TRANSISTORES BIPOLARES

DE JUNTURA (BJT)

Ing. Ral Rojas Retegui

Historia del Transistor

El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor

("resistencia de transferencia").

Es considerado uno de los mejores inventos del siglo XX, permiti el

desarrollo de la electrnica y de sus mltiples aplicaciones. Surgi para

superar ampliamente las dificultades que presentaban las vlvulas.

Uno de los mayores inconvenientes de las

vlvulas, era su alto consumo de energa. Esto era
causado porque el calentamiento elctrico del
filamento (ctodo) para que emita electrones que
son

atrados

por

el

electrodo

(nodo)

establecindose as una corriente elctrica.

Luego,

por

medio

de

un

pequeo

voltaje

(frenador), aplicado entre una grilla y el ctodo, se

logra el efecto amplificador, controlando el valor de

la corriente, de mayor intensidad, entre ctodo y

nodo.

Los transistores fueron desarrollaron en 1947 por los fsicos Shockley, Bardeen y
Brattain. Resolvieron todos estos inconvenientes generados por las vlvulas y
abrieron el camino, junto con otras invenciones como la de los circuitos integrados
que potenciaran el desarrollo de la electrnica. Y todo a bajos voltajes, sin
necesidad de disipar energa, en dimensiones reducidas y sin partes mviles o
incandescentes que pudieran romperse.

PRINCIPALES CARACTERSTICAS
Los materiales empleados para su fabricacin son: Germanio, Silicio. Estos
tienen la propiedad de acelerarse grandemente el movimiento de los
electrones por medio de una corriente elctrica.
En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:
Emisor: Emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su
labor es la equivalente al ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
Base: Controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la

equivalente a la rejilla ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"

electrnicas.

 Colector: Capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su

labor es la equivalente a la placa en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
Puede se utilizado como amplificador de seales, como generador de
seal, como un componente de conmutacin, en deteccin de radiacin
luminosa, etc.

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT)

BJT de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Juncin Transistor).
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan

en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.

No es simtrico: la concentracin de portadores en E es generalmente bastante
mayor que en C

Utilizan la corriente como elemento de control para obtener la seal y su

comportamiento como dispositivo conmutador.
Funcionan cuando estn en polarizacin directa (se dice que estn en saturacin)
y en polarizacin inversa no funcionan (se dice que estn en corte).

 Pueden ser de dos tipos:

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona

P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y

las otras dos al emisor y al colector.

 Su diferencia entre un transistor NPN y PNP, radica en la direccin del flujo de la

corriente, en la base, colector y emisor que se muestra en ambos grficos

 Dos de los tres terminales actan como terminales de

entrada (control).
Dos de los tres terminales actan como terminales de
salida. Un terminal es comn a entrada y salida.
La potencia consumida en la entrada es menor que la
controlada en la salida.
La tensin entre los terminales de entrada determina
el comportamiento elctrico de la salida.
La salida se comporta como:

Fuente de corriente controlada (zona lineal o

activa).
Corto circuito (saturacin).

Circuito abierto (corte).

Magnitudes y curvas
Corriente en cada terminal: IC, IB , IE
Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
Dos ecuaciones de comportamiento
Ecuaciones comportamiento: anlisis experimental
Simplificando: punto operacin del transistor Q(IB, IC, VBE, VCE)

Curvas caractersticas: dos

I B g(VBE , VCE )
VCE poca influencia. Se simplifica.

IB g(VBE )
IB

IB

VBE

VBE

IC f (VCE , I B )
IC

mA
IB 100 mA

12

IB 80 mA

10

IB 60 mA

8
6

IB 40 mA

IB 20 mA

2
0

V CE

10 V

 Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IB ,VBE)

IB

VBE
Obtenemos punto de operacin de entrada: (IBQ ,VBEQ)

 Circuito de salida

V CC
IC

RC

C
+
"ca rga" de l
circu ito de V
CE
salida
E

V CC RC IC VCE
RECTA DE CARGA de salida

VCC
1
IC

VCE
RC
RC

 Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IC ,VCE)

IC

IB5
IB4
IB3

IB2 =IBQ
IB1

VCE
Obtenemos punto de operacin de salida
Con ambos puntos, tenemos el punto de operacin del transistor

Modelo de Ebers-Moll
RiDC

FiDE

iE

iC

La corriente en el colector es:

iB

iDE

iC F iDE iDC

iDC

Sustituyendo

iC F I ES evBE VT 1 I CS evBC VT 1
Similarmente para el emisor

iE I ES evBE VT 1 R I CS evBC VT 1

 F I ES R I CS I S

La ley de reciprocidad establece que:

Donde F es la alfa directa y R es la alfa inversa.

