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DE DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS
Y FOTONICOS.
INGENIERIA ELECTRONICA
Juan Antonio Jimenez Tejada
Manual de practicas
Indice
1. DETERMINACION
DE LA VIDA MEDIA DE PORTADORES MINORITARIOS
1
DE PARAMETROS
4. EXTRACCION
DE SPICE. DIODO.
DE PARAMETROS
5. EXTRACCION
EN UN
TRANSISTOR BIPOLAR
10
7. ANALISIS
DE PARAMETROS
DE UN MOSFET
16
8. CARACTER
ISTICA C-V EN ALTA FRECUENCIA DE LA ESTRUCTURA MOS
19
9. METODO
C-V EN ALTA FRECUENCIA PARA EL ESTUDIO DE
21
LOS ESTADOS SUPERFICIALES DE LA INTERFACE SiO2 -Si
Transparencias
1.
DETERMINACION
DE LA VIDA MEDIA DE
PORTADORES MINORITARIOS
+ VD
Vi
VF
Vi
RC
-VR
FUNDAMENTO TEORICO
Si un diodo esta polarizado en directa mediante una
fuente de alimentacion de valor VF y una resistencia en serie R, y de forma brusca se
cambia el valor y el sentido de esta fuente de tension a VR , el diodo evoluciona hacia
inversa, hacia el estado estacionario. Para estudiar dicha evoluci
on debemos jarnos en la
carga almacenada en exceso en las zonas neutras de la union. Consideraremos una union
p+ -n y por tanto nos jaremos solo en el almacenamiento de huecos en la zona neutra n
(Fig 2a).
p n
t=0
0<t<ta
t=ta
(A)
p n
t=0
0<t<ta
t=ta
t64
t64
(B)
Figura 2: Evolucion del exceso de huecos en la zona neutra n. (a) Caso real (pn (0, ta ) = 0)
(b) Aproximacion (Qp (ta ) = 0)
Antes de aplicar el escalon de tension, para t < 0 la corriente que circula por el diodo
vale:
VF
VF VD
(1)
IF =
R
R
inmediatamente despues de la aplicacion de este escalon cambia a :
IR =
VR
VR VD
R
R
(2)
I
IF
0.1IR
IR
t
ta td
VD
t
-VR
Figura 3: Transitorios de corriente que circula por el circuito y tension que cae en los
extremos del diodo
La razon por la que aparece esta corriente elevada en inversa es que la carga almacenada (y por lo tanto la tension en los extremos del diodo) no pueden cambiar bruscamente
(Fig. 2a). La relacion entre la carga almacenada y tension en los extremos del diodo viene
dada por:
pn (0, t)
KT
VD (t) =
ln
(3)
q
pn 0
Mientras se cumpla la relacion pn (0, t) > pn0 , VD (t) es del orden de KT /q y la corriente
es constante (con valor IR ). Cuando la carga existente en la zona neutra sea inferior a
la de equilibrio, pn0 , en los extremos de la union aparece una tension negativa, con lo
que la corriente que circula por el diodo tiende a cero. Mientras la tension y la carga
almacenada en la zona neutra no pueden cambiar bruscamente, la corriente s puede
hacerlo con un simple cambio de pendiente de la distribucion de huecos en la zona neutra,
pn (x, t), en x = 0. Esta evolucion temporal viene representada por un tiempo caracterstico
denominado tiempo de recuperacion, tr , y se dene como el tiempo en el que la corriente
alcanza el 10 % de su valor inicial IR . Dicho tiempo se descompone, como acabamos
de ver, en otros dos: el tiempo de almacenamiento, ta , que corresponde con la fase de
corriente constante, y el tiempo de cada, td , que corresponde con la fase donde la corriente
decrece a cero. Ambos tiempos dependen tanto del tiempo de vida media de los portadores
minoritarios en las dos regiones de la union, n y p, como de los niveles de tension VF y VR .
