Algunas aplicaciones de los transistores

Al transistor se lo puede montar en emisor comn (EC), base comn (BC) o colector
comn (CC). Cada una de estas configuraciones posee ventajas y desventajas una
respecto de las otras, siendo la de emisor comn la ms recurrida a la vez que es la de
mejor respuesta en la mayor parte de las aplicaciones.
Cada configuracin obtiene diferentes coeficientes de ganancia en tensin (GV), as
como diferentes impedancias tanto de entrada como de salida.
A continuacin vemos un resumen de las principales caractersticas de cada uno de los
tres posibles montajes:
Montaje

G. V. Desfasaje (V) Ze

Zs

E. C.

Alta

180

media

media

B. C.

Alta

baja

alta

C. C.

<1

alta

baja

El montaje en Base Comn posee una mayor ganancia de tensin frente a los otros dos.
Tambin tiene baja impedancia de entrada, lo que lo hace bastante inadecuado para
operar en circuitos de baja frecuencia (B. F.).
Con un montaje en Colector Comn logramos una muy baja distorsin sobre la seal de
salida y, junto con el montaje en Base Comn, es bastante idneo a la hora de disear
adaptadores de impedancia.
Amplificacin:
Es la aplicacin prctica mas importante para la que se usan los transistores. El
diagrama muestra una etapa amplificadora en emisor comn:

El transistor ha sido polarizado por medio de polarizacin por divisin de tensin.

Como sabemos, un capacitor en altas frecuencias se comporta como un cortocircuito

mientras que a bajas frecuencias la misma aumenta hasta comportarse como un circuito
abierto para C.C.
Vindolo desde este punto de vista conviene analizar al amplificador en dos etapas, una
desde el punto de vista de la C.A. y el otro desde el punto de vista de la C.C.
Con esta subdivisin podremos analizar al circuito mediante dos circuitos mas sencillos,
con lo cual, gracias a la teora de la superposicin, lo que ocurrir ser que la respuesta
total resultar de la suma de los datos obtenidos en los dos circuitos en que
descompusimos al original.
Comenzaremos el anlisis en el dominio de la C.C., para ello seguimos los siguientes
pasos:
1) Se cortocircuita el generador de entrada de alterna.
2) Se consideran los capacitores como circuitos abiertos.
3) Se analiza este circuito resultante.
Abriendo C1, C2 y C3 y cortocircuitando al generador de entrada en nuestro circuito
obtenemos el circuito resultante que vemos a continuacin:

Ahora, y con las referencias ya explicadas, se procede a la resolucin del circuito

resultante. Con estos datos obtenemos el punto de polarizacin (Q).
Para el anlisis en C.A. recurrimos a las siguientes reglas:
1) Se cortocircuita la fuente de tensin de C.C.
2) Se considera a los capacitores como circuitos cerrados (cortocircuitos).
3) Se estudia el circuito resultante.
En la figura vemos de que forma hemos procedido para obtener el circuito
resultante:

Los capacitores han desaparecido del circuito hacindose cortocircuitos, la resistencia

R4 desaparece por estar en paralelo con un cortocircuito, las resistencias R1 y R3 estn
ahora en paralelo, con lo cual obtenemos Ra. Con las resistencias de salida ocurre lo
mismo, y obtenemos Rb.
Para terminar con nuestro anlisis debemos suponer que ahora aplicamos una seal al
circuito y veremos cmo vara el punto Q
En la figura vemos un ejemplo, donde se muestra el punto Q en ausencia de seal y
cmo vara con la aplicacin de una seal de entrada.

Se ve que la seal Ie no es una correspondencia directa de la aplicada en la base del

transistor dado la curvatura de la grfica de la caracterstica del transistor.
Es importante verificar bien el lugar de ubicacin del punto Q, dado que si queremos
que el transistor opere en la zona activa y polarizamos a ste en un punto Q cercano a la
zona de saturacin, corremos el riesgo de que cuando le aplicamos una seal de entrada,
Q se desplace hacia la zona de saturacin, dejando la zona activa. Para evitar este

problema conviene analizar siempre antes la variacin de Q en nuestro transistor y

verificar que no salga de la regin donde queremos que trabaje.
Otra familia de transistores muy importante es la de los de efecto de campo, de los
cuales es parte el FET. Los mismos realizan la funcin de control de la corriente
mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales.
Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une los dos terminales
(Fuente y Drenador), a esta regin se la llama canal y sobre sta existe otra con signo
opuesto que se conecta a la puerta, entre ambas se forma una unin PN o NP, segn sea
su topologa. Este conjunto est montado sobre un semiconductor con igual signo al de
la puerta. Cuando se aplica una tensin entre Drenador y Fuente, habr circulacin de
corriente por el canal.
El control de dicha corriente se har con una tensin variable que es aplicada a la
puerta, ya que, al aplicar dicha tensin, las uniones P-N se polarizan en forma inversa,
haciendo que el canal se haga ms delgado y, por consiguiente, aumente la resistencia
de ste, generando as una variacin de la corriente circulante por l.
Como esta corriente de Puerta ser extremadamente dbil debido a que se trata de una
unin polarizada en inversa, ser posible variar la corriente que circula por el transistor
sin que sea necesario absorber corriente de l.
Tambin la familia de transistores MOS o MOSFET (Metal, Oxido, Semiconductor) es
parte de los transistores de efecto de campo.
Este tipo de transistor es fabricado partiendo de un semiconductor tipo P en el que se
difunden dos regiones tipo N que forman la fuente y el Drenador, y, encima de la
superficie de estos, se aplica una capa de dixido de silicio (SiO2), que tiene la
propiedad de ser muy aislante, sobre la que est situada la Puerta. Entre Fuente y
Drenador tambin existir un canal similar al del tipo FET, cuya resistencia y anchura
ser controlada con la tensin de puerta.
En las curvas caractersticas de los transistores de efecto de campo se representa la
corriente de Drenador (ID) en funcin de la tensin aplicada entre Drenador y Fuente
(VDS). Como en el caso de la transferencia de los transistores bipolares, se traza una
curva para cada uno de los valores de VGS deseados. Tambin en estas curvas se
observan dos zonas; desde el origen la corriente crece con la tensin, pero alcanzado
cierto valor Vp, se hace constante y se forma a partir de all la segunda zona, a estas dos
zonas se las llama regin lineal a la primera y regin de saturacin a la ltima.

Este tipo de transistores pueden ser utilizados en los circuitos en una disposicin similar
a la de los bipolares, es decir: Fuente comn, Puerta comn y Drenador comn, aunque
la primera y la ltima son las ms utilizadas en la prctica.