Schottky versus hmico

Curva caracterstica I-V

Contactos MetalMetal-Semiconductor
y SemiconductorSemiconductor-Semiconductor:
Semiconductor:
Vista Previa de sus Aplicaciones

ELEMENTOS ACTIVOS
EL-2207
II SEMESTRE 2008

Corriente de reversa 0

Contacto Schottky

Contacto hmico
Aplicaciones:
conexin entre metal y
terminales semiconductoras de
dispositivos electrnicos

Aplicaciones:
Rectificacin
Diodos de alta velocidad (diodo
Schottky)

Smbolo del diodo Schottky

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El Diodo

El Diodo
Caracterstica IV real

Caracterstica IV ideal

Caracterstica IV ideal

Comportamiento real definido por:

El diodo ideal acta como un corto circuito para corrientes de polarizacin
directa y como un circuito abierto para corrientes de polarizacin inversa

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Resistividad del semiconductor

Efecto de avalancha y efecto Zener
Corriente de saturacin reversa

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Ecuaci
Ecuacin de Schockley
Curva caracterstica (IV) descrita por la ecuacin de diodo de Shockley

ID = Is (e (VD / Vt ) 1)

Contactos MetalMetal-Semiconductor
y SemiconductorSemiconductor-Semiconductor

Con k = 1.38 1023 J/K: constante de Boltzmann, q = 1.60 1019 C: carga

del electrn y Vt: voltaje trmico Vt
Is: corriente de saturacin de reversa, depende de caractersticas fsicas del
diodo

D
Dp
pn0
I S = qA n n p 0 +
Lp
L n

ELEMENTOS ACTIVOS
EL-2207
II SEMESTRE 2008

A: rea transversal del diodo, D: coeficiente de difusin

L: longitud de difusin de portadores minoritarios
np0: concentracin de electrones del lado P, en equilibrio
pp0: concentracin de huecos del lado N, en equilibrio
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Objetivos

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Diagrama de Bandas de Energ

Energa

Contactos metal-semiconductor y semiconductor-semiconductor

(1 semana)
Contacto metal-semiconductor (contacto Schottky y contacto
hmico)
La unin PN
Unin con polarizacin directa.
Unin con polarizacin inversa, corriente inversa y su dependencia
con la temperatura.
Zona de agotamiento y voltaje de difusin.

Diagrama de bandas = energa en funcin de la posicin

En un diagrama de bandas, V = E / -q definido para un electrn
Estructura bsica de un diagrama de bandas de energa de un semiconductor
Energa E
Nivel de vaco
Afinidad electrnica
Funcin de trabajo
(energa de ionizacin)

Objetivo:
Conocer el comportamiento de los sistemas metal-semiconductor
y semiconductor-semiconductor

Banda de conduccin (EC)

Nivel de Fermi (EF)
Banda de valencia (EV)

Voltaje V

Posicin

Afinidad electrnica se define slo para no metales

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Diagrama de Bandas de Energ

Energa

Contactos MetalMetal-Semiconductor

Nivel de vaco:

Nivel de referencia
Nivel de energa a la cual un electrn se ha liberado del material, es
decir, no ligado al slido
Afinidad electrnica:
energa que un electrn en la banda de conduccin debe ganar para
convertirse en un electrn libre
Definida para semiconductores
Funcin de trabajo:
Diferencia de energa entre el nivel de vaco y el nivel de Fermi
Nivel de Fermi intrnseco:
Nivel de Fermi de un semiconductor intrnseco
Nivel de Fermi intrnseco ubicado aproximadamente en la mitad de la
banda prohibida
Dopado modifica el nivel de Fermi de un material intrnseco de acuerdo
con la intensidad y el tipo de impureza

Un trozo de metal y un trozo de material semiconductor (n o p) se unen

Se clasifican en contactos hmicos y contactos Schottky, dependiendo de
la diferencia entre la funcin de trabajo del metal y la funcin de trabajo del
semiconductor
Metal