El objeto de esta practica es calcular dicha relacion. Seguimos admitiendo que se trata de
nicamente con el tiempo de vida media de los
una union p+ -n, y por tanto trabajaremos u
huecos. Para ello vamos a hacer un analisis aproximado utilizando la expresion del modelo
de control de carga. Dicha expresion se obtiene integrando la ecuacion de continuidad para
los huecos en la zona neutra n:
pn (x, t) pn (x, t)
dJp (x, t)
=
+
dx
p
t
y deniendo la variable:
Qp (t) = qA
0
(4)
(5)
El resultado es:
dQp Qp
+
= i(t)
dt
p
(6)
Los terminos que aparecen en la ecuacion anterior tienen el siguiente signicado. En estado
estacionario la corriente que circula por la union debe mantener la neutralidad y suplir la
recombinacion:
Qp
Ip =
(7)
p
Cuando vara la tension aplicada hay dos terminos de corriente:
neutralidad
Qp /p
modif icar carga dQp /dt
Ip =
P + Difusin - +
Qp dQp
+
p
dt
huecos
Recombinacin
Np
Nn
)V
Figura 4:
La ecuacion diferencial (6) se resuelve imponiendo como condicion inicial:
Qp (0) = IF p
(8)
Qp = (IF IR )p e
+ Ir p
(9)
erf
erf
ta
1
=
p
1 IIRF
td
(11)
td
e p
+
t
p
dp
IR
= 1 0.1
IF
(12)
PRACTICA
REALIZACION
1. Calcular el tiempo de vida media de los huecos en una union p+ -n probando con
diferentes niveles de tension. Se debera comprobar a su vez que el tiempo de almacenamiento vara con los valores de estas tensiones.
2. Comparar el metodo expuesto, que utiliza el modelo de control de carga, con el que
resuelve directamente la ecuacion de difusion dependiente del tiempo1 ,2 .
3. El resultado que se obtendra no sera satisfactorio. Leer la nota tecnica que se adjunta sobre medidas de vidas medias de minoritarios en diodos PIN y extraer las
conclusiones que considereis pertinentes sobre esta practica.
MATERIAL NECESARIO
Osciloscopio
Generador de funciones.
1
2
2.
FUNDAMENTO TEORICO.
El metodo mas general para calcular la concentracion
de impurezas poco profundas es mediante la medida del cuadrado de la inversa de la
capacidad a alta frecuencia en funcion de la tension inversa aplicada V . En este metodo
se utiliza la aproximacion de vaciamiento. Para el caso de una union abrupta asimetrica
la representacion de 1/C 2 en funcion de V sera una lnea recta donde el corte con el eje
de abcisas proporcionara el potencial barrera de la union y la pendiente de la misma el
valor de la concentracion de impurezas en el lado menos dopado:
C 2 =
2(Vbi V )
s A2 qND
(13)
N
ax
x
2
s A2 q dVd
1
C2
(15)
Capacmetro
Fuente de
alimentacin
Sistema
de medida
3.
MODELOS DE UN DIODO.
OBJETIVO Obtencion de la curva caracterstica intensidad-tension (I-V) para un diodo. Determinacion de los parametros correspondientes al modelo lineal y a la caracterstica
real.
FUNDAMENTO TEORICO
La caracterstica I-V de un diodo:
qV
I = I0 (e KT 1)
(16)
rd
Vd
^
Figura 7: Modelo del diodo en directa
PRACTICA
REALIZACION
1. Encontrar los valores del modelo lineal del diodo (Vd , rd ) a partir de la curva I-V
experimental.
2. Encontrar tambien los valores de los parametros I0 y a partir de la caracterstica
I-V experimental. Observar como se modican estos parametros en las regiones de
inyeccion alta, baja y moderada.
3. Encontrar el valor de la resistencia serie Rss asociada a las zonas neutras de la
union. Para ello utilizar la curva I-V de alta inyeccion y considerar que la corriente
se puede expresar:
I = ID0 e
qV
q(V IRss )
KT
ln(Ie KT ) = lnID0
qIRss
KT
(17)
(18)
4.
