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Centro Educativo Salesianos Alameda

Educando con el corazn de Don Bosco

Medicin y Anlisis
de circuitos
Electrnicos

UNIN PN Y DIODO SEMICONDUCTOR

Al unirse los materiales semiconductores extrnsecos tipo P y tipo N se va a
provocar un sector o zona de contacto llamada unin semiconductora. Esto trae consigo
un proceso de recombinacin en la regin donde se unen dichos materiales, debido a que
los electrones tendern a recombinarse con los huecos adyacentes a la unin,
generndose a su vez una zona denominada Regin de Agotamiento (debido a la
disminucin de portadores en ella), Regin desrtica o Regin de Carga Especial, y
donde adems se genera un campo elctrico en las inmediaciones de la unin, asociado a
las cargas quedan sin compensar durante el proceso de difusin al momento de
generarse el contacto entre los materiales, formando la denominada barrera de
potencial, que impedir la continuacin del proceso de difusin (paso de portadores a
uno y otro lado de la unin).
SIN APLICACIN DE POLARIZACIN (VD = 0 V)
Bajo condiciones sin polarizacin (sin un voltaje aplicado), cualquier portador
minoritario (hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la regin de
agotamiento fluir directamente hacia el material tipo p. Mientras ms cercano se
encuentre el portador minoritario a la unin, mayor ser la atraccin hacia la capa de
iones negativos y menor la oposicin de los iones positivos de la regin de agotamiento
del material tipo n.
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben superar tanto
a las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos de material tipo n como al
escudo de iones negativos del material tipo p, para poder migrar al rea del material
tipo p que se encuentra ms all de la regin de agotamiento. Sin embargo, dado que el
nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n, existir
invariablemente un nmero pequeo de portadores mayoritarios con suficiente energa
cintica para pasar a travs de la regin de agotamiento hacia el material tipo p.
Nuevamente el mismo razonamiento se aplica a los portadores mayoritarios (huecos) del
material tipo p.
En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga en
cualquier direccin para la unin semiconductora es cero.

Unin semiconductora PN sin polarizacin externa.

POLARIZACIN DE LA UNIN SEMICONDUCTORA.

1.- POLARIZACIN DIRECTA: Se establece una situacin de polarizacin directa
cuando se aplica un potencial positivo a un material tipo P, y uno negativo a un material
tipo N. La aplicacin de un potencial con polarizacin directa VD "presionar" a los
electrones del material tipo N y a los huecos del material tipo P para que se recombinen
con los iones cercanos a la frontera, reducindose el ancho de la regin de agotamiento,
y provocando un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la unin. Un electrn del
material tipo N ahora "advierte" una barrera ms reducida en la unin debido a una
regin de agotamiento reducida y una fuerte atraccin ocasionada por el potencial
positivo aplicado al material tipo P. A medida que la magnitud de la polarizacin aplicada
se incrementa, la regin de agotamiento continuar disminuyendo su amplitud hasta que
un grupo de electrones pueda atravesar la unin, con un incremento exponencial de la
corriente, denominada corriente de difusin ID o corriente directa compuesta por
portadores mayoritarios. Junto a ello, tambin existir una corriente mucho menor, y
opuesta a la anterior, denominada corriente de arrastre o corriente inversa de
saturacin IS, que para este caso es prcticamente despreciable. Por tanto, la corriente
total a travs de la unin queda definida por:
IUNIN = ID - IS (A)

Unin semiconductora PN bajo condiciones de polarizacin directa.

2.- POLARIZACIN INVERSA: Si se aplica un potencial externo de V volts a travs

de la unin PN de tal forma que el terminal positivo se conecta al material tipo N, y el
terminal negativo al material tipo P, el nmero de iones descubiertos positivos en la
regin de agotamiento del material tipo N se incrementar debido al gran nmero de
electrones "libres" atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones
similares, el nmero de iones descubiertos negativos se incrementar en el material tipo
P. El efecto neto ser, por lo tanto, un crecimiento de la regin de agotamiento, con lo
cual tambin se establecer una barrera que detendr el paso de los portadores
mayoritarios, lo que da como resultado una reduccin a cero del flujo de stos.

Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran en la regin de

agotamiento no cambia, mantenindose el flujo de portadores minoritarios. La corriente
que se forma bajo una situacin de polarizacin inversa se denomina corriente inversa
de saturacin y se representa por IS,
La corriente de saturacin inversa rara vez es mayor a unos cuantos
microamperes, excepto para el caso de dispositivos de alta potencia. El trmino
saturacin proviene del hecho de que alcanza rpidamente su mximo nivel y de que no
cambia de forma importante con incrementos del potencial de polarizacin inversa.

Unin semiconductora PN bajo condiciones de polarizacin inversa.

DIODO SEMICONDUCTOR
Est compuesto por una unin semiconductora tipo PN, y posee dos terminales:
-

NODO Sector P de la unin.

CTODO Sector N de la unin.

Smbolo esquemtico:

Smbolo para diodo semiconductor.

Es posible demostrar mediante el empleo de la fsica del estado slido que las
caractersticas generales de conduccin para un diodo semiconductor se pueden definir
con la siguiente ecuacin, tanto para la condiciones de polarizacin directa como para la
de tipo inversa:
1.ID =

ID = Corriente del diodo (A).

n VVT

IS e
1 (A)

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IS = ISO = IA = Corriente Inversa de saturacin (A).
e = Nmero Euler.
n = Constante emprica o factor exponencial de idealidad (n para Si = 1; n para Ge =2)
V = Voltaje los extremos del diodo.
Vt =Tensin equivalente de T.
T
Vt=
; Si T =300K VT 26 (mV).
11600

Grfica para la funcin y = eX.

Para valores de VD positivos, el primer trmino de la ecuacin anterior crecer de

forma muy rpida y sobrepasar el efecto contrario del segundo trmino. El resultado
de esto es que para valores positivos de VD, ID ser positiva y crecer a un ritmo
exponencial, de manera similar que la funcin matemtica y = eX mostrada en la figura
anterior. Para el caso cuando el voltaje VD = 0 Volt, la ecuacin arroja como resultado un
valor de 0 amperes. Para el caso de valores negativos de VD, el primer trmino de la
ecuacin rpidamente caer hacia niveles inferiores de IS , con lo cual el valor de
corriente se hace negativo. Todo este comportamiento queda graficado en la curva
caracterstica para un diodo semiconductor.

Curvas caractersticas para un diodo semiconductor de Silicio y uno de Germanio.

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RESISTENCIA ESTTICA DEL DIODO:
La aplicacin de un voltaje continuo a un circuito que contiene un diodo
semiconductor tendr por resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica
que no vara con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacin puede
encontrarse fcilmente localizando primero los valores correspondientes de VD y de ID ,
y aplicando posteriormente la siguiente ecuacin:

RD =

VD
ID

( )

Determinacin de la resistencia esttica de un diodo semiconductor en un punto de operacin especfico

de la curva.

Los niveles de resistencia para la regin de polarizacin inversa naturalmente

sern muy altos. En general, a menor corriente a travs del diodo mayor ser el nivel de
resistencia en corriente continua.

Ejemplo:

RD =

VD
ID

0,7 (V )
= 23.3( )
30(mA)

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Para un caso de polarizacin inversa, se tiene:

RD =

VD
ID

10(V )
= 1(M )
10(A)

RESISTENCIA DINMICA DEL DIODO:

A partir de la ecuacin utilizada anteriormente, se observa que la resistencia
esttica es independiente de la forma que tenga la caracterstica para la regin que
rodea al punto de inters. Si en lugar de aplicar una entrada continua al diodo, se aplica
una entrada senoidal, la situacin cambia por completo, ya que la variacin de la entrada
desplazar al punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo a una regin de
la curva caracterstica, y de esta manera se definir un cambio especfico en la
corriente y el voltaje. Sin la aplicacin de una seal con variacin, el punto de operacin
estable sera el denominado punto Q determinado por los niveles de VD y de ID
aplicados. La designacin de punto Q se deriva de la palabra estable (del ingls
quiescent), que significa quieto o sin variacin".

