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eLec1ncNicA be rc1eNciA
Prctica 1
Circuitos de Disparo
Trabajo Preparatorio
Alumno: Paolo Pancho
Instructor: Carlos Imbaquingo
Date: 5 de octubre de 2014
Electrnica de Potencia
1. Objetivos
Conocer las caracteristicas de los elementos de resistencia negativa,elementos emplea-
dos en la generacion de seales de control.
Conocer el funcionamiento de la tecnica de modulacion de ancho de pulso oPWM y
hacer uso de esta para generar seales de control de elementos semiconductores de
potencia.
Figura 1: Buho de la EPN [? ]
2. Marco Terico
Elementos de resistencia negativa
Son elementos semiconductores.Se usan para generar seales de control en donde se ca-
racterizan por tener una zona de bloqueo y una zona de conducion algo similar a la de un
diodo,tienen una region intermedia en la que a un incremento de corriente entre dos de sus
terminales se produce una reducin en el voltaje entres estos terminales.
La region de bloqueo se caracteriza por su baja conductividad, la zona de conducion en
cambio se caracteriza por su alta conductividad,puede conducir corrientes en el orden de los
milianperios.
2.1. Elementos de resistencia negativa mas conocidos
entrte estos distintos apratos de resistencia tenemos lo mas conocidos que son:
Transistor unijuntura UJT
Transistor unijuntura programable PUT
Conmutador unidirecional de silicio SUS
Conmutador bidirecional de silicio SBS
Conmutador controlado de silicio SCS
Diodo bilateral de disparo DIAC
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Electrnica de Potencia
2.2. Transistor unijuntura UJT
Es un elemento de resistencia negativa que posee dos capas.Puede ser usado en circuitosque
generen pulsos de control.
Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN.costa de
una barra de silicio tipo N ligeramente dopado que tiene dos contactos de base en ambos
etxremos de su supercie.
Para que exista conducion en un UJT el voltaje del emisor debe sobrepasar el valor del voltaje
pico.
2.3. Transistor unijuntura programable PUT
El transistor unijuntura programable (Programmable Unijunction Transistor, PUT) es un
dispositivo compuesto de 4 capas semiconductoras. el disparo del PUT es respecto del nodo
en vez del ctodo. Mediante un divisor de tensin resistivo se establece precisamente la
tensin de disparo (tensin de pico, Vp, del PUT). Los PUTs se utilizan casi exclusivamente
para control de fase en circuitos de recticacin controlada, y en algunos casos, se los utiliza
como osciladores.
2.4. Commutator unidirecional de silicio SUS
El Interruptor unilateral de silicio o mejor conocido por sus siglas en ingls como SUS (Silicon
Unilateral Switch), es un dispositivo de tres terminales (nodo, ctodo y compuerta) el cual
conduce en una sola direccin de nodo a ctodo cuando el voltaje en el primero es mayor
que en el segundo. Presenta caractersticas elctricas muy similares a la de un diodo de cuatro
capas; sin embargo, la presencia de la terminal de compuerta le permite controlar su voltaje
de disparo.
Figura 2: transistor unijuntura programable
2.5. Conmutador bidirecional de silicio SBS
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico para aplica-
ciones de disparo ms verstil que el SIDAC.
Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modicar sus caractersticas de
disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A).
Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos
valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones.
EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado
como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias.
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Electrnica de Potencia
2.6. Conmutador controlado de silicio SCS
esta formado por cuatro partes de material semiconductor dopado donde cada una de las
secciones se conectan a un terminal. no puede ser disparado por medio de las dos compuertas
anodo y catodo,ademas esta diseado para trabajar con corrientes pequeas en el orden de
los miliamperios.
2.7. Diodo bilateral de disparo DIAC
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y
Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin)
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas
opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est
conectado ensentido opuesto. El DIACnormalmente no conduce, sino que tiene una pequea
corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensinde disparo se alcanza, la tensinenel DIACse reduce y entra enconduccin
dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCRo TRIAC. Se utiliza principalmente
en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.