Sustituyendo en las ecs. anteriores

iC I S e

iE

IS

vBE VT

vBE VT

IS

vBC VT

1 I S evBC

VT

IB

IC

IC

I S VBC /UT
e
1
R
VBC
IB

I S eVBE /UT eVBC /UT

VBE

I S VBC /UT
e
1 I S eVBE /UT eVBC /UT
R

Modelo circuital
genrico

I S VBE /UT
I
e
1 S eVBC /UT 1
F
R

I S VBE / UT
e
1
F

IE

Modelos circuitales simplificados

ZAD: VBE > 0, VBC < 0

I S VBC /UT
e
1
R
VBC
IB

IC

IS e

VBE

VBE / UT

VBC / UT

IS

IC

IB

VBC
IB

VBE

I S VBE / UT
e
1
F

F IB

IC F I B

I E ( F 1) I B

IE

I S VBE /UT
e
F

IC

IE
VBC
IB

VBE ,ZAD

F IB

VBE ,ZAD

IE

IS

R

IC

I S VBE / UT
e
1
F

I S eVBE /UT eVBC /UT

IB

VBC
IB

VBE

I S VBC /UT
e
1
R
VBC
IB

VBE

IC

Modelos circuitales simplificados

ZAI: VBE < 0, VBC > 0

R IB

I S VBC / UT
e
R

I E R I B
I C ( R 1) I B

IE

IC

IE

VBC ,ZAI
IB

VBC ,ZAI

R IB

VBE
VBC ,ZAI VBE ,ZAD

R F

IE

Modelos circuitales simplificados

Saturacin: VBE > 0, VBC > 0

VBC
IB

VBE

I S eVBE /UT eVBC /UT

VBE

I S VBC / UT
e
R

IC

I S VBC /UT
e
1
R
VBC
IB

I S VBE / UT
e
1
F

IC

I S VBE / U T
e
F

I S eVBE /UT eVBC /UT

IE

IC

IE
VBC
IB

VCE,sat
VCE,sat

VBE ,sat
VBE ,sat VBE ,ZAD

IE

Modelos circuitales simplificados

Corte: VBE < 0, VBC < 0

IB

VBE

X X

I S eVBE /UT eVBC /UT

IC

IE

IC

I S VBC /UT
e
1
R
VBC
IB

I S VBE / UT
e
1
F

IE

VBC

VBE

CONFIGURACION DEL TRANSISTOR

Configuracin de BASE comn
La corriente de colector es constante,
por tanto el colector se comporta como
una fuente de corriente constante en la
regin activa.

Caractersticas de salida del transistor

en configuracin de base comn.

Configuracin de EMISOR comn

A diferencia de la configuracin anterior, el voltaje CE

si tiene influencia sobre la magnitud de la corriente de
colector.

Caractersticas de salida del transistor en

configuracin de emisor comn.

Configuracin de COLECTOR comn

Esta configuracin se utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancias. Pues
tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al contrario de las otras dos
configuraciones.

Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta configuracin
son las mismas que se usan para EMISOR comn.

Zonas de operacin
4 modos de operacin en funcin de la polarizacin de las 2 uniones p-n
BJT npn

SATURACIN
DIRECTA

ZAD

CORTE

CORTE

ZAI

SATURACIN
INVERSA

 4 modos de operacin en funcin de la polarizacin de las 2 uniones p-n

SATURACIN
DIRECTA

ZAD

CORTE

CORTE

ZAI

SATURACIN
INVERSA

Activa directa: El BJT acta como amplificador de intensidad:

IC = bFIB con bF ~ 100.

Fluyen corrientes por la unin BE y casi todos los e- emitidos por E son colectados en C.

Activa inversa: El BJT acta como amplificador de intensidad:

IE = -bRIB con bR ~ 1.

Fluyen corrientes por la unin BC y casi todos los e- emitidos por C son colectados en E,
pero son menos que en ZAD.
Saturacin: La ganancia en intensidad decae notablemente y la tensin entre C y E es
baja (~corto).

Corte: Corrientes muy bajas en los tres terminales (~abiertos).