Semiconductor

Nivel
vaco

Nivel
vaco
EC
EF

EF

EFi

EC

EV
Metal

Semiconductor N
separacin

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Contacto Schottky

Contacto MetalMetal-Semiconductor

El contacto Schottky conduce corriente en una sola direccin

El semiconductor puede ser de tipo P o N
Condicin para el contacto Schottky: M > S para semiconduc tores n
M < S para semiconduc tores p

Nivel
vaco

Nivel
vaco
EC
EF

EF

distancia
Metal

Nivel
vaco

Semicond. N

Nivel
vaco

EC

- - + + +

EFC

EF

EF
E
Fi

EC

Campo elctrico

EV

EFi

EC

Metal

EV
Semiconductor N

Metal

- Electrones

Semiconductor N

EV

+ Donadores ionizados (inmviles)

+

ND ND + e

separacin
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EFi

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Deformaci
Deformacin de Bandas Contacto Schottky

Potencial de Contacto y Barrera Schottky

distancia
Nivel
vaco

Nivel
vaco

Potencial de contacto:
Barrera Schottky:

Eo

q
q B

Barrera de potencial para

electrones del semiconductor

Barrera de potencial
para electrones del metal

q Vbi

EF

EC
EF

EC

EF

q S

Electrones deben superar

barreras de energa para
pasar de un material a otro
despus de alcanzar el
equilibrio

EV

EF
xn w

EFi

zona de agotamiento

Metal

EV
Semiconductor N

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Vbi = m - s

Potencial de contacto: barrera para pasar del semiconductor al metal

B = m -

Barrera Schottky: barrera para pasar del metal al semiconductor

Contacto Schottky con Polarizaci

Polarizacin Inversa

EF

B constante

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Contacto Schottky con Polarizaci

Polarizacin Directa

Aumenta barrera de potencial para

electrones del semiconductor
Vbi-VR

Disminuye barrera de potencial para

electrones del semiconductor
E

EC
EF

qVR

B constante

EF

EFi

EFi

EV

Schottky bloquea el paso de corriente

0V
Slo fluye una corriente de reversa muy
pequea I 0
Ireversa = electrones del metal con energa
mayor que la barrera Schottky: muy
pocos electrones!

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Metal

Semiconductor

VR

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Semiconductor N

Metal

Corriente tcnica I 0

Con polarizacin directa, el contacto

1V

Corriente tcnica Corriente real

0V

Metal

Semiconductor

+-

Con polarizacin inversa, el contacto

qVF

EV

Semiconductor N

Metal

EC
EF

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-1V

Schottky permite el paso de corriente

Polarizacin directa disminuye el
potencial de contacto
ms electrones con energa
suficiente para fluir del
semiconductor al metal
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Contacto Schottky Diodo Schottky

Contacto Schottky = contacto
rectificante
Polarizacin inversa: bloquea
flujo de corriente
Polarizacin directa: permite
flujo de corriente
permite el paso de corriente
en un sentido y la bloquea en
el otro sentido

Aplicacin: diodo Schottky

Contacto hmico
El contacto hmico conduce corriente en ambas direcciones
El semiconductor puede ser de tipo P o N
Condicin para el contacto hmico:
M < S para semiconduc tores n

ID

M > S para semiconduc tores p

Is 0
0.3V

VD

ID = Is (e (VD / Vt ) 1)

Diodo para alta frecuencia

Bajo potencial de contacto
Metal

Nivel
vaco

Nivel
vaco

EF

EFi

EC

Semiconductor
N

EV
Ctodo

nodo

EC
EF

Metal

Semiconductor N
separacin

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Contacto hmico

Deformaci
Deformacin de Bandas Contacto hmico
distancia

distancia
Campo elctrico

Nivel
vaco

Nivel vaco
EC

- - +
+
+

EF

ECEF
EFEFi

EC
Metal

Nivel
vaco

Nivel
vaco

Muy pequea barrera de potencial

para electrones del metal

EFi
EV

EF

EV

EC

No barrera de potencial para

electrones del semiconductor
EC
EF
EFi

Semiconductor N

EV
Metal

- Electrones

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Semiconductor N

Flujo de electrones es posible en ambas direcciones

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Polarizaci
Polarizacin del Contacto hmico
No hay barrera para flujo de
electrones del semiconductor al metal

