PRACTICA 4: RECTIFICADORES CON FILTRO CAPACITIVO

POR: CARLOS ANDRES GUERRA

LUIS FERNANDO LUJN LOPEZ

PROFESORA: MARCELA VALLEJO

CIRCUITOS ELECTRONICOS I

FACULTAD DE INGENIERIA
UNIVERSIDAD DE SAN BUENAVENTURA

MEDELLIN
2014

1. OBJETIVOS
1.1) Estudiar los rectificadores de media onda y onda completa con filtro
capacitivo.
1.2) Comprobar que en un rectificador con filtro capacitivo los diodos conducen
menos de 180 grados.
1.3) Comprobar que a medida que aumenta el valor de C menor es el tiempo de
conduccin de los diodos y mayor el pico de corriente por los mismos.
1.4) Emplear software de simulacin para analizar el circuito.

2. MATERIALES Y EQUIPOS
Transformador 509
4 diodos de 2 Amperios/100V
Multmetro digital
Osciloscopio
Board
Puntas de osciloscopio
Resistencia de 100 a 10w
Resistencia de 0.1/0.5w
Filtro de 47uF/25V
Filtro de 100uF/25V
Filtro de 220u/25V
Filtro de 470uF/25V
Filtro de 1000uF/25V

3. MONTAJE EXPERIMENTAL
Para el desarrollo de la primera parte de este laboratorio se trabaj con el circuito
de la figura 1. Primeramente se procedi a realizaron los clculos de voltaje
promedio, voltaje mximo, voltaje mnimo y voltaje de rizado, estos se muestran
en la tabla 1. Luego, con cada uno de los valores de condensadores dados se
simul en Pspice para medir los parmetros solicitados, estas medidas se pueden
ver en la tabla 2. Finalmente se procedi a montar el circuito fsico en la board, los
resultados de las medidas se pueden ver en la tabla 3.

Figura 1: Circuito 1.

Para los circuitos que se observarn en la figuras 2 y 3, se realiz el mismo

procedimiento que anteriormente se mencion. En las tablas 4 y 7 estn los
clculos de voltaje promedio, voltaje mximo, voltaje mnimo y voltaje de rizado.
Los valores medidos de los circuitos 2 y 3 montados en la board se pueden ver en
las tablas 3, 6 y 9.
Es necesario tener en cuenta que en los materiales suministrados por los
laboratorios de la universidad no se encontraban capacitores del mismo valor que
se solicitaban para el desarrollo de esta prctica, as que los procesos se
desarrollaron con los valores ms cercanos que se encontraron (los valores que
estn entre los parntesis de la columna C en las tablas 2, 3, 5, 6, 8 y 9 son los
valores reales de capacitancia).

Figura 2: Circuito 2.

Figura 3: Circuito 3.

4. RESULTADOS
4.1) Para el circuito de la figura 1:

Para Vo
con:
100uF
470uF
1000uF

VAVG (V)
8,3316
8,14716
8,0136

VMAX (V)
13,1
12,81
12,6

Vmin (V)
3,4
9,31
11

Tabla 1: Clculos del circuito 1.

Vrizado (V)
9,7
3,5
1,6

VoMIN(Vol VoMAX
C(uF)
t)
(Volt)
0
0
13,179
47(42,1)
0,776
13,177
100
3,6511
13,162
220
7,0665
13,104
470
(460)
9,519
12,919
1000(10
10)
10,905
12,555

Vrizado(VPP)
(Volt)
13,18
12,401
9,5109
6,0385

IPDIODOS(IRMS)
(Amp)
0,0664
0,115
0,19
0,298

TCONDUCCION
(ms)
8,47
16,561
16,72
16,67

3,4

0,356

16,7

1,65

0,487

16,64

Tabla 2: Valores medidos en la simulacin del circuito 1.

VoMIN(Vol VoMAX
C(uF)
t)
(Volt)
0
0
14
47(42,1)
0,8
13,8
100
3,6
13,8
220
7,2
13,6
470
(460)
9,6
13,2
1000(10
10)
10,8
12,8

Vrizado(VPP)
(Volt)
14,2
13
10,2
6,4

IPDIODOS(IRMS)
(Amp)
0,047
0,092
0,157
0,226

TCONDUCCION
(ms)
8,04
16,68
16,72
16,67

3,6

0,264

16,7

0,298

16,64

Tabla 3: Valores medidos en el montaje fsico del circuito 1.

4.2) Para el circuito de la figura 2:

Para Vo
con:
100uF
470uF
1000uF

VAVG (V)
VMAX (V)
Vmin (V)
Vrizado (V)
8,268
13
7,45
5,55
8,11536
12,76
11,32
1,44
7,8864
12,4
11,9
0,5
Tabla 4: Clculos del circuito 2.

C(uF)
0

VoMIN(Vol VoMAX
t)
(Volt)
0
13,18

Vrizado(VPP)
(Volt)
13,18

IPDIODOS(IRMS)
(Amp)
0,064439

TCONDUCCION
(ms)
8,325

47(42,1)
100
220
470
(460)
1000(10
10)

4,67
7,692
9,978

13,177
13,162
13,104

8,507
5,47
3,126

0,097128
0,1333
0,1677

8,325
8,337
8,337

11,29

12,945

1,655

0,1877

8,3

11,939

12,718

0,779

0,19984

8,335

Tabla 5: Valores medidos en la simulacin del circuito 2.