DE PARAMETROS
EXTRACCION
DE SPICE.
DIODO.
REALIZACION
Para realizar esta practica es necesario haber hecho
las practicas 1, 2 y 3. De ellas se extraeran parametros para utilizarlos dentro del modelo
de diodo que utiliza SPICE.
De la practica 3 se debe extraer la corriente inversa de saturacion IS I0 y el factor de
idealidad N . De las curvas I-V a alto nivel de inyeccion se puede extraer la resistencia
serie RS.
Para una union abrupta o gradual lineal la capacidad de una union viene modelada
por
Cj0
C(V ) =
(19)
(1 V )m
donde m es el coeciente de gradualidad de la union (m = 1/2, abrupta; m = 1/3, lineal;
1/3 < m < 1/2 el resto), Cjo = C(V = 0), y es el potencial barrera.
Obtener estos tres parametros mediante ajuste con la curva C(V) obtenida en la
practica 2.
En directa la expresion anterior tiende a innito. Para corregirlo se introduce un factor
FC por el que se hace una extrapolacion lineal partiendo de V = 0. Con esta correccion se
soluciona el problema y se hace que domine la capacidad de difusion, como es de esperar.
En directa domina la capacidad de difusion. en el modelo, esta capacidad depende de
otro parametro conocido como tiempo de transito TT:
Cdif = T T
V
IS NV
e t
NVt
(20)
5.
DE PARAMETROS
EXTRACCION
EN UN
TRANSISTOR BIPOLAR
hie
b
ib
c
ic
1/hoe
+
hrevce
hfeib
e
Figura 8: Modelo de parametros h del transistor bipolar
FUNDAMENTO TEORICO
ic = hf e ib + hoe vce
hf e =
hoe =
ic
ib
ic
vce
=
vce =0
=
ib =0
IC
IB
(22)
IC
VCE
(23)
VCE =cte
(24)
IB =cte
6.
FUNDAMENTO TEORICO
Con objeto de estudiar la respuesta en frecuencia, en
el rango de frecuencias elevadas, de un transistor bipolar vamos a hacer uso del modelo de parametros (Fig. 9). Todos sus elementos se pueden relacionar facilmente con
los parametros del dispositivo, as como podemos establecer su equivalencia con algunos
parametros de SPICE. En todo el analisis siguiente consideraremos un transistor npn y
que no opera en inversa.
gbc
B
rbb
B
+
rbe
CC
Ce
vbe
-
gmvbe
gce
Ic
gm =
=
(25)
Vb e
Vb e
re
Vt
Vt
KT
(26)
re
Vt =
Ie
q
Resistencia rb e : Se relaciona tambien con re . Suponiendo rce grande
ic gm vb e
(27)
ic
hf e
gm
ib
gm
(28)
(29)
(30)
nb
S
(32)
x
W x + xe
nb nb (xe )
(33)
W
(34)
nb (xe ) = nbo evb e /Vt
2
Qb
W
Ie
; F =
(35)
F
2Dn
F es el tiempo de difusion caracterstico de los minoritarios a traves de la base.
SPICE utiliza este parametro con el nombre TF. Se puede relacionar tambien con
la capacidad de difusion, obtenida a partir de las ecuaciones anteriores:
Ie In = qDn
Cedif
W2
2Dn re
F = Cedif re
(36)
(37)
Cedep S
qNAB s
2(Vbibe vbe )
(39)
11
rbb
B
+
i1
rbe
Ce
CC
vbe
-
iL
gmvbe
E
iL
gm
=
i1
gb e + jw(Ce + Cc )
w =
1 + j ww
w = 2f =
= hf e
gb e
gm
=
Ce + Cc
hf e (Ce + Cc )
(40)
(41)
(42)
Una magnitud que nos da idea de la respuesta en frecuencia del transistor es la frecuencia
a la cual la ganancia es la unidad ( | w (2fT ) |= 1). A la frecuencia fT se le denomina
frecuencia de corte y su valor se despeja de la igualdad anterior:
fT =
gm
hf e
=
2rb e (Ce + Cc )
2(Ce + Cc )
(43)
Se puede obtener una expresion mas exacta para fT si se incluyen retrasos adicionales
asociados con el tiempo de transito por la region de transicion de colector, cT , el tiempo
de carga del colector, c , y con capacidades parasitas, Cp .