2.8. Seal PWM
la seal PWM es la que se caracteriza por tener el periodo cosntante pero su ancho de pulso
variable Un PWM permite que ciertos sistemas continuos en el tiempo, tales como un motor,
sean controlados por una seal discreta.Entre las aplicaciones de un PWM se tiene:
Fuentes de alimentacin comunes
Computadoras y otros dispositivos electrnicos
Control de velocidad de motores DC
Control de iluminacin de lmparas
Amplicadores audio para generar las seales de salida para los altavoces del telfono o
los sistemas estreos de alta potencia. Los amplicadores hechos con PWM producen
menos perdidas por ejemplo por calentamiento, con relacin a los amplicadores
anlogos tradicionales.
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Electrnica de Potencia
2.9. Amplicadores Operacionales
El concepto original del AO (amplicador operacional) procede del campo de los compu-
tadores analgicos, en los que comenzaron a usarse tcnicas operacionales en una poca tan
temprana como en los aos 40. El nombre de amplicador operacional deriva del concepto
de un amplicador dc (amplicador acoplado en continua) con una entrada diferencial y
ganancia extremadamente alta, cuyas caractersticas de operacin estaban determinadas
por los elementos de realimentacin utilizados. Cambiando los tipos y disposicin de los
elementos de realimentacin, podan implementarse diferentes operaciones analgicas; en
gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo por estos
elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo amplicador era capaz de realizar
diversas operaciones, y el desarrollo gradual de los amplicadores operacionales dio lugar al
nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de circuitos.
Caractersticas bsicas:
Voltaje de salida positivo y negativo con una amplia gama dinmica
Desajuste de salida con el tiempo y temperatura muy reducida
Ganancia en lazo abierto muy grande
Alta impedancia de entrada
3. Trabajo Preparatorio
3.1. Consultar las conguraciones de amplicadores operacionales enmo-
do: Amplicador Inversor, Amplicador No Inversor, Comparador de
Voltaje y Amplicador conHistresis (Disparador de Schmitt) consus
respectivas ecuaciones.
3.2. Amplicador Inversor
en esta conguracion ocurre que la seal de salida se desfasa ya que el concepto de inversor
es invierte la seal de entrada.
A =1+
R
f
R
i
Z
e
nt (NI ) =(1+A
o
l ) Z
e
nt
Z
o
ut (NI ) =
Z
o
ut
1+R
i
A
o
l
4
Electrnica de Potencia
Figura 3: Amplicador Inversor [? ]
3.3. Amplicador no Inversor
Un amplicador operacional conectado como amplicador inversor con una cantidad con-
trolada de ganancia de voltaje. La seal de entrada se aplica a travs de un resistor de entrada
Ri conectado en serie con la entrada inversora (-). Asimismo, la salida es realimentada a travs
de Rf a la misma entrada. La entrada no inversora (+) se conecta a tierra.
Figura 4: Amplicador no Inversor [? ]
A =
R
f
R
i
Z
e
nt (I ) =R
i
Z
o
ut (I ) =
Z
o
ut
1+R
i
A
o
l
3.4. Comparador de voltaje
Un comparador es un circuito basado en un amplicador operacional especializado que
compara dos voltajes de entrada y produce una salida que siempre est en uno de dos estados,
lo que indica la relacin mayor o menor entre las entradas. Los comparadores proporcionan
tiempos de conmutacin muy rpidos y pueden tener capacidades adicionales (tales como
un corto retardo de propagacin o voltajes de referencia internos) para optimizar la funcin
de comparacin.
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Electrnica de Potencia
Figura 5: comparador de voltaje [? ]
3.5. Cmplicadores con histeresis
Se conocen tambin como disparadores Schmitt o Schmitt triggers. Como concepto
general, el trmino HISTERESIS denota una caracterstica de comportamiento (respuesta)
que depende del sentido en que vare el estmulo(entrada).
Figura 6: comparador de voltaje [? ]
3.6. INVERSOR CONHISTRESIS
Tenemos el inversor con histresis:
Figura 7: comparador de voltaje [? ]
3.7. NO-INVERSOR CONHISTRESIS
Tenemos el no inversor con histeresis :
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Electrnica de Potencia
Figura 8: comparador de voltaje [? ]
3.8. Disear y simular los generadores de onda cuadrada y triangular de
las guras 18 y 19 para una frecuencia de 100Hz con una amplitud de
-10V a 10V si se dispone de fuentes de +-15V.
