UNION P-N

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego

redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada
applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"*.Union+
,-+en+equilibrio+y+polarizada"&pplet*.tml
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"..'a+ley
+de+Soc/ley"&pplet..tml
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"&pplet*"
)iodo%onmuta&pplet.tml
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brio+y+polarizada"&pplet*.tml
Introduccin
Los applets son animaciones interactivas, para que puedas
visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com
Se denomina unin ,- a la
estructura 3undamental de los
componentes electrnicos
com4nmente denominados
semiconductores, principalmente
diodos y transistores 567. $st
3ormada por la unin metal4rgica
de dos cristales, generalmente de
Silicio 8Si9, aunque tambi:n se
3abrican de ;ermanio 8;e9, de
naturalezas , y - seg4n su
composicin a ni2el atmico. $stos
tipos de cristal se obtienen al dopar
cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas,
normalmente con alg4n otro metal
o compuesto qu0mico. $s la base
del 3uncionamiento de la energ0a
solar 3oto2oltaica.
&pplet
$n este caso, la bater0a disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a tra2:s de la unin<
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positi2o de la pila a la parte , de la unin
, = - y la negati2a a la -. $n estas condiciones podemos obser2ar que!
$l polo negati2o de la bater0a repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen acia la unin p=n.
$l polo positi2o de la bater0a atrae a los electrones de 2alencia del cristal p,
esto es equi2alente a decir que empu1a los uecos acia la unin p=n.
%uando la di3erencia de potencial entre los bornes de la bater0a es mayor que
la di3erencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energ0a su>ciente para saltar a los uecos del cristal p,
los cuales pre2iamente se an desplazado acia la unin p=n.
Utilizando el control de 2olta1e permitir los uecos de la regin , y los
electrones de la regin - son empu1ados acia la unin por el campo el:ctrico
a que da lugar la polarizacin. ,or lo tanto, se reduce la ancura de la zona de
transicin. 'os portadores mayoritarios 8uecos de la zona p y electrones de la
zona n9 de ambas regiones tienden a separase de la unin, empu1ados por el
campo el:ctrico a que da lugar la polarizacin, aumentando el anco de la
zona de transicin.
Segundo enlace
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"..'a+ley+de+Soc/ley
"&pplet..tml
Introduccin!
$l modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Soc/ley
8en onor a William 5rad3ord Soc/ley9 que permite aproximar el
comportamiento del diodo en la mayor0a de las aplicaciones. 'a ecuacin que
liga la intensidad de corriente y la di3erencia de potencial es!
)onde!
I es la intensidad de la corriente que atra2iesa el diodo y ?) la di3erencia de
tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin 8aproximadamente @ABC@D&9
q es la carga del electrn
7 es la temperatura absoluta de la unin
/ es la constante de 5oltzmann
n es el coe>ciente de emisin, dependiente del proceso de 3abricacin del
diodo y que suele adoptar 2alores entre @ 8para el germanio9 y del orden de D
8para el silicio9.
$l t:rmino ?) E /7"q E 7"@@FAA es la tensin debida a la temperatura, del
orden de DF m? a temperatura ambiente 8*AA G DH I%9.
&pplet
&rriba muestra la polarizacin.
&l medio las relaciones no lineales dan
como resultado cur2as entre la
concentracin de uecos y la
concentracin de uecos minoritarios
&ba1o el resultado de la unidad de
corriente
7ercer enlace
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"&pplet*")iodo%onmu
ta&pplet.tml
$n este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la
tensin aplicada en sus bornas de positi2a a negati2a y 2ice2ersa. ,ara ello se
dispone del esquema de un circuito con dos 3uentes de tensin 8una positi2a y
otra negati2a9 y un conmutador, un circuito de polarizacin 8que incluye una
resistencia9 y un diodo de unin. $ste esquema se sit4a en la parte superior
dereca del applet y se puede conmutar entre tensiones aciendo Jclic/J con el
ratn en la zona entre las dos 3uentes de tensin. &l iniciar la aplicacin
aparecer un mensa1e y una Keca que seLala la mencionada zona sensible.
$l usuario puede modi>car todos los parmetros del circuito presionando el
botn del panel superior con el texto J,armetros circuitoJ. &l presionarlo
aparecer una 2entana con tres campos editables donde se pueden introducir
los 2alores num:ricos deseados para la tensin directa 8?M9, la tensin in2ersa
8?(9 y la resistencia de polarizacin 8(9. 7ras introducir los nue2os 2alores es
necesario pulsar el botn J&ceptarJ de la 2entana de los parmetros del
circuito para que tengan e3ecto los cambios.
)eba1o del circuito aparecen cuatro gr>cas que 2ar0an en el tiempo y donde
se representan los parmetros ms importantes que controlan el
comportamiento del diodo. 'a primera gr>ca representa la tensin
seleccionada en el circuito< la segunda la corriente que circula por el diodo< la
tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo 8aplicando la
aproximacin de diodo asim:trico9 y la 4ltima gr>ca es la tensin que cae en
bornas del diodo. $stas cuatro gr>cas se 2an actualizando en el tiempo y se
irn desplazando acia la dereca con3orme a2ance el tiempo.
$n la parte superior de la dereca del programa aparecen las ecuaciones que
rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se
muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas
del diodo y para los per>les de los minoritarios en el nodo y al ctodo. 6usto
deba1o de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustituyendo cada 2ariable por al 2alor actual que tiene en la simulacin.
&lgunos de los parmetros son constantes en el tiempo 8asta que se
modi>can por parte del usuario9, pero otros se modi>can instantneamente
con3orme e2oluciona el tiempo. 7ambi:n, a la dereca de las gr>cas, se
muestran los 2alores instantneos para estas 3unciones temporales.
,ara modi>car los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel
superior J,armetros )iodoJ. %uando se ace se despliega una nue2a 2entana
donde se podrn modi>car los parmetros! las concentraciones de impurezas
del nodo y el ctodo, los tiempos medios de 2ida de los minoritarios, las
contantes de di3usin de los uecos y electrones, el rea de la unin, la tensin
de disrupcin y la capacidad media equi2alente de la unin para in2ersa. 7ras
introducir los nue2os 2alores es necesario pulsar el botn J&ceptarJ de la
2entana de los parmetros del circuito para que tengan e3ecto los cambios.
)eba1o de las ecuaciones apare una imagen donde se representa,
instantneamente, los per>les de minoritarios que ay en el nodo y en el
ctodo, as0 como la ancura de la zona espacial de carga. $l 2alor de los
per>les para xEA 81unto a la zona dipolar9 se muestra tambi:n, as0 como el
2alor de los que penetra la zona dipolar en las zonas - y , del diodo. )eba1o,
para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo 8)irecta,
In2ersa o )isrupcin9.
$n el panel in3erior aparecen oco botones que permiten con>gurar la
apariencia de la zona de las 3unciones temporales y la simulacin temporal del
applet. 'os cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una
de las gr>cas de las 3unciones. &s0 se podr ocultar alguna de ellas si no se
est interesado en ella en alg4n momento para centrarse en la e2olucin y
caracter0sticas de otras. 'os cuatro botones de la dereca permiten 2ariar la
2elocidad de simulacin. %on dos de ellos se puede acelerar o 3renar la
simulacin y con los otros dos se puede detener y a2anzar paso a paso. $l
botn de siguiente paso slo estar acti2o cuando la simulacin est: pausada.
,or de3ecto aparecer un nue2o 2alor en las 3unciones cada microsegundo.
$ste parmetro no podr ser modi>cado por el usuario.
'uis ,alacios &guirre