El tiempo de transito de colector se puede estimar como
cT =
xdc
vsn
(44)
(45)
donde rcs es una resistencia que modela la zona neutra del colector y los contactos
de este terminal.
12
1
2ef f
(46)
Ce + Cc + Cp
+ c + cT
gm
(47)
Normalmente, el parametro que domina es el e , y podemos disminuir su valor si aumentamos la corriente de colector. Sin embargo, a corrientes elevadas puede tener lugar el efecto
Kirk, observandose un aumento efectivo de la anchura de la base, y en consecuencia, una
reduccion en el valor de fT .
Efecto Kirk: A altos niveles de corriente la ganancia en corriente en emisor com
un
puede disminuir. Ello es debido a un desplazamiento de la regi
on de campo electrico de la
union BC hacia el colector, producida por una fuerte inyecci
on de portadores hacia esta
regi
on. Tiene lugar cuando la densidad de corriente de colector supera a la densidad de
corriente de saturacion, jcs (Ic /S > jcs ), donde la densidad de corriente de saturaci
on se
define como la corriente m
axima que puede soportar una determinada regi
on sin que se
le inyecten portadores. Para la regi
on de colector toma el valor:
jcs = qNDC vsn
(48)
REALIZACION
1. Considerar el circuito de la gura 11. Buscar en la bibliografa4 un transistor bipolar
tpico del que se dispongan sus parametros de SPICE, crear un modelo para el
transistor elegido y asignarle valores a los siguientes parametros de SPICE:
BF
CJE: capacidad de la union base emisor bajo polarizacion nula
CJC: capacidad de la union colector-base bajo polarizacion nula
TF: tiempo de transito directo
VAF: tension Early en directa
CJS=0: capacidad de la union colector-sustrato bajo polarizacion nula
El resto se dejan los valores por defecto. Con esta base calcular mediante SPICE
el diagrama de Bode en modulo de la funcion de transferencia, VO /Vi , y el valor de
4
P.R.Gray, R.G. Meyer: Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 3a Ed., John Wiley &
sons, 1993
13
Vcc
R1
RC
CC
+
CB
Vi
+
-
R
R2
RE
Vo
CE
-
NDE
NAB
NDC
xe
WB
xc
15
7.
ANALISIS
DE PARAMETROS
DE UN MOSFET
FUNDAMENTO TEORICO
Los modelos clasicos tension-corriente de MOSFET en
inversion parten de simplicaciones que restringen su aplicabilidad pero aportan expresiones facilmente manejables y de las que se pueden extraer parametros caractersticos. Si se
analiza el modelo de lamina de carga, consideramos que los extremos de fuente y drenador
estan fuertemente invertidos (es decir podemos utilizar el modelo aproximado de fuerte
inversion), y nos situamos en la region lineal del transistor, la corriente de drenador viene
dada por:
1
(49)
ID = VGS VT VDS VDS
2
donde VT es la tension umbral del MOSFET y se relaciona con parametros geometricos:
= Cox
W
L
(50)
Para valores bajos de la tension de drenador VDS y manteniendo esta ja, la representacion
ID en funcion de VGS proporciona una curva donde el punto de maxima pendiente guarda
informacion de la tension umbral VT y de la corriente umbral IT (gura 13).
