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1. INFORMACIN GENERAL
FACULTAD
ESCUELA
CARRERA
SEDE
MODALIDAD
SLABO DE
NIVEL
PERODO
ACADMICO
REA
BSICA ESPECFICA
NMERO DE HORAS
SEMANAL
5
INFORMTICA Y ELECTRNICA
ESCUELA DE INGENIERA EN ELECTRNICA
TELECOMUNICACIONES Y REDES
INGENIERA ELECTRNICA , TELECOMUNICACIONES Y REDES
MATRIZ ESPOCH
PRESENCIAL
ELECTRNICA I
QUINTO
ABRIL 2015 AGOSTO 2015
CDIGO
IT05EO2
NMERO DE CRDITOS
5
PRERREQUISITOS
CORREQUISITOS
IT03EO3
2. DESCRIPCIN DE LA ASIGNATURA
2.1.
2.2.
CONTRIBUCIN
PROFESIONAL
DE
LA
ASIGNATURA
EN
LA
FORMACIN
DEL
4. CONTENIDOS
UNIDADES
OBJETIVOS
Diodos semiconductores
Conocer el funcionamiento
de
los
materiales
semiconductores
y
su
efecto en una seal en la
entrada de un circuito
Identificar el punto de
funcionamiento del diodo
mediante la recta de carga.
Conocer
las
distintas
configuraciones con diodos
y sus distintos efectos en la
seal de entrada de un
circuito.
Identificar
el
comportamiento de los
diodos cuando estos son
utilizados
como
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TEMAS
Introduccin
Materiales
semiconductores: Ge, Si
y GaAs
Niveles de energa
Materiales tipo n y tipo p
Diodo semiconductor
Lo ideal vs. lo prctico
Niveles de resistencia
Circuitos
equivalentes
del diodo
Prueba de un diodo
Diodos Zener
Diodos emisores de luz
Anlisis
mediante
la
recta de carga.
Configuraciones
de
diodos:
o Configuraciones
de
diodos en serie
o Configuraciones
en
paralelo y en serieparalelo
recortadores y sujetadores.
Identificar
el
comportamiento
de
un
diodo zener.
Transistores
Bipolar
de
Unin
Polarizacin de DC-BJT
Conocer el funcionamiento
transistores
y
su
comportamiento
en
distintas regiones.
Identificar
las
distintas
configuraciones
de
los
transistores
y
sus
respectivos efectos.
Aprender a utilizar el
transistor
en
la
amplificacin de una seal.
Conocer el funcionamiento
en DC de los transistores.
Identificar el punto de
operacin dentro de los
lmites de operacin de un
transistor.
Aprender a realizar las
diversas operaciones de
diseo e identificar su
utilidad.
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de corriente
Conocer el funcionamiento
caractersticas
y
construccin de los JFET.
Identificar los distintos tipos
de
MOSFET
y
su
funcionamiento.
Identificar y aprender el
funcionamiento
de
los
VMOS y CMOS
Introduccin
Construccin
caractersticas de
JFET.
Tipos de MOSFET.
VMOS.
CMOS.
Conocer el funcionamiento
del FET.
Identificar
las
distintas
configuraciones
y
sus
funcionalidades.
Conocer el funcionamiento
de los MOSFET.
Introduccin
Configuraciones:
o Configuracin
de
polarizacin fija
o Configuracin
de
auto polarizacin
o Configuracin
en
compuerta comn
Polarizacin por medio
del divisor de voltaje
MOSFET.
Modelaje de transistores
Conocer la forma de
modelar los transistores.
Aprender
a
realizar
amplificacin en el dominio
AC.
Identificar el modelaje de
los
transistores
y
la
utilizacin
de
sus
parmetros, as como sus
aplicaciones
Introduccin
Amplificacin
en
el
dominio AC.
Modelaje
de
los
transistores BJT.
Parmetros: Zi, Zo ,Av, Ai
Transistores de efecto de
campo
y
los
5. ESTRATEGIAS METODOLGICAS
Para el desarrollo de la presente asignatura se utilizan los mtodos investigativos,
bsqueda parcial y conversacin heurstica.
Se fomenta y se fortalece el trabajo en equipo con diversas actividades de talleres
en clase.
Se incentiva la participacin individual activa de los estudiantes realizando
preguntas y analizando cada una de las respuestas de los mismos con relacin a
los conceptos analizados, valorando as sus criterios y obteniendo conclusiones
tiles para el anlisis de diversos problemas.
Se incentiva la escritura de documentos tcnicos con formatos y normas
internacionales.