VoMIN(Vol VoMAX
C(uF)
t)
(Volt)
0
0
13,8
47(42,1)
4,6
13,8
100
8
13,8
220
10,2
13,6
470
(460)
11,6
13,6
1000(10
10)
12,4
13,4

Vrizado(VPP)
(Volt)
13,8
9,2
5,8
3,4

IPDIODOS(IRMS)
(Amp)
0,045
0,078
0,115
0,144

TCONDUCCION
(ms)
8,325
8,325
8,337
8,337

0,164

8,3

0,171

8,335

Tabla 6: Valores medidos en el montaje fsico del circuito 2.

4.3) Para el circuito de la figura 3:

Para Vo
con:
100uF
470uF
1000uF

VAVG (V)
VMAX (V)
Vmin (V)
Vrizado (V)
8,268
13
7,45
5,55
8,11536
12,76
11,32
1,44
7,8864
12,4
11,9
0,5
Tabla 7: Clculos del circuito 3.

VoMIN(Vol VoMAX
C(uF)
t)
(Volt)
0
0
12,368
47(42,1)
4,3121
12,362
100
7,209
12,338
220
9,351
12,257
470
(460)
10,57
12,06
1000(10
10)
11,126
11,842

Vrizado(VPP)
(Volt)
12,368
8,05
5,129
2,906

IPDIODOS(IRMS)
(Amp)
0,06166
0,090352
0,12443
0,193

TCONDUCCION
(ms)
8,325
8,325
8,337
8,337

1,49

0,282

8,3

0,716

0,383

8,335

Tabla 8: Valores medidos en la simulacin del circuito 3.

VoMIN(Vol VoMAX
C(uF)
t)
(Volt)
0
0
13,4
47(42,1)
4,4
13,4
100
7,6
13,2
220
9,8
13,2
470
(460)
11
12,8
1000(10
10)
11,6
12,6

Vrizado(VPP)
(Volt)
13,6
9
5,6
3,4

IPDIODOS(IRMS)
(Amp)
0,079
0,104
0,135
0,16

1,8

0,172

8,325

0,189

8,325

Tabla 9: Valores medidos en el montaje fsico del circuito 3.

5. ANALISIS DE RESULTADOS Y CONCLUSIONES.

5.1) Graficas para el circuito de la figura 1 con respecto a la tabla 3:

Voltaje de rizado vs Capacitancia

15
10

f(x) = - 0x^3 + 0x^2 - 0.05x + 14.54

R = 1

Vrizado (Volt)
5
0
0

200

400

TCONDUCCION
(ms)
8,337
8,325
8,325
8,325

600

800

C (uF)

Grafica 1: Vrizado vs C.

1000

1200

Corriente pico (diodos) vs Capacitancia

0.4
0.3

f(x) = 0x^3 - 0x^2 + 0x + 0.05

R = 1
Ip (Amp) 0.2
0.1
0
0

200

400

600

800

1000

1200

C (uF)

Grafica 2: Ip (diodos) vs C.

Tiempo de conduccion vs Capacitancia

20
f(x) = 0x^3 - 0x^2 + 0.07x + 10.69
15 R = 0.63
Tconduccin (ms) 10
5
0
0

200

400

600

800

1000 1200

C (uF)

Grafica 3: Tconduccin vs C.

5.2) Graficas para el circuito de la figura 2 con respecto a la tabla 6:

Voltaje de rizado vs capacitancia.

15
f(x) = - 0x^3 + 0x^2 - 0.08x + 13
10 R = 0.98
Vrizado (Volt)

5
0
0

200

400

600

800

1000

1200

C (uF)

Grafica 4: Vrizado vs C.

Corriente pico (diodos) vs capacitancia.

0.2
0.15 f(x) = 0x^3 - 0x^2 + 0x + 0.05
R = 0.99
0.1
Ip (Amp)
0.05
0
0

200

400

600

800

1000

C (uF)

Grafica 5: Ip (diodos) vs C.

1200

Tiempo de conduccin vs capacitancia.

8.34
8.33 f(x) = 0x^3 - 0x^2 + 0x + 8.32
R = 0.96
8.32
Tconduccin (ms) 8.31
8.3
8.29
8.28
0

200

400

600

800

1000 1200

C (uF)

Grafica 6: Tconduccin vs C.

5.3) Graficas para el circuito de la figura 3 con respecto a la tabla 9:

Voltaje de rizado vs capacitancia.

15
f(x) = - 0x^3 + 0x^2 - 0.08x + 12.75
10 R = 0.97
Vrizado (Volt)

5
0
0

200

400

600

800

1000

1200

C (uF)

Grafica 7: Vrizado vs C.

Corriente pico (diodos) vs capacitancia.

0.2
f(x) = 0x^3 - 0x^2 + 0x + 0.08
0.15 R = 1
Ip (Amp)

0.1
0.05
0
0

200

400

600

800

1000

C (uF)

Grafica 8: Ip (diodos) vs C.

1200

Tiempo de conduccin vs capacitancia.

8.34
8.34
8.33 f(x) = - 0x^3 + 0x^2 - 0x + 8.33
R = 0.63
Tconduccin(ms)
8.33
8.32
8.32
0

200

400

600

800

1000 1200

C (uF)

Grafica 9: Tconduccin vs C.

FALTAN LOS PUNTOS 6.3, 6.4 Y 6.5 DE LA GUIA