ID
VDS=cte
(zona lineal)
IT
VT
VGS
(51)
(VDS = VDsat )
(52)
16
ID
80
8=0
IDsat
VDsat
VDS
REALIZACION
1. Para valores bajos de la tension de drenador VDS representar experimentalmente
ID VDS tomando la tension de puerta como parametro. A partir de estas gracas
obtener una representacion ID VGS manteniendo ja la tension de drenador VDS .
Extraer de esa curva los parametros VT , IT y .
Para valores altos de VDS (region de saturacion) extraer el parametro de modulacion
de la longitud del canal, .
2. Normalmente este modelo tan simple no reproduce correctamente las medidas experimentales. Para ello es necesario introducir un parametro adicional, , en la
caracterstica I-V tal y como mostramos a continuacion. La forma mas simplicada
de calcular la corriente ID = ID (VDS , VGS )es considerar la carga en inversion como:
QI (y) = Cox (VGS V (y) VT )
(54)
donde se admite que un potencial V (y) en un punto y del canal solo afecta a la
carga en inversion, procedimiento que se siguio en teora. Una forma mas correcta
de calcular dicha corriente es considerar que la carga de deplexion tambien se ve
afectada por ese potencial V(y):
VT =
ms Qss + Qox
Qb
+ 2F
= VF B + 2F + 2F + V (y)
q
Cox
Cox
ms Qss + Qox
q
Cox
de esta forma la carga en inversion se puede escribir como:
VF B =
(55)
(56)
(57)
Para calcular la corriente se procede como se hizo en teora sin mas que considerar
ahora la nueva QI (y)
dR =
L
0
ID dy =
dy
VDS
0
(58)
(59)
ID = n Cox
VDS
2
W
[(VGS VF B 2F )
]VDS [(2F + VDS )3/2 (2F )3/2 ]
L
2
3
(60)
y admitimos que trabajamos a tensiones tales que VDS < 2F podemos quedarnos
con los dos primeros terminos del desarrollo, con lo quedara una corriente igual a
la que se conoce de teora:
K W
2
2(VGS VT )VDS VDS
VDS < VDSsat
2 L
K W
(VGS VT )2
=
VDS > VDSsat
2 L
ox
K = n Cox = n
VDSsat = VGS VT
tox
ID =
(61)
ID
(62)
(63)
Para tensiones VDS mas elevadas deberemos incluir el tercer termino del desarrollo
en serie con lo que la corriente tomara la forma:
ID
ID
K W
2
=
2(VGS VT )VDS (1 + )VDS
2 L
K W (VGS VT )2
=
2 L
1+
(64)
(65)
2qs ND
(VGS VT )
=
VDSsat =
(66)
=
(1 + )
Cox
2 2F
Observar como al aumentar la precision en la representacion de ID , la complejidad
tambien se incrementa introduciendo un nuevo parametro .
Si se tiene en cuenta el efecto de la modulacion del canal y el efecto Body, la expresion
(65) quedara de la forma:
IDS
(VGS VT )2
(1 + (VDS VDsat ))
=
2
1+
=
2 2F + VSB
(67)
(68)
18
8.
OBJETIVO Determinacion de la tension de banda plana, la concentracion de impurezas en el sustrato y el espesor de oxido de una estructura MOS.
FUNDAMENTO TE
oRICO A partir de la caracterstica CV en alta frecuencia de
un MOS se pueden obtener las tres magnitudes mencionadas anteriormente.
El grosor del oxido se puede extraer del maximo de la capacidad (region de acumulacion)
Cmax = Coxido
(69)
Del mnimo de la capacidad se extrae la concentracion de impurezas en el sustrato
(region de fuerte inversion).
1. Calculo de la capacidad de deplexion en fuerte inversion, Cdep :
1
1
1
=
Cdep
Cmin Cmax
(70)
s A
Cdep
(71)
W
2s B
qN
KT
N
B =
ln
q
ni
(72)
LDp =
s KT
q2N
(73)
(74)
PRACTICA.
REALIZACION
Determinacion de estos tres parametros para un transistor MOS 14007.