6. USO DE TECNOLOGAS
El proceso educativo se desarrolla con la ayuda de:
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CONTRIBUCION
(ALTA,MEDIA,
BAJA)
MEDIA
Aplicar
los
conocimientos
adquiridos para poder comprender,
analizar
y
disear
circuitos
electrnicos.
MEDIA
MEDIA
MEDIA
e. Trabajar efectivamente en
equipo y lograr un buen
desempeo profesional.
BAJA
f.
Tomar
decisiones
con
responsabilidad tica, legal,
sustentable y social de la
profesin.
BAJA
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g. Incentivar
un
continuo
desarrollo profesional y
personal a lo largo de su
vida.
MEDIA
h. Identificar
la
realidad.
Nacional, mundial y su
vinculacin con el ejercicio
de su profesin
MEDIA
Construir
continuamente
sus
conocimientos de acuerdo a los
avances tecnolgicos, para as
poder cubrir las necesidades del
mercado utilizando tecnologa de
punta.
Identifica la realidad Nacional y
Mundial, para poder insertarse
correctamente como profesional en
cada una de las situaciones que se
le presenten.
8. AMBIENTES DE APRENDIZAJE
Las clases de la asignatura de Electrnica I se realizaran en el aula asignada por
la Escuela de Ingeniera Electrnica en telecomunicaciones y redes,
Se utilizara el aula virtual donde los alumnos podrn acceder a los libros
utilizados como bibliografa, las prcticas de laboratorio en formato digital y subir
sus tareas; adicionalmente se dispone de un foro donde cada estudiante puede
colocar preguntas, o temas relacionados con la asignatura que le gustara tratar,
cada uno de estos temas son respondidos por el docente y los dems alumnos
que deseen participar.
La organizacin de las actividades se distribuir entre clases tericas, talleres
grupales, tareas de investigacin, exposiciones de trabajos de alumnos a sus
compaeros de aula, donde en cada una de estas actividades se da la
oportunidad a los estudiantes de participar con preguntas y lluvia de ideas.
De esta manera se logra un ambiente de aprendizaje ptimo, donde los alumnos
dejan de ser solo receptores y pasan a ser participantes dentro de la asignatura.
10.
PRIMER
PARCIAL
5
SEGUNDO
PARCIAL
7
TERCER
PARCIAL
6
1
1
1
1
1
1
1
8 PUNTOS
10 PUNTOS
10 PUNTOS
BIBLIOGRAFA
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EVALUACIN
PRINCIPAL
12
12 PUNTOS
SUSPENSIN
20
20 PUNTOS
BSICA
BOYLESTAD Robert, NASHELSKY Louis. Electrnica: Teora de Circuitos. Edit. Printice
Hall S.A.2009.
INFANTE Pedro. Circuitos II. Teora y Circuitos. ESPOCH.2007.
COMPLEMENTARIA
Angulo Usategui Jos Mara, y otros: Electrnica Analogica y Microprogramable,
Thomson Paraninfo, 2007, 262pp.
Garza Garza Juan ngel: Sistemas Digitales y Electrnica Digital: Prcticas de
Laboratorio, Pearson Educacin, 2006, 332pp.
LECTURAS RECOMENDADAS
HAYT William, KEMMERLY Jack. Anlisis de circuitos en ingeniera. Quinta Edicin. Edit.
Mc Graw-Hill.1996
L. F., Idrobo, Patio M. M., and Racedo F. "COMPARACIN DEL COMPORTAMIENTO
ELCTRICO DE DIODOS TIPO SCHOTTKY DE LA FORMA Ag-Si y Ag-(P)Si-Si.
(Spanish)." Revista Colombiana De Fsica 38, no. 1 (January 2006): 137-140. Academic
Search Complete, EBSCOhost (accessed March 5, 2013).
Douseki, Takakuni, and Shin-ichiro Mutoh. "Static-Noise Margin Analysis for a Scaled-Down
CMOS Memory Cell." Electronics & Communications In Japan, Part 2: Electronics 75, no.
11 (November 1992): 102. Academic Search Complete, EBSCOhost (accessed March 5,
2013).
Marco Rodrguez, et al. "Simulacin Esttica y Dinmica de un Modelo Fsico del Diodo PiN
en Carburo de Silicio. (Spanish)." Informacin Tecnolgica 21, no. 5 (September 2010): 4550. Academic Search Complete, EBSCOhost (accessed March 5, 2013)..
WEBGRAFA
http://www.comunidadelectronicos.com/
http://www.spectrum.ieee.org
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LUGAR Y FECHA DE
PRESENTACIN
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