Definicin para la resistencia dinmica dentro de la curva caracterstica de un diodo semiconductor.

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Si se dibuja una lnea recta tangente a la curva sobre el punto Q como se muestra
en la siguiente figura, se definir un cambio particular en el voltaje y en la corriente que
se puede utilizar para determinar la resistencia dinmica para esta regin de las
caractersticas del diodo:

Determinacin de la resistencia dinmica dentro de la curva caracterstica de un diodo semiconductor

para un punto Q.

En forma de ecuacin, el valor de resistencia dinmica corresponde a:

rd =

V
()
I

Mientras mayor sea la pendiente, menor ser el valor de V para el mismo cambio
en I y menor ser la resistencia. La resistencia dinmica para la regin de crecimiento
vertical de la caracterstica es por lo tanto muy pequea, mientras que es mucho mayor
para niveles bajos de corriente. Por lo tanto, y en general, mientras menor sea el punto
de operacin Q (corriente ms pequea o voltaje ms pequeo) mayor ser la resistencia
dinmica.
A partir de la ecuacin de corriente para un diodo, y aplicando reglas de clculo
superior, se obtiene que la resistencia dinmica se puede determinar directamente con
la siguiente expresin, sin disponer de los datos de la curva caracterstica:

rd =

26(mV )
( )
ID

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ANLISIS DEL DIODO EN CORRIENTE CONTINUA

POLARIZACIN DIRECTA:

Circuito de corriente continua con diodo semiconductor polarizado en forma directa.

Circuito equivalente:

Circuito equivalente, con resistencia interna = 0.

A partir de la Segunda ley de Kirchhoff (ley de los voltajes), se obtiene la

siguiente ecuacin de malla (diodo con resistencia esttica o interna = 0):

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VT = VR + VD
VT = (IT R) + VD
VT VD = IT R
IT =

(VT VD )
(A)
R

Para el caso del diodo con diodo con resistencia esttica o interna 0, el anlisis es el
siguiente:

Circuito equivalente:

Circuito equivalente, con resistencia interna distinta de 0.

VT = VR + VD
VT = (I R) + I + RINT
VT = I(R + RINT )
IT =

VT VD
(A)
(R + RINT )

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Ejemplo:
Para un circuito a T ambiente, con un diodo de Si, una resistencia de 2,2 (K), y
un valor de fuente de alimentacin de 10 (V), determine el valor de IT. Considere la
resistencia interna RD = 0.
Solucin:

Circuito esquemtico para el problema planteado.

Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff para la malla, y considerando la cada de tensin

en los extremos del diodo, se tiene el siguiente anlisis:

0,7(V ) ( I 2,2 K ) + 10(V ) = 0

( I 2,2 K ) = 10(V ) + 0,7(V )
9,3(V )
( I 2,2 K ) =
/ x(1)
2.2( K)
9,3(V )
I=
2.2( K)
IT = 4,22(mA)

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POLARIZACIN INVERSA:

Circuito de corriente continua con diodo semiconductor polarizado en forma inversa.

Circuito equivalente:

Circuito equivalente para polarizacin inversa.

En condiciones de polarizacin inversa, el nodo del diodo se encuentra ms

negativo que el ctodo, lo que no permite la conduccin de corriente a travs del
componente, comportndose como un circuito abierto. Esto arroja como resultado que la
malla se encuentre abierta, por tanto no existe circulacin de corriente por ella (IT = 0),
y el voltaje en los extremos de la resistencia es cero.