Dejar al aire los terminales de drenador y fuente.
Variar la tension de manera que se lleve a la estructura desde acumulacion a fuerte
inversion. No superar 1 V en acumulacion ni 5 V en fuerte inversion.
El area de la puerta es de 103 cm2 .
Eliminar los efectos de los diodos de proteccion que se superpondran a la caracterstica
propia del dispositivo.
19
C(pF)
99
99
97.8
95.2
91.4
86.4
80.3
73.6
66.6
59.9
53.8
48.6
40.3
36.8
33.5
30.3
V(V)
1.16
1.09
1.02
0.95
0.88
0.81
0.74
0.67
0.6
0.53
0.46
0.4
0.25
0.18
0.11
0.04
C(pF)
22.1
19.53
18.22
16.88
15.56
14.22
13.02
11.77
8.5
7.92
7.64
7.8
7.87
7.89
7.8
7.7
V(V)
-0.03
-0.17
-0.24
-0.31
-0.38
-0.45
-0.52
-0.59
-0.66
-0.73
-0.94
-1.57
-2.27
-3.39
-4.58
-5.0
MATERIAL NECESARIO
Capacmetro.
Fuente de tension variable.
Sistema de medida.
20
9.
METODO
C-V EN ALTA FRECUENCIA PARA
EL ESTUDIO DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES DE LA INTERFACE SiO2-Si
OBJETIVO Determinacion de la densidad de estados superciales en la interface SiO2 Si de una estructura MOS. Obtencion de la relacion tension aplicada-potencial de supercie (V-s )
Cdep
Csc
Cox
Css
Figura 15: Modelo de circuito de la capcidad MIS
FUNDAMENTO La presencia de estados superciales en la interface SiO2 -Si modica las propiedades de los dispositivos electronicos que presentan esta interface. La mejor
forma de estudiarlos es a traves de una estructura MIS. En concreto, para esta estructura,
se observa la modicacion de las curvas capacidad-tension. En el modelo de circuito de la
estructura MIS, los estados superciales se pueden representar por su capacidad equivalente, Css . Esta capacidad se combina con la capacidad del oxido, Cox , la de la region de
deplexion, Cdep , y la del canal de inversion, Csc (Fig. 15). Para determinar la capacidad
de los estados superciales vamos a utilizar un metodo propuesto por Terman en 1962.
Este metodo no es el mas apropiado para el calculo de la densidad de estados superciales. Existen otros efectos, como el de la no uniformidad de impurezas en el sustrato,
que pueden dar lugar a mayores modicaciones de la curva CV que las producidas por
los estados superciales. Sin embargo, puede ser interesante como practica de laboratorio
de cara a introducirnos en este campo. Este metodo se basa en medidas de capacidad en
alta frecuencia. A altas frecuencias los estados superciales no son capaces de seguir las
oscilaciones de la se
nal alterna. Sin embargo, si responden a cambios de la tension DC de
puerta cuando esta vara desde inversion a acumulacion, originandose una distorsion de
la curva CV. Tampoco responden los portadores del canal de inversion. De acuerdo con
esto el circuito equivalente queda reducido a la capacidad del oxido y a la de la region de
deplexion:
Cox Cdep
CHF =
(75)
Cox + Cdep
De esta expresion, y conocido Cox podemos despejar Cdep (V ). Comparandolo con valores
teoricos de Cdep (s ), calculados a partir de
Cdep
pno s
| (1 es ) + N
(e
1) |
s qND
D
=A
pno s
2
(es s 1) + N
(e
+ s 1)
D
21
(76)
con = q/KT , se debe obtener una relacion V = V (s ) (La expresion anterior, aunque
tenga el subndice dep, incluye los efectos de la zona de transicion y del canal de inversion. Es por tanto valida para alta frecuencia mientras no se penetre en fuerte inversion.
Se analiza un sustrato N).
