ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES
EXMEN PARCIAL
DATOS INFORMATIVOS
ASIGNATURA
ESTUDIANTE
CDIGO
SEMESTRE
ESCUELA
PROFESOR

Electrnica I
talo Fernando Parreo Saicela
560
Quinto A
Ingeniera Electrnica en Telecomunicaciones y Redes
Ing. Irene Tustn Torres

Conteste las siguientes interrogantes:

1. Defina un material intrnseco y un material extrnseco.
Material intrnseco: un semiconductor intrnseco se produce cuando pasa por
un proceso de purificacin es decir dejar las impurezas en una cantidad muy
baja.
Material extrnseco: es un material semiconductor que ha sido sometido al
proceso de dopado.
2. Mediante un grfico explique los Niveles de Energa de un aislante, conductor y
semiconductor.

3. Escriba 5 diferencias entre un material tipo n y un material tipo p.

Material tipo n
-

Impurezas que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes)

Impurezas son llamadas tomos donadores.
Portadores mayoritarios electrones.
Portadores minoritarios huecos.

Material tipo p
-

Impurezas que contienen tres electrones de valencia (trivalentes)

Impurezas son llamadas tomos receptores.
Portadores mayoritarios huecos.
Portadores minoritarios electrones.

4. Defina qu es un diodo semiconductor.

Un diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo n y un material tipo p.

5. Con ayuda de un grfico

de un diodo semiconductor de silicio.

6. Determine la corriente

I D en un diodo de silicio, a 20 C, con

un voltaje de 0,6 v.

I D =I D (e
V T=

VD
nVT

explique los Estados de Polarizacin

1)

23
kT ( 1.3810 ) 293
=
=0.025V
q
1.61019

I S=50 nA

0.6
9

I D =(5010 )(e 2 (0.025) 1)

I D =7.154 mA

7. Explique cul es la diferencia entre las caractersticas de un interruptor simple

con las de un diodo ideal.
La diferencia ms importante entre las caractersticas de un diodo y un
interruptor simple, es que el interruptor, siendo mecnico, es capaz de conducir
la corriente en cualquier direccin, mientras que el diodo permite que la carga
fluya a travs del elemento en una direccin, es decir la direccin definida por
la flecha del flujo de corriente.
8. Calcule las resistencias cd y ca del diodo de la figura, con una corriente en
directa de 10 mA y compare sus magnitudes.

Forma 1
rd =

V d 0.79 V 0.76 V 0.03 V

=
=
=3
Id
15 mA5 mA
10 mA

Forma 2
rd =

V d 26 mV
=
=2.6
I d 10 mA

Resistencia esttica cd
Rcd =

V d 0.76 V
=
=76
I d 10 mA

Por lo tanto
R DC r d

9. Calcule y grafique la resistencia de ca promedio en la regin [0,6v 0,9v] y

[1,2mA 13,5mA].

r promd =

V d
Id

r promd =

0.9 V 0.6V
13.5 mA 1.2mA

r promd =

0.3 V
=24.39 mA
12.3 mA

10. Complete la siguiente tabla con los modelos de Circuitos Equivalentes de un

diodo.
Tipo

Condiciones

Modelo
Lineal
por
Segmen
tos

Modelo
Simplific
ado

Rrd r prom

Modelo

Caractersticas

Dispositi
vo Ideal

R r prom
E V K

11. Recurriendo a la figura determine:

a) La capacitancia de transicin con potenciales de polarizacin en inversa

de -25 v y 10 v.

V R =25V

V R =25V

CT =0.75 pf
CT =1.25 pf

CT 1.25 pf 0.75 pf 0.5 pf

=
=
=0.033 pf /V
VR
10 V 25 V
15 V
b) La capacitancia de difusin con 0 v y 0.25 v.

V D =0 V
V D =0.25 V

C D =3.3 pf

:
:

C D =9 pf

12. Determine cmo surge el Tiempo de recuperacin en inversa.

El tiempo de recuperacin en inversa es la suma de estos dos intervalos:

t rr =t s +t t
13. Trace la curva caracterstica de un Diodo Zener, con las siguientes
caractersticas: