ELECTRONICA INDUSTRIAL

Electrnica de Potencia
1.1.- Introduccin
La Electrnica de Potencia es la parte de la electrnica que estudia los
dispositivos y los circuitos electrnicos utilizados para modificar las
caractersticas de la energa elctrica, principalmente su tensin y frecuencia.
Esta rama de la electrnica no es reciente, aunque podemos decir que su
desarrollo ms espectacular se produjo a partir de la aparicin de los
elementos semiconductores, y ms concretamente a partir de 1957, cuando
Siemens comenz a utilizar diodos semiconductores en sus rectificadores.
El elemento que marca un antes y un despus es sin duda el Tiristor (SCR:
Rectificador Controlado de Silicio). A partir de aqu, la familia de
semiconductores crece rpidamente en cuanto a cantidad y prestaciones de los
nuevos dispositivos, entre los cuales podemos citar a los transistores bipolares,
Mosfet de potencia, GTO, IGBT, etc. y gracias a los cuales, las aplicaciones de
la electrnica de potencia se han multiplicado.
Una nueva dimensin de la electrnica de potencia aparece cuando el mando
de los elementos de potencia se realiza mediante la ayuda de sistemas
digitales (microprocesadores, microcontroladores, etc). Esta combinacin
deriv en una nueva tecnologa, que integra en un mismo dispositivo,
elementos de control lgicos o analgicos y elementos de potencia. Esta
tecnologa es conocida como Smart - Power y su aplicacin en industria,
automovilismo, telecomunicaciones, etc. tiene como principal lmite la
disipacin de elevadas potencias en superficies semiconductoras cada vez ms
pequeas.

1.2.- Concepto de Electrnica de Potencia

El trmino Electrnica de Potencia cubre una amplia serie de circuitos
electrnicos en los cuales el objetivo es controlar la transferencia de energa
elctrica. Se trata por tanto de una disciplina comprendida entre la
Electrotcnia y la Electrnica, y en ella se destacarn dos lneas de estudio:
- De componentes
- De estructuras
En el proceso de conversin de la naturaleza de la energa elctrica, toma vital
importancia el rendimiento del mismo. La energa transferida tiene un valor
elevado y el proceso debe realizarse de forma eficaz, para evitar que se
produzcan grandes prdidas. Trabajamos con tensiones e intensidades
elevadas, lo que conllevara una elevada prdida de potencia si trabajsemos
en la zona lineal de los semiconductores, sobrepasando en la inmensa mayora
de los casos las caractersticas fsicas de los mismos, llegando a considerables
prdidas econmicas y materiales.
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Parece claro que deberemos trabajar en conmutacin.

Podemos destacar dos procedimientos para la conversin de la energa
elctrica, segn se trate de pequea o gran potencia; Para el primer caso,
partimos de pequea seal la cual es amplificada dentro de un sistema
alimentado por una fuente auxiliar, obteniendo una seal tratada a la salida de
dicho sistema. Para el segundo caso (gran potencia), partimos de una seal de
gran potencia, que es tratada en un sistema cuyo control corre a cargo de una
seal llamada de control o cebado, obteniendo a la salida del sistema una
seal cuya potencia ha sido modificada convenientemente.
El dispositivo bsico de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados bien diferenciados, uno de alta impedancia
(idealmente infinita), que caracteriza el estado de bloqueo y otro de baja
impedancia (idealmente cero) que caracteriza el estado de conduccin.
Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeas cadas de
tensin en estado de conduccin y grandes tensiones con pequeas
corrientes de fugas cuando se encuentra en estado de alta impedancia.
Controlabilidad de paso de un estado a otro con relativa facilidad y poca
potencia.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro y capacidad
para poder trabajar a frecuencias considerables.
De los dispositivos electrnicos que cumplen los requisitos anteriores, los ms
importantes son el transistor de potencia y el tiristor. Estos dispositivos tienen
dos electrodos principales y un tercer electrodo de control. Muchos circuitos de
potencia pueden ser diseados con transistores, siendo intercambiables entre
s en lo que se refiere al circuito de potencia exclusivamente y siendo diferentes
los circuitos de control segn se empleen transistores o tiristores.

1.3.- Proceso tecnolgico de los dispositivos semiconductores de

Potencia
Durante los aos setenta, los tiristores, los GTO (tiristor bloqueable por puerta
<Gate Turn Off>) y los transistores bipolares constituan los dispositivos de
potencia primordiales, mientras que los transistores MOSFET eran todava
demasiado recientes para participar en las aplicaciones de potencia. Los
tiristores y transistores bipolares de aquella poca podan conmutar a
frecuencias entre 1 y 2KHz en circuitos convertidores.

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Durante los aos ochenta los mayores avances fueron:

* Reduccin de la resistencia en conmutacin de los transistores MOSFET.

* Aumento de la tensin y la corriente permitida por dispositivos GTO.
* Desarrollo de los dispositivos hbridos MOS-BIPOLAR tales como los IGBT.
* Incremento de las prestaciones de los circuitos integrados de potencia y sus
aplicaciones.
Se imponen los dispositivos mosfet, ya que poseen una mayor velocidad de
conmutacin, un rea de operacin segura ms grande y un funcionamiento
ms sencillo, en aplicaciones de reguladores de alta frecuencia y precisin para
el control de motores.
Los GTO son empleados con asiduidad en convertidores para alta potencia,
debido a las mejoras en los procesos de diseo y fabricacin que reducen su
tamao y mejoran su eficiencia. Aparecen los IGBT, elementos formados por
dispositivos bipolares y dispositivos MOS, estos dispositivos se ajustan mucho
mejor a las tensiones altas y a las grandes corrientes que los mosfet son
capaces de conmutar a velocidades ms altas que los transistores bipolares.
Los IGBT pueden operar por encima de la banda de frecuencia audible, lo cual
facilita la reduccin de ruidos y ofrece mejoras en el control de convertidores de
potencia.
A mediados de los aos ochenta aparecen los dispositivos MCT que estn
constituidos por la unin de tiristores y mosfet.
En la dcada de los noventa los tiristores van quedando relegados a un
segundo plano, siendo sustituidos por los GTO. Se incrementa la frecuencia de
conmutacin en dispositivos mosfet e IGBT, mientras que los transistores
bipolares son gradualmente reemplazados por los dispositivos de potencia
anteriores. Los I.C. (circuitos integrados) de potencia tienen una gran influencia
en varias reas de la electrnica de potencia.
Para concluir; podemos afirmar que las tendencias conducen a fabricar
dispositivos con mayores velocidades de conmutacin, con capacidad para
bloquear elevadas tensiones, permitir el paso de grandes corrientes y por
ltimo, que tengan cada vez, un control ms sencillo y econmico en consumo
de potencia.

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Uso de semiconductores en los 90

Bibliografa:
RASHID, M.H.: Power Electronics: Devices and Applications. Ed.
Prentice Hall International Editions, 1993.
FISHER, M.J.: Power Electronics. Ed. Pws-Kent Publishing Company.
Boston, 1991.

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