Conocida esta relacion se puede obtener la densidad de estados superciales en funcion
del potencial de supercie s , Nss (s ). En efecto, seg
un el teorema de Gauss:
Qox = Qdep Qss
(77)
donde Qox es la carga almacenada en el oxido, Qdep la de la zona de carga espacial y Qss
la de los estados superciales. Expresando estas cargas como el producto de la capacidad
por la tension que cae en el oxido o en el semiconductor queda:
Cox (V s ) = Cdep s + Css s
(78)
(79)
Css (s ) = Cox
Nss =
Css
qA
1
ds
dV
1 Cdep (s )
(cm2 eV 1 )
(81)
(82)
Este metodo de la capacidad en alta frecuencia es quiza el mas sencillo y directo para
obtener la relacion s V . Sin embargo, para hallar la Nss no es muy preciso debido a la
dicultad de determinar la pendiente en cada punto.
PRACTICA
REALIZACION
Con los resultados de la practica anterior (Tabla 1)
calcular teoricamente la capacidad Cdep (s ), anulando los terminos que dependen de
pno /ND , pues no aparece capa de inversion a alta frecuencia. Compararla con la obtenida
de forma experimental y determinar la relacion tension aplicada - potencial supercial
(V s ). Estimar posteriormente la densidad de estados superciales como funcion del
potencial supercial.Medida experimental de la capacidad en alta frecuencia (2MHz) para
una capacidad MOS de sustrato tipo N entre inversion y acumulacion.
22
P + Difusin - +
huecos
Recombinacin
N
n
)V
qp
mantener neutralidad
modificar carga en la unin
p
dq p
dt
Ip=
qp
p
dq p
dt
+ VD
Vi
VF
t
IRc
RC
-VR
IRc
pn
t<0
x
0.1IR
-VR-VD
IR= RC
t=ta
t
VF-VD
IF=
RC
ta
VD
tr
t
-VR
t <0 IF = I p=
t >0 IR=
qp
; qp = I F p
p
dq p
dt
+
-
qp
p
pn
t<0
t=ta
q p (t) = ( I F - I R ) e p + I R p
IF )
(
)
=
0
=
ln
(1
q p ta
ta p
IR
IF IR ta
Cte
td p
t64
Cte
Cte
Carga fija
Carga mvil
(huecos)
Clculo de la capacidad de
transicin CT (Unin P+N con
perfil arbitrario en zona N)
xn
xn
dQ
C=
; Q = (x)dx = qA N(x)dx
d |V |
0
0
d
)
2
dx = x d + d
2
dx
dx
dx
d(x
V
xp<<xn
modificacin tensin
modificacin carga en z.c.e.
y zona neutra
efectos capacitivos
CT (inversa)
CD (directa)
xn
d
)
xn
xn
2
d
d
dx dx = x
dx
+
dx
2
dx
dx
dx
0
0
d(x
xn
0= - x
0
C=
(x)
dx + ( V b - V)
dQ
dx
= qAN( x n ) n
d |V |
d |V |
A
C=
qN( x n )
d |V |
Xn
= xn
dx n
dC
A dx n 2 A
= - 2
=
N( x n )
3
dV
x n dV q x n
N( x n ) =
dC
A q
dV
d(
q A2
Casos particulares:
1
2
C = cte
dV
1
d 3
N( x n ) = a x n C = cte
dV
N( x n ) = cte
xn
N(xn)
1/C2
1/C3
1
2
C
dV
3. Modelos de un diodo
I
Alta
inyeccin
rd
=1
qV
KT
I = Io( e
Recombinacin
en z.c.e.
