
1.0000
0.3902
1.1111
1.6629
1.9615
1.9615
1.6629
1.1111
0.3902
1.0000
0.3473
1.0000
1.5321
1.8794
2.0000
1.8794
1.5321
1.0000
0.3473
1.0000
0.3129
0.9080
1.4142
1.7820
1.9754
1.9754
1.7820
1.4142
0.9080
0.3129
g11
1.0000
Tabal A.3. Representacin de las cuatro identidades de Kuroda, donde n 2 = 1 + Z 2 / Z1
65
Apndice B. Mtodo para relacionar el ancho del defecto rectangular y

frecuencia de corte.
En las tablas 5.1 y 5.2 se presentan los valores de la frecuencia de corte correspondientes
a distintos anchos de los defectos rectangulares y ranura diagonal. En la tabla 6.1 se
encuentran definidos los intervalos en los cuales se tiene una proporcin lineal entre el
ancho del defecto y frecuencia de corte, segn se puede analizar en las grficas de las
figuras 5.7 y 5.11.
Debido al proceso de fabricacin comnmente utilizado para construir filtros DGS se tiene
limitaciones mecnicas en la herramienta de corte normalmente usada y resulta
complicado modificar el ancho de la ranura diagonal del plano de retorno del filtro DGS
desarrollado en este trabajo de tesis. Debido a esta razn se sugiere que el ancho de la
ranura diagonal se pueda tomar como un parmetro constante con un valor de 1.7mm, el
cual es el mnimo valor que se obtiene con un cortador de 1/64 pulgadas. Para construir
una Filtro DGS como el que se presenta en este trabajo de tesis con una frecuencia de
corte deseada Fx contenida en un intervalo de 3GHz y 1.8GHz, que no se encuentre
definida en la tabla 5.1, se sugiere seguir los siguiente pasos:
1.- Ubicar en la tabla 5.1 el valor de la frecuencia inferior (F1) prxima a Fx; tomar el valor
correspondiente del ancho del defecto rectangular para esa frecuencia (d1).
2.- Ubicar en la tabla 5.1 el valor de la frecuencia superior (F2) prximo a Fx; tomar el valor
correspondiente del ancho del defecto rectangular para esa frecuencia (d2).
3.- Utilice la siguiente frmula para calcular el ancho del defecto rectangular para Fx;
d2 - d1
(Fx - F1 ) +d1 =x
F2 - F1
Donde
x: el ancho en milmetros del defecto rectangular para una frecuencia de corte
deseada Fx.
66
Apndice C. Calibracin del analizador de redes vectorial HP 8510.

La calibracin del instrumento de medicin se hace bajo los siguientes pasos:
1. Colocar en unos de los puerto del instrumento un cable coaxial N-macho SMAmacho y en el otro un conector convertidos de N a SMA.
2. Presionar el botn S21.
3. Presionar el botn Menu y n la pantalla se desplegar un men de color verde,
seleccionar Pow Menu, y se desplegar otro men dentro de la pantalla del
analizador y posteriormente seleccionar Power y ahora presiona 0 y despus X1, y
se desplegar en la pantalla del instrumento 0 dB.
4. Para fijar frecuencia de inicio se presiona el botn START y con el teclado numrico
se escribe la frecuencia que se desee y posteriormente se presiona el botn de las
unidades correspondientes. Despus presionamos el botn STOP y nuevamente
con el teclado numrico se escribe la frecuencia mxima a la cual se quiere llevar a
cabo la medicin y se presiona el botn correspondiente a las unidades de
frecuencia deseadas.
5. Con un barril SMA conectemos el cable coaxial y el conector convertido que esta
conectado a los puestos del instrumento.
6. Es recomendable verificar que existe un lugar disponible en la memoria del
instrumento para guardar la calibracin. Se presiona CAL y se desplegara un men
de color verde en la pantalla de analizador y presionar More, despus se presiona
DELETE CAL SET y se desplazara un ltimo men y presionar CAL Set*1, lo cual
indica que la calibracin ser guardada en la memoria 1 del instrumento.
7. Para calibrar, se presiona el botn CAL, despus se desplegar un men de color
verde, se presiona CAL 1: 7m A.1 y se presiona CALIBRATE: RESPONSE, se
desplegar otro men y la opcin THRU. Se subrayar cuando est listo, se
presiona DONE RESPONSE y aparecer en la pantalla del instrumento CORRECTION
ON y despus de unos segundos la palabra ON se subrayar, lo cual indica que la
correccin de calibracin se hizo de manera apropiada.
67

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INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA

Desarrollo de un filtro para microondas utilizando defectos

Que para obtener el Grado de:

MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELECTRNICA

Dr. Ral Pea Rivero

MEXICO, D.F. MAYO 2010.

Seccin de Estudio de Posgrado e Investigacin

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mejorando sus caractersticas, como lo son: mejor funcionamiento, tamao (pequeo),

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debidas a el mismo. En varias publicaciones se han presentado

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Mtodos de diseo de filtros para microondas.

1.2.1. Estructuras peridicas.

1.2.2.Diseo de filtros para microondas aplicando el mtodo de

1.2.3. Prdidas por insercin.

1.2.3.1. Diseo del filtro prototipo pasa-bajas.

1.2.3.2. Escalamiento de frecuencia e impedancia.

1.2.4. Transformacin de Richard.

1.2.5 Identidades de Kuroda.

1.3 Introduccin a los metamateriales.

Seccin de Estudio de Posgrado e Investigacin

2.2. Propagacin y radiacin de una microcinta.

2.3. Plano de retorno de seal.

2.4. Retorno ideal.

2.5 Retorno no ideal.

2.6 Caractersticas de los retornos no ideales.

Captulo 3. Filtro con defectos en el plano de retorno de seal (DGS).

3.2. Filtro DGS supresor de banda.

3.3. Filtro DGS pasa-banda.

3.4. Circuito elctrico equivalente tpico de un filtro DGS.

3.5. Propuesta de un filtro DGS con defectos rectangulares y ranura diagonal.

Captulo 4. Simulacin de estructuras electromagnticas.

4.2. Descripcin del mtodo de integracin finita.

4.3. Simulacin de estructuras electromagnticas utilizando

4.3.1. Especificacin de unidades.

4.3.2. Definicin del material del dominio computacional.

4.3.3. Modelado de estructuras.

4.3.4. Definicin del intervalo de frecuencia.

4.3.5. Colocacin de puertos.

4.3.6. Definicin de condiciones de frontera.

Seccin de Estudio de Posgrado e Investigacin

5.2. Medicin de las prdidas por insercin y prdidas por retorno.

5.3. Comparacin de resultados simulados con los medidos.

5.4. Caracterizacin del filtro DGS para diferentes anchos

5.5. Caracterizacin del filtro DGS para diferentes anchos

5.6 Propuesta de un circuito elctrico equivalente.

Captulo 6. Conclusiones y trabajo futuro.

6.2 Trabajo futuro.

Apndice A. Especificacin de variables en el diseo de filtros

Apndice B. Mtodo para relacionar el ancho del defecto

Apndice C. Calibracin del analizador de redes vectorial HP 8510.

Tabla 3.2. Dimensiones de los parmetros para la celda DGS

Seccin de Estudio de Posgrado e Investigacin

Tabla 5.2. Datos obtenidos por simulacin, para distintos anchos g, de la

Tabla 5.3. Valores de prueba para los capacitores.

Tabla 5.4. Valores de prueba para los inductores.

Figura 1.2. Procedimiento de diseo de un filtro por el mtodo de

Figura 1.3. Prototipo de un circuito pasa-banda.