INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

CENTRO DE ESTUDIOS CIENTIFICOS Y

TECNOLOGICOS #3
ESTANISLAO RAMIREZ RUIZ
Autor: zeuzrayo
asesor: papa pitufo
Fotodiodo
DESARROLLO
Fotodiodo. Diodo detector de luz
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una
cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo
ilumina).
Luz incidente

Sentido de la corriente generada

Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama
corriente de fuga.
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la
luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar
que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo.

Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el

sentido de la flecha (polarizado en sentidodirecto), la luz que lo incide no tendra
efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal.
La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la
cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms
evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse
en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.
Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre
el colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del
transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.
Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para
definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz
visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de
onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.

Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001900

Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600

sulfuro de plomo

<1000-3900

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los

infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren
refrigeracin por nitrgeno lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una
superficie amplia.
Uso
A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos
con tiempo de respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del
Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos
para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
Usados en fibra ptica
Investigacin
La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005)
especialmente en el desarrollo de clulas solares econmicas, miniaturizacin y
mejora de los sensores CCD y CMOS, as como de fotodiodos ms rpidos y
sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra ptica.
Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La
empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar
un fotodetector orgnico, basado en fotodiodos orgnicos.