Vd
- 1)
1
1
Recombinacin en z.c.e.:
Aportar ms corriente
I-V
Imax(mA) Io,,Vd,rd
0.05
10
200
6
+
IB
VBE
+
IC
VCE
IC
IC
ic =
ib +
vce
I B V CE=cte
V CE I B=cte
i c = h fe ib + hoe vce
8
hfe
VCE=cte
IC
VCE=cte
IC
Ici
Icj
IBj
IBj
I C IB
VCE=cte VCE
IC
hfe=(ICi-ICj)/(IBi-IBj), IC=(ICi+ICj)/2
9
IC
VCEi VCEj hoe
Ici Icj
Ici
Icj
VCEj
VCEi VCE
VCE=cte
IC
hoe-1=(VCEi-VCEj)/(ICi-Icj),
IC=(ICi+ICj)/2,
VCE=cte=(VCEi+VCEj)/2
10
=>
Importante:
- Realizar comentarios sobre la calidad del transistor diseado, sus posibles mejoras y las
limitaciones, proponer cualitativamente otros diseos.
- Comentar las ventajas e inconvenientes de las herramientas de simulacin y de las tcnicas
analticas. Dnde se debe emplear cada una?
11
VDS=cte
(zona lineal)
ID
Medida ID(VGS)
IT
VT
VGS
1
I D = ( V GS - V T - V DS )V DS
2
Si V DS V GS - V T
VDS
VDS=cte
(triodo)
= n C ox
W
L
I D ( V GS - V T )V DS
12
Modelar una curva en saturacin:
ID
IDj
IDi
VGS
VDSi
VDSj
VDS
ID
VGS
Medir ID(VDS)
VDS
13
Q I (y) = - C ox ( V GS - V(y) - V t )
Vt =
ms Q ss + Q ox
Q
+ 2 f - b = V FB + 2 F + 2 F + V(y)
q
C ox
C ox
ms Q ss + Q ox
V FB =
q
C ox
dy
n W C ox [ V GS - V FB - 2 F - V(y) - 2 F + V(y) ]
V DS
I D dy
I D = n C ox
3
3
W
2
V DS
] V DS - [(2 F - V DS ) 2 - (2 F ) 2 ]
[( V GS - V FB - 2 F ) L
2
3
3
3
1
1
3
3
(2 F + V DS ) 2 = (2 F ) 2 + (2 F ) 2 V DS + (2 F )- 2 V DS 2 + ..
2
8
ID=
K W
2( V GS - V t ) V DS - (1 + ) V 2DS V DS < V DSsat
2 L
2
K W ( V GS - V t )
V DS > V DSsat
ID=
2 L (1 + )
=
2 2 F
V DSsat =
( V GS - V t )
(1 + )
14
M- - - - - - - - -
+++++++
hhhhhhh
+++++++
S
n
n
Acumulacin
e-
O
V
Deplexin
qV
M- - - - - - - - O
S
n
Inversin
s
qV
s
qV
15
V Q efectos capacitivos
Cox
Csem
Modelo C-1=Cox-1+Csem-1
La carga en inversin no responde
en alta frecuencia.
Slo hay capacidad en la zona de
deplexin.
Aumento de la capacidad de
inversin a acumulacin:
1 disminuye grosor zona deplexin.
2 aumenta concentracin de
portadores (e-) en acumulacin.
Cox Cdep
Acumulacin
Inversin
-V
2 s s
qN
s = 2 B
qV
W
s=0
V aplicada?
Se conoce capacidad del
semiconductor en esta
condicin:
EF
C so =
EF
s A
L Dp
L Dp =
s KT
q2 N
17
Cdep
Cox
Csc
Css
Mtodo de Terman:
- Altas frecuencias: no responden estados superficiales
- S responden si se vara la polarizacin de inversa a acumulacin.
- Tampoco responden los portadores en el canal de inversin.
C ox C dep
C HF =
C ox + C dep
18
C ox C dep
C HF =
C ox + C dep
Te.
Exp.
relacin V=V(s)
s, V
Obtencin densidad de estados superficiales Nss(s)
(
)
=
- 1 - C dep ( s )
C ss s
C ox
d s
dV
C ss ( s )
( cm- 2 eV -1 )
N ss =
qA
Nss
s, EC-EF
19