INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

UNIDAD ZACATENCO

" Tabla comparativa de memorias Ram y ROm "

MICROPROCESADORES

Alumno: Marin Ocampo Jorge Armando

Grupo: 6CV3

Tipo de memoria
SRAM

TIEMPO DE
ACCESO
20-12 ns

CAPACIDAD

VENTAJAS

DESVENTAJAS

32Kx8 de 28 pines

-La velocidad de acceso es alta.

-Menor capacidad,

-Para retener los datos solo

necesita estar energizada.
-Son mas fciles de disear.

DRAM

64, 128 256 Mb

-Mayor densidad y capacidad.

-Menor costo por bit.
-Menor consumo de potecia

FPM DRAM

70 - 60 ns

72contactos (32bits)

Es la memoria ms comn y la
que utiliza la tecnologa ms
vieja.

EDO RAM

45 ns

168 contactos(32bits)

Su compatibilidad es muy alta.

utiliza la misma tecnologa que
la FPM con una ligera
modificacin en el ciclo de
acceso que aumenta su
desempeo de un 5% a 20%.

SD DRAM

25-10 ns

DDRS DRAM

2-5 ns

1600 MB/s (1,6 GB/s)

Sus principales ventajas son

una tasa ms alta de
frecuencias de reloj y de
transferencias de datos (2133 a
4266 MT/ cada controlador de
memoria est conectado a un
mdulo nico.
puede leer datos en los ejes de
subida y bajada de la seal de
reloj, Bsicamente esto
permite que un mdulo de
DDR RAM pueda transferir
datos al doble de velocidad

debido a que cada celda

de almacenamiento
requiere mas
transistores.
-Mayor costo por bit.
-Mayor consumo de
potencia
-La velocidad de acceso
es baja.
-Necesita recarga de la
informacin almacenada
para retenerla(refresco).
-Diseo complejo
sus limitaciones tcnicas
como el puerto simple,
que slo permita un
acceso de 16 bits a la
vez, as como su baja
velocidad de operacin
dieron pie a la creacin
de nuevas tecnologas
con mayor velocidad
no ofrece una mejora
significativa sobre la
FPM y existen
tecnologas especficas
para video que si bien
eran ms caras,
igualmente ofrecan un
mayor desempeo.
No es compatible con
versiones anteriores por
diferencias en los
voltajes, interfaz fsica y
otros factores.

No hay una
reduccin en
la latencia, la cual
es
proporcionalmente
ms alta.

SLDRAM
DRDRAM

1.25 ns
2 ns

64 bits

Evita los cuellos de botella

entre la tarjeta grfica y la
memoria principal durante el

acceso directo a memoria para

el manejo de las texturas
grficas.

Memorias Ram

Memorias Rom
NOMBR
E
MROM

TIEMPO DE
ACCESO

CAPACIDAD

PROM

EPROM

150/250 ns

2048 x 8 (bits)

EEPRO
M

120/150/200 ns

8192 x 8 (bits)

VENTAJAS

DESVENTAJAS

La informacin contenida
en su interior se
almacena durante su
fabricacin y no se puede
alterar.
Son ideales para
almacenar
microprogramas,
sistemas operativos,
tablas de conversin y
caracteres.
No se programa durante
el proceso de fabricacin,
sino que la efecta el
usuario.
Se puede borrar y volver
a grabar varias veces.
El tiempo de
almacenamiento de la
informacin es de
aproximadamente 10
aos.

El proceso de fabricacin
es muy caro.

Es programable y
borrable elctricamente.
La capa aislante de las
celdas de memoria es
ms delgada y no es
fotosensible.
El borrado de la memoria
se efecta aplicando
tensiones negativas
sobre las compuertas
para liberar la carga
elctrica almacenada en
ellas.
Las palabras
almacenadas en memoria
se pueden borrar de
forma individual.
No se requiere luz
ultravioleta para borrar la
informacin.
Norequieren
programador.
Se pueden reescribir
aproximadamente unas
1000 veces.
El tiempo de
almacenamiento de la
informacin es de
aproximadamente 10
aos.

No se puede borrar o
volver a almacenar
informacin.
El proceso de
programacin tarda
varios minutos.
Se debe sacar del circuito
para poder borrarlas.
Se debe borrar todo el
chip.
El proceso de borrado se
toma entre 15 y 30
minutos.
Al ser su estructura ms
complejas tambin son
ms caras.

FLASH

32768 x 8 (bits)

90/100/120/150
ns

Se puede programar y
borrar elctricamente.
Alta capacidad para
almacenar informacin.
Fabricacin sencilla.

Son memorias borrables

elctricamente como las
EEPROM, pero con
borrado total de la
misma.