Schottky versus hmico

Muy pequea barrera para flujo de

electrones metal al semiconductor

Curva caracterstica I-V

I

I
Flujo de electrones

Flujo de electrones

EC
EFm

EFm

Ei

EC

EV

Ei
EV

Metal

-1V

Semiconductor

0V

Metal

Semiconductor

1V

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Contacto hmico

Aplicaciones:
Rectificacin
Diodos de alta velocidad

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Uni
Unin PN

Un trozo de semiconductor N y un trozo de semiconductor P se juntan

Portadores mayoritarios: huecos

Portadores minoritarios: electrones
Unin metalrgica

Mayoritarios: electrones
Minoritarios: huecos

Consideraciones para anlisis:

Portadores mayoritarios: electrones

Portadores minoritarios: huecos

= Gradiente concentracin de portadores de un mismo tipo

Difusin de huecos del lado P al lado N

El sistema est en equilibrio = no est afectado por ninguna perturbacin

(Ej: voltaje, luz, gradientes trmicos, no est siendo afectado por ningn
campo elctrico o magntico)
El dispositivo es unidimensional

Difusin de electrones del lado N al lado P

Ionizacin de tomos dopantes
Ionizacin de aceptores

En la superficie de unin de los materiales (unin metalrgica) hay un

cambio abrupto del dopado: de material P a material N
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Contacto Schottky

Aplicaciones:
conexin entre metal y
terminales semiconductoras de
dispositivos electrnicos

Contacto SemiconductorSemiconductor-Semiconductor

Mayoritarios: huecos
Minoritarios: electrones

Corriente de reversa 0

+-

0V

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NA NA + h+
+

Ionizacin de donadores ND ND + e

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Zona de Agotamiento

Zona de Carga Espacial

Difusin de portadores mayoritarios causa la formacin de una zona de

agotamiento en la unin debido a la ionizacin de impurezas de dopado

La zona de agotamiento tambin se conoce como zona de carga espacial

Impurezas ionizadas crean un campo elctrico en la junta, dirigido del lado

N al lado P

El campo elctrico crea una corriente de arrastre de direccin opuesta a la

corriente de difusin

dp

Jp = q p p E - Dp
=0
dx

Campo elctrico E

Jdif,p
P

dn

Jn = q n n E + Dn
=0
dx

Jdrift,p
Jdrift,n

Corriente neta = 0, los niveles de Fermi se alinean

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Potencial de Contacto

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Jdif,n
N

Donador ionizado

Aceptor ionizado

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An
Anlisis Cualitativo de Uni
Unin Polarizada

Potencial de contacto VBI : cada de tensin debido a campo elctrico de

la unin

Polarizacin directa: voltaje positivo al lado P y negativo al lado N

Polarizacin inversa: voltaje negativo al lado P y positivo al lado N

VBI puede calcularse como

N N
VBI = Vt ln A 2 D

ni

En polarizacin inversa la zona de carga

espacial aumenta
La polarizacin refuerza el efecto del voltaje
de contacto, no fluye corriente

NA: concentracin de aceptores del semiconductor p

ND: concentracin de donadores del semiconductor n

En polarizacin directa se puede

establecer un flujo de corriente de
P a N, si el voltaje aplicado es
mayor que el voltaje de contacto

ni: concentracin intrnseca de portadores de carga

(1.4 x 1010 cm-3)
Vt: voltaje trmico (25mV a 300K)

C=

Si
xn

q Si
1
2 Vbi 1
1
N + N
D
A

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VD 0.7V para juntas de silicio

VD 0.3V para juntas de germanio

Capacitancia de la zona de agotamiento

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Modelo de Bandas de Uni

Unin PN

EC

N
e

q Vbi

EFi

EC
EF

(EF - EFi)P
EF
EV

(EF - EFi)N
h

+V

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EFi

q Vbi
EV

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