3.9. generador de onda cuadrada
Para este diseo asumimos valores de resistencias en mi caso asumi valores iguales para
facilitarlos calculos y valores de resistencias altos en el orden de los kilo-ohms.
R1 =10k =R2 =R3
con estos valores podemos calcular el valor del capacitor utilizando la ecuacion que involucra
las resistencias el capacitorr y el periodo de la seal.
Figura 9: generador de seal cuadrada [? ]
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Electrnica de Potencia
C =
T
2R
1
l n(
1+k
1k
)
T =
1
f
T =
1
100
T =0,01[s]
K =
R
3
R
2
+R
3
K =
10k
10k +10k
K =0,5
C =
0,01
210k l n(
1+0,5
10,5
)
C = 1 [uf ]
Con estos calculos podemos hacer la simulacion del circuito y los resultados de la simulacion
son los siguientes:
Figura 10: generador de seal cuadrada [? ]
Figura 11: forma de onda [? ]
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Electrnica de Potencia
Figura 12: generador de seal triangular [? ]
3.10. generador de onda triangular
Para este diseo tenemos las condiciones de un voltage vcc=15[V],una amplitud de 20 [V].
Asumo valores de resistencia para poder hacer los calculos y cumplir con las condiciones de
diseo:
R
1
=1k, R
3
=1,2k
c
1
=1uf
con estos valores puedo calcular la resistencia R2 faltante despejando de la ecuacion:
R
2
=
R
1
4 f R
3
C
R
2
=
1k
41001,2k 1u
R
2
=2,7[kohm]
simulacion:
Figura 13: generador de seal cuadrada [? ]
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Electrnica de Potencia
Figura 14: forma de onda [? ]
3.11. Consultar el esquema, disear y simular un circuito generador de
PWMde 1KHz y la relacin de trabajo variable de 0.1 a 0.9 usando el
integrado LM555. La alimentacin del circuito es una sola fuente de
15V.
Teniendo en cuenta la siguientes ecuaciones:
f =
1
T
=
1,44
(R
A
+2R
B
) C
T =
1
f
la relacion de trabajo esta en el siguiente rango: 0.1< <0,9T =
1
f
asumiendo las resitencias de
un valor grande de 10k
R
A
=R
B
=10k
C =
1
T
=
1,44
(10k +210k) 1khz
C =47nf
simulacion:
Figura 15: generador de seal cuadrada [? ]
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Electrnica de Potencia
Figura 16: forma de onda [? ]
3.12. Analizar el funcionamiento de los circuitos simulados
Gerador de Onda Cuadrada:
En este circuito cuando la tensin del capacitor alcanza el voltaje umbral positivo y negativa la
fuente de carga cambia suvalor de alimentacinde la positiva V
D
Dal aneg at i vaV
s
sovi cever sa.
Gerador de Onda Triangular :
Est formado por un generador de onda cuadrada conectada en cascada con un circuito
integrador. El circuito est compuesto de dos amplicadores operacionales: el primero trabaja
como un comparador con histresis externa (disparador Schmitt) y el otro compone el circuito
integrador.
Generador PWM:
Para que se pueda obtener el tren de impulsos, se emplea el circuito integrado como aestable.
Uncircuito aestable es aquel que presenta una seal cuadrada enla salida, enel cual se emplea
un transistor y un ip ip SR. Cuando Q es baja el transistor est en corte y el capacitor se
carga mediante la resistencia total RA+RB, por ello la constante de carga es (RA+RB)C, a
medida que el capacitor se carga el voltaje umbral aumenta.
4. Bibliograa
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2012, url = http://es.slideshare.net/totycevallos/temp555?related=1,
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@bookFloyd, author = "FLOYD, THOMAS L.", title = "DISPOSITIVOS ELECTRNICOS", pu-
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EMENTOS CON CARACTERISTI-
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publisher = "Marcomba S.A.", address = "Quito-Ecuador", year = "2014",
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