Caracterstica de entrada

IB

VCE 0

VCE

VBE

Caracterstica de salida
SATURACIN
DIRECTA

ZAD

CORTE

CORTE

ZAI

SATURACIN
INVERSA

Gran seal

Punto de
operacin

I BQ

I C (t )

I CQ

Equivalentes circuitales en ZAD

Movimiento alrededor del punto de operacin

VBCQ
VBEQ / U T

ISe

VBEQ

I B (t )

VBC (t )

I S eVBE (t ) /UT

VBE (t )

I S VBE (t ) / UT
e
F

I S VBEQ / U T
e
F

Pequea seal

I E (t )

I B (t ) I B Q iB (t )

VBE (t ) VBE Q vBE (t )

I C (t ) I C Q iC (t )

VBC (t ) VBC Q vBC (t )

con iB (t ) , iC (t ) , vBE (t ) , vBC (t )

I EQ

iC (t )

vBC (t )
iB (t )

g m vBE (t )

vBE (t )

iE (t )

Zona Activa

is
+

Zona de
Saturacin

Zona de
Corte

Vs

Vs

Vs

Vs

Vs=0

is=0

is
+

is

is

is
+

Vs
ATE-UO Trans 04

La corriente de colector como funcin de la

corriente de base.
IC

Saturacin

Esta representacin justifica

en trmino saturacin.
Corte

IB

Determinacin del estado en zona

activa o en saturacin en circuitos

Zona Activa: IC IBbF

Saturacin: IC < IBbF
ATE-UO Trans 64

CDIGOS DE MARCA DE DIODOS

Los sistemas de codificacin ms empleados, en los transistores bipolares

de juntura (BJT), son:

EUROPEO (PROELECTRON)
AMERICANO (JEDEC)
JAPONS (JIS)

CDIGOS DE MARCA EUROPEO (PROELECTRON)

El sistema europeo queda definido por dos letras maysculas seguidas de

tres nmeros utilizados componente para equipos de consumo y por tres
letras y dos nmeros para aplicaciones profesionales.

dos letras, [letra], nmero de serie, [sufijo]

La primera letra del cdigo indica el tipo de material semiconductor empleado

en la fabricacin (germanio, silicio,...).

Letra

Material Semiconductor

Germanio

Silicio

Arsenuro de Galio

Mezcla de materiales

La segunda indica la construccin y/o principal aplicacin.

Letra

Material Semiconductor

Transistor, de audio frecuencia (AF), pequea seal

Transistor de AF de potencia

Transistor de alta frecuencia (HF) de pequea seal

Transistor de HF de potencia

Transistor de conmutacin de baja potencia

Transistor de potencia, conmutacin

La tercera letra indica que el dispositivo est pensado para aplicaciones

industriales o profesionales, ms que para uso comercial. suele ser una W, X,
Y o Z.

La serie del componente es un numero que est comprendido entre 100 y 9999
La letra del sufijo cdigo indica la ganancia del componente (Baja, Media, Alta
y no definida).

Letra

Ganancia

Baja

Media

Alta
No definida

Cdigos de marca americano (JEDEC)

El sistema Americano queda definido por un numero seguida de letra N, la

serie del componente y una letra de sufijo.

numero, [letra], nmero de serie, [sufijo]

El numero se obtiene la resta en uno el numero de pines del componente .

Numero = (n-1)

La letra ser la ene (N).

La serie del componente es un numero que est comprendido entre

100 y 9999

La letra del sufijo cdigo indica la ganancia del componente (Baja,

Media, Alta y no definida).

Letra

Ganancia

Baja

Media

Alta
No definida

CDIGOS DE MARCA JAPONS (JISC)

En el sistema japons el cdigo queda definido por un numero (numero de

pines del componente disminuido en 1), dos letras (indican el rea de
aplicacin y tipo de dispositivo), la serie del componente y sufijo.

numero, [dos letras], nmero de serie, [sufijo]

El numero se obtiene la resta en uno el numero de pines del componente .

Numero = (n-1)

Las dos letras indican el rea de aplicacin y tipo de dispositivo.

Letra

Aplicacin

SA

PNP HF transistor

SB

PNP AF transistor

SC

Transistor NPN HF

SD

Transistor NPN AF

SH

UJT

SJ

FET/MOSFET canal P

SK

FET/MOSFET canal N

La serie del componente es un nmero que est comprendido entre 100 y 9999.

La letra del sufijo cdigo indica la ganancia del componente (Baja, Media, Alta y
no definida).

Letra

Ganancia

Baja

Media

Alta
No definida

Encapsulado
TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico. En la
carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana es el
emisor.

Para saber la configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales

de equivalencias.

 TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia.

Como se puede ver en el grfico es de gran tamao debido a que tiene

que disipar bastante calor. Est fabricado de metal y es muy normal
ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en calor.

 TO-39: Tiene el mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande.

Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercana del
emisor, pero tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa,
para efectos de disipacin de calor.

 TO-92: Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de

pequeas seales.

La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado,

por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias

para obtener estos datos.

.

 TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana

potencia. Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en

se est utilizando.

Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del

transistor. Se debe utilizar una mica aislante.

 TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de

disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que

el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado

por un tornillo debidamente aislado.
.